液晶显示器的制作方法

相关申请的引证2016年5月18日提交的、且题为“液晶显示器”的韩国专利申请第10-2016-0060911号通过引用将其全部合并于本文中。本文中描述的一个或多个实施方式涉及液晶显示器。
背景技术：
：已发展各种类型的显示设备。实例包括液晶显示器(lcd)和有机发光显示器(oled)。lcd包括基板之间的液晶层，基板包括像素电极和共用电极。施加至电极的电压产生控制液晶层中的液晶分子的方向的电场，由此形成图像。在被称为垂直对齐(va)模式lcd的lcd的一种类型中，当没有施加电场时，液晶分子的长轴在与上下基板垂直的方向上对齐。这样的lcd具有高对比度和宽参考视角。(例如，参考视角可以指对比率为1：10的视角或者用于灰度级之间的亮度转换的极限角)。在具有分裂结构的lcd中，一个像素电极分成两个子像素电极。施加至子像素电极的不同的电压产生不同的透射率。采用该技术以试图产生接近正面可见度的侧向可见度。技术实现要素：根据一个或多个实施方式，液晶显示器(lcd)包括：第一基板；第一子像素电极，在第一基板上并且包括在第一方向上延伸的第一主干以及从第一主干延伸的多个分支；连接电极，电连接至第一子像素电极；以及第二子像素电极，在与第一子像素电极相同的层上并且包括不与连接电极重叠的多个分离电极，其中，分离电极中的至少一个在分支中的彼此相邻的第一子分支与第二子分支之间，并且其中，第二子像素电极是浮置电极。lcd可包括：第二基板，面向第一基板；共用电极，在第二基板上并且与第一子像素电极和第二子像素电极重叠；以及液晶层，在第一基板与第二基板之间，辅助电容器使液晶层作为电介质。lcd可包括：第一液晶电容器，电容耦合在第一子像素电极与共用电极之间；第二液晶电容器，电容耦合在第二子像素电极与共用电极之间；以及辅助电容器，电容耦合在分离电极中的至少一个与第一子分支和第二子分支中的至少一个之间。分离电极可以彼此绝缘。lcd可包括：扫描线，在第一基板上并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；数据线，在第一方向上延伸并且与扫描线绝缘；以及开关，连接至扫描线、数据线、及第一子像素电极。连接电极可以连接至开关。第一子像素电极可包括在与第一方向不同的第二方向上延伸并且与第一主干相交的第二主干，并且分离电极可包括第一主干的两侧的至少一个上的多个子分离电极。子分离电极可以具有不同的周长。子分离电极的周长可以沿朝向第二主干的方向减小。子分离电极可以在第一子像素电极的边缘处。第二子像素电极的面积可以是第一子像素电极的面积的约5％至10％。分离电极可以与分支交替布置。根据一个或多个其他实施方式，液晶显示器(lcd)包括：第一基板；第一子像素电极，在第一基板上并且包括在第一方向上延伸的第一主干，从第一主干延伸的第一分支，以及从第一主干延伸并且与第一分支相邻的第二分支；第二子像素电极，在与第一子像素电极相同的层上并且包括第一分支与第二分支之间的分离电极；第二基板，面对第一基板；共用电极，在第二基板上并且与第一子像素电极和第二子像素电极重叠；以及辅助电容器，电容耦合在第一分支和第二分支中的至少一个与分离电极之间。lcd可包括：第一液晶电容器，电容耦合在第一子像素电极与共用电极之间；以及第二液晶电容器，电容耦合在第二子像素电极与共用电极之间。第二子像素电极可以是浮置电极。lcd可包括第一子像素电极和第二子像素电极与共用电极之间的液晶层，其中，辅助电容器包括作为电介质的液晶层。lcd可包括电连接至第一子像素电极的连接电极，其中，第二子像素电极不与连接电极重叠。分离电极可以在第一方向或者与第一方向不同的第二方向上延伸。lcd可包括：扫描线，在第一基板上并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；数据线，在第一方向上延伸并且与扫描线绝缘；以及开关，连接至扫描线、数据线、及第一子像素电极。第一分支和第二分支中的至少一个与分离电极之间的距离可以约是2.6μm。附图说明参照附图，通过详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：图1示出像素的实例；图2示出像素的布局实施方式；图3示出沿图2中的线i1-i1’截取的截面图；图4示出沿图2中的线i2-i2’截取的截面图；图5示出栅极导体的实施方式；图6示出数据导体的实施方式；图7示出像素电极的实施方式；图8示出lcd的一个实施方式的操作；图9示出透射率的实例；图10示出像素电极处于低灰度级状态的实例；图11示出像素电极处于中灰度级状态的实例；图12示出像素电极处于高灰度级状态的实例；图13示出lcd的实施方式的可见度提高的实例；图14a示出lcd的处于高灰度级的边缘场的实例并且图14b示出lcd的处于低灰度级的边缘场的实例；图15至19示出像素电极的另外的实施方式；图20示出像素的另一布局实施方式；以及图21示出沿图20中的线i1-i1’截取的截面图。具体实施方式现在将在下文中参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，它们可以以不同的形式体现并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开内容将全面并完整，并且将向本领域中的技术人员传达示例性实施方式。实施方式(或者其部分)可以合并以形成另外的实施方式。在附图中，为了示出的简洁起见，可夸大区域和层的尺寸。还应当理解的是，当层或元件被称为在另一个层或基板之“上”时，该层或元件可以直接在另一其他层或基板之上，或者也可以存在中间层。此外，将理解，当层被称为“在”在另一层“下面”时，其可直接在另一层下面，并且也可存在一个或多个中间层。另外，还应当理解的是，当层被称为“在两个层之间”时，该层可以是两个层之间的仅一个层，或还可存在一个或多个中间层。类似参考标号始终指代类似元件。当元件被称为“连接至”或者“耦合至”另一元件时，其可直接连接或者耦合至另一元件，或者间接地连接或者耦合至另一元件(其间插入一个或多个中间元件)。另外，当元件被称为“包括”组件时，这表示元件可以进一步包括另一组件而不是不包括另一组件，除非存在不同的公开内容。尽管在本文中可使用术语第一、第二等来描述各个元件、组件、区域、层、和/或部分，然而，这些元件、组件、区域、层、和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层、和/或部分与另一个元件、组件、区域、层、和/或部分相区分。因此，在不背离本公开内容的教导的前提下，下面所讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分也可以称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。为了说明的目的，在本文中可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……下部”、“在……上方”、“在……上部”等空间相对术语，并且从而描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(或多个)元件或另一(或多个)特征的关系。除了在附图中描述的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造时的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“以下”可以包括以上和以下两个方位。此外，装置可被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位下)，照此，相应解释本文中使用的空间关系描述符。这里使用的术语只是为了描述具体实施方式的目的，并不意味着限制本发明。除非上下文另有明确指出，否则本文中使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。而且，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”用于本说明书时，指示所述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组合的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或其组合。本文参考作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面示图描述了各种示例性实施方式。因而，预期会出现例如因制造技术和/或容差导致的示意图的形状的变化。因此，本文中公开的示例性实施方式不应当被解释为局限于所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏离。例如，被示出为矩形的注入区域将通常具有圆形或曲线特征和/或在其边缘有注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域(buriedregion)可导致在掩埋区域与从中进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，并且这些区域的形状并不旨在示出装置的区域的实际形状，且不旨在对本发明进行限制。除非另有定义，否则在文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容为一部分的本领域普通技术人员通常所理解的相同含义。除非本文中明确定义如此，否则术语(诸如在常用字典中定义的那些)，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释。图1示出了液晶显示器中的像素px。参考图1，像素px可以连接至第一数据线dl1和第一扫描线sl1。第一数据线dl1可以在第一方向d1上延伸，并且可以从数据驱动器接收第一数据信号d1并且提供第一数据信号d1至像素px。第一扫描线sl1可以在与第一方向d1不同的第二方向d2上延伸。第一扫描线sl1可以从扫描驱动器接收第一扫描信号s1并且提供第一扫描信号s1至像素px。第一方向d1可以与第二方向d2垂直相交。在图1中，第一方向d1为列方向，并且第二方向d2为行方向。像素px可包括开关器件tr和像素电极pe。像素电极pe可包括第一子像素电极spe1和第二子像素电极spe2。开关器件tr可以连接至第一扫描线sl1、第一数据线dl1、及第一子像素电极spe1。在一个实施方式中，开关器件tr可以是诸如薄膜晶体管(“tft”)的三端器件或者另一器件。在下文中，将作为实例描述开关器件tr是tft的情况。开关器件tr可以具有连接至第一扫描线sl1的栅极、连接至第一数据线dl1的源极、及连接至第一子像素电极spe1的漏极。因此，开关器件tr可以通过来自第一扫描线sl1的第一扫描信号s1接通并且可以将来自第一数据线dl1的第一数据信号d1提供至第一子像素电极spe1。第一子像素电极spe1可以电容耦合至共用电极ce(参见，例如，图3)。第一子像素电极spe1可以在与下基板110垂直的方向上与共用电极ce重叠(参见，例如，图3)。像素px进一步包括第一子像素电极spe1与共用电极ce之间的第一液晶电容器clc_h。根据至少一个实施方式，电极的重叠可包括电极布置得足够相邻以电容耦合至彼此的情况。在它们电容耦合至彼此的情况下，电极可以布置在水平方向或者垂直方向上。在下文中，将描述电极垂直地彼此重叠的情况，例如两个电极在与下基板110垂直的方向上彼此重叠的情况。将描述电极水平地彼此重叠的情况，例如电极在与下基板110水平的方向上彼此重叠的情况。第二子像素电极spe2可以与外部电气绝缘。因此，第二子像素电极spe2处于没有从外部源接收信号的浮置状态。第二子像素电极spe2没有物理上地连接至第一子像素电极spe1。第二子像素电极spe2在与第一子像素电极spe1相同的层上并且在与下基板110水平的方向上与第一子像素电极spe1重叠。例如，第一子像素电极spe1可以电容耦合至第二子像素电极spe2。因此，可以认为像素px包括第一子像素电极spe1与第二子像素电极spe2之间的辅助电容器ccp。辅助电容器ccp的一个电极可以是第一子像素电极spe1，并且辅助电容器ccp的另一电极可以是第二子像素电极spe2。辅助电容器ccp包括其两个电极之间作为电介质的液晶层30(参见，例如，图3)。参考图7描述实例。第二子像素电极spe2可以在与下基板110垂直的方向上与共用电极ce重叠。因为第二子像素电极spe2处于如上所述的浮置状态，所以没有信号从外部源直接传输至第二子像素电极spe2。然而，由于第一子像素电极spe1与第二子像素电极spe2之间的辅助电容器ccp，第二子像素电极spe2可以接收一定电压。在一个实施方式中，施加至第二子像素电极spe2的电压可以是施加至第一子像素电极spe1的电压的约0.65倍。在一个实施方式中，施加至共用电极ce的电压的电平可以高于施加至第一子像素电极spe1的电压的电平。因此，像素px可包括基于第二子像素电极spe2与共用电极ce之间的电势差，在第二子像素电极spe2与共用电极ce之间电容耦合的第二液晶电容器clc_l。在一个实施方式中，第一液晶电容器clc_h、第二液晶电容器clc_l、及辅助电容器ccp可以使用液晶层30作为电介质。在第一液晶电容器clc_h中充电的电压的电平不同于在第二液晶电容器clc_l中充电的电压的电平。因此，多个液晶分子31(参见，例如，图7)甚至在一个像素px中可以以不同的角度倾斜。将参考图7描述实例。图2示出lcd中的像素px的布局实施方式。图3示出沿图2中的线i1-i1’截取的截面图。图4示出沿图2中的线i2-i2’截取的截面图。图5是图2中的像素px中的栅极导体gw的实施方式的平面图。图6是图2的像素px中的数据导体dw的实施方式的平面图。图7是图2的像素px中的像素电极pe的实施方式的平面图。在图2至图7中，将描述连接至第一扫描线sl1和第一数据线dl1的像素px。参考图2至图7，下显示面板10面向上显示面板20。液晶层30在下显示面板10与上显示面板20之间，并且包括多个液晶分子31。在一实施方式中，下显示面板10和上显示面板20可通过密封粘结到一起。在一个实施方式中，下基板110可以是透明的绝缘基板，例如，玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。栅极导体gw可以在下基板110上并且可包括第一扫描线sl1和栅极ge。第一扫描线sl1可以在下基板110上以沿着第二方向d2延伸。栅极ge在下基板110上并且连接至第一扫描线sl1。栅极ge可以在与第一扫描线sl1相同的层上。栅极ge可以从第一扫描线sl1突出。栅极ge是形成开关器件tr的组件之一。栅极导体gw可以进一步包括存储线rl和存储电极re。参考图5，在一个实施方式中，存储线rl和存储电极re可以在与栅极ge和第一扫描线sl1相同的层上。存储线rl可以围绕像素电极pe。在一实施方式中，存储线rl可以在与下基板110垂直的方向上与像素电极pe和屏蔽电极180中的至少一个重叠。存储电极re可以连接至存储线rl。在一实施方式中，存储电极re可以从存储线rl突出。存储电极re可以在与下基板110垂直的方向上与像素电极pe或者屏蔽电极180中的至少一个重叠。因此，像素px可以进一步包括在存储线rl或者存储电极re中的至少一个和像素电极pe或者屏蔽电极180中的至少一个之间电容耦合的存储电容器。栅极导体gw，即，第一扫描线sl1、栅极ge、存储线rl及存储电极re可以是包括选自例如，铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼钨(mow)、钼钛(moti)、以及铜/钼钛(cu/moti)的一种导电金属、至少两种导电金属或者三种导电金属的单层、双层或者三层。在一个实施方式中，第一扫描线sl1、栅极ge、存储线rl、及存储电极re可以在相同的掩模过程中同时形成。栅极绝缘层120可以在第一扫描线sl1、栅极ge、存储线rl、及存储电极re上。在一个实施方式中，栅极绝缘层120可以由氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)制成。栅极绝缘层120还可以具有包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层的多层结构。数据导体dw可以在栅极绝缘层120上。数据导体dw可包括半导体层130、第一数据线dl1、第二数据线dl2、源极se、及数据电极de。半导体层130可以在栅极绝缘层120上。半导体层130可包括形成开关器件tr的沟道区域的半导体图案130a。半导体层130可包括例如，氧化物半导体。例如，半导体层130可包括选自铟镓锌氧化物(igzo)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o2、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3、及ti3o5的一种氧化物半导体。在另一个实施方式中，半导体层130可包括非晶硅、多晶硅等。数据导体dw可以进一步包括半导体层130上的欧姆接触层140。例如，欧姆接触层140可包括诸如重掺杂有诸如磷的n型杂质的n+氢化非晶硅的材料或可以由硅化物制成。当半导体层130包括氧化物半导体时，可以省略欧姆接触层140。第一数据线dl1、第二数据线dl2、源极se及漏极de可以在栅极绝缘层120和欧姆接触层140上。第一数据线dl1和第二数据线dl2可以在下基板110上沿着第一方向d1延伸。第一数据线dl1和第二数据线dl2可以彼此相邻。在一个实施方式中，相邻可以指在两个相邻的组件之间没有与两个相邻的组件相同的组件。源极se可以从第一数据线dl1分支出来，并且源极se的至少部分可以在与下基板110垂直的方向上与栅极ge重叠。漏极de可以在与下基板110垂直的方向上与栅极ge重叠并且可以与源极se分离预定距离。在图2中，源极se具有u形状，并且漏极de被源极se围绕。相对于其他实施方式中的源极se，源极se可以具有不同的形状和/或漏极de可以具有不同的布置。源极se和漏极de与半导体图案130a和栅极ge一起形成开关器件tr。开关器件tr的源极se可以连接至第一数据线dl1。开关器件tr的漏极de可以通过接触孔cnt连接至第一子像素电极spe1。开关器件tr的沟道区域可以通过经过栅极ge来自第一扫描线sl1的第一扫描信号s1(参见，例如，图1)形成在源极se与漏极de之间。漏极de可以在与下基板110垂直的方向上与存储电极re重叠。数据导体dw可以是包括选自例如，铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼钨(mow)、钼钛(moti)、以及铜/钼钛(cu/moti)的一种导电金属、至少两种导电金属或者三种导电金属的单层、双层或者三层。在其他实施方式中，数据导体dw可包括其他金属或者导电材料。参考图6，在一个实施方式中，数据导体dw中的第一数据线dl1、第二数据线dl2、源极se、及漏极de可以在相同的掩模过程中同时形成。在该情况下，第一数据线dl1、第二数据线dl2、源极se及漏极de可以具有除半导体图案130a之外与半导体层130基本上相同的形状。第一钝化层150可以在第一数据线dl1、第二数据线dl2、源极se及漏极de上。第一钝化层150可包括部分暴露漏极de的第一开口op1。在一个实施方式中，例如，第一钝化层150可包括例如氮化硅或者氧化硅的无机绝缘材料。第一钝化层150可以防止有机绝缘层160的颜料引入半导体图案130a中。滤色器cf可以在第一钝化层150上。滤色器cf发射例如红色、绿色及蓝色的预定量颜色中的一种的光。例如，每个像素中的滤色器cf可包括与邻近像素中形成滤色器cf的材料颜色不同的材料颜色。有机绝缘层160可以在第一钝化层150上。有机绝缘层160可包括第二开口op2，该第二开口op2在与下基板110垂直的方向上与第一开口op1重叠并且部分暴露漏极de。有机绝缘层160可包括具有优越的平坦化特性和光敏性的有机材料。第二钝化层170可以在有机绝缘层160上。在一个实施方式中，第二钝化层170可包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。像素电极pe可以在第二钝化层170上。像素电极pe可包括诸如氧化铟锡(ito)或者氧化铟锌(izo)的透明导电材料或者诸如铝、银、铬、或者其合金的反射性金属。像素电极pe可包括第一子像素电极spe1和第二子像素电极spe2。第一子像素电极spe1可以在与第二子像素电极spe2相同的层上并且与第二子像素电极spe2电绝缘。第一子像素电极spe1和第二子像素电极spe2中的每一个可以在与下基板110垂直的方向上与共用电极ce重叠。参考图7，第一子像素电极spe1可包括在第一方向d1上延伸的第一主干spe1a1和在第二方向d2上延伸的第二主干spe1a2。第一主干spe1a1可以与第二主干spe1a2相交。在一实施方式中，第一主干spe1a1可以在像素电极pe的中心处与第二主干spe1a2相交。像素电极pe通过第一主干spe1a1和第二主干spe1a2可以被分成第一区g1至第四区g4。第一子像素电极spe1可包括从第一主干spe1a1和第二主干spe1a2中的一个延伸的多个第一分支spe1b。第一分支spe1b可以从第一主干spe1a1与第二主干spe1a2中的一个延伸以布置在所有第一区g1至第四区g4中，如在图7中示出的。第一分支spe1b可以相对于第二方向d2成预定角度(例如，40至45度的角度)倾斜。例如，术语“角度”可以表示通过物体与参考线(或者参考组件)形成的倾斜角。例如，倾斜角可以是锐角。第一分支spe1b彼此分离。因此，第一子像素电极spe1可包括第一分支spe1b之间的多个狭缝slt。第一子像素电极spe1可包括从第一主干spe1a1延伸的多个第二分支spe1c。第二分支spe1c可以从第一主干spe1a1延伸以布置在所有第一区g1至第四区g4中，如在图7中示出的。第二分支spe1c可以相对于第二方向d2成预定角度(例如，40至45度的角度)倾斜。第二分支spe1c可以短于第一分支spe1b。第二分支spe1c可以沿着第二方向d2与第二子像素电极spe2分离预定距离。第一区g1至第四区g4中的第一分支spe1b可以相对于第一主干spe1a1和第二主干spe1a2彼此对称。另外，第一区g1至第四区g4中的第二分支spe1c可以相对于第一主干spe1a1和第二主干spe1a2彼此对称。第一子像素电极spe1可以电连接至开关器件tr的通过接触孔cnt暴露的漏极de。因此，第一子像素电极spe1可以通过开关器件tr的开关操作从第一数据线dl1接收第一数据信号d1。第二子像素电极spe2可以处于没有从外部源直接接收电压的浮置状态。因此，与第一子像素电极spe1不同，第二子像素电极spe2可以不直接接收第一数据信号d1。第二子像素电极spe2在与下基板110垂直的方向上不与连接电极重叠，连接电极电连接至第一子像素电极spe1。例如，连接电极可以是电连接至第一子像素电极spe1的电极。因此，连接电极可以是电连接至第一子像素电极spe1的漏极de。因此，第二子像素电极spe2在与下基板110垂直的方向上不与漏极de重叠。因此，第二子像素电极spe2没有电容耦合至漏极de。根据另一实施方式，连接电极可以是在与下基板110垂直的方向上与像素电极pe重叠的耦合电极。耦合电极可以是在与下基板110垂直的方向上电容耦合至像素电极pe的电极。耦合电极可以不电连接至第一子像素电极spe1。因此，连接电极可以是漏极de，从漏极de延伸以在与下基板110垂直的方向上与至少部分像素电极pe重叠的电极，或者在与下基板110垂直的方向上电容耦合至像素电极pe的电极。第二子像素电极spe2可包括第一分离电极be1至第四分离电极be4。参考图7，第一分离电极be1至第四分离电极be4可以分别在第一区g1至第四区g4中。第一分离电极be1至第四分离电极be4可以相对于第一主干spe1a1和第二主干spe1a2水平地并且垂直地对称。另外，第一分离电极be1至第四分离电极be4可以分别在像素电极pe的拐角处。第一分离电极be1至第四分离电极be4在与下基板110垂直的方向上不与连接电极重叠。接下来，将描述第一子像素电极spe1与第二子像素电极spe2之间的关系的实例。将描述第一区g1中的第一分支spe1b。另外，将描述第一区g1中的第一分离电极be1。第一子分离电极be1a至第五子分离电极be1e中的至少一个可以在第一区g1中的第一分支spe1b中的彼此相邻的两个子分支之间。例如，第一区g1中的第一分支spe1b可包括第一子分支spe1b1至第五子分支spe1b5。第一区g1中的第二分支spe1c可包括第一子分支spe1c1至第五子分支spe1c5。第一分离电极be1可包括第一子分离电极be1a至第五子分离电极be1e。第一子分离电极be1a至第五子分离电极be1e可以具有不同的长度。在一实施方式中，在第一子分离电极be1a至第五子分离电极be1e中，第一子分离电极be1a的长度i1可以是最大的并且第五子分离电极be1e的长度i5可以是最小的。第一子分离电极be1a至第五子分离电极be1e可以与第一分支spe1b的第一子分支spe1b1至第五子分支spe1b5交替布置。例如，第一子分离电极be1a可以在第一分支spe1b的第一子分支spe1b1与第二子分支spe1b2之间。因此，第一子分离电极be1a可以电容耦合至第一分支spe1b的第一子分支spe1b1与第二子分支spe1b2中的至少一个。另外，第二子分离电极be1b可以在第一分支spe1b的第二子分支spe1b2与第三子分支spe1b3之间。因此，第二子分离电极be1b可以电容耦合至第一分支spe1b的第二子分支spe1b2与第三子分支spe1b3中的至少一个。像素px可以进一步包括通过将第一分支spe1b电容耦合至第一分离电极be1至第四分离电极be4而形成的多个辅助电容器ccp(参见，例如，图8)。辅助电容器ccp可包括第一分支spe1b与第一分离电极be1至第四分离电极be4之间的液晶层30。将参考图8描述实例。屏蔽电极180可以在第二钝化层170上。屏蔽电极180可以在与像素电极pe相同的层上。然而，屏蔽电极180可以与像素电极pe电绝缘。屏蔽电极180可包括诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或者其合金的反射性金属。在一个实施方式中，屏蔽电极180可以与像素电极pe同时形成(例如通过相同的掩模过程)。屏蔽电极180可包括第一子屏蔽电极180a，该第一子屏蔽电极180a在与下基板110垂直的方向上与包括第一数据线dl1和第二数据线dl2的多个数据线重叠。另外，屏蔽电极180可包括第二子屏蔽电极180b，该第二子屏蔽电极180b在与下基板110垂直的方向上与包括第一扫描线sl1的多个扫描线重叠。因此，第一子屏蔽电极180a可以基本上沿着第一方向d1延伸，并且第二子屏蔽电极180b可以基本上沿着第二方向d2延伸。第一子屏蔽电极180a可以电连接至第二子屏蔽电极180b。因此，第一子屏蔽电极180a可以防止由数据线与邻近于数据线中的每一个的像素电极之间的耦合所引起的漏光。另外，第二子屏蔽电极180b可以防止由多个扫描线与邻近于扫描线中的每一个的多个像素电极之间的耦合所引起的漏光。第一配向层可以在像素电极pe和屏蔽电极180上。例如，第一配向层可包括聚酰亚胺。上基板210可以面对下基板110。例如，上基板210可包括透明玻璃或塑料。在一实施方式中，例如，上基板210可包括与下基板110相同的材料。黑矩阵bm可以在上基板210上。上基板210上的黑矩阵bm可以阻断光通过像素区以外的区域传输。根据一实施方式，黑矩阵bm可包括包含有机物或铬的金属材料。平坦化层220可以在上基板210和黑矩阵bm上。平坦化层220可包括绝缘材料。在一些情况下，可省去平坦化层220。共用电极ce可以在平坦化层220上。共用电极ce可以在与下基板110垂直的方向上与像素电极pe重叠。在一个实施方式中，共用电极ce可以成型类似整个板。另外，根据实施方式，共用电极ce可包括诸如ito或者izo的透明导电材料，或者诸如铝、银、铬或它们的合金的反射性金属。第二配向层可以形成在共用电极ce上并且可包括，例如聚酰亚胺。液晶层30包括具有介电各向异性和折射各向异性的多个液晶分子31。在一实施方式中，在没有电场施加于液晶层30的状态下，液晶分子31可以布置在与下基板110垂直的方向上。在一实施方式中，当电场形成在下基板110与上基板210之间时，液晶分子31可以在某个方向上旋转或者倾斜，因此改变光偏振。图8示出了lcd的操作的实例。图9是示出了当图8中的电极之间的间隙约为2.6μm时，透射率相对于施加于每个子像素电极的电压的电平的实例的曲线图。虽然图8是沿着图2的线i2-i2’所取的截面图，但是仅图示图8中的第一子像素电极spe1和第二子像素电极spe2在下显示面板10的下基板110上。另外，便于描述，在图8中，仅共用电极ce图示为在上显示面板20的上基板210上。在当前实施方式中，假设液晶分子31最初在与下基板110水平的方向上对齐。参考图2、7、及8，电连接至第一数据线dl1的第一子像素电极spe1可以从第一数据线dl1接收第一数据信号d1。共用电极ce可以从外部源接收共用电压，该共用电压与第一数据信号d1的电压处于不同电平。因此，第一液晶电容器clc_h，使用液晶层30作为电介质，可以形成在第一子像素电极spe1与共用电极ce之间。在图8中，第一液晶电容器clc_h形成在第一分支spe1b的第二子分支spe1b2与共用电极ce之间。因为第二子像素电极spe2处于浮置状态，所以没有从外部源直接接收电压。然而，第二子像素电极spe2的第一子分离电极be1a和第二子分离be1b与第一子分支spe1b1至第三子分支spe1b3交替布置。因此，第一子分离电极be1a可以电容耦合至第一子分支spe1b1或者第二子分支spe1b2中的至少一个，并且第二子分离电极be1b可以电容耦合至第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个。第二子分离电极be1b电容耦合至第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个，因此形成辅助电容器ccp。例如，辅助电容器ccp的电极可以是第二子分离电极be1b并且辅助电容器ccp的另一电极可以是第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个。另外，辅助电容器ccp包括作为电介质的液晶层30，该液晶层30位于第二子分离电极be1b与第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个之间。因此，虽然第二子分离电极be1b没有直接从外部源接收电压，但是因为第二子分离电极be1b电容耦合至第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个，所以可以从第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个接收一定电压。因此，第二液晶电容器clc_l，使用液晶层30作为电介质，可以形成在第二子像素电极spe2与共用电极ce之间。在一实施方式中，面积比(定义为第二子像素电极spe2的面积与像素电极pe的面积的比率)可以约是10％。在另一实施方式中，面积比可以是不同的百分比。施加至第二子分离电极be1b的电压的强度可以根据第二子分离电极be1b与第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个之间的间隙g改变。例如，随着第二子分离电极be1b与第二子分支spe1b2或者第三子分支spe1b3中的至少一个之间的间隙g减小，辅助电容器ccp的电容可以增加，因此施加至第二子分离电极be1b的电压的强度增加。与从第一数据线dl1直接接收第一数据信号d1的第一子像素电极spe1不同，第二子像素电极spe2通过辅助电容器ccp间接接收电压。因此，施加至第二子像素电极spe2的电压的电平可以低于施加至第一子像素电极spe1的电压的电平。因此，第一液晶电容器clc_h(电容耦合在第一子像素电极spe1与共用电极ce之间)中充电的电压的电平可以低于第二液晶电容器clc_l(电容耦合在第二子像素电极spe2与共用电极ce之间)中充电的电压的电平。图9示出当图8的电极之间的间隙g约为2.6μm时，透射率相对于施加至每个子像素电极的电压的电平的实例。(其他实施方式中的间隙尺寸可以不同)在图9中，参考符号410表示第一子像素电极spe1和参考符号420表示第二子像素电极spe2。为了表达灰度级64，通过参考符号410表示的第一子像素电极spe1会需要7.75v的电压v1，并且参考符号420表示的第二子像素电极spe2会需要4.67v的电压v2。因此，在这个实例中，为了表达相同的灰度级(64g)，施加至第二子像素电极spe2的电压的电平可以是施加至第一子像素电极spe1的电压的电平的约0.65倍。图10示出lcd中的像素电极pe处于低灰度级状态的实施方式。图11示出lcd中的像素电极pe处于中灰度级状态的实施方式。图12示出lcd中的像素电极pe处于高灰度级状态的实施方式。参考图10至12，可以理解的是表示不同灰度级的区域甚至存在在一个像素px中。例如，接收来自一个数据线的一个数据信号的像素px可以被分成显示高灰度级的区域和显示低灰度级的区域。这是因为第一液晶电容器clc_h中充电的电压与第二液晶电容器clc_l中充电的电压具有不同电平，导致甚至一个像素px中的液晶分子31a和31b(参见，例如，图8)倾斜为不同的角度。因此，通过适当调节第一液晶电容器clc_h中充电的电压和第二液晶电容器clc_l中充电的电压，可以使从侧面观察的图像与从前面观察的图像看起来尽可能接近。这可以提高lcd的侧向可见度。图13示出lcd的可见度的提高程度的实例。在图13中，参考符号510表示lcd的前向gdi并且参考符号520表示lcd的侧向gdi。参考符号530表示lcd的侧向gdi的比较例(其中，一个开关器件连接至一个像素电极)。参考图13，根据一个实施方式的lcd的侧向gdi(通过参考符号520表示)比比较例的侧向gdi(通过参考符号530表示)更接近前向gdi。参考下表，根据一个实施方式的lcd的gdi低于比较例lcd的gdi。因此，根据实施方式的lcd具有比比较例lcd更好的可见度。本发明传统技术gdi0.360.43表在根据一个实施方式的lcd中，诱导电压至处于浮置状态的第二子像素电极spe2的辅助电容器ccp使用液晶层30作为电介质，与第一液晶电容器clc_h和第二液晶电容器clc_l类似。因此，即使施加至共用电极ce的共用电压改变，但是第一液晶电容器clc_h和第二液晶电容器clc_l的变化速率可以等于辅助电容器ccp的变化速率。这可以改善由共用电压的变化所引起的余像现象。图14a示出了根据一个实施方式的lcd的形成为高灰度级的边缘场的实例，以及图14b示出了根据实施方式的lcd的形成为低灰度级的边缘场的实例。便于描述，图14a和14b是基于沿着图2中的线i2-i2’所取的截面图进行描述的，主要集中在第一子像素电极spe1和第二子像素电极spe2与共用电极ce之间的边缘场上。参考图2、7、8、及14，诱导至第二子像素电极spe2在低灰度级的电压的强度可以低于具有相对高的电压电平的高灰度级。因此，低灰度级的边缘宽度(图14b)可以大于高灰度级的边缘宽度(图14a)。例如，参考图14a，当第二子像素电极spe2与共用电极ce之间形成电场时，边缘场可以具有对应于第一子分支spe1b1与第一子分离电极be1a之间的第一间隙g1的倾斜。另一方面，参考图14b，当第二子像素电极spe2与共用电极ce之间没有形成电场时，边缘场可以具有对应于第一子像素电极spe1的第一子分支spe1b1和第二子分支spe1b2之间的第二间隙g2的倾斜。在一实施方式中，第一间隙g1可以约是2.6μm以及第二间隙g2可以约是8.6μm。在其他实施方式中，这些间隙值可以不同。因为在图14b中示出的边缘场的倾斜小于在图14a中示出的边缘场，电场强度可以相对较高。因此，根据至少一个实施方式的lcd甚至在低灰度级可以有效地控制多个液晶分子的方向(图14b)。在根据一个实施方式的lcd中，定义为第二子像素电极spe2的总面积与像素电极pe的总面积的比率的面积比可以是预定值，例如，约10％。像素电极pe的其他实施方式将在下文中参考图15至19描述。图15至19是图2的像素px中的像素电极pe的其他实施方式的平面图。便于描述，图2中的像素电极pe将定义为根据第一实施方式的像素电极。另外，不同的参考符号将用于根据不同的实施方式的像素电极，但是像素电极中的多个相同组件将由图2和7中的相同的参考符号表示。参考图15，根据第二实施方式的像素电极peb可包括第一分离电极be1至第四分离电极be4。第一分离电极be1至第四分离电极be4中的每一个可包括四个子分离电极。例如，第一区域g1中的第一分离电极be1包括第一子分离电极be1a至第四子分离电极be1d并且不包括第五子分离电极be1e。因此，与第一分离电极be1交替布置的第一分支spe1b不包括第五子分支spe1b5。因此，根据第二实施方式的像素电极peb的面积比可以约是5％。因此，根据第二实施方式的像素电极peb在子分离电极的数目和子分支的数目方面不同于根据第一实施方式的像素电极pe。另外，根据第二实施方式的像素电极peb在面积比方面不同于根据第一实施方式的像素电极pe。只要子分离电极与子分支交替布置，组成第一子像素电极spe1的子分支的数目和组成第二子像素电极spe2的子分离电极的数目不局限于图7和15中的实例。参考图16，根据第三实施方式的像素电极pec可以进一步包括在第一方向d1上延伸的第三主干spe1a3。第三主干spe1a3可以连接至第二主干spe1a2的一端和位于与第二主干spe1a2的一端相对的第二主干spe1a2的另一端。第三主干spe1a3的至少部分可以与上述存储线rl重叠，因此增加存储电容器的电容。根据第三实施方式的像素电极pec的面积比可以约是6％。在一实施方式中，多个第一分支spe1b和第二分支spe1c可以相对于第二方向d2成约+35度或者-35度的角度倾斜。另外，第三主干spe1a3的长度可以根据组成第一子像素电极spe1的子分支的数目和组成第二子像素电极spe2的子分离电极的数目改变。参考图17，根据第四实施方式的像素电极ped可以被分成两个域，即第一域dm1和第二域dm2。在一实施方式中，第一域dm1可以与图17中的第二域dm2垂直对称。因此，位于第一域dm1中的子像素电极可以在形状和尺寸上与位于第二域dm2中的子像素电极相同。根据第四实施方式的像素电极ped的面积比可以约是6％。在一实施方式中，多个第一分支spe1b和第二分支spe1c可以相对于第二方向d2成约+35度或者-35度的角度倾斜。参考图18，根据第五实施方式的像素电极pee可包括在第一方向d1上延伸的第一分离电极be1至第四分离电极be4。因此，第一分离电极be1至第四分离电极be4中的多个子分离电极可以沿着第一方向d1平行于第一主干spe1a1延伸。因此，从第一主干spe1a1成预定角度延伸的第一分支spe1b可以弯曲为与沿着第一方向d1延伸的第一分离电极be1至第四分离电极be4交替布置。对于多个子分离电极，位于相对接近第一主干spe1a1的子分离电极可以短于位于相对远离第一主干spe1a1的子分离电极。例如，对于第一区域g1中的第一分离电极be1，第一子分离电极be1a的长度i1可以小于第二子分离电极be1b的长度i2。在图18中，第一分离电极be1至第四分离电极be4中的每一个中的子分离电极的数目是两个。然而，只要子分离电极与第一分支spe1b中的多个子分支交替布置，第一分离电极be1至第四分离电极be4中的每一个中的子分离电极的数目不限于图18中的那些。参考图19，根据第六实施方式的像素电极pef可以被分成两个域，例如，第一域dm1和第二域dm2。在一实施方式中，第一域dm1可以与图19中的第二域dm2垂直对称。因此，第一域dm1中的子像素电极可以在形状和尺寸上与第二域dm2中的子像素电极相同。根据第六实施方式的像素电极pef的面积比可以约是6％。在一实施方式中，多个第一分支spe1b和第二分支spe1c可以相对于第二方向d2成约+35度或者-35度的角度倾斜。第二子像素电极spe2中的第一分离电极be1至第四分离电极be4可以不必对称并且每个区域g1、g2、g3或者g4可以在形状和尺寸上不同。另外，第一分离电极be1至第四分离电极be4中的一个的多个子分离电极的至少两个可以具有相同的周长。图20是lcd中的像素px的另一实施方式的示意性布局图，以及图21是沿图20中的线i1-i1’所取的截面图。参考图20和21，lcd可以进一步包括第一钝化层150上的保护层161。在一实施方式中，保护层161可包括具有光敏性和优异的平坦化特性的有机物。滤色器cf可以不位于下显示面板10上，而是在上显示面板20上。例如，滤色器cf可以在黑矩阵bm上。因此，平坦化层220可以在滤色器cf上。在一些实施方式中，保护层161可以省去。在该情况下，像素电极pe可以在第一钝化层150上，并且滤色器cf可以在上显示面板20的黑矩阵bm上。根据一个或多个上述实施方式，lcd在具有一个开关器件和一个接触孔的一个像素结构中可以具有提高的侧向可见度。另外，透射率可以提高并且液晶分子在低灰度级的方向可以有效地控制。本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了具体术语，然而，这些术语仅用于并且仅被解释为通用和描述性含义且并不旨在限制。在某些情况下，如对本领域普通技术人员显而易见的，关于本申请的提交，结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独地使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件相组合，除非另有陈述。因此，本领域技术人员应当理解的是，在不背离权利要求中阐述的实施方式的精神和范围内，可以在形式和细节上做出各种改变。当前第1页12