显示装置的制作方法

示例性实施方式涉及显示装置。更具体地，示例性实施方式涉及能够显著地减小像素电极与数据线之间的电容变化的显示装置。

背景技术：

液晶显示(lcd)装置是平板显示(fpd)装置的最广泛使用的类型之一。lcd装置包括：两个基板，所述两个基板包括分别形成在其上的两个电极；以及插置在所述两个基板之间的液晶层。当向所述两个电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新排列，使得透射光的量在lcd装置中被控制。

在本背景部分中公开的以上信息仅为了加强对本发明构思的背景的理解，并且因此，它可以包含不形成在本国已经为本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。

技术实现要素：

示例性实施方式提供一种能够显著地减小像素电极与数据线之间的电容变化的显示装置。

额外的方面将在以下详细描述中被陈述，并且部分地将从本公开中明显，或者可以通过本发明构思的实践习得。

一示例性实施方式公开了一种显示装置，其包括：第一栅线；交叉第一栅线的第一数据线和第二数据线；邻近第二数据线的像素电极；连接到第一栅线、第一数据线和像素电极的开关元件；以及从像素电极延伸并交叉第二数据线的第一延伸部分。

前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步说明。

附图说明

被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且并入本说明书并组成本说明书的一部分的附图示出本发明构思的示例性实施方式，并且与描述一起用于说明本发明构思的原理。

图1是示出显示装置的一示例性实施方式的平面图。

图2是沿图1的线i-i'截取的剖面图。

图3是沿图1的线ii-ii'截取的剖面图。

图4是示出图1的光发射区域中的像素电极的平面图。

图5是示出图1中所示的连接到像素电极的第一延伸部分、第二延伸部分和第三延伸部分及其外围区域的放大平面图。

图6a是示出图5中所示的像素电极、连接电极、第一延伸部分、第二延伸部分和第三延伸部分由于掩模未对准而向左偏移的结果的平面图。

图6b是示出图5中所示的像素电极、连接电极、第一延伸部分、第二延伸部分和第三延伸部分由于掩模未对准而向右偏移的结果的平面图。

图7是示出显示装置的另一示例性实施方式的平面图。

图8是示出显示装置的又一示例性实施方式的平面图。

图9是示出显示装置的又一替代的示例性实施方式的平面图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了说明的目的，陈述了许多具体细节以便提供对各种各样的示例性实施方式的透彻理解。然而，显然，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种各样的示例性实施方式。在另外的情形下，众所周知的结构和装置以框图形式被显示以避免不必要地模糊各种各样的示例性实施方式。

在附图中，为了清楚以及描述的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可以被夸大。此外，相同的附图标记表示相同的元件。

当一元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或联接到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件或层时，没有居间元件或层存在。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、或x、y、z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz。相同的数字始终指相同的元件。当在此所用时，术语“和/或”包括相关列举的项目中的一个或更多个的任意和所有组合。

虽然术语第一、第二等可以在此用于描述各种各样的元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一个元件、部件、区域、层和/或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分而不背离本公开的教导。

诸如“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……之上”、“上部”等的空间关系术语可以在此为了描述的目的被使用，并且从而用于描述如图中所示的一个元件或特征的与另外的元件(们)或特征(们)的关系。除了图中所绘的取向之外，空间关系术语旨在还涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”另外的元件或特征“下面”或“之下”的元件将取向为“在”所述另外的元件或特征“之上”。因此，示例性术语“在……下面”能涵盖上和下两个方向。此外，装置可以被另行取向(例如旋转90度或处于另外的取向)，并且照此，在此使用的空间关系描述语被相应地解释。

在此使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。当在此使用时，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地另行指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或更多个另外的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

在此参照剖面图描述了各种各样的示例性实施方式，所述剖面图是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图。照此，将预期到作为例如制造技术和/或公差的结果的相对于图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施方式不应被解释为限于示出的区域的特别形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏离。图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出器件的区域的实际形状，且不旨在是限制性的。

除非另外定义，在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。诸如通用词典中定义的术语的术语应解释为具有与在相关技术的背景下的它们的含义相一致的含义，且将不在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非在此明确地如此界定。

图1是示出本发明构思的显示装置的一示例性实施方式的平面图；图2是沿图1的线i-i'截取的剖面图；图3是沿图1的线ii-ii'截取的剖面图。

本发明构思的显示装置的一示例性实施方式包括多条栅线、多条数据线和多个像素。像素的每个连接到栅线中的对应的一条和数据线中的对应的一条。

图1示出了提供在液晶显示(lcd)装置中的多个像素px中的一个、以及与像素px相邻设置的栅线gl1和gl2及数据线dl1和dl2。此外，图1示出了在像素px附近与其相邻的另外的像素的部分。

如图1、2和3中所示，像素px包括第一基板301、开关元件tft、栅绝缘层311、钝化层320、绝缘夹层356、像素电极pe、第二基板302、光阻挡层376、滤色器354、外涂层385、公共电极330和液晶层333。在一示例性实施方式中，虽然未示出，但像素px还可以包括第一偏振器和第二偏振器。在其中彼此面对的第一基板301的表面和第二基板302的表面分别被定义为相应基板的上表面并且与所述上表面相反的表面分别被定义为相应基板的下表面的情况下，前述第一偏振器设置在第一基板301的下表面上，第二偏振器设置在第二基板302的下表面上。

第一偏振器的透射轴垂直于第二偏振器的透射轴，并且它们的透射轴中的一个平行于栅线gl1和gl2取向。在另一示例性实施方式中，lcd装置可以只包括第一偏振器和第二偏振器中的一个。

像素px连接到第一栅线gl1和第一数据线dl1。例如，像素px通过开关元件tft连接到第一栅线gl1和第一数据线dl1。在一示例性实施方式中，附图中未示出的另外的像素连接到第二栅线gl2和第二数据线dl2。在单个帧周期中，第二栅线gl2先于第一栅线gl1被驱动。

像素px的开关元件tft和像素电极pe设置在像素px的像素区域111中。像素px的像素区域111是由彼此相邻的第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一数据线dl1和第二数据线dl2限定的区域。换言之，由第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一数据线dl1和第二数据线dl2围绕的区域是前述像素区域111。

像素区域111包括光发射区域111a和光阻挡区域111b。光阻挡区域111b由光阻挡层376覆盖。在一示例性实施方式中，光阻挡层376可以不存在于光发射区域111a中。开关元件tft设置在光阻挡区域111b中，像素电极pe设置在光发射区域111a中。

开关元件tft包括半导体层321、栅电极ge、源电极se和漏电极de。栅电极ge连接到第一栅线gl1，源电极se连接到第一数据线dl1，漏电极de连接到像素电极pe。漏电极de和像素电极pe可以通过连接电极144彼此连接。

开关元件tft可以是薄膜晶体管(tft)。

栅电极ge、第一栅线gl1和第二栅线gl2设置在第一基板301上。

栅电极ge可以具有从第一栅线gl1朝第二栅线gl2突出的形状。栅电极ge设置在第一栅线gl1与第二栅线gl2之间。栅电极ge和第一栅线gl1可以一体地形成为单个结构。

栅电极ge可以包括铝(al)或其合金、银(ag)或其合金、铜(cu)或其合金和/或钼(mo)或其合金，或者由铝或其合金、银(ag)或其合金、铜(cu)或其合金和/或钼(mo)或其合金形成。在另一示例性实施方式中，栅电极ge可以包括铬(cr)、钽(ta)和钛(ti)中的一种或者由铬(cr)、钽(ta)和钛(ti)中的一种形成。在一示例性实施方式中，栅电极ge可以具有多层结构，该多层结构包括具有彼此不同的物理性质的至少两个导电层。

虽然未示出，但是第一栅线gl1的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。第一栅线gl1的所述端部可以具有比第一栅线gl1的另一部分的平面面积更大的平面面积。第一栅线gl1可以包括与栅电极ge的材料基本上相同的材料，并且可以具有与栅电极ge的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。第一栅线gl1和栅电极ge可以通过相同的工艺被同时提供。

第二栅线gl2可以具有与第一栅线gl1的结构基本上相同的结构。第二栅线gl2先于第一栅线gl1被驱动。例如，在单个帧周期中，在第一栅线gl1被驱动之前，第二栅线gl2被驱动。为此，在单个帧周期中，驱动第二栅线gl2所需的栅极信号可以先于驱动第一栅线gl1所需的栅极信号被输出。

如图2和3中所示，栅绝缘层311设置在第一基板301、栅电极ge、第一栅线gl1和第二栅线gl2上。在这样的一示例性实施方式中，栅绝缘层311可以设置在第一基板301的包括栅电极ge、第一栅线gl1和第二栅线gl2的整个表面之上。

栅绝缘层311可以包括硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)，或者可以由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。栅绝缘层311可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性质的至少两个绝缘层。

如图2中所示，半导体层321设置在栅绝缘层311上。如图2中所示，半导体层321交叠栅电极ge的至少一部分。

半导体层321可以包括非晶硅、多晶硅等等。此外，半导体层321可以包括多晶硅和/或诸如铟镓锌氧化物(igzo)或铟锌锡氧化物(izto)的氧化物半导体中的一种，或者由多晶硅和/或诸如铟镓锌氧化物(igzo)或铟锌锡氧化物(izto)的氧化物半导体中的一种形成。

源电极se设置在栅绝缘层311和半导体层321上。源电极se交叠半导体层321和栅电极ge。源电极se可以具有从第一数据线dl1朝栅电极ge突出的形状。源电极se和第一数据线dl1可以一体地形成为单个结构。虽然未示出，但源电极se可以是第一数据线dl1的一部分。

例如，源电极se可以具有i形、c形和u形中的一种。图1示出了具有u形的源电极se，并且源电极se的凸部面朝设置在像素px的下部中的第一栅线gl1。

源电极se可以包括难熔金属诸如钼、铬、钽、钛和/或其合金，或者由难熔金属诸如钼、铬、钽、钛和/或其合金形成。源电极se可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在一替代的示例性实施方式中，源电极se可以包括任何合适的金属和/或导体而非前述材料，或者可以由任何合适的金属和/或导体而非前述材料形成。

如图2中所示，第一数据线dl1设置在栅绝缘层311上。虽然未示出，但第一数据线dl1的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。第一数据线dl1的所述端部可以具有比第一数据线dl1的另一部分的平面面积更大的平面面积。第一数据线dl1可以包括与源电极se的材料基本上相同的材料，并且可以具有与源电极se的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。第一数据线dl1和源电极se可以通过相同的工艺被同时提供。

第一数据线dl1交叉第一栅线gl1和第二栅线gl2。数据线的交叉栅线的一部分可以具有比该数据线的另一部分的线宽更小的线宽，栅线的交叉数据线的一部分可以具有比该栅线的另一部分的线宽更小的线宽。例如，第一数据线dl1的交叉第一栅线gl1的一部分可以具有比第一数据线dl1的另一部分的线宽更小的线宽，第一栅线gl1的交叉第一数据线dl1的一部分可以具有比第一栅线gl1的另一部分的线宽更小的线宽。因此，数据线dl1和dl2的每条与栅线gl1和gl2的每条之间的寄生电容可以被减小。

漏电极de设置在栅绝缘层311和半导体层321上，并与源电极se间隔开预定的距离。漏电极de交叠半导体层321和栅电极ge。开关元件tft的沟道区域被放置在漏电极de与源电极se之间。

漏电极de连接到像素电极pe。漏电极de可以通过连接电极144连接到像素电极pe。漏电极de交叠连接电极144。在这样的一示例性实施方式中，漏电极de和连接电极144通过接触孔950彼此电连接。

漏电极de可以包括与源电极se的材料基本上相同的材料，并且可以具有与源电极se的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。漏电极de和源电极se可以通过相同的工艺被同时提供。

第一欧姆接触层321a设置在半导体层321与源电极se之间。第一欧姆接触层321a减小半导体层321与源电极se之间的界面电阻。

第一欧姆接触层321a可以包括硅化物或用例如磷(p)或磷化氢(ph3)的n型杂质离子以高浓度掺杂的n+氢化非晶硅。

第二欧姆接触层321b设置在半导体层321与漏电极de之间。第二欧姆接触层321b减小半导体层321与漏电极de之间的界面电阻。第二欧姆接触层321b可以包括与前述第一欧姆接触层321a的材料基本上相同的材料，并且可以具有与前述第一欧姆接触层321a的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。第二欧姆接触层321b和第一欧姆接触层321a可以通过基本上相同的工艺被同时提供。

虽然未示出，但半导体层321还可以设置在栅绝缘层311与源电极se之间。此外，半导体层321还可以设置在栅绝缘层311与漏电极de之间。在这样的一示例性实施方式中，栅绝缘层311与源电极se之间的半导体层被定义为第一附加半导体层，栅绝缘层311与漏电极de之间的半导体层被定义为第二附加半导体层。在这样的一示例性实施方式中，前述第一欧姆接触层321a还可以设置在第一附加半导体层与源电极se之间，前述第二欧姆接触层321b还可以设置在第二附加半导体层与漏电极de之间。

此外，虽然未示出，但半导体层321还可以设置在栅绝缘层311与数据线dl1和dl2的每条之间。例如，半导体层321还可以设置在栅绝缘层311与第一数据线dl1之间。在此，栅绝缘层311与第一数据线dl1之间的半导体层被定义为第三附加半导体层。在这样的一示例性实施方式中，前述第一欧姆接触层321a还可以设置在第三附加半导体层与第一数据线dl1之间。

如图2和3中所示，钝化层320设置在数据线dl1和dl2的每条、源电极se、漏电极de和栅绝缘层311上。在这样的一示例性实施方式中，钝化层320可以设置在第一基板301的包括数据线dl1和dl2的每条、源电极se、漏电极de和栅绝缘层311的整个表面之上。钝化层320具有限定在漏电极de上的第一孔。

钝化层320可以包括诸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)的无机绝缘材料，并且在这样的一示例性实施方式中，具有一定程度的光敏性并具有约4.0的介电常数的无机绝缘材料可以被使用。在另一示例性实施方式中，钝化层320可以具有包括下部无机层和上部有机层的双层结构，这被发现提供了优秀的绝缘特性并且不损坏半导体层321的暴露部分。钝化层320可以具有大于或等于约的厚度，例如在约到约的范围内。

如图2和3中所示，绝缘夹层356设置在钝化层320上。绝缘夹层356具有设置在第一孔之上的第二孔。第二孔大于第一孔。

绝缘夹层356可以包括具有低介电常数的有机层。例如，绝缘夹层356可以包括具有比钝化层320的介电常数更低的介电常数的光敏有机材料。

像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703设置在绝缘夹层356上。

像素电极pe通过连接电极144连接到漏电极de。连接电极144通过接触孔950连接到漏电极de。

接触孔950包括钝化层320的第一孔和绝缘夹层356的第二孔。漏电极de的一部分通过接触孔950暴露。在这样的一示例性实施方式中，接触孔950的孔在向上的方向上具有逐渐变大的尺寸，并且因此，在接触孔950的内壁处的连接电极144可以包括多个弯曲部分。因此，可以防止对具有较大深度的接触孔950中的连接电极144的损伤。例如，可以防止连接电极144中的切口。

像素电极pe的边中的面对栅线的一条具有比像素电极pe的边中的面对数据线的另一条的长度更大的长度。例如，像素电极pe中包含的四条边中的面对第一栅线gl1的一条具有比像素电极pe中包含的四条边中的面对第二数据线dl2的另一条的长度更大的长度。

像素电极pe和第二数据线dl2在水平方向上彼此间隔开，并且第一电容器形成在像素电极pe与第二数据线dl2之间。

像素电极pe可以包括例如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导电材料。在这样的一示例性实施方式中，例如，ito可以包括多晶材料或单晶材料，izo可以包括多晶材料或单晶材料。或者，izo可以包括非晶材料。

图4是单独示出图1的光发射区域111a中的像素电极pe的视图。

如图4中所示，像素电极pe包括平面电极631和分支电极632。

平面电极631可以具有四边形形状。例如，如图4中所示，平面电极631可以具有菱形形状。

分支电极632从平面电极631延伸。例如，分支电极632可以从平面电极631的至少一条边延伸。在这样的一示例性实施方式中，分支电极632可以在垂直于平面电极631的一边的方向上延伸。

单个平面电极631可以具有多条边，并且多个分支电极632可以从平面电极631的所述多条边的每条延伸。从平面电极631的一条边延伸的所述多个分支电极632中的至少两个可以具有不同的长度。例如，从平面电极631的一条边延伸的分支电极632可以随着离所述一条边的中心部分越远而具有越小的长度。换言之，从平面电极631的一条边延伸的分支电极632中的设置在所述一条边的中心部分处的一个分支电极具有最长的长度，从平面电极631的所述一条边延伸的分支电极632中的最外一个具有最小的长度。

分支电极632中的相邻分支电极之间的空间被定义为狭缝609，液晶lc的长轴由狭缝609确定。就是说，液晶lc的长轴面朝狭缝609的长度方向。

如图4中所示，多个平面电极631可以设置在单个光发射区域111a中，并且平面电极631中的相邻平面电极可以彼此连接。平面电极631的每个包括至少一个上文所述的分支电极632。

如图1和3中所示，连接电极144交叠第二栅线gl2。存储电容器形成在连接电极144与第二栅线gl2之间。

此外，如图1和2中所示，连接电极144可以交叠从第一栅线gl1突出的栅电极ge。

连接电极144可以包括与像素电极pe的材料基本上相同的材料并且具有与像素电极pe的结构基本上相同的结构。连接电极144和像素电极pe可以通过基本上相同的工艺被同时形成。

如图1和3中所示，第一延伸部分701从像素电极pe延伸并交叉第二数据线dl2。第一延伸部分701可以垂直地交叉第二数据线dl2。

如图1中所示，在其中所述多个平面电极631被提供在单个光发射区域111a中的情况下，第一延伸部分701可以从所述多个平面电极631中最邻近第二数据线dl2的平面电极延伸。第一延伸部分701可以从平面电极631延伸。在另一示例性实施方式中，第一延伸部分701可以从分支电极632延伸。

第二延伸部分702从第一延伸部分701延伸。第二延伸部分702可以在平行于第二数据线dl2的方向上延伸。第二延伸部分702面对第二数据线dl2。第二延伸部分702面对第二数据线dl2的一侧，第二延伸部分702具有比第二数据线dl2的一侧的长度更小的长度。

第二延伸部分702和第二数据线dl2在水平方向上彼此间隔开，并且第二电容器形成在第二延伸部分702与第二数据线dl2之间。

像素px的第二延伸部分702设置在与像素px相邻的另一像素中。例如，像素px的第二延伸部分702设置在与像素px相邻的像素的光阻挡区域中，该像素与像素px之间具有第二数据线dl2。

第二延伸部分702可以包括与像素电极pe的材料基本上相同的材料并且具有与像素电极pe的结构基本上相同的结构。第二延伸部分702和像素电极pe可以通过基本上相同的工艺被同时形成。

如图1和2中所示，第三延伸部分703从连接电极144延伸。第三延伸部分703交叠第一数据线dl1。第三延伸部分703可以具有比第一数据线dl1的宽度更大的宽度。第三延伸部分703还可以交叠第二栅线gl2。

第三延伸部分703可以包括与像素电极pe的材料基本上相同的材料并且具有与像素电极pe的结构基本上相同的结构。第三延伸部分703和像素电极pe可以通过基本上相同的工艺被同时形成。

如图2和3中所示，光阻挡层376设置在第二基板302上。光阻挡层376交叠光阻挡区域111b、第一栅线gl1、第二栅线gl2、第一数据线dl1和第二数据线dl2。换言之，光阻挡层376交叠每个像素的光阻挡区域、栅线的每条和数据线的每条。光阻挡层376可以设置在第一基板301上，而不是在第二基板302上。光阻挡层376可以包括黑色光敏树脂。

滤色器354设置在第二基板302上，对应于光发射区域111a。滤色器354的边缘可以设置在光阻挡层376上。滤色器354可以是红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器和白色滤色器中的一个。滤色器354可以设置在第一基板301上，而不是在第二基板302上。滤色器354可以包括具有前述颜色(红色、绿色、蓝色和白色中的一种)的光敏树脂。

外涂层385设置在光阻挡层376和滤色器354上。在这样的一示例性实施方式中，外涂层385可以设置在第二基板302的包括光阻挡层376和滤色器354的整个表面之上。

外涂层385可以帮助显著地减小(例如最小化)外涂层385与第二基板302之间的元件间(例如第二基板302的诸如前述光阻挡层376和滤色器354的元件间)的高度差。此外，外涂层385防止滤色器354的颜料的外泄漏。

公共电极330设置在外涂层385上。公共电极330具有孔980。如图1中所示，孔980具有总体十字形。在这样的一示例性实施方式中，十字形的孔980的中央部分可以具有菱形形状。就是说，十字形的孔980的中央部分的四个内壁可以形成菱形形状。

公共电极330的孔980可以对应于像素电极pe放置。例如，公共电极330的孔980可以对应于平面电极631放置。在这样的一示例性实施方式中，十字形的孔980的中央部分放置在平面电极631的中央部分处。该中央部分的四个内壁对应于平面电极631的四条边。彼此对应的该中央部分的内壁和平面电极631的边分别彼此基本平行。

在一示例性实施方式中，虽然未示出，但公共电极330可以具有十字形状。在这样的一示例性实施方式中，十字形的公共电极彼此连接。

如图1和2中所示，显示装置的一示例性实施方式还可以包括屏蔽层154。屏蔽层154设置在第一基板301上。例如，屏蔽层154对应于漏电极de与连接电极144之间的连接部分设置。换言之，屏蔽层154设置在第一基板301与栅绝缘层311之间，对应于接触孔950。

在一示例性实施方式中，如图1和2中所示，屏蔽层154还可以交叠连接电极144。

屏蔽层154不被施加有任何信号，并且不直接连接到任何线。换言之，屏蔽层154处于浮置状态。为此，屏蔽层154不接触前述导体(例如栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极和像素电极)中的任何一个。

在其中前述第二附加半导体层被提供在漏电极de下方的情况下，屏蔽层154防止从背光单元提供的光照射到第二附加半导体层的交叠接触孔950的一部分。

屏蔽层154可以包括与栅电极ge的材料基本上相同的材料并且具有与栅电极ge的结构基本上相同的结构(多层结构)。屏蔽层154和栅电极ge可以通过基本上相同的工艺被同时形成。

图5是示出图1中所示的连接到像素电极pe的第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703及其外围区域的放大平面图。

如图5中所示，第一电容器c1形成在第二数据线dl2的一侧与像素电极pe之间，第二电容器c2形成在第二数据线dl2的另一侧与第二延伸部分702之间，第三电容器c3形成在第一数据线dl1与第三延伸部分703之间。

第一电容器c1和第二电容器c2的每个是设置在水平方向上的元件之间的电容器，第三电容器c3是设置在垂直方向上的元件之间的电容器。

第一电容器c1的电容、第二电容器c2的电容和第三电容器c3的电容具有下面的数学公式1中所示的关系：

cc3＝cc1+cc2[数学公式1]

在数学公式1中，“cc1”表示第一电容器c1的电容，“cc2”表示第二电容器c2的电容，“cc3”表示第三电容器c3的电容。照此，第一电容器c1的电容cc1和第二电容器c2的电容cc2之和基本上等于第三电容器c3的电容cc3。

在一示例性实施方式中，透明导电材料被图案化以同时形成像素电极、连接电极、第一延伸部分、第二延伸部分和第三延伸部分。在这样的一示例性实施方式中，在其中掩模在对透明导电材料执行的光刻工艺中未被精确对准的情况下，像素电极、连接电极、第一延伸部分、第二延伸部分和第三延伸部分可以每个被安置得离开期望的位置一小的距离。然而，数学公式1的关系在这样的一示例中仍被满足，因此基本上不存在电容变化，这将参照附图被详细描述。

在图5中，第二数据线dl2与像素电极pe之间的距离d1可以与第二数据线dl2与第二延伸部分702之间的距离d2基本上相同。

图6a是示出图5中所示的像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703由于掩模未对准而向左偏移的结果的平面图。在这样的一示例性实施方式中，偏移距离可以为约3μm。

如图6a中所示，在其中像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703向左偏移的情况下，第二数据线dl2与像素电极pe之间的距离d1增大，而第二数据线dl2与第二延伸部分702之间的距离d2与该增大(距离d1的增大)成比例地减小。换言之，随着距离d1增大，距离d2减小。因此，图6a的第一电容器c1具有比图5的第一电容器c1的电容更低的电容，而图6a的第二电容器c2具有比图5的第二电容器c2的电容更大的电容。在这样的一示例性实施方式中，随着第一电容器c1的电容减小，第二电容器c2的电容与该减小成比例地增大，因此，图5中第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容的总电容(在下文中，第一总电容)与图6a中第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容的总电容(在下文中，第二总电容)基本上相同。换言之，第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容处于权衡关系，因此，虽然第一电容器c1和第二电容器c2的各自电容可以变化，但是总电容可以保持不变。因此，虽然像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703如图6a中所示地向左偏移，但是第二总电容可以与第一总电容基本上相同。

此外，图6a的第三电容器c3的电容与图5的第三电容器c3的电容基本上相同。这是因为图5中第三延伸部分703与第一数据线dl1之间的交叠区域(在下文中，第一交叠区域)与图6a中第三延伸部分703与第一数据线dl1之间的交叠区域(在下文中，第二交叠区域)基本上相同。就是说，因为第三延伸部分703具有充分地大于第一数据线dl1的线宽的面积，所以虽然第三延伸部分703向左偏移，但是第一交叠区域和第二交叠区域可以基本上相同。因此，虽然像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703如图6a中所示地向左偏移，但是图6a的第三电容器c3可以具有与图5的第三电容器c3的电容基本上相同的电容。

图6b是示出图5中所示的像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703由于掩模未对准而向右偏移的结果的平面图。在这样的一示例性实施方式中，偏移距离可以为约3μm。

如图6b中所示，在其中像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703向右偏移的情况下，第二数据线dl2与像素电极pe之间的距离d1减小，而第二数据线dl2与第二延伸部分702之间的距离d2与该减小(距离d1的减小)成比例地增大。换言之，随着距离d1减小，距离d2增大。因此，图6b的第一电容器c1具有比图5的第一电容器c1的电容更大的电容。而图6b的第二电容器c2具有比图5的第二电容器c2的电容更小的电容。在这样的一示例性实施方式中，随着第一电容器c1的电容增大，第二电容器c2的电容与该增大成比例地减小，因此图5中第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容的总电容(即第一总电容)与图6b中第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容的总电容(在下文中，第三总电容)基本上相同。换言之，第一电容器c1的电容和第二电容器c2的电容处于权衡关系，因此，虽然第一电容器c1和第二电容器c2的各自电容变化，但是各个电容的总电容可以不变。因此，虽然像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703如图6b中所示地向右偏移，但是第三总电容可以与第一总电容基本上相同。

此外，图6b的第三电容器c3的电容可以与图5的第三电容器c3的电容基本上相同。这是因为图5中第三延伸部分703与第一数据线dl1之间的交叠区域(即第一交叠区域)与图6b中第三延伸部分703与第一数据线dl1之间的交叠区域(在下文中，第三交叠区域)基本上相同。就是说，由于第三延伸部分703具有充分地大于第一数据线dl1的线宽的面积，所以虽然第三延伸部分703向右偏移，但是第一交叠区域和第三交叠区域可以基本上相同。因此，虽然像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703如图6b中所示地向右偏移，但是图6b的第三电容器c3可以具有与图5的第三电容器c3的电容基本上相同的电容。

在一示例性实施方式中，第一总电容、第二总电容和第三总电容基本上相同。此外，第一交叠区域、第二交叠区域和第三交叠区域基本上相同。因此，图5的第三电容器c3的电容、图6a的第三电容器的电容和图6b的第三电容器的电容基本上相同。

照此，虽然像素电极pe、连接电极144、第一延伸部分701、第二延伸部分702和第三延伸部分703由于掩模未对准而向左或向右偏移，但是像素的第一电容器c1、第二电容器c2和第三电容器c3的总电容可以维持基本一致。因此，可以显著地减少图像质量由于掩模未对准的劣化。

图7是示出显示装置的另一示例性实施方式的平面图。

如图7中所示，第一延伸部分701的交叉数据线(例如第一数据线dl1或第二数据线dl2)的一部分可以具有比其另一部分的线宽更小的线宽，并且数据线(例如第一数据线dl1或第二数据线dl2)的交叉第一延伸部分701的一部分可以具有比其另一部分的线宽更小的线宽。因此，可以减小第一延伸部分701与数据线(例如第一数据线dl1或第二数据线dl2)之间的寄生电容。

关于图7中所示的其它元件的描述将参照图1、2、3和4以及相关描述。

图8是示出显示装置的又一示例性实施方式的平面图。

如图8中所示，显示装置的又一替代的示例性实施方式包括第四延伸部分777。

第四延伸部分777从像素电极pe延伸。第四延伸部分777交叠第二数据线dl2。第四延伸部分777具有比第二数据线dl2的宽度更大的宽度。换言之，该第四延伸部分777的宽度w2大于第二数据线dl2的宽度w1。第四延伸部分777面对像素电极pe。第四延伸部分777面对像素电极pe的一侧，并且第四延伸部分777具有比像素电极pe的该侧的长度更小的长度。

图8中所示的其它元件与图1、2和3中所示的元件基本上相同，因此关于其的描述将参照图1、2和3及相关描述。

图9是示出显示装置的又一示例性实施方式的平面图。

如图9中所示，显示装置的又一示例性实施方式包括交叠第二数据线dl2的像素电极pe。

图9的像素电极pe包括上文所述的平面电极631和分支电极632。在其中像素包括多个平面电极631的情况下，所述多个平面电极631中的最右一个(在下文中，最外平面电极)交叠第二数据线dl2。在这样的一示例性实施方式中，从最外平面电极延伸的分支电极632中的至少一个交叠第二数据线dl2。

此外，图9中所示的公共电极的孔980交叠第二数据线dl2。

如上所述，根据一种或更多种示例性实施方式，一种显示装置可以提供以下效果。

第一，可以显著地减小(例如最小化)由像素电极和数据线形成的电容器的电容变化。

第二，可以显著地减小(例如最小化)数据线的信号延迟。

第三，可以增大像素的开口率。

从前述内容中，将理解，为了说明的目的，已经在此描述了根据本公开的各种各样的实施方式，并且可以作出各种各样的修改而不背离本教导的范围和精神。因此，在此公开的各种各样的实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。上述和另外的实施方式的各种各样的特征可以以任何方式混合和匹配以产生与本发明一致的进一步的实施方式。

本申请要求2016年5月25日提交的韩国专利申请第10-2016-0064135号的优先权和权益，该申请为了一切目的通过引用合并于此，就像在此充分地陈述。