一种显示面板和显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术：

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和光罩(mask)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(liquidcrystal，lc)。

然而，显示面板的电路中，其中的元器件容易被esd(electrostaticdischarge，静电放电)所损伤。尤其当esd电压出现在画素阵列上时，制作于该画素阵列旁的esd防护电路，电路内所使用的元件不具有较低的崩溃电压(breakdownvoltage)或较快的导通速度，往往不能及时导通来排放esd放电电流。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种拥有加大esd放电电流的保护电路的显示面板。

此外，本发明还提供一种显示装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种显示面板，所述显示面板包括：

基板，设有多个像素区；

静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；

所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及

第一放电单元：所述第一放电单元包括一个第一p型薄膜晶体管和一个第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接；

第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。

其中，所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端接地连接。高电平接线端(vgh)与低电平接线端(vgl)之间的所用的导电线所需的线宽较小，这样相当于会有一个比较大的电阻所，相对的泄流电流也比较小，第一放电单元单独发挥泄流的能力可能不够。而第二导电线用于接地端(gnd)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。

其中，所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端与所述显示面板的公共电压端连接。高电平接线端(vgh)与低电平接线端(vgl)之间的所用的导电线所需的线宽较小，这样相当于会有一个比较大的电阻所，相对的泄流电流也比较小，第一放电单元单独发挥泄流的能力可能不够。而第二导电线用于公共电压端(vcom)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。

其中，所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接。第二放电单元通过第三薄膜晶体管泄流，设置简单，有效可靠。

其中，所述第二放电电路包括一个电容，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接。利用电容具有隔直流、通交流，通高频、阻低频的特性，电压笵围在vgl～vgh时，第二放电单元不参与作用。同时电压笵围不在vgl～vgh时，例如瞬间有个正的大电压时，第二放电单元能够正常工作，不产生经第二薄膜晶体管留下vgl的电流。

其中，所述第二放电电路包括一个第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的控制端与所述低电平接线端连接，所述第四薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接。第四薄膜晶体管的导通进一步完成第二放电单元的放电功用，同时将电容的第二端的电位拉到与公共端一致，这样当电压笵围在vgl～vgh时，第三薄膜晶体管不至于导通放电而影响保护电路的正常工作。

其中，所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管、一个电容、一个薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接，所述第四薄膜晶体管的输入端与所述电容的第二端连接，所述第四薄膜晶体管的控制端与所述低电平接线端连接，所述第四薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接。

其中，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管为p型薄膜晶体管：第三p型薄膜晶体管、第四p型薄膜晶体管，所述第三p型薄膜晶体管的源极与所述第二p型薄膜晶体管的栅极连接，所述第三p型薄膜晶体管的漏极与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三p型薄膜晶体管的栅极连接，所述第四p型薄膜晶体管的源极与所述电容的第二端连接，所述第四p型薄膜晶体管的栅极与所述低电平接线端连接，所述第四p型薄膜晶体管的漏极与所述高电平接线端连接。这里是保护电路的一个实施方式，明确具体采用的电元件以及连接关系。

其中，所述显示面板包括栅极集成电路，所述高电平接线端、所述低电平接线端分别于所述栅极集成电路的tft开启电压端和tft关闭电压端连接。具体vgh、vgl的连接。

根据本发明的又一个方面，本发明还公开了一种显示装置，所述显示装置包括背光模组和如上所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明的技术效果是：

本发明由于两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图2是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图3是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图4是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图5是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图6是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图7是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图8是本发明实施例一种显示面板的保护电路的示意图；

图9是本发明实施例一种显示面板的结构示意图。

其中，1、高电平接线端(vgh)；2、低电平接线端(vgl)；3、公共端；4、静电输入端(pin)；51、第一n型薄膜晶体管；52、第二n型薄膜晶体管；53、第一p型薄膜晶体管；54、第二p型薄膜晶体管；6、第二放电单元；61、第三n型薄膜晶体管；62、第四n型薄膜晶体管；63、第三p型薄膜晶体管；64、第四p型薄膜晶体管；81、第一放电电流；82、第二放电电流；83、第三放电电流；10、基板；11、静电放电电路；12、栅极驱动电路；13、源极驱动电路；14、扫描线；15、数据线；16、像素区。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步详细说明。

作为本发明的一个实施例，如图1-2所示，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元的输出端分别与高电平接线端和低电平接线端连接，所述第一放电单元的控制端和输入端与所述静电输入端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。其中，所述第一放电单元包括一个第一薄膜晶体管和一个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接，第一薄膜晶体管的输入端、所述第二薄膜晶体管的输出端与所述静电输入端连接，所述第二薄膜晶体管的输入端与所述低电平接线端连接。本发明由于两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。如图9所示，所示基板上设置有静电放电电路、栅极驱动电路和源极驱动电路，水平设置的扫描线和竖直设置的数据线与其相对应的电路耦合连接，多条所述数据线与多条所述扫描线依次相交设置形成多个像素区。

具体的，所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端接地连接。高电平接线端(vgh)与低电平接线端(vgl)之间的所用的导电线所需的线宽较小，这样相当于会有一个比较大的电阻所，相对的泄流电流也比较小，第一放电单元单独发挥泄流的能力可能不够。而第二导电线用于接地端(gnd)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端与所述显示面板的公共电压端连接。而第二导电线用于公共电压端(vcom)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。其中，所述显示面板包括栅极集成电路，所述高电平接线端、所述低电平接线端分别于所述栅极集成电路的薄膜晶体管开启电压端和薄膜晶体管关闭电压端连接。

作为本发明的又一个实施例，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元的输出端分别与高电平接线端和低电平接线端连接，所述第一放电单元的控制端和输入端与所述静电输入端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。其中，所述第一放电单元包括一个第一薄膜晶体管和一个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接，第一薄膜晶体管的输入端、所述第二薄膜晶体管的输出端与所述静电输入端连接，所述第二薄膜晶体管的输入端与所述低电平接线端连接。两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管、一个电容，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接。第二放电单元通过第三薄膜晶体管泄流，设置简单，有效可靠。所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接。利用电容具有隔直流、通交流，通高频、阻低频的特性，电压笵围在vgl～vgh时，第二放电单元不参与作用。同时电压笵围不在vgl～vgh时，例如瞬间有个正的大电压时，第二放电单元能够正常工作，不产生经第二薄膜晶体管留下vgl的电流。所以如果pin的输入电压笵围在vgl～vgh间因为电容在直流电流中可视为开路，这个电容和薄膜晶体管是不会动作的。

具体的，如图3所示，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为n型薄膜晶体管：第一n型薄膜晶体管、第二n型薄膜晶体管，所述第一n型薄膜晶体管的源极与所述高电平接线端连接，第一n型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第二n型薄膜晶体管的源极连接，所述第二n型薄膜晶体管的源极还与所述静电输入端连接，所述第二n型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述低电平接线端连接；所述第三n型薄膜晶体管的源极与第一n型薄膜晶体管的栅极连接，所述第三n型薄膜晶体管的漏极与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三n型薄膜晶体管的栅极连接。当pin瞬间有个正的大电压进来时，则第一n型薄膜晶体管导通，有第一放电电流产生。由于pin电位瞬间变高，电容耦合特效下，电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位也同时变大，则第三n型薄膜晶体管也导通，此时pin的正的大电压可以往gnd泄流。因为gnd的走线通常比vgl粗，所以相对应的电阻值远小于vgl的，故第二放电电流大于第一放电电流。

当然，第一放电单元可以使用p型薄膜晶体管，或者n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为p型薄膜晶体管：第一p型薄膜晶体管、第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接。

作为本发明的又一个实施例，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元的输出端分别与高电平接线端和低电平接线端连接，所述第一放电单元的控制端和输入端与所述静电输入端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。其中，所述第一放电单元包括一个第一薄膜晶体管和一个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接，第一薄膜晶体管的输入端、所述第二薄膜晶体管的输出端与所述静电输入端连接，所述第二薄膜晶体管的输入端与所述低电平接线端连接。两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管、一个电容、一个第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接。第二放电单元通过第三薄膜晶体管泄流，设置简单，有效可靠。所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接。利用电容具有隔直流、通交流，通高频、阻低频的特性，电压笵围在vgl～vgh时，第二放电单元不参与作用。同时电压笵围不在vgl～vgh时，例如瞬间有个正的大电压时，第二放电单元能够正常工作，不产生经第二薄膜晶体管留下vgl的电流。所以如果pin的输入电压笵围在vgl～vgh间因为电容在直流电流中可视为开路，这个电容和薄膜晶体管是不会动作的。所述第四薄膜晶体管的输入端与所述电容的第二端连接，所述第四薄膜晶体管的控制端与所述高电平接线端连接，所述第四薄膜晶体管的输出端与所述低电平接线端连接，或者，所述第四薄膜晶体管的控制端与所述低电平接线端连接，所述第四薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接。第四薄膜晶体管的导通进一步完成第二放电单元的放电功用，同时将电容的第二端的电位拉到与公共端一致，这样当电压笵围在vgl～vgh时，第三薄膜晶体管不至于导通放电而影响保护电路的正常工作。

具体的，如图4-5所示，图5可以看作图4的实际等效电路，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为n型薄膜晶体管：第一n型薄膜晶体管、第二n型薄膜晶体管，所述第一n型薄膜晶体管的源极与所述高电平接线端连接，第一n型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第二n型薄膜晶体管的源极连接，所述第二n型薄膜晶体管的源极还与所述静电输入端连接，所述第二n型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述低电平接线端连接；所述第二放电电路包括一个第三n型薄膜晶体管、一个电容、一个第四n型薄膜晶体管，所述第三n型薄膜晶体管的源极与第一n型薄膜晶体管的栅极连接，所述第三n型薄膜晶体管的漏极与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三n型薄膜晶体管的栅极连接，所述第四n型薄膜晶体管的源极与所述电容的第二端连接，所述第四n型薄膜晶体管的栅极与所述高电平接线端连接，所述第四n型薄膜晶体管的漏极与所述低电平接线端连接。这里是保护电路的一个实施方式，明确具体采用的电元件以及连接关系。由于pin电位瞬间变高，电容耦合特效下，电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位也同时变大，则第三n型薄膜晶体管也导通，此时pin的正的大电压可以往gnd泄流。因为gnd的走线通常比vgl粗，所以相对应的电阻值远小于vgl的，故第二放电电流大于第一放电电流。而第四n型薄膜晶体管也会同时把电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位拉到gnd。所以当pin瞬间有个大的正电压进来时，泄掉的电流为第一放电电流、第二放电电路与第三放电电流的和值更大，相比第一放电单元的单独作用总的泄流电流较大，有更好的保护效果。

当然，第一放电单元可以使用p型薄膜晶体管，或者n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为p型薄膜晶体管：第一p型薄膜晶体管、第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接。

作为本发明的又一个实施例，如图2所示，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元包括一个第一p型薄膜晶体管和一个第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。本发明由于两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。

具体的，所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端接地连接。高电平接线端(vgh)与低电平接线端(vgl)之间的所用的导电线所需的线宽较小，这样相当于会有一个比较大的电阻所，相对的泄流电流也比较小，第一放电单元单独发挥泄流的能力可能不够。而第二导电线用于接地端(gnd)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。所述第二放电单元包括一端与所述公共端连接的第一导电线，所述公共端与所述显示面板的公共电压端连接。而第二导电线用于公共电压端(vcom)连接，它的线宽都远远大于vgh、vgl的线宽，所以可以排泄掉的电流会比原本来的大，以达到更好的防护效果。其中，所述显示面板包括栅极集成电路，所述高电平接线端、所述低电平接线端分别于所述栅极集成电路的薄膜晶体管开启电压端和薄膜晶体管关闭电压端连接。

作为本发明的又一个实施例，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元包括一个第一p型薄膜晶体管和一个第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管、一个电容，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接。第二放电单元通过第三薄膜晶体管泄流，设置简单，有效可靠。所述第二放电电路包括，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接。利用电容具有隔直流、通交流，通高频、阻低频的特性，电压笵围在vgl～vgh时，第二放电单元不参与作用。同时电压笵围不在vgl～vgh时，例如瞬间有个正的大电压时，第二放电单元能够正常工作，不产生经第二薄膜晶体管留下vgl的电流。所以如果pin的输入电压笵围在vgl～vgh间因为电容在直流电流中可视为开路，这个电容和薄膜晶体管是不会动作的。

具体的，如图6所示，所述第三薄膜晶体管为p型薄膜晶体管：第三p型薄膜晶体管，所述第三p型薄膜晶体管的源极与所述第二p型薄膜晶体管的栅极连接，所述第三p型薄膜晶体管的漏极与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三p型薄膜晶体管的栅极连接。由于pin电位瞬间变高，电容耦合特效下，电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位也同时变大，则第三n型薄膜晶体管也导通，此时pin的正的大电压可以往gnd泄流。因为gnd的走线通常比vgl粗，所以相对应的电阻值远小于vgl的，故第二放电电流大于第一放电电流。

作为本发明的又一个实施例，所述显示面板包括：基板，设有多个像素区；静电放电电路，所述静电放电电路设置在所述基板上；所述静电放电电路包括与所述显示面板的元器件耦合的高电平接线端、低电平接线端、静电输入端以及公共端；以及第一放电单元：所述第一放电单元包括一个第一p型薄膜晶体管和一个第二p型薄膜晶体管，所述第一p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述高电平接线端连接，所述第一p型薄膜晶体管的源极与所述静电输入端连接，所述第二p型薄膜晶体管的栅极和漏极相连接并与所述第一p型薄膜晶体管的源极连接，所述第二p型薄膜晶体管的源极与所述低电平接线端连接；第二放电单元：所述第二放电单元的输入端与所述静电输入端连接，所述第二放电单元的输出端与所述公共端连接。两个相连接的第一放电单元和第二放电单元共同作用，第二放电单元的另一端与公共端连接，增加esd放电电流路径，泄流的速度和数量得以加大，实现对显示面板更好的保护效果，延长使用寿命。所述第二放电电路包括一个第三薄膜晶体管、一个电容、一个第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的输入端和控制端与所述静电输入端连接，所述第三薄膜晶体管的输出端与所述公共端连接。第二放电单元通过第三薄膜晶体管泄流，设置简单，有效可靠。所述第二放电电路包括，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三薄膜晶体管的控制端连接。利用电容具有隔直流、通交流，通高频、阻低频的特性，电压笵围在vgl～vgh时，第二放电单元不参与作用。同时电压笵围不在vgl～vgh时，例如瞬间有个正的大电压时，第二放电单元能够正常工作，不产生经第二薄膜晶体管留下vgl的电流。所以如果pin的输入电压笵围在vgl～vgh间因为电容在直流电流中可视为开路，这个电容和薄膜晶体管是不会动作的。所述第四薄膜晶体管的控制端与所述低电平接线端连接，所述第四薄膜晶体管的输出端与所述高电平接线端连接。第四薄膜晶体管的导通进一步完成第二放电单元的放电功用，同时将电容的第二端的电位拉到与公共端一致，这样当电压笵围在vgl～vgh时，第三薄膜晶体管不至于导通放电而影响保护电路的正常工作。

具体的，如图7-8所示，图8可以看作图7的实际等效电路，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管为p型薄膜晶体管：第三p型薄膜晶体管、第四p型薄膜晶体管，所述第三p型薄膜晶体管的源极与所述第二p型薄膜晶体管的栅极连接，所述第三p型薄膜晶体管的漏极与所述公共端连接，所述公共端接地连接，所述电容的第一端与所述静电输入端连接，所述电容的第二端与所述第三p型薄膜晶体管的栅极连接，所述第四p型薄膜晶体管的源极与所述电容的第二端连接，所述第四p型薄膜晶体管的栅极与所述低电平接线端连接，所述第四p型薄膜晶体管的漏极与所述高电平接线端连接。由于pin电位瞬间变高，电容耦合特效下，电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位也同时变大，则第三n型薄膜晶体管也导通，此时pin的正的大电压可以往gnd泄流。因为gnd的走线通常比vgl粗，所以相对应的电阻值远小于vgl的，故第二放电电流大于第一放电电流。而第四n型薄膜晶体管也会同时把电容的第二端与第三n型薄膜晶体管的栅极连接之间的点的电位拉到gnd。所以当pin瞬间有个大的正电压进来时，泄掉的电流为第一放电电流、第二放电电路与第三放电电流的和值更大，相比第一放电单元的单独作用总的泄流电流较大，有更好的保护效果。

作为本发明的又一个实施例，本发明还公开了一种显示装置，所述显示装置包括背光模组和如上所述的显示面板。

需要说明的是，在上述实施例中，所述基板的材料可以选用玻璃、塑料等。

在上述实施例中，显示面板包括液晶面板、oled(organiclight-emittingdiode)面板、曲面面板、等离子面板等，以液晶面板为例，液晶面板包括阵列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)，所述阵列基板与彩膜基板相对设置，所述阵列基板与彩膜基板之间设有液晶和间隔单元(ps，photospacer)，所述阵列基板上设有薄膜晶体管(tft，thinfilmtransistor)，彩膜基板上设有彩色滤光层。

在上述实施例中，彩膜基板可包括tft阵列，彩膜及tft阵列可形成于同一基板上，阵列基板可包括彩色滤光层。

在上述实施例中，本发明的显示面板可为曲面型面板。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。