阵列基板、液晶显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。

背景技术：

液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示中，现有的液晶显示面板包括彩膜基板和阵列基板，阵列基板上设置有多个像素区域，每一像素区域内设置有像素电极和薄膜晶体管，像素电极通过像素电极过孔与薄膜晶体管的漏极连接，薄膜晶体管的漏极一般采用金属制作，像素电极一般采用透明导电材料制作，像素电极与金属之间的粘附性较差，因此，现有阵列基板中存在像素电极和薄膜晶体管的漏极在连接处易剥离的问题，影响了阵列基板的良品率。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，能够解决现有阵列基板中像素电极和漏极在连接处易剥离的问题，提高阵列基板的良品率。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的第一绝缘层，位于第一绝缘层上的第一导电图形，位于所述第一导电图形上的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层上的第二导电图形，所述第二导电图形通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述第一导电图形连接，所述阵列基板还包括有暴露出所述第一绝缘层的贯穿所述第一导电图形的第一过孔，所述第一过孔在所述衬底基板上的投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的投影至少部分重叠，所述第二导 电图形通过所述第一过孔与所述第一绝缘层接触。

进一步地，所述第一过孔还贯穿所述第一绝缘层、暴露出所述衬底基板，所述第二导电图形还通过所述第一过孔与所述衬底基板接触。

进一步地，平行于所述衬底基板的表面的所述第一过孔的截面为圆形，椭圆形，正方形，长方形，六边形或八边形；

平行于所述衬底基板的表面的所述第二过孔的截面为圆形，椭圆形，正方形，长方形，六边形或八边形。

进一步地，平行于所述衬底基板的表面的所述第一过孔的截面为圆形，平行于所述衬底基板的表面的所述第二过孔的截面为圆形，所述第一过孔在所述衬底基板上的投影完全落入所述第二过孔在所述衬底基板上的投影中。

进一步地，所述第一过孔在第一方向上的尺寸小于所述第二过孔在所述第一方向上的尺寸；所述第一过孔在第二方向上的尺寸大于所述第二过孔在所述第二方向上的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。

进一步地，所述第一过孔在第二方向上的尺寸小于所述第二过孔在所述第二方向上的尺寸；所述第一过孔在第一方向上的尺寸大于所述第二过孔在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。

进一步地，平行于所述衬底基板的表面的所述第一过孔的截面为椭圆形，平行于所述衬底基板的表面的所述第二过孔的截面为椭圆形，所述第一过孔的长轴的方向平行于所述第二方向，所述第二过孔的长轴的方向平行于所述第一方向。

进一步地，平行于所述衬底基板的表面的所述第一过孔的截面为椭圆形，平行于所述衬底基板的表面的所述第二过孔的截面为椭圆形，所述第一过孔的长轴的方向平行于所述第一方向，所述第二过孔的长轴的方向平行于所述第二方向。

进一步地，所述第一方向为栅线的延伸方向，所述第二方向为数据线的延伸方向。

进一步地，所述第一导电图形为薄膜晶体管的漏极，所述第二导电图形为像素电极。

进一步地，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，所述第二绝缘层为钝化层。

进一步地，所述第一导电图形为薄膜晶体管的漏极，所述第二导电图形为像素电极；所述第一绝缘层为栅极绝缘层，所述第二绝缘层为钝化层；所述第一导电图形和所述第一绝缘层之间还设置有有源层，所述第一过孔还贯穿所述有源层。

本实用新型实施例还提供了一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的液晶显示面板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，第二导电图形通过第二过孔与第一导电图形连接，同时在与第一导电图形的连接处通过第一过孔与第一绝缘层接触，一方面第二导电图形与第一导电图形之间实现了电连接，另一方面由于导电材料与绝缘层之间具有良好的粘附性，因此，能够使第二导电图形不容易从第一绝缘层上剥离，从而使得第二导电图形与第一导电图形在连接处不易剥离。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的阵列基板的平面示意图；

图2为图1中沿A1A2的剖面示意图；

图3本实用新型实施例二的阵列基板的平面示意图；

图4为图3中沿A1A2的剖面示意图；

图5为图1和图3中沿B1B2的剖面示意图。

附图标记

1 衬底基板 10 栅线 15 栅极绝缘层 20 有源层 30 数据线

31 源极 33 漏极 35 钝化层 10a 栅极 50 像素电极

33h 漏极过孔 35h 钝化层过孔 100 公共电极线

100a 公共电极线第一分支 100b 公共电极线第二分支

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型的实施例针对现有技术中像素电极和漏极在连接处易剥离的问题，提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，能够解决现有阵列基板中像素电极和漏极在连接处易剥离的问题，提高阵列基板的良品率。

本实用新型提供一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的第一绝缘层，位于第一绝缘层上的第一导电图形，位于第一导电图形上的第二绝缘层，位于第二绝缘层上的第二导电图形，第二导电图形通过贯穿第二绝缘层的第二过孔与第一导电图形连接，阵列基板还包括有暴露出第一绝缘层的贯穿第一导电图形的第一过孔，第一过孔在衬底基板上的投影与第二过孔在衬底基板上的投影至少部分重叠，第二导电图形通过第一过孔与第一绝缘层接触。

本实施例中，第二导电图形通过第二过孔与第一导电图形连接，同时在与第一导电图形的连接处通过第一过孔与第一绝缘层接触，一方面第二导电图形与第一导电图形之间实现了电连接，另一方面由于导电材料与绝缘层之间具有良好的粘附性，因此，能够使第二导电图形不容易从第一绝缘层上剥离，从而使得第二导电图形与第一导电图形在连接处不易剥离。

进一步地，第一过孔还贯穿第一绝缘层、暴露出衬底基板，第二导电图形还通过第一过孔与衬底基板接触，由于衬底基板也属于绝缘材料，因此，第二导电图形也不容易从衬底基板上剥离，从而使得第二导电图形与第一导电图形在连接处不易剥离。在第一过孔贯穿第一绝缘层时，第一过孔仍能暴露出第一绝缘层在垂直于衬底基板方向上的一部分，第二导电图形不但通过第一过孔与衬底基板接触，还能通过第一过孔与这部分的第一绝缘层接触。

进一步地，平行于衬底基板的表面的第一过孔的截面可以为圆形，椭圆形，正方形，矩形，六边形或八边形；平行于衬底基板的表面的第二过孔的截面为圆形，椭圆形，正方形，矩形，六边形或八边形。

具体实施例中，平行于衬底基板的表面的第一过孔的截面为圆形，平行于衬底基板的表面的第二过孔的截面为圆形，第一过孔在衬底基板上的投影完全 落入第二过孔在衬底基板上的投影中。

另一具体实施例中，第一过孔在第一方向上的尺寸小于第二过孔在第一方向上的尺寸；第一过孔在第二方向上的尺寸大于第二过孔在第二方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

另一具体实施例中，第一过孔在第二方向上的尺寸小于第二过孔在第二方向上的尺寸；第一过孔在第一方向上的尺寸大于第二过孔在第一方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

另一具体实施例中，平行于衬底基板的表面的第一过孔的截面为椭圆形，平行于衬底基板的表面的第二过孔的截面为椭圆形，第一过孔的长轴的方向平行于第二方向，第二过孔的长轴的方向平行于第一方向。当然，在第一过孔和第二过孔在平行于衬底基板方向上的截面均为椭圆形时，第一过孔的长轴与第二过孔的长轴之间的夹角还可以为30度或60度。

另一具体实施例中，平行于衬底基板的表面的第一过孔的截面为椭圆形，平行于衬底基板的表面的第二过孔的截面为椭圆形，第一过孔的长轴的方向平行于第一方向，第二过孔的长轴的方向平行于第二方向。

另一具体实施例中，第一方向为栅线的延伸方向，第二方向为数据线的延伸方向。

另一具体实施例中，第一导电图形为薄膜晶体管的漏极，第二导电图形为像素电极。

具体实施例中，第一绝缘层可以为栅极绝缘层，第二绝缘层为钝化层。

另一具体实施例中，第一导电图形为薄膜晶体管的漏极，第二导电图形为像素电极；第一绝缘层为栅极绝缘层，第二绝缘层为钝化层；第一导电图形和第一绝缘层之间还设置有有源层，第一过孔除贯穿第一导电图形之外，还贯穿有源层。

下面结合附图，以第一绝缘层为栅极绝缘层、第二绝缘层为钝化层为例对本实用新型实施例进行进一步说明。

实施例一

如图1、图2和图5所示，本实用新型的阵列基板包括形成在衬底基板1 上的栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第一分支100a、公共电极线第二分支100b，覆盖栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第一分支100a、公共电极线第二分支100b的栅极绝缘层15(即上述第一绝缘层)，位于栅极绝缘层15上的有源层20、数据线30、源极31、漏极33(即上述第一导电图形)，覆盖有源层20、数据线30、源极31、漏极33的钝化层35(即上述第二绝缘层)，位于钝化层35上的像素电极50(即上述第二导电图形)。其中，阵列基板还包括贯穿钝化层的钝化层过孔35h(即上述第二过孔)、贯穿漏极的漏极过孔33h(即上述第一过孔)，钝化层过孔35h暴露出漏极33，漏极过孔33h能够暴露出栅极绝缘层15，漏极过孔33h在衬底基板1上的投影与钝化层过孔35h在衬底基板1上的投影至少部分重叠，这样一部分像素电极50始终与漏极33连接，另一部分像素电极50通过钝化层过孔35h和漏极过孔33h与栅极绝缘层15接触，一方面像素电极50与漏极33之间实现了电连接，另一方面由于导电材料与绝缘层之间具有良好的粘附性，因此，能够使像素电极50不容易从栅极绝缘层15上剥离，从而使得像素电极50与漏极33在连接处不易剥离。

进一步地，漏极过孔33h还可以贯穿栅极绝缘层15，暴露出衬底基板1，这样像素电极50不仅与栅极绝缘层15接触，还将与衬底基板1接触，由于衬底基板1也属于绝缘材料，因此，像素电极50也不容易从衬底基板1上剥离，从而使得像素电极50与漏极33的连接更加紧密。

本实施例中，如图1所示，漏极过孔33h和钝化层过孔35h均为圆形，即平行于所述衬底基板1的表面的所述第一过孔(漏极过孔33h)的截面为圆形，平行于所述衬底基板1的表面的所述第二过孔(钝化层过孔35h)的截面为圆形，钝化层过孔35h的直径大于漏极过孔33h的直径，漏极过孔33h在衬底基板1上的投影完全落入钝化层过孔35h在衬底基板1上的投影内。

其中，在栅极绝缘层15和漏极33之间还设置有有源层20时，漏极过孔33h还应贯穿有源层20，暴露出栅极绝缘层15；或者漏极过孔33h还应贯穿有源层20和栅极绝缘层15，暴露出衬底基板1。

本实用新型实施例的阵列基板的制备方法具体包括以下步骤：

步骤1、在衬底基板1上溅射沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第一分支100a、公共电极线第二分支100b的图形，栅金属层可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，栅金属层可以是单层结构，也可以采用多层结构，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步骤2、沉积栅极绝缘层15，栅极绝缘层15可以采用氮化硅或氧化硅，栅极绝缘层15可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅结构；

步骤3、沉积半导体材料，通过构图工艺形成有源层20的图形，半导体材料可以采用非晶硅，多晶硅，微晶硅或氧化物半导体，如采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)连续沉积a-Si和n+a-Si,或溅射沉积IGZO，通过构图工艺形成有源层20的图形；

步骤4、溅射沉积源漏金属层,通过构图工艺形成数据线30、源极31、漏极33的图形，其中漏极33包括有漏极过孔33h，源漏金属层可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，源漏金属层可以是单层结构，也可以采用多层结构，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步骤5、沉积钝化层35，通过构图工艺形成暴露出漏极33的钝化层过孔35h，钝化层35可以采用无机物如氮化硅，或者采用有机绝缘层，如采用有机树脂材料，钝化层35可以是单层结构，也可以是多层结构，例如可以是多层无机物，也可以是无机物层和有机材料层构成的多层结构。如采用PECVD沉积氮化硅，通过构图工艺形成暴露出漏极33的钝化层过孔35h；

步骤6、溅射沉积透明金属氧化物导电材料层，如ITO，通过构图工艺形成像素电极50的图形，像素电极50通过钝化层过孔35h和漏极过孔33h与栅极绝缘层15接触，进一步地，像素电极50还可以采用IZO。

实施例二

如图3、图4和图5所示，本实用新型的阵列基板包括形成在衬底基板1上的栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第一分支100a、公共电极线第二分支100b，覆盖栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第 一分支100a、公共电极线第二分支100b的栅极绝缘层15(即上述第一绝缘层)，位于栅极绝缘层15上的有源层20、数据线30、源极31、漏极33(即上述第一导电图形)，覆盖有源层20、数据线30、源极31、漏极33的钝化层35(即上述第二绝缘层)，位于钝化层35上的像素电极50(即上述第二导电图形)。其中，阵列基板还包括贯穿钝化层的钝化层过孔35h(即上述第二过孔)、贯穿漏极的漏极过孔33h(即上述第一过孔)，钝化层过孔35h暴露出漏极33，漏极过孔33h能够暴露出栅极绝缘层15，漏极过孔33h在衬底基板1上的投影与钝化层过孔35h在衬底基板1上的投影至少部分重叠，这样一部分像素电极50始终与漏极33连接，另一部分像素电极50通过钝化层过孔35h和漏极过孔33h与栅极绝缘层15接触，一方面像素电极50与漏极33之间实现了电连接，另一方面由于导电材料与绝缘层之间具有良好的粘附性，因此，能够使像素电极50不容易从栅极绝缘层15上剥离，从而使得像素电极50与漏极33在连接处不易剥离。

进一步地，漏极过孔33h还可以贯穿栅极绝缘层15，暴露出衬底基板1，这样像素电极50不仅与栅极绝缘层15接触，还将与衬底基板1接触，由于衬底基板1也属于绝缘材料，因此，像素电极50也不容易从衬底基板1上剥离，从而使得像素电极50与漏极33的连接更加紧密。

例如，第一过孔(漏极过孔33h)在第一方向上的尺寸小于第二过孔(钝化层过孔35h)在第一方向上的尺寸；第一过孔(漏极过孔33h)在第二方向上的尺寸大于第二过孔(钝化层过孔35h)在第二方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

当然，也可以，第一过孔(漏极过孔33h)在第二方向上的尺寸小于第二过孔(钝化层过孔35h)在第二方向上的尺寸；第一过孔(漏极过孔33h)在第一方向上的尺寸大于第二过孔(钝化层过孔35h)在第一方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

例如第一方向可以与栅线的延伸方向成0度角，30度角，或60度角等。

本实施例中，第一方向为栅线的延伸方向，第二方向为数据线的延伸方向。

本实施例中，如图3所示，漏极过孔33h和钝化层过孔35h均为椭圆形，即平行于所述衬底基板1的表面的所述第一过孔(漏极过孔33h)的截面为椭圆形，平行于所述衬底基板1的表面的所述第二过孔(钝化层过孔35h)的截面为椭圆形，钝化层过孔35h的长轴和漏极过孔33h的长轴相互垂直。当然，钝化层过孔35h的长轴和漏极过孔33h的长轴之间的夹角不限于90度，可以为任意角度，例如，30度，60度，120度，150度等。

具体地，如图3、图4和图5所示，漏极过孔33h的长轴与第二方向平行，钝化层过孔35h的长轴与第一方向平行，漏极过孔33h在第一方向上的尺寸小于钝化层过孔35h在第一方向上的尺寸，漏极过孔33h在第二方向上的尺寸大于钝化层过孔35h在第二方向上的尺寸。

当然，漏极过孔33h的长轴还可以与第一方向平行，钝化层过孔35h的长轴还可以与第二方向平行，漏极过孔33h在第一方向上的尺寸大于钝化层过孔35h在第一方向上的尺寸，漏极过孔33h在第二方向上的尺寸小于钝化层过孔35h在第二方向上的尺寸。

其中，在栅极绝缘层15和漏极33之间还设置有有源层20时，漏极过孔33h还应贯穿有源层20，暴露出栅极绝缘层15；或者漏极过孔33h还应贯穿有源层20和栅极绝缘层15，暴露出衬底基板1。

本实用新型实施例的阵列基板的制备方法具体包括以下步骤：

步骤1、在衬底基板1上溅射沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅极10a、栅线10、公共电极线100、公共电极线第一分支100a、公共电极线第二分支100b的图形，栅金属层可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，栅金属层可以是单层结构，也可以采用多层结构，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步骤2、沉积栅极绝缘层15，栅极绝缘层15可以采用氮化硅或氧化硅，栅极绝缘层15可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅结构；

步骤3、沉积半导体材料，通过构图工艺形成有源层20的图形，半导体材料可以采用非晶硅，多晶硅，微晶硅或氧化物半导体，如采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)连续沉 积a-Si和n+a-Si,或溅射沉积IGZO，通过构图工艺形成有源层20的图形；

步骤4、溅射沉积源漏金属层,通过构图工艺形成数据线30、源极31、漏极33的图形，其中漏极33包括有漏极过孔33h，源漏金属层可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，源漏金属层可以是单层结构，也可以采用多层结构，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步骤5、沉积钝化层35，通过构图工艺形成暴露出漏极33的钝化层过孔35h，钝化层35可以采用无机物如氮化硅，或者采用有机绝缘层，如采用有机树脂材料，钝化层35可以是单层结构，也可以是多层结构，例如可以是多层无机物，也可以是无机物层和有机材料层构成的多层结构。如采用PECVD沉积氮化硅，通过构图工艺形成暴露出漏极33的钝化层过孔35h；

步骤6、溅射沉积透明金属氧化物导电材料层，如ITO，通过构图工艺形成像素电极50的图形，像素电极50通过钝化层过孔35h和漏极过孔33h与栅极绝缘层15接触，进一步地，像素电极50还可以采用IZO。

本实用新型实施例还提供了一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的液晶显示面板。所述显示装置可以为：液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。