技术特征：
技术总结
一种产品结构(407、330’)形成有缺陷(360至366)。在所述产品结构(604)上提供至少部分地相干的EUV辐射的光斑(S)，以捕获由所述辐射在被所述产品结构散射之后形成的至少一个衍射图案(606)。参考数据(612)描述名义产品结构。从所捕获的图像数据计算所述产品结构的至少一个合成图像(616)。比较来自所述合成图像的数据与所述参考数据以识别所述产品结构中的缺陷(660至666)。在一个实施例中，使用一系列重叠光斑(S(1)至S(N))来获得多个衍射图案，且使用所述衍射图案和相对移位的知识来计算所述合成图像。所述EUV辐射可具有在5nm至50nm的范围内的波长，接近于所述感兴趣结构的尺寸。
技术研发人员：理查德·金塔尼利亚
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2018.04.17