显示装置的制作方法

文档序号:31871926发布日期:2022-10-21 19:41阅读:36来源:国知局
显示装置的制作方法
显示装置
1.本技术要求于2021年4月20日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0051289号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
2.公开总体上涉及一种显示装置。


背景技术:

3.近来,随着对信息显示器的兴趣增加,显示装置的研究和开发已经在不断地进行。
4.将理解的是,该背景技术部分意图部分地提供用于理解技术的有用背景。然而,该背景技术部分也可以包括不是在这里公开的主题的相应有效提交日期之前被相关领域技术人员已知或者理解的内容的一部分的想法、构思或认知。


技术实现要素:

5.实施例提供了一种可以减小线的位置中的每个位置的电阻偏差并且防止电极组件之间的短路缺陷的显示装置。
6.显示装置可以包括:显示区域和与显示区域相邻的非显示区域;像素,设置在显示区域中;驱动控制器,设置在非显示区域中,驱动控制器控制像素的驱动;以及线部,具有设置在非显示区域中的至少一部分,线部在像素与驱动控制器之间将像素和驱动控制器彼此电连接,其中,非显示区域可以包括设置在显示区域与驱动控制器之间的扇出区域,线部可以包括:第一电力线;第二电力线;以及扇出线,扇出线中的每条的至少一部分设置在扇出区域中,其中,第一电力线的至少一部分和第二电力线的至少一部分在平面图中通过在倾斜方向上延伸的分离区域彼此间隔开,并且其中,显示装置的与驱动控制器相邻的一侧和倾斜方向彼此不平行。
7.第一电力线和第二电力线在平面图中可以具有大致板形状。第一电力线可以包括与第二电力线相邻的第一相邻线,并且第二电力线可以包括与第一电力线相邻的第二相邻线。第一电力线和第二电力线在平面图中可以彼此不叠置。
8.第一相邻线和第二相邻线可以彼此平行。
9.第一相邻线和第二相邻线可以与显示装置的与驱动控制器相邻的一侧错开。
10.第一相邻线和第二相邻线可以具有大致阶梯形状。
11.第一电力线和第二电力线可以设置在同一层中,所述同一层与扇出线的层不同。
12.显示装置还可以包括:晶体管,电连接到驱动控制器,晶体管包括第一晶体管电极和第二晶体管电极。第一晶体管电极、第二晶体管电极、第一电力线和第二电力线可以设置在同一层中。
13.显示装置还可以包括:阻挡电极层,在平面图中与晶体管的至少一部分叠置。阻挡电极层和扇出线可以设置在同一层中。
14.扇出线的至少一部分在平面图中可以与分离区域叠置。
15.扇出线可以包括:第一扇出线;第二扇出线;以及第三扇出线。第一扇出线、第二扇出线和第三扇出线可以在第一方向上彼此间隔开。第一扇出线、第二扇出线和第三扇出线中的每者的至少一部分可以在第二方向上延伸。
16.扇出区域可以包括第一区域、第二区域和第三区域。第一区域、第二区域和第三区域在平面图中可以在第二方向上彼此间隔开。第一区域可以设置在第二区域与第三区域之间。
17.第二方向可以是从驱动控制器朝向显示区域的方向。
18.扇出区域可以包括第一叠置区域和第二叠置区域。第一电力线在第一叠置区域中可以与扇出线叠置,并且第二电力线在第二叠置区域中可以与扇出线叠置。
19.在平面图中,第一扇出线在第一区域中可以与分离区域叠置,并且在平面图中,第二扇出线和第三扇出线在第一区域中可以不与分离区域叠置。
20.在平面图中,第二扇出线在第二区域中可以与分离区域叠置,并且在平面图中,第一扇出线和第三扇出线在第二区域中可以不与分离区域叠置。
21.在平面图中,第三扇出线在第三区域中可以与分离区域叠置,并且在平面图中,第一扇出线和第二扇出线在第三区域中可以不与分离区域叠置。
22.在平面图中,在第一区域中,第二扇出线可以与第二叠置区域叠置,并且第三扇出线可以与第一叠置区域叠置。在平面图中,在第二区域中,第一扇出线可以与第一叠置区域叠置,并且第三扇出线可以与第一叠置区域叠置。在平面图中,在第三区域中,第一扇出线可以与第二叠置区域叠置,并且第二扇出线可以与第二叠置区域叠置。
23.驱动控制器驱动像素,并且可以包括:扫描驱动器;数据驱动器;以及补偿器。扫描驱动器、数据驱动器和补偿器可以设置在显示区域的一侧处。
24.扇出区域的宽度可以在从驱动控制器朝向显示区域的方向上加宽。
25.扇出线可以包括与像素电连接的扫描线、数据线和感测线中的至少一者。
附图说明
26.通过参照附图详细地描述公开的实施例,公开的上述和其它方面以及特征将变得更清楚。
27.图1是示出根据实施例的发光元件的剖视图,图2是示出根据实施例的发光元件的示意性透视图。
28.图3是示出根据实施例的显示装置的框图。
29.图4是示出根据实施例的显示装置的示意性平面图。
30.图5是示出根据实施例的包括在像素中的像素电路的等效电路的示意图。
31.图6是示出根据实施例的包括在显示装置中的堆叠结构的图。
32.图7是沿着图4中所示的线i-i’截取的示意性剖视图。
33.图8和图9是图4中所示的区域ea1的放大图。
34.图10是图8中所示的区域ea2的放大图。
35.图11是沿着图10中所示的线ii-ii’截取的示意性剖视图。
36.图12是沿着图10中所示的线iii-iii’截取的示意性剖视图。
37.图13是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的示意性剖视图。
具体实施方式
38.说明书中公开的实施例仅是为了说明性目的和为了由本领域技术人员充分理解公开的范围而提供。然而,公开不限于实施例,并且应理解的是,在不脱离公开的精神和范围的情况下,公开包括修改示例或改变示例。
39.因此,现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,示例实施例可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。
40.在附图中,为了清楚说明,可以夸大尺寸。将理解的是,当元件被称为“在”两个元件“之间”时,它可以是两个元件之间的唯一元件,或者也可以存在一个或更多个居间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
41.例如,在附图中,为了易于描述且为了清楚,可以夸大元件的尺寸、厚度、比率和大小。
42.如这里使用的,除非上下文另有明确说明,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
43.在说明书和权利要求书中,出于其含义和解释的目的,术语“和/或”意图包括术语“和”和“或”的任何组合。例如,“a和/或b”可以被理解为表示“a、b或者a和b”。术语“和”和“或”可以在结合或分离的意义上使用,并且可以被理解为等同于“和/或”。
44.在说明书和权利要求书中,出于其含义和解释的目的,短语
“……
中的至少一个”意图包括“选自
……
的组中的至少一个”的含义。例如,“a和b中的至少一个”可以被理解为表示“a、b或者a和b”。
45.将理解的是,尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
46.为了易于描述,这里可以使用空间相对术语“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是,除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如,在附图中所示的装置被翻转的情况下,位于另一装置“下方”或“下面”的装置可以放置在另一装置“上方”。因此,说明性术语“在
……
下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定位在其它方向上,因此可以根据方位而不同地解释空间相对术语。
47.术语“叠置”或其变型表示第一物体可以在第二物体上方或下方或侧者侧面,反之亦然。此外,术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在
……
之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如由本领域普通技术人员将领会并理解的任何其它合适的术语。
48.当元件被描述为“不与”另一元件“叠置”或者被类似地描述时,这可以包括元件彼此间隔开、元件彼此偏移、或元件彼此分开或者如本领域普通技术人员将领会并理解的任何其它合适的术语。
49.术语“面对”和其变型表示第一元件可以与第二元件直接相对或间接相对。在其中第三元件置于第一元件与第二元件之间的情况下,尽管第一元件和第二元件仍彼此面对,
但是第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。
50.术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型用在本说明书中时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但是不排除存在或者添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
51.短语“在平面图中”表示从顶部观察物体,短语“在示意性剖视图中”表示从侧面观察被竖直切割的物体的剖面。
52.如这里使用的“约”或“近似”包括所陈述的值,并且表示在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的
±
30%、
±
20%、
±
10%、
±
5%内。
53.除非另有定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释,除非这里明确地如此定义。
54.将理解的是,当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时,它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接结合到上述另一元件,或者可以在它们之间设置居间元件。
55.将理解的是,术语“连接到”或“结合到”可以包括物理连接或电连接或者物理结合或电结合。
56.提供附于说明书的附图是为了容易地解释公开,并且附图中所示的形状可以根据需要而被夸大并显示,以帮助理解公开,因此公开不限于附图。
57.在说明书中,当确定与公开有关的相关构造或功能的详细描述可能模糊公开的主旨时,将根据需要而省略其详细描述。
58.公开总体上涉及一种显示装置。在下文中,将参照图1至图13描述根据实施例的显示装置。
59.在图1和图2中示出了根据实施例的包括在显示装置(见图3中所示的“100”)中的发光元件ld。图1是示出根据实施例的发光元件ld的剖视图,图2是示出根据实施例的发光元件ld的示意性透视图。尽管在图1和图2中示出了柱形状的发光元件ld,但是发光元件ld的种类和/或形状不限于此。
60.参照图1和图2,发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。在示例中,在假设发光元件ld的延伸方向是长度方向的情况下,发光元件ld可以包括可以沿长度方向彼此顺序堆叠的第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13。
61.发光元件ld可以以沿一个方向或一方向延伸的柱形状或大致柱形状设置。发光元件ld可以具有第一端部ep1和第二端部ep2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一者可以与发光元件ld的第一端部ep1相邻。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一者可以与发光元件ld的第二端部ep2相邻。
62.根据实施例,在公开的精神和范围内,发光元件ld可以是通过蚀刻工艺等以柱形状或大致柱形状制造的发光元件。在本说明书中,术语“柱形状”可以包括可以在长度方向
上长(例如,其长宽比大于1)的杆形形状或棒形形状(诸如圆柱或多棱柱),而其剖面形状没有特别限制。例如,发光元件ld的长度l可以比发光元件ld的直径d(或剖面的宽度)大。
63.根据实施例,发光元件ld可以具有纳米级至微米级的尺寸。例如,发光元件ld的直径d和/或长度l可以具有纳米级至微米级的尺寸。然而,发光元件ld的尺寸不限于此。
64.第一半导体层11可以是第一导电类型半导体层。例如,第一半导体层11可以包括n型半导体层。在示例中,第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的任何一种半导体材料,并且包括掺杂有第一导电类型掺杂剂(诸如si、ge或sn)的n型半导体层。然而,构成第一半导体层11的材料不限于此。第一半导体层11可以由各种材料形成。
65.活性层12形成在第一半导体层11上,并且可以以单量子阱结构或多量子阱结构形成。活性层12的位置可以根据发光元件ld的种类而被不同地改变。
66.在实施例中,掺杂有导电掺杂剂的覆层(未示出)可以形成在活性层12的顶部和/或底部上。在示例中,覆层可以形成为algan层或inalgan层。在实施例中,诸如algan或alingan的材料可以用于形成活性层12。活性层12可以由各种材料形成。
67.第二半导体层13形成在活性层12上,并且可以包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如,第二半导体层13可以包括p型半导体层。在示例中,第二半导体层13可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的至少一种半导体材料,并且包括掺杂有第二导电类型掺杂剂(诸如mg)的p型半导体层。然而,构成第二半导体层13的材料不限于此。第二半导体层13可以由各种材料形成。
68.在电压(阈值电压或更高的电压)施加到发光元件ld的两端的情况下,随着电子-空穴对在活性层12中结合,发光元件ld发光。通过使用这种原理来控制发光元件ld的光发射,使得发光元件ld可以用作各种发光器件(包括显示装置的像素)的光源。
69.根据实施例,发光元件ld还可以包括设置在其表面的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面,以围绕至少活性层12的外周表面。绝缘膜inf还可以围绕第一半导体层11和第二半导体层13中的每者的一个区域或一区域。绝缘膜inf可以形成为单层膜或双层膜。然而,公开不限于此,并且绝缘膜inf可以由多层膜形成。在示例中,绝缘膜inf可以包括包含第一材料的第一绝缘膜和包含与第一材料不同的第二材料的第二绝缘膜。
70.根据实施例,绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的具有不同极性的两个端部。例如,绝缘膜inf可以暴露定位或者设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处的第一半导体层11和第二半导体层13中的每者的一个端部或一端部。在实施例中,绝缘膜inf可以暴露第一半导体层11和第二半导体层13中的每者的与发光元件ld的具有不同极性的第一端部ep1和第二端部ep2相邻的侧部。
71.根据实施例,绝缘膜inf可以形成为包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)之中的至少一种绝缘材料的单层或多层,但是公开不限于此。例如,根据实施例,可以省略绝缘膜inf。
72.根据实施例,绝缘膜inf确保发光元件ld的电稳定性,并且使发光元件ld的表面缺陷最小化,从而改善发光元件ld的寿命和效率。
73.根据实施例,发光元件ld可以附加地包括设置在第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的一端部处的至少一个磷光体层、至少一个活性层、至少一个半导体层和/
或至少一个电极层。在示例中,接触电极层可以进一步设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2中的每者处。然而,发光元件ld的结构不限于上述示例。
74.图3是示出根据实施例的显示装置100的框图。
75.显示装置100可以表示输出光学数据的装置。显示装置100可以是使用上面参照图1和图2描述的发光元件ld作为光源的电子装置。根据实施例,显示装置100可以是平板pc、电视、智能电话、笔记本计算机等,但是公开不限于此。
76.根据实施例,显示装置100可以包括像素或像素单元110以及驱动控制器d-ic。根据示例,驱动控制器d-ic可以包括扫描驱动器120、数据驱动器130、补偿器140和控制器150。
77.像素单元110可以包括像素(见图4中所示的“px”)。像素单元110可以包括连接到扫描线sl和数据线dl的子像素spx。
78.根据实施例,子像素spx中的至少一个可以构成像素px。多个子像素spx可以构成一个像素px。在示例中,子像素spx可以包括发射红光的第一子像素、发射绿光的第二子像素和发射蓝光的第三子像素。从子像素spx中的每个发射的光的颜色和配置不限于此。
79.扫描驱动器120可以设置在像素单元110的一个侧或一侧处。扫描驱动器120可以从控制器150接收第一控制信号scs。扫描驱动器120可以响应于第一控制信号scs而将扫描信号供应到扫描线sl。
80.根据实施例,第一控制信号scs可以是用于控制扫描驱动器120的驱动时序的信号。第一控制信号scs可以包括用于扫描信号的扫描起始信号以及时钟信号或多个时钟信号。扫描信号可以设定为与被供应对应扫描信号的晶体管(例如,第一晶体管至第三晶体管(见图5中所示的“t1至t3”))的类型对应的栅极导通电平。
81.数据驱动器130可以设置在像素单元110的一个侧或一侧处。数据驱动器130可以从控制器150接收第二控制信号dcs。数据驱动器130可以响应于第二控制信号dcs而将数据信号供应到数据线dl。
82.根据实施例,第二控制信号dcs可以是用于控制数据驱动器130的驱动时序的信号。
83.补偿器140可以设置在像素单元110的一个侧或一侧处。补偿器140可以被供应有通过感测线senl从子像素spx提取的感测值(电流信息或电压信息)。补偿器140可以基于感测值生成用于补偿子像素spx的劣化的补偿值。例如,补偿器140可以获取关于第一晶体管(见图5中所示的“t1”)和/或发光元件ld的特性变化(例如,第一晶体管t1的阈值电压变化、迁移率变化和其它特性变化)的信息。补偿器140可以基于关于特性变化的信息来计算用于补偿数据信号的补偿值,并且将计算的补偿值提供到控制器150或数据驱动器130。
84.根据实施例,补偿器140可以从控制器150接收第三控制信号ccs。补偿器140可以响应于第三控制信号ccs而将感测信号供应到子像素spx。
85.根据实施例,第三控制信号ccs可以是用于控制补偿器140的驱动的信号以感测并补偿子像素spx的劣化。
86.控制器150可以获取第一控制信号scs、第二控制信号dcs和第三控制信号ccs。控制器150可以生成第一控制信号scs和第二控制信号dcs,并且将第一控制信号scs和第二控制信号dcs分别提供到扫描驱动器120和数据驱动器130。控制器150可以生成第三控制信号
ccs,并且将第三控制信号ccs提供到补偿器140。
87.根据实施例,可以提供单侧驱动结构,其中,扫描驱动器120、数据驱动器130和补偿器140设置在像素单元110的一个侧或一侧处。在下文中,为了便于描述,将描述包括单侧驱动结构的显示装置100。
88.根据实施例,为了将单侧驱动结构应用于显示装置100,扫描线sl可以包括主扫描线sml和副扫描线ssl。
89.主扫描线sml可以连接到至少一条副扫描线ssl。例如,如图3中所示,两条副扫描线ssl可以电连接到一条主扫描线sml。
90.主扫描线sml可以在第一方向dr1上延伸,以连接到与其对应的像素行的子像素spx。主扫描线sml可以向子像素spx供应扫描信号。
91.副扫描线ssl可以在第二方向dr2上延伸,以在接触部cp处连接到主扫描线sml。副扫描线ssl可以将扫描驱动器120和主扫描线sml彼此电连接。
92.根据实施例,在单侧驱动结构中,扫描驱动器120和数据驱动器130设置在同一侧处,使得数据线dl和副扫描线ssl可以在相同的方向(例如,第二方向dr2)上延伸。
93.像素行方向是水平方向,并且可以表示第一方向dr1。像素列方向是竖直方向,并且可以表示第二方向dr2。像素行和像素列可以通过子像素spx的布置限定。像素行可以通过主扫描线sml限定。
94.数据线dl可以沿像素列(例如,第二方向dr2)延伸,以连接到子像素spx。数据线dl可以向与其连接的子像素spx供应数据信号。
95.在图3中,示出了彼此分开的扫描驱动器120、数据驱动器130、补偿器140和控制器150。然而,扫描驱动器120、数据驱动器130、补偿器140和控制器150中的至少一些可以集成为一个模块或一个集成电路(ic)芯片。例如,控制器150的至少一些组件和/或至少一些功能可以包括在数据驱动器130中。
96.尽管未在附图中示出,但是在实施例中,扫描驱动器120可以包括扫描驱动器(例如,扫描驱动芯片或扫描驱动电路),扫描驱动器中的每个负责像素单元110的部分区域的驱动。数据驱动器130可以由数据驱动器(例如,数据驱动芯片或数据驱动电路)形成,数据驱动器中的每个负责像素单元110的部分区域的驱动。
97.图4是示出根据实施例的显示装置100的示意性平面图。
98.参照图4,显示装置100可以包括基体层bsl和像素px,每个像素px包括发光元件ld。根据实施例,显示装置100可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示装置100可以包括驱动控制器d-ic和线部lp。
99.基体层bsl可以构成显示装置100的基体构件。根据示例,基体层bsl可以是刚性基底或柔性基底或者刚性膜或柔性膜,但是公开不限于此。
100.像素单元110可以设置在显示区域da中。显示区域da可以表示其中设置有像素px的区域。光可以在显示区域da中发射。非显示区域nda可以表示其中未设置像素px的区域。非显示区域nda可以表示除了显示区域da之外的区域。在示例中,非显示区域nda可以以围绕显示区域da的至少一部分或与显示区域da相邻的形状设置。
101.根据实施例,驱动控制器d-ic和线部lp可以设置在非显示区域nda中。尽管未在附图中示出,但是根据示例,将驱动控制器d-ic和线部lp彼此电连接的垫部(pad part,也被
称为“焊盘部”)可以进一步设置在非显示区域nda中。
102.像素px可以设置在显示区域da中。在公开的精神和范围内,像素px可以根据条带或布置结构等而规则地布置或者设置。然而,像素px的布置结构不限于此。
103.根据实施例,像素px可以通过线部lp连接到驱动控制器d-ic。线部lp可以包括扇出线(见图8中所示的“320”)、第一电力线(见图5中所示的“vdd”)和第二电力线(见图5中所示的“vss”)。扇出线320可以包括扫描线sl、数据线dl和感测线senl。
104.驱动控制器d-ic可以向像素px提供信号和电源。像素px可以基于信号和电源驱动。从驱动控制器d-ic施加的信号和电源可以经由线部lp施加到像素px。根据实施例,像素px可以基于从扫描线sl、数据线dl、感测线senl、第一电力线vdd和第二电力线vss提供的电信号而驱动。
105.线部lp可以设置在非显示区域nda中。线部lp可以围绕显示区域da的至少一部分。根据示例,线部lp的至少一部分可以设置在显示区域da与驱动控制器d-ic之间。在图4中,已经示出了线部lp仅设置在显示区域da与驱动控制器d-ic之间,但是公开不限于此。在实施例中,线部lp可以设置在与显示区域da相邻的位置处。
106.根据实施例,线部lp可以将驱动控制器d-ic和像素px彼此电连接。根据示例,线部lp可以包括扫描线sl、数据线dl、第一电力线vdd和第二电力线vss中的每者的至少一部分。
107.根据实施例,线部lp可以包括扇出区域300。线部lp可以包括设置在扇出区域300中的扇出线320。在平面图中,扇出区域300可以设置在显示区域da与驱动控制器d-ic之间。
108.根据示例,在平面图中,扇出线320对应于设置在扇出区域300中的线,并且可以包括扫描线sl、数据线dl和感测线senl中的每者的至少一部分。
109.根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss中的每者的至少一部分可以设置在扇出区域300中。
110.根据实施例,扇出区域300可以具有可以沿一个方向或一方向加宽的形状。扇出区域300可以沿第二方向dr2具有不同的宽度。例如,扇出区域300的宽度可以随着从驱动控制器d-ic接近显示区域da而加宽。
111.图5是示出根据实施例的包括在像素px中的像素电路pxc的电路图。
112.图5中所示的子像素spxij是上面参照图3描述的子像素spx中的任何一个,并且可以表示连接到第i扫描线sli、第j数据线dlj、第i感测信号线seli和第j感测线senlj(i和j是正整数)的子像素spx。
113.参照图5,子像素spxij可以包括发光元件ld和像素电路pxc。
114.发光元件ld可以连接在第一电力线vdd与第二电力线vss之间。发光元件ld的一个端部或一端部(例如,p型半导体)可以经由像素电路pxc连接到第一电力线vdd,并且发光元件ld的另一个端部或另一端部(例如,n型半导体)可以经由电力线pl连接到第二电力线vss。
115.根据实施例,在通过像素电路pxc供应驱动电流的情况下,发光元件ld可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
116.根据实施例,发光元件ld可以在第一电力线vdd与第二电力线vss之间通过各种连接结构而彼此连接。在示例中,发光元件ld可以彼此仅并联连接或者彼此仅串联连接。作为示例,发光元件ld可以以串联/并联混合结构连接。
117.第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有不同的电位,使得发光元件ld可以发光。例如,第一电力线vdd可以设定为比第二电力线vss的电位高的电位。根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有这样程度的电位差:发光元件ld可以在子像素spxij的发射时段期间发光。
118.像素电路pxc可以在第一电力线vdd与发光元件ld之间将第一电力线vdd和发光元件ld彼此连接。像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3和存储电容器cst。
119.第一晶体管t1的一个电极可以连接到第一电力线vdd,第一晶体管t1的另一电极可以连接到发光元件ld的一个电极(例如,阳极电极)。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以对应于通过第一节点n1施加的电压来控制流过发光元件ld的电流。
120.第二晶体管t2的一个电极可以连接到第j数据线dlj,第二晶体管t2的另一电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管t2的栅电极可以连接到第i扫描线sli。第二晶体管t2可以在扫描信号供应到第i扫描线sli的情况下导通,以将从第j数据线dlj提供的数据信号传输到第一节点n1。
121.第三晶体管t3的一个电极可以连接到第j感测线senlj,第三晶体管t3的另一电极可以连接到第二节点n2。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第i感测信号线seli。在第三晶体管t3可以响应于从第i感测信号线seli提供的感测信号而导通的情况下,参考电压可以通过第j感测线senlj提供到第二节点n2。
122.根据实施例,参考电压可以用于将与发光元件ld连接的第一晶体管t1的电极(例如,第一晶体管t1的源电极)的电压设定或者初始化为恒定值。根据示例,参考电压可以设定为等于或者低于第二电力线vss的电压。
123.根据实施例,在第三晶体管t3响应于从第i感测信号线seli提供的感测信号而导通的情况下,感测电流可以传输到第j感测线senlj。
124.根据实施例,感测电流可以提供到补偿器140。感测电流可以用于计算第一晶体管t1的迁移率和第一晶体管t1的阈值电压的变化。
125.存储电容器cst可以连接在第一节点n1(或第一晶体管t1的栅电极)与第二节点n2(或第一晶体管t1的另一电极)之间。存储电容器cst可以存储关于第一节点n1的电压与第二节点n2的电压之间的差的信息。
126.像素电路pxc的结构不限于图5中所示的结构,并且可以实施各种类型的结构。
127.图6是示出根据实施例的包括在显示装置100中的堆叠结构的图。
128.参照图6,包括在根据实施例的显示装置100中的堆叠结构可以具有这样的形式:其中基体层bsl、阻挡电极层bml、缓冲层bfl、有源层act、栅极绝缘层gi、栅电极层ge、层间绝缘层ild、源/漏电极层sdl、保护层psv和取向电极层elt可以彼此顺序堆叠的结构中的至少一部分被图案化。
129.基体层bsl构成显示装置100的基体构件,并且可以表示刚性基底或柔性基底或者刚性膜或柔性膜。
130.缓冲层bfl可以设置在基体层bsl上。缓冲层bfl可以表示用于防止杂质扩散到包括半导体的有源层act中或者防止湿气渗透到有源层act中的层。根据示例,缓冲层bfl可以
包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和金属氧化物(诸如氧化铝(alo
x
))中的至少一种。
131.有源层act可以是包括半导体的层。例如,有源层act可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。根据实施例,有源层act可以构成晶体管t1至t3中的每个的沟道,并且杂质可以被掺杂到有源层act的与源/漏电极层sdl接触的部分中。
132.阻挡电极层bml、栅电极层ge、源/漏电极层sdl和取向电极层elt可以是包括导体的层。阻挡电极层bml、栅电极层ge和源/漏电极层sdl中的每者可以形成为单层或多层。根据实施例,阻挡电极层bml、栅电极层ge和源/漏电极层sdl中的每者可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)和铂(pt)中的任何一种,但是公开不限于此。
133.栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和保护层psv可以分别置于有源层act、栅电极层ge、源/漏电极层sdl和取向电极层elt之间,以使有源层act、栅电极层ge、源/漏电极层sdl和取向电极层elt彼此电隔离。根据实施例,所需的电极图案可以通过形成在栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和保护层psv中的接触孔而彼此电连接。
134.根据实施例,栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和保护层psv可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。根据实施例,栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和保护层psv可以包括有机材料,并且栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和保护层psv中的每者可以由单层或多层形成。
135.在下文中,将参照图7描述像素px的结构。
136.图7是沿着图4中所示的线i-i’截取的示意性剖视图。
137.参照图7,像素px可以包括基体层bsl、像素电路部pcl和显示元件部dpl。在下文中,为了便于描述,将描述第一晶体管t1至第三晶体管t3之中的第一晶体管t1。与上面描述的部分相同的部分由同样的附图标记指示,并且将省略或者简化对重复部分的描述。
138.如上所述,基体层bsl可以构成像素px的基体构件。基体层bsl可以表示刚性基底或柔性基底或者刚性膜或柔性膜,但是公开不限于此。
139.像素电路部pcl可以设置在基体层bsl上。像素电路部pcl可以包括缓冲层bfl、第一晶体管t1、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild、第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和保护层psv。
140.阻挡电极层bml可以设置在基体层bsl上。
141.第一晶体管t1可以是驱动晶体管。第一晶体管t1可以包括有源层act、栅电极层ge、第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2。
142.有源层act可以定位或者设置在缓冲层bfl上。有源层act可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
143.有源层act可以包括与第一晶体管电极te1接触的第一接触区域和与第二晶体管电极te2接触的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以对应于掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区。沟道区可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
144.栅极绝缘层gi可以设置在有源层act之上。
145.栅电极层ge可以设置在栅极绝缘层gi上。栅电极层ge的位置可以对应于有源层act的沟道区的位置。例如,栅电极层ge可以设置在有源层act的沟道区上且栅极绝缘层gi
置于它们之间。
146.层间绝缘层ild可以设置在栅电极层ge之上。
147.第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以定位或者设置在层间绝缘层ild上。第一晶体管电极te1可以在穿透层间绝缘层ild和栅极绝缘层gi的同时与有源层act的第一接触区域接触,第二晶体管电极te2可以在穿透层间绝缘层ild和栅极绝缘层gi的同时与有源层act的第二接触区域接触。
148.根据实施例,第一晶体管电极te1可以通过第一接触孔ch1电连接到第一连接线cnl1。根据示例,第一晶体管电极te1可以是源电极,而第二晶体管电极te2可以是漏电极。
149.电力线pl可以设置在层间绝缘层ild上。电力线pl可以通过穿透保护层psv的第二接触孔ch2电连接到第二连接线cnl2。根据实施例,来自第二电力线vss的电信号可以提供到电力线pl。
150.保护层psv可以定位或者设置在层间绝缘层ild上。保护层psv可以覆盖第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和电力线pl或者与第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和电力线pl叠置。
151.显示元件部dpl可以设置在像素电路部pcl上。显示元件部dpl可以包括坝图案bnp、第一电极elt1、第二电极elt2、第一绝缘层ins1、发光元件ld、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2、第二绝缘层ins2、坝bnk和第三绝缘层ins3。
152.坝图案bnp可以具有在上方向上突出的形状。根据示例,所述上方向可以表示从发光元件ld发射的光的显示方向和/或第三方向dr3。第一电极elt1和第二电极elt2布置或者设置在坝图案bnp上,使得可以形成反射分隔壁或坝。
153.第一电极elt1可以设置在保护层psv或坝图案bnp上。第一电极elt1可以是通过第一连接线cnl1施加的电信号通过其提供的路径。根据示例,从第一电力线vdd供应的电源可以经由第一连接线cnl1和第一电极elt1提供到发光元件ld。
154.第二电极elt2可以设置在保护层psv或坝图案bnp上。第二电极elt2可以是通过第二连接线cnl2施加的电信号通过其提供的路径。根据示例,从第二电力线vss供应的电源可以经由电力线pl、第二连接线cnl2和第二电极elt2提供到发光元件ld。
155.根据实施例,第一电极elt1和第二电极elt2可以与上面参照图6描述的取向电极层elt通过同一工艺来形成。
156.发光元件ld可以设置在第一绝缘层ins1上。第一绝缘层ins1可以设置在保护层psv上。第一绝缘层ins1可以设置在第一电极elt1和/或第二电极elt2之上。第一绝缘层ins1可以使电极组件之间的连接稳定,并且减少外部影响。根据示例,第一绝缘层ins1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
157.发光元件ld可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间设置在第一绝缘层ins1上。发光元件ld可以是上面参照图1和图2描述的发光元件ld。
158.第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld上。第二绝缘层ins2可以覆盖发光元件ld的活性层12或者与发光元件ld的活性层12叠置。第二绝缘层ins2可以包括有机材料和无机材料中的任何一种。根据实施例,第二绝缘层ins2可以填充设置在发光元件ld的后表面处的凹槽。
159.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一绝缘层ins1上。第一接触
电极cne1和第二接触电极cne2可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔而分别电连接到第一电极elt1和第二电极elt2。
160.根据实施例,第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括导电材料。根据示例,第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括透明导电材料,该透明导电材料包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)。
161.根据实施例,发光元件ld可以基于从第一接触电极cne1和第二接触电极cne2提供的电信号而发光。
162.坝bnk可以是限定像素px的发射区域的结构。发射区域可以表示其中光从发光元件ld发射的区域。例如,坝bnk可以设置在相邻的像素px之间的边界处。
163.第三绝缘层ins3可以布置或者设置在坝bnk、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2和第二绝缘层ins2之上。第三绝缘层ins3可以包括有机材料和无机材料中的任何一种。第三绝缘层ins3可以保护显示元件部dpl免受外部影响。
164.发光元件ld、电极组件等的布置关系不限于上面参照图7描述的示例,并且可以根据各种实施例来实施布置关系。
165.在下文中,将参照图8至图13描述根据实施例的非显示区域nda中的电极结构。在示例中,将描述非显示区域nda中的扇出区域300。
166.图8和图9是图4中所示的区域ea1的放大图。图8是示出根据实施例的扇出区域300的一部分的示意性平面图。图9是示出根据实施例的扇出区域300的一部分的示意性平面图。
167.参照图8,第一电力线vdd、第二电力线vss和扇出线320可以设置在扇出区域300中。
168.根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss可以设置在同一层中。例如,第一电力线vdd和第二电力线vss可以与源/漏电极层sdl设置在同一层中。第一电力线vdd和第二电力线vss可以通过同一工艺形成。
169.根据实施例,扇出线320可以设置在与第一电力线vdd和第二电力线vss的层不同的层中。例如,扇出线320可以与阻挡电极层bml设置在同一层中。扇出线320可以与阻挡电极层bml通过同一工艺形成。
170.根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss中的每者可以具有板形状或大致板形状。线可以与第一电力线vdd和第二电力线vss分离,并且分离的线可以连接到显示区域da中的每个像素px。
171.例如,第一电力线vdd可以通过接触孔电连接到设置在显示区域da中的线,并且从第一电力线vdd提供的电信号可以施加到发光元件ld。第二电力线vss可以通过接触孔电连接到设置在显示区域da中的线,并且从第二电力线vss提供的电信号可以施加到发光元件ld。
172.根据实施例,在平面图中,第一电力线vdd和第二电力线vss在扇出区域300中可以彼此不叠置。
173.例如,扇出区域300可以包括第一叠置区域422、第二叠置区域424和分离区域426。第一叠置区域422可以表示其中第一电力线vdd和扇出线320在平面图中彼此叠置的区域。第二叠置区域424可以表示其中第二电力线vss和扇出线320在平面图中彼此叠置的区域。
分离区域426可以表示其中未设置第一电力线vdd和第二电力线vss的区域。
174.实验上,在第一电力线vdd和第二电力线vss彼此叠置的情况下,在制造工艺期间可能存在将发生短路缺陷的风险。然而,根据该实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss形成在同一层中并且形成为彼此间隔开一定距离,使得可以降低将发生短路缺陷的风险。
175.根据实施例,在平面图中,扇出线320可以设置在第一叠置区域422、第二叠置区域424和/或分离区域426中。在图8中,为了便于描述,已经示出了扇出线320布置或者设置在扇出区域300的前部。然而,在实施例中,扇出线320可以包括彼此间隔开的线。例如,参照图10,扇出线320可以由可以沿第一方向dr1或在第一方向dr1上彼此间隔开的线形成,并且具有沿第二方向dr2延伸的至少一部分。
176.然而,公开不限于此,并且可以实施各种布置形式,以构成扇出区域300。例如,扇出区域300中的扇出线320的至少一部分可以在第一方向dr1上延伸,而扇出区域300中的扇出线320的至少另一部分可以在第二方向dr2上延伸。
177.根据实施例,在平面图中,第一叠置区域422和第二叠置区域424可以彼此不叠置。第一电力线vdd和第二电力线vss可以彼此间隔开且分离区域426置于它们之间。
178.根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss可以彼此间隔开。例如,第一电力线vdd可以包括与第二电力线vss相邻设置的第一相邻线432,第二电力线vss可以包括与第一电力线vdd相邻设置的第二相邻线434。
179.根据实施例,在平面图中,第一相邻线432和第二相邻线434可以彼此不叠置。根据示例,第一相邻线432和第二相邻线434可以彼此平行地形成。
180.根据实施例,分离区域426可以倾斜地延伸。分离区域426可以通过第一电力线vdd和第二电力线vss限定。例如,分离区域426的形状可以通过第一电力线vdd的第一相邻线432和第二电力线vss的第二相邻线434限定。根据示例,分离区域426的至少一部分可以在倾斜方向上延伸,并且倾斜方向可以不平行于显示装置100的一个表面或一表面。这将结合图4参照图8进行描述。显示装置100的相邻地设置有驱动控制器d-ic的一个侧或一侧可以在第一方向dr1上延伸,倾斜方向可以形成为至少与第一方向dr1错开。第一相邻线432和第二相邻线434可以至少不平行于第一方向dr1。
181.然而,第一电力线vdd和第二电力线vss的形状不限于此。将参照图9描述根据实施例的第一电力线vdd和第二电力线vss的形状。
182.根据实施例,第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有阶梯形状或大致阶梯形状。例如,第一相邻线432和第二相邻线434可以以阶梯形状或大致阶梯形状实施。
183.根据实施例,第一相邻线432和第二相邻线434可以不均等地延伸。第一相邻线432和第二相邻线434可以不具有均等地延伸的任何线性形状。
184.例如,第一相邻线432可以包括第1-1突出部和与第1-1突出部不同的第1-2突出部。类似地,第二相邻线434可以包括第2-1突出部和与第2-1突出部不同的第2-2突出部。
185.在下文中,将参照图10和图12更详细地描述第一电力线vdd、第二电力线vss和扇出线320。
186.图10是图8中所示的区域ea2的放大图。图11是沿着图10中所示的线ii-ii’截取的示意性剖视图。图12是沿着图10中所示的线iii-iii’截取的示意性剖视图。图13是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的示意性剖视图。
187.参照图10至图13,分离区域426可以与扇出线320的至少一部分叠置。扇出线320可以设置为多条,并且多条扇出线320中的每条可以具有其处多条扇出线320与分离区域426叠置的不同位置。
188.根据实施例,扇出线320可以对应于扫描线sl、数据线dl和感测线senl中的至少一者,但是公开不限于此。在示例中,扇出线320可以与用于提供施加在显示区域da中的像素px中的电信号的线中的至少一条对应。
189.在下文中,将描述其中扇出线320可以包括第一扇出线322、第二扇出线324、第三扇出线326、第四扇出线328和第五扇出线329的实施例。
190.根据实施例,第一扇出线322、第二扇出线324、第三扇出线326、第四扇出线328和第五扇出线329可以在第一方向dr1上彼此间隔开,并且具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一扇出线322、第二扇出线324、第三扇出线326、第四扇出线328和第五扇出线329中的每者的至少一部分可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。
191.扇出区域300可以包括第一区域352、第二区域354和第三区域356。第一区域352、第二区域354和第三区域356可以根据传输扇出线320的电信号的方向而彼此分开。在示例中,第一区域352、第二区域354和第三区域356可以沿第二方向dr2彼此分开。在参照图4的情况下,第二方向dr2可以表示从驱动控制器d-ic朝向显示区域da的方向。
192.图11是示出扇出区域300中的第一区域352的示意性剖视图。图12是示出扇出区域300中的第二区域354的示意性剖视图。图13是示出扇出区域300中的第三区域356的示意性剖视图。
193.参照图10和图11,在平面图中,在第一区域352中,分离区域426可以与第一扇出线322叠置。
194.根据实施例,在第一区域352中,分离区域426可以不与第二扇出线324、第三扇出线326、第四扇出线328和第五扇出线329叠置。
195.根据实施例,在平面图中,在第一区域352中,第一叠置区域422可以与第三扇出线326和第五扇出线329叠置。
196.根据实施例,在平面图中,在第一区域352中,第二叠置区域424可以与第二扇出线324和第四扇出线328叠置。
197.参照图10和图12,在平面图中,在第二区域354中,分离区域426可以与第二扇出线324叠置。
198.根据实施例,在第二区域354中,分离区域426可以不与第一扇出线322、第三扇出线326、第四扇出线328和第五扇出线329叠置。
199.根据实施例,在平面图中,在第二区域354中,第一叠置区域422可以与第一扇出线322、第三扇出线326和第五扇出线329叠置。
200.根据实施例,在平面图中,在第二区域354中,第二叠置区域424可以与第四扇出线328叠置。
201.参照图10和图13,在平面图中,在第三区域356中,分离区域426可以与第三扇出线326叠置。
202.根据实施例,在第三区域356中,分离区域426可以不与第一扇出线322、第二扇出线324、第四扇出线328和第五扇出线329叠置。
203.根据实施例,在平面图中,在第三区域356中,第一叠置区域422可以与第五扇出线329叠置。
204.根据实施例,在平面图中,在第三区域356中,第二叠置区域424可以与第一扇出线322、第二扇出线324和第四扇出线328叠置。
205.根据实施例,与分离区域426叠置的扇出线320可以不被第一电力线vdd和/或第二电力线vss覆盖或者不与第一电力线vdd和/或第二电力线vss叠置。
206.实验上,可以根据与分离区域426叠置的区域的范围来不同地提供扇出线320的物理数据。例如,在作为扇出线320中的任何一条的第一线与分离区域426叠置第一范围的情况下,第一线可以具有第一电阻。在第一线与分离区域426叠置与第一范围不同的第二范围的情况下,第一线可以具有与第一电阻不同的第二电阻。存在将发生经过扇出线320的电信号的失真的概率,因此,会存在将发生显示装置100的图像质量偏差的风险。
207.然而,根据实施例,可以根据扇出区域300(例如,第一区域352、第二区域354和第三区域356)的位置来改变与分离区域426叠置的目标线的种类。因此,可以将由于分离区域426而生成的物理数据(例如,电阻)差设置为分布到所有的扇出线320。结果,可以防止经过扇出线320的电信号的失真。因此,可以使显示装置100的图像质量偏差最小化。
208.根据公开,可以提供一种可以减小线的位置中的每个位置的电阻偏差并且防止电极组件之间的短路缺陷的显示装置。
209.这里已经公开了示例实施例,并且尽管采用了术语,但是术语仅在一般和描述性意义上使用和解释,而不是为了限制的目的。在一些情况下,如对于本领域普通技术人员清楚的是,除非另有说明,否则结合给定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下,可以进行形式和细节上的各种改变。
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1