技术总结
本发明提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液以三乙醇胺硼酸酯、含有酸性基团的共聚物和还原性的糖或肼作为主要的金属腐蚀抑制剂，三者同时使用，可使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。并且不会对UBM(凸块下金属层)蚀刻造成影响和产生UBM残留。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
技术研发人员：刘江华;王鹏程;刘兵;彭洪修;
受保护的技术使用者：安集微电子科技（上海）有限公司;
文档号码：201410842108
技术研发日：2014.12.29
技术公布日：2016.07.27