像素电路及显示装置的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及显示装置。


背景技术：

2.micro
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led是将led结构进行薄膜化、微小化、阵列化，尺寸缩小到1～10μm左右，通过巨量转移到基板上后再利用物理沉积完成保护层和电极，之后进行封装完成micro
‑
led的显示。micro
‑
led显示器具有良好的稳定性、使用寿命长，同时也承继了led低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点,在穿戴设备、超大显示屏幕、无线光通讯等领域都有广泛应用。micro
‑
led显示面板在制作过程中需要先将led芯片从各自的生长基板转移到显示面板上。但是，如果任一led芯片出现损坏或接触不良的情况，经转移后，将会在显示面板上呈现一个坏点，影响成像效果。
3.目前主要采用镭射修补或者采用ic切换的方式进行像素电路的修复，然而采用镭射修补的方式，随着巨转面积的增大，其修补数量是呈指数的关系上升的，因此对于分辨率偏高的产品，其修补难度太大。


技术实现要素：

4.鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种像素电路及显示装置，能够自动修复巨量转移过程中的坏点，大大提升了修复效率。
5.本技术提供一种像素电路，包括：主控制电路，所述主控制电路用于控制第一发光元件是否发光；修复电路，所述修复电路包括多个薄膜晶体管、第一电容和第二发光元件，多个所述薄膜晶体管和所述主控制电路电连接，所述主控制电路用于对所述第一电容充电，所述第一电容用于对其中一个薄膜晶体管放电；以及电源，所述电源用于对所述主控制电路和所述修复电路供电；当所述第一发光元件发光时，所述电源通过所述主控制电路对所述第一电容充电；当所述第一发光元件不发光时，所述第一电容放电，控制其中一个所述薄膜晶体管导通，所述电源通过多个所述薄膜晶体管向所述第二发光元件供电，以使所述第二发光元件发光。
6.通过在像素电路中设置修复电路，且修复电路包括多个薄膜晶体管、第一电容和第二发光元件，当第一发光元件不发光时，多个薄膜晶体管和第一电容共同作用，将像素电路切换至修复电路，以使第二发光元件发光，从而解决了巨量转移过程中由于第一发光元件故障产生的暗点问题，且无需外部动作即可完成自动切换，大大提升了修复效率。
7.一种实施方式中，多个所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一控制端、第一电流输入端和第一电流输出端，所述第一控制端用于控制所述第一薄膜晶体管是否导通，所述第一电流输入端与所述电源电连接，所述第一电流输出端与所述第一电容连接，当所述第一薄膜晶体管导通时，所述电源通过所述第一薄膜晶体管对所述第一电容充电。通过在修复电路中设置第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管根据第一发光元件的发光状态进行导通或断开，以将第一电容与主控制电路连接或断开，达到了当第
一发光元件发光时，电源对第一电容充电，当第一发光元件不发光时，第一电容放电以使第二发光元件发光，从而对像素电路进行修复的目的。
8.一种实施方式中，多个所述薄膜晶体管还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二控制端和第二电流输出端，所述第二控制端与所述第一电容连接，所述第二电流输出端与所述第二发光元件连接，所述第二薄膜晶体管设有电压阈值，当所述第二控制端与所述第二电流输出端之间的电压大于所述电压阈值时，所述第二薄膜晶体管导通，以使所述第二发光元件发光。通过在修复电路中设置第二薄膜晶体管，且使第二薄膜晶体管的第二控制端与第一电容连接，第二电流输出端与第二发光元件连接，通过第一电容的电压变化即可控制第二薄膜晶体管的导通或断开，进一步地控制第二发光元件是否发光，由于第一电容中的电压根据第一发光元件的发光状态实时变化，达到了使第二发光元件根据第一发光元件的发光状态实时变化的目的。
9.一种实施方式中，多个所述薄膜晶体管还包括触发薄膜晶体管，所述触发薄膜晶体管包括触发控制端、触发输入端和触发输出端，所述第二薄膜晶体管还包括第二电流输入端，所述触发控制端用于控制所述触发薄膜晶体管是否导通，所述触发输入端与所述电源电连接，所述触发输出端与所述第二电流输入端连接，当所述触发薄膜晶体管导通时，所述电源通过所述触发薄膜晶体管向所述第二发光元件供电，以触发所述第二发光元件发光。通过在修复电路中设置触发薄膜晶体管，当第一发光元件发光时，对对触发控制端施加高电平即可使修复电路处于关闭状态；当第一发光元件不发光时，通过对触发控制端施加低电平即可使触发薄膜晶体管导通，从而将像素电路从主控制电路切换至修复电路，以使电源对第二发光元件供电。
10.一种实施方式中，所述像素电路还包括低压源，所述第一发光元件、所述第一电容和所述第二发光元件均与所述低压源连接。通过使第一发光元件、第一电容和第二发光元件均连接低压源连接，以使第一发光元件、第一电容和第二发光元件的负极与正极之间形成电压差，从而形成电流通路。
11.一种实施方式中，所述第一薄膜晶体管和所述触发薄膜晶体管均为p型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为n型薄膜晶体管，所述电压阈值的大小根据所述低压源的电压和所述第一发光元件的工作电压确定。通过使第一薄膜晶体管和触发薄膜晶体管均为型薄膜晶体管，可通过对第一薄膜晶体管和触发薄膜晶体管施加控制信号控制第一薄膜晶体管和触发薄膜晶体管的导通，从而灵活控制修复电路的关闭和打开状态，而第二薄膜晶体管为型薄膜晶体管，则可以通过对第二薄膜晶体管的电压阈值进行单独调控，使其能够适用于多种类型的像素电路，可移植性高，节省成本。
12.一种实施方式中，所述第一控制端用于与信号源连接以接收第一导通信号，所述触发控制端用于与触发信号源连接以接收触发信号，当所述第一导通信号为低电平时，所述第一薄膜晶体管导通，当所述触发信号为低电平时，所述触发薄膜晶体管导通。通过对第一控制端施加电平信号以控制第一薄膜晶体管导通或断开，通过对触发控制端施加电平信号以控制触发薄膜晶体管的导通或断开，从而达到对修复电路进行灵活切换的目的。
13.一种实施方式中，所述第一薄膜晶体管导通，所述第二薄膜晶体管断开，以使所述第一发光元件正常发光时，所述修复电路处于断开状态；当所述第一发光元件不发光时，所述第一薄膜晶体管断开，所述第二薄膜晶体管和所述触发薄膜晶体管均导通，以使所述修
复电路切换至导通状态。通过使第一薄膜晶体管导通，第二薄膜晶体管和触发薄膜晶体管根据第一发光元件的发光状态进行不同的导通和断开的组合，实现了修复电路的自动切换功能，提高了修复效率。
14.一种实施方式中，所述主控制电路包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管与数据线连接以控制是否向所述像素电路输入数据电压，所述驱动薄膜晶体管与所述第一发光元件和所述修复电路连接，以控制所述电源是否向所述第一发光元件或所述修复电路供电。通过在主控制电路中设置开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，且使开关薄膜晶体管与数据线和扫描线连接，通过开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的共同作用，达到了通过主控制电路可以控制第一发光元件和第二发光元件是否发光及其发光灰阶的目的。
15.基于同样的发明构思，本技术还提供一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施方式所述的像素电路。通过在显示装置中采用本技术提供的像素电路，当显示装置中出现暗点时，可以自动对故障电路进行修复，且具有修复速度快，效率高的特点。
附图说明
16.图1为本技术实施例的像素电路的结构示意图；
17.图2为图1的一种实施例的像素电路的结构示意图；
18.图3为一种实施例的时序状态图；
19.图4为图1的另一种实施例的像素电路的结构示意图；
20.图5为另一种实施例的时序状态图；
21.图6为图1的另一种实施例的像素电路的结构示意图；
22.图7为另一种实施例的时序状态图；
23.图8为图1的另一种实施例的像素电路的结构示意图；
24.图9为图1的另一种实施例的像素电路的结构示意图；
25.图10为图1的另一种实施例的像素电路的结构示意图。
26.附图标记说明：
27.10
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主控制电路；20
‑
修复电路；
28.vdd
‑
电源；vss
‑
低压源；c1
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第一电容；c2
‑
第二电容；d1
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第一发光元件；d2
‑
第二发光元件；
29.data
‑
数据线；scan
‑
扫描线；
30.t1
‑
第一薄膜晶体管；g1
‑
第一控制端；t11
‑
第一电流输入端；t12
‑
第一电流输出端；
31.t2
‑
第二薄膜晶体管；g2
‑
第二控制端；t21
‑
第二电流输入端；t22
‑
第二电流输出端；
32.t3
‑
开关薄膜晶体管；g3
‑
第三控制端；t31
‑
第三电流输入端；t32
‑
第三电流输出端；
33.t4
‑
驱动薄膜晶体管；g4
‑
第四控制端；t41
‑
第四电流输入端；t42
‑
第四电流输出端；
34.et
‑
触发薄膜晶体管；ge
‑
触发控制端；e1
‑
触发输入端；e2
‑
触发输出端。
具体实施方式
35.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
36.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
37.micro
‑
led是将led结构进行薄膜化、微小化、阵列化，尺寸缩小到1～10μm左右，通过巨量转移到基板上后再利用物理沉积完成保护层和电极，之后进行封装完成micro
‑
led的显示。micro
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led显示器具有良好的稳定性、使用寿命长，同时也承继了led低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点,在穿戴设备、超大显示屏幕、无线光通讯等领域都有广泛应用。micro
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led显示面板在制作过程中需要先将led芯片从各自的生长基板转移到显示面板上。但是，如果任一led芯片出现损坏或接触不良的情况，经转移后，将会在显示面板上呈现一个坏点，影响成像效果。
38.目前主要采用镭射修补或者采用ic切换的方式进行像素电路的修复，其缺点在于，采用镭射修补的方式，随着巨转面积的增大，其修补数量是呈指数的关系上升的，因此对于分辨率偏高的产品，其修补效率太低。
39.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
40.请参考图1，本技术提供一种像素电路，该像素电路包括主控制电路10和电源vdd，其中，电源vdd与主控制电路10的输入端连接以对主控制电路10供电，主控制电路10的输出端与第一发光元件d1连接以控制电源vdd对第一发光元件d1供电。当主控制电路10处于导通状态时，第一电源vdd向主控制电路10输入电源电压，电源电压通过主控制电路10向第一发光元件d1供电。当主控制电路10处于断开状态时，电源vdd不向第一发光元件d1供电，第一发光元件d1不发光。
41.进一步地，本技术实施例提供的像素电路还包括修复电路20，修复电路20与主控制电路10连接(如图中虚线框所示)，其中，修复电路20包括多个薄膜晶体管、第一电容c1和第二发光元件d2，多个薄膜晶体管和主控制电路10电连接，主控制电路10用于对第一电容c1充电，第一电容c1用于对其中一个薄膜晶体管放电。具体地，修复电路20的输入端与主控制电路10的输出端连接，以使电源vdd对修复电路20供电。当主控制电路10处于导通状态，且第一发光元件d1正常发光时，电源vdd通过主控制电路10对第一电容c1充电，以将第一发光元件d1正常发光的电压信号储存在第一电容c1中，修复电路20根据第一电容c1中的电压信号关闭修复电路20，第二发光元件d2不发光。当主控制电路10处于导通状态，然而第一发光元件d1由于巨量转移不良或脱落导致不发光时，第一电容c1放电，以控制其中一个薄膜晶体管导通，并结合其他晶体管的导通与断开的配合，使电源vdd向第二发光元件d2供电，以使第二发光元件d2发光，从而修复第一发光元件d1不发光时产生的暗点。
42.通过在像素电路中设置修复电路20，且修复电路20包括多个薄膜晶体管、第一电容c1和第二发光元件d2，当第一发光元件d1不发光时，多个薄膜晶体管和第一电容c1共同
作用，将像素电路切换至修复电路20，以使第二发光元件d2发光，从而解决了巨量转移过程中由于第一发光元件d1故障产生的暗点问题，且无需外部动作即可完成自动切换，大大提升了修复效率。
43.一种实施方式中，请参考图1，主控制电路10包括开关薄膜晶体管t3和驱动薄膜晶体管t4，开关薄膜晶体管t3与数据线data连接以控制是否向像素电路输入数据电压，驱动薄膜晶体管t4与第一发光元件d1和修复电路20连接，以控制电源vdd是否向第一发光元件d1或修复电路20供电。具体地，开关薄膜晶体管t3包括第三控制端g3、第三电流输入端t31和第三电流输出端t32，第三控制端g3与扫描线scan连接以接收扫描信号，开关薄膜晶体管t3根据扫描信号进行导通或断开状态的切换。第三电流输入端t31与数据线data连接以接收数据信号，以向像素电路中输入数据电压。驱动薄膜晶体管t4包括第四控制端g4、第四电流输入端t41和第四电流输出端t42，第四电流输入端t41与电源vdd连接，第四电流输出端t42与第一发光元件d1连接。此外，控制电路10还包括第二电容c2，第二电容c2的上极板与电源vdd连接，第二电容c2的下极板、第三电流输出端t32以及第三控制端g3均连接至同一个节点。
44.当通过数据线scan传输的扫描信号控制开关薄膜晶体管t3导通时，数据线data通过开关薄膜晶体管t3输入数据电压，该数据电压对第二电容c2进行充电从而将数据电压储存在第二电容c2中。数据电压用于控制驱动薄膜晶体管t4的导通程度，从而控制电源vdd向驱动晶体管t4输入的电流大小，进一步地，达到控制第一发光元件d1和第二发光元件d2发光的灰阶的目的。此外，当驱动薄膜晶体管t4断开时，第一发光元件d1和第二发光元件d2均不能发光。通过在主控制电路10中设置开关薄膜晶体管t3和驱动薄膜晶体管t4，且使开关薄膜晶体管t3与数据线data和扫描线scan连接，通过开关薄膜晶体管t3和驱动薄膜晶体管t4的共同作用，达到了通过主控制电路10可以控制第一发光元件d1和第二发光元件d2是否发光及其发光灰阶的目的。
45.一种实施方式中，请参考图2和图3，多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管t1，第一薄膜晶体管t1包括第一控制端g1、第一电流输入端t11和第一电流输出端t12，第一控制端g1用于控制第一薄膜晶体管t1是否导通。具体地，第一控制端g1用于与信号源连接以接收第一导通信号，如图2所示，当第一导通信号为低电平时，第一薄膜晶体管t1导通，当第一导通信号为高电平时，第一薄膜晶体管t1断开。第一电流输入端t11与电源vdd电连接，第一电流输出端t12与第一电容c1连接，当第一薄膜晶体管t1导通时，电源vdd通过第一薄膜晶体管t1对第一电容c1充电，以将第一发光元件d1发光状态的电压信号存入第一电容c1中，当第一发光元件d1不发光时，第一薄膜晶体管t1断开，从而将第一电容c1与主控制电路10间隔开，电源vdd停止对第一电容c1充电，此时第一电容c1中的电荷在修复电路20中释放，以使第二发光元件d2发光。通过在修复电路20中设置第一薄膜晶体管t1，第一薄膜晶体管t1根据第一发光元件d1的发光状态进行导通或断开，以将第一电容c1与主控制电路10连接或断开，达到了当第一发光元件d1发光时，电源vdd对第一电容c1充电，当第一发光元件d1不发光时，第一电容c1放电以使第二发光元件d2发光，从而对像素电路进行修复的目的。
46.一种实施方式中，请参考图1，多个薄膜晶体管还包括第二薄膜晶体管t2，第二薄膜晶体管t2包括第二控制端g2和第二电流输出端t22，第二控制端g2与第一电容c1连接，第二电流输出端t22与第二发光元件d2连接，第二薄膜晶体管t2设有电压阈值，当第二电流输
出端t22与第二控制端g2之间的电压大于电压阈值时，第二薄膜晶体管t2导通，以使第二发光元件d2发光。具体地，该电压阈值为第二薄膜晶体管t2的开启电压，当第一发光元件d1由发光状态转变为不发光状态时，第一电容c1中储存的电压使得第一电容c1的上极板仍处于高电位状态，当第二薄膜晶体管t2处于断开状态时，第二电流输出端t22为低电位状态，此时第一电容c1向第二薄膜晶体管t2的第二控制端g2放电，当第二电流输出端t22与第二控制端g2之间的电压大于电压阈值时，即第二电流输出端t22与第二控制端g2之间的电压大于第二薄膜晶体管t2的开启电压，则第二薄膜晶体管t2导通，以使电源vdd向第二发光元件d2供电。通过在修复电路20中设置第二薄膜晶体管t2，且使第二薄膜晶体管t2的第二控制端g2与第一电容c1连接，第二电流输出端t22与第二发光元件d2连接，通过第一电容c1的电压变化即可控制第二薄膜晶体管t2的导通或断开，进一步地控制第二发光元件d2是否发光，由于第一电容c1中的电压根据第一发光元件d1的发光状态实时变化，达到了使第二发光元件d2根据第一发光元件d1的发光状态实时变化的目的。
47.一种实施方式中，请参考图1和图7，多个薄膜晶体管还包括触发薄膜晶体管et，触发薄膜晶体管et包括触发控制端ge、触发输入端e1和触发输出端e2，第二薄膜晶体管t2还包括第二电流输入端t21，触发控制端ge用于控制触发薄膜晶体管et是否导通，触发输入端e1与电源vdd电连接，触发输出端e2与第二电流输入端t21连接，当触发薄膜晶体管et导通时，电源vdd通过触发薄膜晶体管et向第二发光元件d2供电，以触发第二发光元件d2发光。触发控制端ge用于与触发信号源连接以接收触发信号，如图7所示，当触发信号为低电平时，触发薄膜晶体管et导通。具体地，当第一发光元件d1不发光时，对触发控制端ge施加一个低电平的触发信号即可使触发薄膜晶体管et导通，电源vdd通过触发薄膜晶体管et向修复电路20输入电流，以使修复电路20完全打开，从而为第二发光元件d2供电并触发第二发光元件d2发光。通过在修复电路20中设置触发薄膜晶体管et，当第一发光元件d1发光时，对对触发控制端ge施加高电平即可使修复电路20处于关闭状态；当第一发光元件d1不发光时，通过对触发控制端ge施加低电平即可使触发薄膜晶体管et导通，从而将像素电路从主控制电路10切换至修复电路20，以使电源vdd对第二发光元件d2供电。
48.一种实施方式中，请参考图1，像素电路还包括低压源vss，第一发光元件d1、第一电容c1和第二发光元件d2均与低压源vss连接。具体地，第一发光元件d1的负极端、第一电容c1的下极板，以及第二发光元件d2的负极端均与低压源vss连接，低压源vss通常为低电平信号，如0v、接地或其他低电平信号。通过使第一发光元件d1、第一电容c1和第二发光元件d2均连接低压源vss连接，以使第一发光元件d1、第一电容c1和第二发光元件d2的负极与正极之间形成电压差，从而形成电流通路。
49.一种实施方式中，请参考图6和图7，第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et均为p型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管t2为n型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管t2的电压阈值的大小根据低压源vss的电压和第一发光元件d1的工作电压确定。具体地，第一薄膜晶体管t1为p型薄膜晶体管，通过对第一薄膜晶体管t1的第一控制端g1输入电平信号即可控制第一薄膜晶体管t1导通或断开。类似地，触发薄膜晶体管et为p型薄膜晶体管，则通过对触发薄膜晶体管et的触发控制端ge施加电平信号即可控制触发薄膜晶体管et导通或断开。第二薄膜晶体管t2为n型薄膜晶体管，由于n型薄膜晶体管的类型不同，因此可对其电压阈值进行单独调控而不影响像素电路的特性。下面以第一发光元件d1正极电压在0～255灰阶的对应电压
范围内为例进行说明，此时电压波动为
‑
1v～1v。由于n型薄膜晶体管的电流输入端与控制端是等电位的，即第二电流输入端t21和第二控制端g2等电位，为
‑
1v～1v。由于第二发光元件d2的电阻压降很小，因此第二电流输出端t22的电位在开路状态可以近似认为与低压源vss等电位。此时，根据第二控制端g2的上限电压为1v来判断，电压阈值应为|vss|
‑
1v，若取vss为
‑
2.9v，则第二薄膜晶体管t2的电压阈值大约为1.9v。其他实施例中，第二薄膜晶体管t2的电压阈值可根据实际情况进行调整。通过使第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et均为p型薄膜晶体管，可通过对第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et施加控制信号控制第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et的导通，从而灵活控制修复电路20的关闭和打开状态，而第二薄膜晶体管t2为n型薄膜晶体管，则可以通过对第二薄膜晶体管t2的电压阈值进行单独调控，使其能够适用于多种类型的像素电路，可移植性高，节省成本，且有利于提高显示集成度。
50.一种实施方式中，第一薄膜晶体管t1导通，第二薄膜晶体管t2断开，以使第一发光元件d1正常发光时，修复电路20处于断开状态；当第一发光元件d1不发光时，第一薄膜晶体管t1断开，第二薄膜晶体管t2和触发薄膜晶体管et均导通，以使修复电路20切换至导通状态。通过使第一薄膜晶体管t1导通，第二薄膜晶体管t2和触发薄膜晶体管et根据第一发光元件d1的发光状态进行不同的导通和断开的组合，实现了修复电路20的自动切换功能，提高了修复效率。
51.下面将对像素电路的修复过程进行说明：
52.请参考图2和图3，当第一发光元件d1正常发光，从第三控制端g3输入的扫描信号为低电平信号，第一控制端g1和触发控制端g3均输入高电平信号时，开关薄膜晶体管t3导通，数据线data向主控制电路10写入数据信号。第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et均断开，修复电路10处于关闭状态。
53.请参考图4和图5，当第一发光元件d1仍然处于发光状态，对第三控制端g3和触发控制端ge输入高电平信号，对第一控制端g1输入低电平信号时，开关薄膜晶体管t3和触发薄膜晶体管et均断开。此时，第一薄膜晶体管t1导通，以将第一发光元件d1正常发光的电压信号存入第一电容c1中，为下一步状态判断做准备。
54.请参考图6和图7，当第一发光元件d1正常发光，对第三控制端g3和第一控制端g1均输入高电平信号，对触发控制端g3输入低电平信号时，开关薄膜晶体管t1断开，第一薄膜晶体管t1和第二薄膜晶体管t2也断开，触发薄膜晶体管et导通，此时由于第二薄膜晶体管t2断开，电源vdd无法为第二发光元件d2供电，因此修复电路20仍然处于关闭状态。
55.请参考图3和图8，当像素电路在对led进行巨量转移的过程中或其他原因发生脱落，导致第一发光元件d1不发光时，对第三控制端g3输入低电平信号，对第一控制端g1和触发控制端ge输入高电平信号，以使开关薄膜晶体管t3导通，第一薄膜晶体管t1和触发薄膜晶体管et均断开。此时数据信号通过开关薄膜晶体管t3写入主控制电路10后，并不能构成回路。此时，第一发光元件d1的正极节点电位为与电源vdd的电位相等。
56.请参考图5和图9，当第一发光元件d1不发光时，第一发光元件d1相当于断路状态，此时，相当于电源vdd和低压端vss对第一电容c1充电，第一电容c1的上极板为近似与电源vdd等电位的高电位，为后续电路切换动作作准备。
57.进一步地，请参考图7和图10，对第三控制端g3和第一控制端g1输入高电平信号，
对触发控制端ge输入低电平信号，以使开关薄膜晶体管t3和第一薄膜晶体管t1断开，触发薄膜晶体管et导通。此时，由于第二薄膜晶体管t2的第二控制端g2存入的电压相较于正常状态为高电位状态，因此第二薄膜晶体管t2导通，完成修复电路20的切换动作。
58.基于同样的发明构思，本技术还提供一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施方式的像素电路。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。通过在显示装置中采用本技术提供的像素电路，当显示装置中出现暗点时，可以自动对故障电路进行修复，且具有修复速度快，效率高的特点。
59.应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。