耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及本发明涉及耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物，更详细地说，本发明提供I线用负性光致抗蚀剂组合物比于现有的I线用负性光致抗蚀剂体现优秀的耐蚀刻性，因此适合于半导体工艺。

技术研发人员：李昇勋;李昇炫;尹相雄;崔映喆
受保护的技术使用者：荣昌化学制品株式会社
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2018.04.17