技术特征：
技术总结
本发明的实施例提供用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供一种集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置(也被称为照射模式)；选择的配置为非对称的单极配置。确定使用选定配置所模拟的部件的图案的成像与部件的图案的设计的成像之间的至少一种差别；然后修改参数(也被称为补偿参数)以解决至少一种差别，其中该参数为设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；然后使用选定的配置和修改的参数将衬底暴露至部件的图案。
技术研发人员：钟家峻;陈家桢;石志聪;陈政宏;游信胜;严涛南
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.02.09
技术公布日：2017.08.18