显示设备的制作方法

一个或多个实施例涉及显示设备。

背景技术：

1、显示设备是可视地显示数据的设备。显示设备可以用作诸如蜂窝电话的小型产品的显示器或者诸如电视机的大型产品的显示器。

2、显示设备可以包括接收电信号且然后发射光的多个像素，以向外部显示图像。每个像素可以包括显示元件。例如，在有机发光显示设备的情况下，可以包括有机发光二极管作为显示元件。通常，有机发光显示设备可以包括在基底上的薄膜晶体管和有机发光二极管，并且有机发光二极管可以直接发射光。

3、最近，随着显示设备的多样化使用，已经进行了各种尝试来开发设计以改善显示设备的质量。

技术实现思路

1、本公开的一个或多个实施例的各方面涉及其中扩展了显示区域的显示设备。

2、本公开要实现的技术目的不限于此。基于本公开的描述，本领域普通技术人员将清楚地理解本文中未提及的其他技术目的。

3、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。

4、根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：第一像素电路；第一显示元件，连接到所述第一像素电路；第二像素电路；以及第二显示元件，连接到所述第二像素电路，其中，所述第一像素电路包括：第一驱动晶体管，被配置为控制流到所述第一显示元件的第一电流；以及第一存储电容器，包括连接到所述第一驱动晶体管的栅极的第一下存储电极和与所述第一下存储电极重叠的第一上存储电极，所述第一存储电容器具有第一存储电容，其中，所述第二像素电路包括：第二驱动晶体管，被配置为控制流到所述第二显示元件的第二电流；以及第二存储电容器，包括连接到所述第二驱动晶体管的栅极的第二下存储电极和与所述第二下存储电极重叠的第二上存储电极，所述第二存储电容器具有第二存储电容，并且其中，所述第二下存储电极和所述第二上存储电极的第二重叠面积是所述第一下存储电极和所述第一上存储电极的第一重叠面积的2倍至4倍；或者，所述第二存储电容是所述第一存储电容的1.5倍至5倍。

5、所述第一像素电路还可以包括：第一补偿晶体管，被配置为响应于第一扫描信号将所述第一驱动晶体管的漏极与所述第一驱动晶体管的所述栅极连接；以及第一升压电容器，包括连接到所述第一驱动晶体管的所述栅极的第一上升压电极和连接到所述第一补偿晶体管的栅极并且与所述第一上升压电极重叠的第一下升压电极，其中，所述第二像素电路还可以包括：第二补偿晶体管，被配置为响应于第二扫描信号将所述第二驱动晶体管的漏极与所述第二驱动晶体管的所述栅极连接；以及第二升压电容器，包括连接到所述第二驱动晶体管的所述栅极的第二上升压电极和连接到所述第二补偿晶体管的栅极并且与所述第二上升压电极重叠的第二下升压电极，并且其中，所述第二上升压电极和所述第二下升压电极的第四重叠面积可以是所述第一上升压电极和所述第一下升压电极的第三重叠面积的5倍至8倍。

6、所述第一升压电容器可以具有第一升压电容，并且其中，所述第二升压电容器可以具有第二升压电容，所述第二升压电容是所述第一升压电容的1倍至5倍。

7、所述第一升压电容器可以具有第一升压电容，其中，所述第二升压电容器可以具有第二升压电容，并且其中，所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以大于所述第一升压电容与所述第一存储电容之比。

8、所述第二升压电容器可以具有第二升压电容，并且其中，所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以为4％至9％。

9、所述第一像素电路还可以包括：第一扫描晶体管，被配置为响应于第三扫描信号将第一数据电压传输到所述第一驱动晶体管；以及第三升压电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的所述栅极的第三上升压电极和连接到所述第一扫描晶体管的栅极并且与所述第三上升压电极重叠的第三下升压电极，其中，所述第二像素电路还可以包括：第二扫描晶体管，被配置为响应于第四扫描信号将第二数据电压传输到所述第二驱动晶体管；以及第四升压电容器，具有连接到所述第二驱动晶体管的所述栅极的第四上升压电极和连接到所述第二扫描晶体管的栅极并且与所述第四上升压电极重叠的第四下升压电极，并且其中，所述第四上升压电极和所述第四下升压电极的第六重叠面积可以是所述第三上升压电极和所述第三下升压电极的第五重叠面积的6倍至9倍。

10、所述第三升压电容器可以具有第三升压电容，其中，所述第四升压电容器可以具有第四升压电容，并且其中，所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以小于所述第三升压电容与所述第一存储电容之比。

11、所述第四升压电容器可以具有第四升压电容，并且其中，所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以为1％至3％。

12、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的导电类型可以与所述第一扫描晶体管和所述第二扫描晶体管的导电类型相反。

13、根据一个或多个实施例，一种显示设备包括第一像素电路、连接到所述第一像素电路的第一显示元件、第二像素电路以及连接到所述第二像素电路的第二显示元件，其中，所述第一像素电路包括：第一驱动晶体管，被配置为控制流到所述第一显示元件的第一电流；以及第一存储电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的栅极的第一下存储电极和与所述第一下存储电极重叠的第一上存储电极。所述第二像素电路包括：第二驱动晶体管，被配置为控制流到所述第二显示元件的第二电流；以及第二存储电容器，具有连接到所述第二驱动晶体管的栅极的第二下存储电极和与所述第二下存储电极重叠的第二上存储电极。所述第二下存储电极和所述第二上存储电极的第二重叠面积是所述第一下存储电极和所述第一上存储电极的第一重叠面积的大约2倍至大约4倍。

14、所述第一像素电路还可以包括：第一补偿晶体管，被配置为响应于第一扫描信号将所述第一驱动晶体管的漏极与所述第一驱动晶体管的所述栅极连接；以及第一升压电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的所述栅极的第一上升压电极和连接到所述第一补偿晶体管的栅极并且与所述第一上升压电极重叠的第一下升压电极。所述第二像素电路还可以包括：第二补偿晶体管，被配置为响应于第二扫描信号将所述第二驱动晶体管的漏极与所述第二驱动晶体管的所述栅极连接；以及第二升压电容器，具有连接到所述第二驱动晶体管的所述栅极的第二上升压电极和连接到所述第二补偿晶体管的栅极并且与所述第二上升压电极重叠的第二下升压电极。所述第二上升压电极和所述第二下升压电极的第四重叠面积可以是所述第一上升压电极和所述第一下升压电极的第三重叠面积的大约5倍至大约8倍。

15、所述第一升压电容器可以具有第一升压电容。所述第二升压电容器可以具有第二升压电容，所述第二升压电容是所述第一升压电容的大约1倍至大约5倍。

16、所述第一存储电容器可以具有第一存储电容。所述第二存储电容器可以具有第二存储电容。所述第一升压电容器可以具有第一升压电容。所述第二升压电容器可以具有第二升压电容。所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以大于所述第一升压电容与所述第一存储电容之比。

17、所述第二存储电容器可以具有第二存储电容。所述第二升压电容器可以具有第二升压电容。所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以为大约4％至大约9％。

18、所述第一像素电路还可以包括：第一扫描晶体管，被配置为响应于第三扫描信号将第一数据电压传输到所述第一驱动晶体管；以及第三升压电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的所述栅极的第三上升压电极和连接到所述第一扫描晶体管的栅极并且与所述第三上升压电极重叠的第三下升压电极。所述第二像素电路还可以包括：第二扫描晶体管，被配置为响应于第四扫描信号将第二数据电压传输到所述第二驱动晶体管；以及第四升压电容器，具有连接到所述第二驱动晶体管的所述栅极的第四上升压电极和连接到所述第二扫描晶体管的栅极并且与所述第四上升压电极重叠的第四下升压电极。所述第四上升压电极和所述第四下升压电极的第六重叠面积可以是所述第三上升压电极和所述第三下升压电极的第五重叠面积的大约6倍至大约9倍。

19、所述第一存储电容器可以具有第一存储电容。所述第二存储电容器可以具有第二存储电容。所述第三升压电容器可以具有第三升压电容。所述第四升压电容器可以具有第四升压电容。所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以小于所述第三升压电容与所述第一存储电容之比。

20、所述第二存储电容器可以具有第二存储电容。所述第四升压电容器可以具有第四升压电容。所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以为大约1％至大约3％。

21、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的导电类型可以与所述第一扫描晶体管和所述第二扫描晶体管的导电类型相反。

22、所述第一存储电容器可以具有第一存储电容。所述第二存储电容器可以具有第二存储电容，所述第二存储电容是所述第一存储电容的大约1.5倍至大约5倍。

23、所述第一驱动晶体管可以包括第一半导体层的一部分和在所述第一半导体层的所述一部分上并且用作所述第一驱动晶体管的所述栅极的所述第一下存储电极。所述第二驱动晶体管可以包括第二半导体层的一部分和在所述第二半导体层的所述一部分上并且用作所述第二驱动晶体管的所述栅极的所述第二下存储电极。所述第一半导体层的所述一部分可以包括与所述第一下存储电极重叠并且具有ω形状的第一沟道区域。所述第二半导体层的所述一部分可以包括与所述第二下存储电极重叠并且具有长方形形状的第二沟道区域。

24、所述显示设备还可以包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一像素电路和所述第一显示元件布置在所述第一区域中，所述第二显示元件布置在所述第二区域中，所述第二区域至少部分地被所述第一区域围绕并且具有比所述第一区域的透光率大的透光率，所述第三区域在所述第一区域和所述第二区域之间，并且所述第二像素电路布置在所述第三区域中。

25、所述显示设备还可以包括在所述第三区域中的第三像素电路以及在所述第三区域中并且连接到所述第三像素电路的第三显示元件。所述第三像素电路包括：第三驱动晶体管，被配置为控制流到所述第三显示元件的第三电流；以及第三存储电容器，具有连接到所述第三驱动晶体管的栅极的第三下存储电极和与所述第三下存储电极重叠的第三上存储电极。所述第三下存储电极和所述第三上存储电极的第三重叠面积可以是所述第一重叠面积的大约2倍至大约4倍。

26、根据一个或多个实施例，一种显示设备包括第一像素电路、连接到所述第一像素电路的第一显示元件、第二像素电路以及连接到所述第二像素电路的第二显示元件，其中，所述第一像素电路包括：第一驱动晶体管，被配置为控制流到所述第一显示元件的第一电流；以及第一存储电容器，连接到所述第一驱动晶体管的栅极并且具有第一存储电容。所述第二像素电路包括：第二驱动晶体管，被配置为控制流到所述第二显示元件的第二电流；以及第二存储电容器，连接到所述第二驱动晶体管的栅极并且具有第二存储电容，所述第二存储电容是所述第一存储电容的大约1.5倍至大约5倍。

27、所述第一像素电路还可以包括：第一补偿晶体管，被配置为响应于第一扫描信号将所述第一驱动晶体管的漏极与所述第一驱动晶体管的所述栅极连接；以及第一升压电容器，连接在所述第一驱动晶体管的所述栅极和所述第一补偿晶体管的栅极之间并且具有第一升压电容。所述第二像素电路还可以包括：第二补偿晶体管，被配置为响应于第二扫描信号将所述第二驱动晶体管的漏极与所述第二驱动晶体管的所述栅极连接；以及第二升压电容器，连接在所述第二驱动晶体管的所述栅极和所述第二补偿晶体管的栅极之间并且具有第二升压电容。

28、所述第二升压电容可以是所述第一升压电容的大约1倍至大约5倍。

29、所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以大于所述第一升压电容与所述第一存储电容之比。

30、所述第二升压电容与所述第二存储电容之比可以为大约4％至大约9％。

31、所述第一像素电路还可以包括：第一扫描晶体管，被配置为响应于第三扫描信号将第一数据电压传输到所述第一驱动晶体管；以及第三升压电容器，连接在所述第一驱动晶体管的所述栅极和所述第一扫描晶体管的栅极之间并且具有第三升压电容。所述第二像素电路还可以包括：第二扫描晶体管，被配置为响应于第四扫描信号将第二数据电压传输到所述第二驱动晶体管；以及第四升压电容器，连接在所述第二驱动晶体管的所述栅极和所述第二扫描晶体管的栅极之间并且具有第四升压电容。

32、所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以小于所述第三升压电容与所述第一存储电容之比。

33、所述第四升压电容与所述第二存储电容之比可以为大约1％至大约3％。

34、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的导电类型可以与所述第一扫描晶体管和所述第二扫描晶体管的导电类型相反。

35、所述显示设备还可以包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一像素电路和所述第一显示元件布置在所述第一区域中，所述第二显示元件布置在所述第二区域中，所述第二区域至少部分地被所述第一区域围绕并且具有比所述第一区域的透光率大的透光率，所述第三区域在所述第一区域和所述第二区域之间，并且所述第二像素电路布置在所述第三区域中。

36、所述显示设备还可以包括在所述第三区域中的第三像素电路以及在所述第三区域中并且连接到所述第三像素电路的第三显示元件。所述第三像素电路包括：第三驱动晶体管，被配置为控制流到所述第三显示元件的第三电流；以及第三存储电容器，连接到所述第三驱动晶体管的栅极并且具有第三存储电容，所述第三存储电容是所述第一存储电容的大约1.5倍至大约5倍。

37、根据一个或多个实施例，在一种显示设备中包括光学器件，并且在所述显示设备中限定了与所述光学器件重叠的组件区域、至少部分地围绕所述组件区域的主区域以及在所述组件区域和所述主区域之间的中间区域，所述显示设备包括：第一像素电路，在基底的所述主区域中并且包括第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管具有第一半导体层的一部分和在所述第一半导体层的所述一部分上的第一下存储电极；第一显示元件，在所述基底的所述主区域中并且连接到所述第一像素电路；第二像素电路，在所述基底的所述中间区域中并且包括第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管具有第二半导体层的一部分和在所述第二半导体层的所述一部分上的第二下存储电极；以及第二显示元件，在所述基底的所述组件区域中并且连接到所述第二像素电路。所述第一半导体层的所述一部分包括与所述第一下存储电极重叠并且具有ω形状的第一沟道区域。所述第二半导体层的所述一部分包括与所述第二下存储电极重叠并且具有长方形形状的第二沟道区域。

38、所述显示设备还可以包括：第三像素电路，在所述基底的所述中间区域中并且包括第三驱动晶体管，所述第三驱动晶体管具有第三半导体层的一部分和在所述第三半导体层的所述一部分上的第三下存储电极；以及第三显示元件，在所述基底的所述中间区域中并且连接到所述第三像素电路。所述第三半导体层的所述一部分包括与所述第三下存储电极重叠并且具有长方形形状的第三沟道区域。

39、所述第一像素电路还可以包括第一存储电容器，所述第一存储电容器具有所述第一下存储电极和在所述第一下存储电极上的第一上存储电极。所述第二像素电路还可以包括第二存储电容器，所述第二存储电容器具有所述第二下存储电极和在所述第二下存储电极上的第二上存储电极。所述第二下存储电极和所述第二上存储电极的第二重叠面积可以是所述第一下存储电极和所述第一上存储电极的第一重叠面积的大约2倍至大约4倍。

40、所述第一像素电路还可以包括：第一补偿晶体管，被配置为响应于第一扫描信号将所述第一驱动晶体管的漏极与所述第一驱动晶体管的栅极连接；以及第一升压电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的所述栅极的第一上升压电极和连接到所述第一补偿晶体管的栅极并且与所述第一上升压电极重叠的第一下升压电极。所述第二像素电路还可以包括：第二补偿晶体管，被配置为响应于第二扫描信号将所述第二驱动晶体管的漏极与所述第二驱动晶体管的栅极连接；以及第二升压电容器，具有连接到所述第二驱动晶体管的所述栅极的第二上升压电极和连接到所述第二补偿晶体管的栅极并且与所述第二上升压电极重叠的第二下升压电极。所述第二上升压电极和所述第二下升压电极的第四重叠面积可以是所述第一上升压电极和所述第一下升压电极的第三重叠面积的大约5倍至大约8倍。

41、所述第一像素电路还可以包括：第一扫描晶体管，被配置为响应于第三扫描信号将第一数据电压传输到所述第一驱动晶体管；以及第三升压电容器，具有连接到所述第一驱动晶体管的栅极的第三上升压电极和连接到所述第一扫描晶体管的栅极并且与所述第三上升压电极重叠的第三下升压电极。所述第二像素电路还可以包括：第二扫描晶体管，被配置为响应于第四扫描信号将第二数据电压传输到所述第二驱动晶体管；以及第四升压电容器，包括连接到所述第二驱动晶体管的栅极的第四上升压电极和连接到所述第二扫描晶体管的栅极并且与所述第四上升压电极重叠的第四下升压电极。所述第四上升压电极和所述第四下升压电极的第六重叠面积可以是所述第三上升压电极和所述第三下升压电极的第五重叠面积的大约6倍至大约9倍。

42、这些总体的和具体的实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的组合来实现。