一种智能终端用盲文点显装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种智能终端用盲文点显装置。


背景技术：

2.盲人由于视觉功能的缺陷导致其接受外部信息的方式与常人不同，主要是通过听觉和触觉途径进行弥补。但是盲人仍旧可以阅读盲文书籍，盲文是通过点阵式排列触头构成的信息符号，盲人可以通过触觉感知和接收文字信息。而计算机作为新型媒体，输出信息的方式主要是图像和音频，为了让盲人也能正常的使用计算机，需要通过盲文转换装置将信息显现在触感屏上，从而使盲人可以阅读文字信息，对计算机文件进行编辑和操作。
3.现有技术中的盲文点显装置通常包括电路板、双晶片、触头和推杆组成，双晶片一端与电路板连接，双晶片另一端通过推杆驱动触头，使触头在点显界面上凸起或缩入，从而在多组双晶片的配合下实现点阵信息的输出。现有技术中的盲文点显装置具有以下缺点：双晶片的一端焊接固定于电路板，而双晶片上还设置有支撑点，以使双晶片以支撑点作为支撑，然后支撑点的结构设计不合理，可能导致支撑点强度不足，导致其容易晃动，使得双晶片摆动发生异常。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足，而提供一种结构设计合理的智能终端用盲文点显装置。
5.本实用新型实施例解决上述问题所采用的技术方案是：一种智能终端用盲文点显装置，其特征在于，包括：
6.基座；
7.电路板，其固定于所述基座上；
8.双晶片，其设置有若干组，所述双晶片具有后端及前端，其中，所述后端与所述电路板固定并实现电性连接；以及
9.推杆，其下端与所述双晶片的前端配合，而其上端露于所述基座的一侧的表面外侧并形成触头；
10.所述基座上设置有前支撑部，所述前支撑部包括前上支点及前下支点，所述双晶片具有第一面及第二面，所述前上支点对应于所述双晶片的第一面，所述前下支点对应于所述双晶片的第二面，所述前上支点与所述前下支点于所述双晶片的厚度方向上的位置对应；
11.相邻两个所述双晶片之间具有第一支撑片，所述第一支撑片固定于所述基座上，所述第一支撑片包括一第一本体，所述第一本体的截面形状为矩形状，所述前上支点和所述前下支点分别凸设于所述第一本体；所述第一支撑片于所述前上支点或所述前下支点处的厚度大于第一支撑片的其他位置处的厚度，所述前上支点和/或前下支点与所述双晶片呈线接触。
12.本实用新型实施例所述基座上设置有后支撑部，所述后支撑部包括后上支点及后下支点，所述后上支点对应于所述双晶片的第一面，所述后下支点对应于所述双晶片的第二面，所述后上支点与所述后下支点于所述双晶片的厚度方向上的位置对应。
13.本实用新型实施例所述双晶片的厚度在0.2mm至1mm之间。
14.本实用新型实施例所述前上支点和/或所述前下支点与所述双晶片接触的位置呈圆弧面。
15.本实用新型实施例所述第一支撑片呈“8”字形。
16.本实用新型实施例还提供一种智能终端用盲文点显装置，其特征在于，包括：
17.基座；
18.电路板，其固定于所述基座上；
19.双晶片，其设置有若干组，所述双晶片具有后端及前端，其中，所述后端与所述电路板固定并实现电性连接；以及
20.推杆，其下端与所述双晶片的前端配合，而其上端露于所述基座的一侧的表面外侧并形成触头；
21.所述基座上设置有前支撑部，所述前支撑部包括前上支点及前下支点，所述双晶片具有第一面及第二面，所述前上支点对应于所述双晶片的第一面，所述前下支点对应于所述双晶片的第二面，所述前上支点与所述前下支点于所述双晶片的厚度方向上的位置对应；
22.相邻两个所述双晶片之间具有第一支撑片，所述第一支撑片固定于所述基座上，所述第一支撑片包括一第一本体，所述第一本体的截面形状为矩形状，所述前上支点和所述前下支点分别凸设于所述第一本体；所述第一支撑片于所述前上支点或所述前下支点处的厚度大于第一支撑片的其他位置处的厚度，所述前上支点和/或前下支点与所述双晶片呈面接触。
23.本实用新型实施例所述基座上设置有后支撑部，所述后支撑部包括后上支点及后下支点，所述后上支点对应于所述双晶片的第一面，所述后下支点对应于所述双晶片的第二面，所述后上支点与所述后下支点于所述双晶片的厚度方向上的位置对应。
24.本实用新型实施例所述双晶片的厚度在0.2mm至1mm之间。
25.本实用新型实施例所述前上支点和/或所述前下支点与所述双晶片接触的位置呈平面。
26.本实用新型实施例所述第一支撑片呈“z”字形。
27.本实用新型与现有技术相比，具有以下一条或多条优点或效果：结构简单，设计合理；第一支撑片于前上支点或前下支点处的厚度大于第一支撑片其他位置处的厚度，以使第一支撑片具有更好的结构强度，防止在双晶片摆动时，迫使第一支撑片变形；前上支点和/或前下支点与双晶片呈线接触，对双晶片的限制较小，可通过较小的电压，即可实现双晶片较大的摆动幅度，使得能耗降低；前上支点和/或前下支点与双晶片呈面接触，对双晶片的支撑结构更加稳定。
附图说明
28.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例
或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1是本实用新型实施例中的智能终端用盲文点显装置的主视结构示意图。
30.图2是本实用新型实施例中的智能终端用盲文点显装置立体结构示意图一。
31.图3是本实用新型实施例中的智能终端用盲文点显装置立体结构示意图二。
32.图4是本实用新型实施例中的智能终端用盲文点显装置的剖视结构示意图。
33.图5是图4中b处的放大图。
34.图6是智能终端用盲文点显装置叠置的结构示意图。
35.图7是一是实施例中的智能终端用盲文点显装置的立体结构示意图一。
36.附图标记说明：1、基座；11、前上支点；12、前下支点；13、后上支点；14、后下支点；15、第一支撑片；151、第一本体；16、限位部；17、第二支撑片；171、第二本体；2、电路板；3、双晶片；301、后端；302、前端；31、第一面；32、第二面；33、焊接点；4、推杆；41、触头。
具体实施方式
37.为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。下文中关于方向如“轴向方向”、“上方”、“下方”等均是为了更清楚的表明结构位置关系，并非对本实用新型的限制。在本实用新型中，所述“垂直”、“水平”、“平行”定义为：包括在标准定义的基础上
±
10％的情形。例如，垂直通常指相对基准线夹角为90度，但在本实用新型中，垂直指的是包括80度至100以内的情形。
38.参见图1至图7，本实施例的智能终端用盲文点显装置，包括基座1、电路板2、双晶片 3和推杆4。
39.本实施例中的电路板2，其固定于所述基座1上，电路板2上可设置电子元件。一实施例中，电路板2可通过螺栓而固定至基座。一实施例中，电路板2可粘接于所述基座1上。一实施例中，电路板2可卡接于所述基座1上。
40.本实施例中的双晶片3，其设置有若干组，所述双晶片3具有后端301及前端302，其中，所述后端301与所述电路板2固定并实现电性连接。双晶片3可以为三层结构，由上、中、下三层叠置而形成，其中上层和下层采用陶瓷片，中间层也就是基板层，一般采用碳纤维、玻璃纤维等复合材料，或者采用合金材料。本实施例中的双晶片3通电后可实现摆动，此为现有技术，此处不再赘述。
41.本实施例中的双晶片3的厚度为0.1～2毫米之间。进一步的，双晶片3的厚度为0.2～1 毫米之间。双晶片3的厚度太厚的话，会使得逆压电效应不明显，或需要增大电压实现，影响寿命，太薄的话，则会使双晶片3的摆动力量不够。
42.本实施例中的推杆4，其下端与所述双晶片3的前端302配合，而其上端露于所述基座1 的一侧的表面外侧并形成触头41。双晶片3摆动时，可推动推杆4动作，以使触头41从基座1伸出或缩入。一些实施例中的触头41可与推杆4一体式成型。一些实施例中，触头41 可与推杆4为分体式结构。一些实施例中，推杆4可固定于双晶片3的前端302。一些实施例中，
推杆4的一部分可配置于基座1内，且推杆4与双晶片3不固定。
43.本实施例中的基座1上设置有前支撑部，所述前支撑部包括前上支点11及前下支点12，所述双晶片3具有第一面31及第二面32，所述前上支点11对应于所述双晶片3的第一面31，所述前下支点12对应于所述双晶片3的第二面32，所述前上支点11与所述前下支点12于所述双晶片3的厚度方向上的位置对应，即前上支点11与前下支点12在双晶片3的厚度方向上对齐，以防止前上支点11与前下支点12在双晶片3的长度方向上错位而限制双晶片3 的摆动。
44.基座1上还可设置有后支撑部，所述后支撑部包括后上支点13及后下支点14，所述后上支点13对应于所述双晶片3的第一面31，所述后下支点14对应于所述双晶片3的第二面 32，所述后上支点13与所述后下支点14于所述双晶片3的厚度方向上的位置对应，即后上支点13与后下支点14在双晶片3的厚度方向上对齐，以防止后上支点13与后下支点14在双晶片3的长度方向上错位而限制双晶片3的摆动。
45.本实施例通过设置后支撑部，可减小双晶片3的前端302摆动时对后端301形成的挠曲形变，降低双晶片3与电路板2的连接点松动或脱离的风险，提升使用的可靠性。
46.本实施例所述前支撑部及所述后支撑部配置于所述双晶片3的长度方向上的不同位置。
47.本实施例相邻两个双晶片3之间具有一第一支撑片15，所述第一支撑片15固定于所述基座1上，所述第一支撑片15的其中一侧向外侧凸出而形成所述前上支点11，而所述第一支撑片15的另一侧向外侧凸出而形成所述前下支点12。具体的，第一支撑片15包括一第一本体151，第一本体151的截面形状为矩形状或大致的矩形状，前上支点11和前下支点12 分别凸设于所述第一本体151。第一支撑片15于前上支点11或前下支点12处的厚度大于第一支撑片15其他位置处(第一本体151上不设置有前上支点11或前下支点12处)的厚度，以使第一支撑片15具有更好的结构强度，防止在双晶片3摆动时，迫使第一支撑片15变形。
48.本实施例中，最靠近基座1的两侧的侧壁上分别设置有前上支点11和前下支点12，以对应最接近侧壁的双晶片3。
49.参见图4和图5，一些实施例中，所述前上支点11和/或前下支点12与所述双晶片3呈线接触。前上支点11和/或前下支点12与双晶片3接触的位置呈圆弧面，其可大致认定为所述前上支点11和/或前下支点12与所述双晶片3呈线接触。采用线接触时，对双晶片3的限制较小，可通过较小的电压，即可实现双晶片3较大的摆动幅度，使得能耗降低。前上支点 11和前下支点12与双晶片3接触的位置呈圆弧面时，第一支撑片15大致呈“8”字形。
50.参见图6和图7，一些实施例中，所述前上支点11和/或前下支点12与所述双晶片3呈面接触。前上支点11和/或前下支点12与双晶片3接触的位置呈平面，其可认定为前上支点 11和/或前下支点12与双晶片3为面接触。采用面接触时，对双晶片3的支撑结构更加稳定。前上支点11和前下支点12与双晶片3接触的位置呈平面时，第一支撑片15大致呈“z”字形。
51.本实施例所述双晶片3的后端301设置焊接点33，所述焊接点33处设置焊接材料，以使所述双晶片3于所述焊接点33处通过所述焊接材料与所述电路板2固定。
52.本实施例在所述双晶片3的长度方向上，所述后支撑部位于所述前支撑部与所述焊接点 33之间。
53.本实施例所述前支撑部至所述双晶片3的前端302的距离与所述前支撑部至所述后端301 的距离的比值为2～12：1；更进一步的，所述前支撑部至所述双晶片3的前端302的距离与所述前支撑部至所述后端301的距离的比值为5～7：1。
54.进一步的，本实施例所述前支撑部至所述双晶片3的前端302的距离大于所述前支撑部至所述后端301的距离。以使得双晶片3的前端302可具有较大的摆动幅度。
55.本实施例所述后支撑部至所述前支撑部的距离与所述后支撑部至所述焊接点33的距离的比值为0.3～3:1；更进一步的，所述后支撑部至所述前支撑部的距离与所述后支撑部至所述焊接点33的距离的比值为0.5～1.5:1。以此，一方面可使后支撑部的设置，不至于大幅影响双晶片3的前端302的摆动幅度，另一方面，可限制前端302摆动时传递至焊接点33的挠曲形变力，防止焊接点松动或脱离。
56.本实施例所述基座1上设置有限位部16，所述限位部16位于所述双晶片3的前端302 的摆动方向上，以限制所述双晶片3的摆动幅度。通过限位部16限制双晶片3的前端302的摆动幅度，可防止产生较大的挠曲形变。
57.本实施例相邻两个双晶片3之间具有一第二支撑片17，所述第二支撑片17固定于所述基座1上，所述第二支撑片17的其中一侧向外侧凸出而形成所述后上支点113，而所述第二支撑片17的另一侧向外侧凸出而形成所述后下支点14。具体的，第二支撑片17包括一第二本体171，第二本体171的截面形状为矩形状或大致的矩形状，后上支点13和后下支点14 分别凸设于所述第二本体171。第二支撑片17于后上支点13或后下支点14处的厚度大于其他位置处(第二本体171上不设置有后上支点13或后下支点14处)的厚度，以使第二支撑片17具有更好的结构强度，防止在双晶片3摆动时，迫使第二支撑片17变形。
58.本实施例中，最靠近基座1的两侧的侧壁上分别设置有后上支点13和后下支点14，以对应最接近侧壁的双晶片3。
59.参见图4和图5，一些实施例中，所述后上支点13和/或后下支点14与所述双晶片3呈线接触。后上支点13和/或后下支点14与双晶片3接触的位置呈圆弧面，其可大致认定为所述后上支点13和/或后下支点14与所述双晶片3呈线接触。采用线接触时，对双晶片3的限制较小。后上支点13和后下支点14与双晶片3接触的位置呈圆弧面时，第二支撑片17大致呈“8”字形。
60.参见图6和图7，一些实施例中，所述后上支点13和/或后下支点14与所述双晶片3呈面接触。后上支点13和/或后下支点14与双晶片3接触的位置呈平面，其可认定为后上支点 13和/或后下支点14与双晶片3为面接触。采用面接触时，对双晶片3的支撑结构更加稳定。后上支点13和后下支点14与双晶片3接触的位置呈平面时，第二支撑片17大致呈“z”字形。
61.本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型所作的举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。