混合驱动方式的有机发光二极管显示设备的制造方法
【专利说明】混合驱动方式的有机发光二极管显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年12月31日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0168590的优先权和权益，该专利申请特此出于所有目的以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。
技术领域
[0003]本公开涉及混合驱动方式的有机发光二极管(OLED)显示设备。
【背景技术】
[0004]作为显示设备成为关注焦点的有机发光二极管(OLED)显示设备因为使用自身发光的OLED而具有快速响应速率、高发光效率、高亮度和广视角的优点。
[0005]图1的(A)和图1的⑶是示出驱动OLED显示设备中的OLED的驱动晶体管的特性的视图。图1的㈧示出连接到有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT的结构并且图1的⑶示出驱动晶体管DT的漏-源电流Ids的饱和曲线。
[0006]参照图1的(A)，驱动晶体管DT连接到有机发光二极管0LED。显示设备通过控制驱动晶体管DT的栅-源电压Vgs来控制流向有机发光二极管OLED的漏-源电流Ids。
[0007]此时，为了使漏-源电流Ids流向驱动晶体管DT,漏-源电压Vds应该保持等于或高于一定电平的电平，并且为此目的，传统显示设备向驱动晶体管DT的漏端(D)输入具有一定电平的高电势电压VDD。
[0008]参照图1的(B)描述在传统显示设备向驱动晶体管DT提供具有一定电平的高电势电压VDD的情况下的一些问题。
[0009]参照图1的(B)，由于显示设备在饱和区域中驱动驱动晶体管DT，因此为了向OLED提供1如_8安㈧的漏-源电流，显示设备提供￥88_8伏(V)作为栅-源电压并且还提供比饱和点Pal的漏-源电压Vds_a高的漏-源电压Vds。以同一方式，为了向OLED提供Ids_bA的漏-源电流，显示设备提供Vgs_b V作为栅-源电压并且还提供比饱和点Pbl的漏-源电压Vds_b高的漏-源电压Vds。
[0010]驱动晶体管DT的漏-源电压Vds是由提供到驱动晶体管DT的漏端⑶的高电势电压VDD确定。传统显示设备对应于最高漏-源电流提供固定的高电势电压VDD，高电势电压VDD能够提供等于或高于饱和点的漏-源电压，以对应于具有数个电平的所有漏-源电流Ids提供等于或高于一定电平的漏-源电压Vds。
[0011]在图1的⑶中，最高漏-源电流是Ids_a A，显示设备设置高电势电压VDD，使得漏-源电压Vds高于饱和点Pal的漏-源电压Vds_a。驱动晶体管DT的饱和点可根据诸如温度等特性变化，因此显示设备在考虑到一定余量的情况下提供漏-源电压。在图1的(B)中，显示设备提供对应于饱和点Pa2的漏-源电压Vds_m。
[0012]由于在传统显示设备中高电势电压VDD固定于一个电平，因此当确定漏-源电压是Vds_m V时,显示设备相对于漏-源电流在点Pb2驱动驱动晶体管DT。
[0013]但是，当显示设备如上所述在点Pb2驱动驱动晶体管DT时，在对应状态下可过度耗散功率。
[0014]相同电平的漏-源电流Ids在点Pbl和Pb2被提供到0LED，在点Pb2和点Pbl之间产生漏-源电压差。这里，漏-源电压差是Vsur V。驱动晶体管DT的损耗是由漏-源电流Ids和漏-源电压Vds之间的乘积确定的，如下面的等式I所表示的。
[0015][等式I]
[0016]驱动晶体管DT的损耗=漏-源电流IdsX漏-源电压Vds
[0017]根据等式1，点Pb2的驱动晶体管DT的损耗大于点Pbl的驱动晶体管DT的损耗。这里，Pb2和Pbl之间的损耗差异是Ids_b AXVsur V。
[0018]首先，驱动晶体管中耗散的功率产生使OLED显示设备的功耗增大的问题。另外，驱动晶体管DT中产生的这种损耗产生热，因此其次损耗产生使驱动晶体管DT的平均寿命缩短的问题。
[0019]传统显示设备因固定高电势电压VDD产生驱动晶体管DT中的上述损耗的原因是因为传统显不设备执行单巾贞驱动方式。在一巾贞中使用一个高电势电压VDD,由于传统显不设备以单帧驱动方式驱动所有像素，因此引起上述问题。
【发明内容】
[0020]一种有机发光二极管(OLED)显示设备，所述OLED显示设备用N(N是大于2的自然数)个子场显示一帧的灰度级，该OLED显示设备包括:显示面板，其中通过数据线和选通线的交叉限定像素；选通驱动单元，其向所述选通线提供扫描信号；数据驱动单元，其以模拟方式控制数据电压。这里，在至少一个子场中向所述数据线提供所述数据电压。
[0021]如上所述，根据本发明，存在用多个子场显示一帧的效果。另外，存在通过根据各子场不同地提供高电势电压或低电势电压来降低有机发光二极管显示设备的功耗的效果。另外，存在通过在子场中以模拟方式控制驱动晶体管的数据电压来以混合驱动方式驱动有机发光二极管显示设备的效果。
【附图说明】
[0022]根据下面结合附图的详细描述，将更清楚本发明的以上和其它目的、特征和优点，其中:
[0023]图1的(A)和图1的(B)是示出驱动OLED显示设备中的有机发光二极管(OLED)的驱动晶体管的特性的视图；
[0024]图2是示出可应用示例性实施方式的显示设备的示意图；
[0025]图3是示出图2中的OLED显示设备200的一个像素P的等效电路图；
[0026]图4是示出第一示例性实施方式中的各子场的灰度级区域的视图；
[0027]图5的(A)、图5的⑶和图5的(C)是示出第一示例性实施方式中的各子场中的驱动的视图；
[0028]图6是示出第一示例性实施方式中的各子场中的多个像素的驱动的视图；
[0029]图7是示出根据第一示例性实施方式的混合驱动方式的流程图；
[0030]图8是用于描述第二示例性实施方式中的漏-源电压控制的视图；
[0031]图9是用于描述第二示例性实施方式中的高电势电压控制的视图；
[0032]图10是示出根据第二示例性实施方式的混合驱动方式的流程图；
[0033]图11的(A)、图11的(B)、图11的(C)是示出第三示例性实施方式中的子场的视图；
[0034]图12是示出根据第三示例性实施方式的混合驱动方式的流程图；
[0035]图13是用于描述相比于单帧驱动的不足灰度级区域的视图；
[0036]图14是示出第四示例性实施方式中的子场驱动的第一示例视图；
[0037]图15是示出第四示例性实施方式中的子场驱动的第二示例视图；
[0038]图16是示出根据第四示例性实施方式的混合驱动方式的流程图；
[0039]图17示出根据第一子场的占空比增大，第一灰度级区域较大；
[0040]图18示出随着第一灰度级区域变大，点P2的漏-源电压变小；
[0041]图19是示出根据第五示例性实施方式的混合驱动方式的流程图。
【具体实施方式】
[0042]下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。在下面的描述中，将用相同的参考标号表示相同的元件，尽管它们是在不同图中示出的。另外，在下面对本发明实施方式的描述中，当对并入本文的已知功能和构造的详细描述可使本发明的主题相当不清楚时，将省略该详细描述。
[0043]另外，在本文中，当描述本发明的组件时，可使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等。这些术语只是用于将一个结构元件与其它结构元件区分开，对应的结构元件的性质、次序、顺序等不受术语限制。应该注意，如果在说明书中描述了一个组件“连接”、“结合”或“联结”到另一个组件，则第三组件可“连接”、“结合”和“联结”在第一组件和第二组件之间，尽管第一组件可直接连接、结合或联结到第二组件。同样地，当描述某个元件形成在另一个元件的“上面”或“下面”时，应该理解，所述某个元件可直接地或借助又一个元件间接地形成在另一个元件的上面或下面。
[0044]图2是示出可应用示例性实施方式的显示设备的示意图。
[0045]参照图2，有机发光二极管(OLED)显示设备(下文中，被称为“显示设备”)200包括显示面板210、数据驱动单元220、选通驱动单元230、供电单元240、时序控制器250等。
[0046]在显示面板210中，形成数据线DL(1)、DL(2)、…、DL (η)和选通线GL (I)、GL(2)