液晶显示设备及其制造方法与流程

本申请要求2016年5月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0064546号的优先权，通过引用将该申请的公开内容整体合并于此。

本发明构思涉及液晶显示设备和制造该液晶显示设备的方法。

背景技术：

显示设备的重要性随着多媒体的发展而增加。诸如液晶显示器(lcd)和有机发光显示器(oled)的各种类型的显示设备被使用。

其中，液晶显示设备是目前使用最广泛的平板显示设备之一，并且包括形成有场产生电极(诸如，像素电极和公共电极)的两个基板以及置于这两个基板之间的液晶层。液晶显示设备通过将电压施加到场产生电极在液晶层中形成电场，并且通过确定液晶层的液晶分子的方向并通过电场控制入射光的偏振来显示图像。

同时，对于采用有机膜的液晶显示设备，由于需要单独的附加掩模工艺用于形成有机膜，因此该液晶显示设备在工艺效率和成本方面是不利的。

技术实现要素：

本发明构思的一个方面提供了一种具有提高的工艺效率的液晶显示设备和制造该液晶显示设备的方法。

本发明构思的另一方面提供了一种液晶显示设备和制造该液晶显示设备的方法，通过减少掩模数量，该液晶显示设备在工艺效率和成本方面是有利的。

本发明构思的示例性实施例公开了一种液晶显示设备，包括：基板；布置在基板上并且在第一方向上延伸的栅线；布置在栅线上的第一绝缘膜；布置在第一绝缘膜上的半导体图案；布置在半导体图案上并且具有彼此隔开的第一电极和第二电极的第一透明电极；布置在第一透明电极上并且部分暴露第一电极的第二绝缘膜；布置在第二绝缘膜上并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的数据线；布置在第二绝缘膜上并且与第二电极至少部分重叠的第二透明电极；以及与被暴露的第一电极的一部分和数据线直接接触的连接电极。

液晶显示设备可使第一电极和第二电极与半导体图案直接接触。

液晶显示设备可使除了在与开关元件的沟道重叠的区域中，第一电极和第二电极与半导体图案重叠。

液晶显示设备可进一步包括：与栅线布置在同一层并且从栅线延伸的栅电极；并且第二电极包括与栅电极重叠的漏区和与第二透明电极重叠的像素区。

液晶显示设备可使第一电极与栅电极重叠。

液晶显示设备可进一步包括：开关元件，其中栅线电连接到栅电极，数据线电连接到第一电极，并且像素区电连接到漏区。

液晶显示设备可使半导体图案包括氧化物半导体。

液晶显示设备可使连接电极包括透明导电材料。

液晶显示设备可进一步包括：布置在第二绝缘膜上并且在第二方向上延伸的数据保持线。

液晶显示设备可使第二透明电极包括多个狭缝部分。

本发明构思的示例性实施例还公开了一种液晶显示设备，包括：基板；栅导体，布置在基板上并且包括在第一方向上延伸的栅线和从所述栅线延伸的栅电极；布置在所述栅导体上的第一绝缘膜；布置在所述栅导体上的半导体图案；第一透明电极，布置在半导体图案上，并且具有与栅电极重叠的第一电极和以预定距离与第一电极隔开的第二电极；第二绝缘膜，布置在第一透明电极上并且部分暴露第一电极；数据线，布置在第二绝缘膜上并且在不同于第一方向的第二方向上延伸；第二透明电极，布置在第二绝缘膜上并且与第二电极至少部分重叠；以及连接电极，与被暴露的第一电极和数据线直接接触。

液晶显示设备可使第一电极和第二电极与半导体图案直接接触。

液晶显示设备可使除了在与开关元件的沟道重叠的区域中，第一电极和第二电极与半导体图案重叠。

液晶显示设备可使第二绝缘膜包括无机物。

液晶显示设备可使连接电极包括氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)中的至少一种。

液晶显示设备可使连接电极覆盖数据线的顶部。

本发明构思的示例性实施例公开了一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括：在基板上形成在第一方向上延伸的栅线和从栅线延伸的栅电极；在栅线和栅电极上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上层压半导体层和第一透明导电层；在第一透明导电层上形成第一光敏膜图案，第一光敏膜图案包括具有第一厚度的第一区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二区域；通过使用第一光敏膜图案作为掩模蚀刻第一透明导电层和半导体层，形成第二透明导电层和半导体图案；通过去除第二区域形成暴露第二透明导电层中的一些的第二光敏膜图案；以及通过使用第二光敏膜图案作为掩模蚀刻被暴露的第二透明导电层，形成包括与栅电极重叠的第一电极和与第一电极隔开的第二电极的第一透明电极。该方法可使第一电极和第二电极与半导体图案直接接触。

该方法可使除了在与开关元件的沟道重叠的区域中，第一电极和第二电极与半导体图案重叠。

该方法可进一步包括：在第一透明电极上形成第二绝缘膜，以部分暴露第一电极；在第二绝缘膜上形成数据线，数据线在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及在第二绝缘膜上形成第二透明电极和连接电极，第二透明电极与第二电极重叠，并且连接电极将被暴露的第一电极与数据线连接。

附图说明

本发明构思的上述和其它方面和特征将通过参考附图详细地描述其示例性实施例而变得更加清楚，其中：

图1是示意性图示根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的像素部分的布局图；

图2是沿图1的线i-i’、线ii-ii’和线iii-iii”截取的剖视图；

图3是图示图1所示的栅导体的平面图；

图4是图示图1所示的第一透明电极和半导体图案的平面图；

图5是图示图1所示的数据导体、公共电极和连接电极的平面图；

图6是示意性图示根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的第一像素部分px1至第三像素部分px3的布局图；

图7是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成栅导体的方法的图；

图8至图12是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成第一透明电极的方法的图；

图13至图17是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成钝化膜、数据线和数据保持线的方法的图；以及

图18至图20是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成公共电极、屏蔽电极和连接电极的方法的图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了说明的目的，阐述许多具体细节，以便提供各个示例性实施例的全面理解。然而，要清楚，各个示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或在一个或多个等价布置的条件下实践。在其它情况中，以框图的形式示出众所周知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各个示例性实施例。

在附图中，为了清楚目的和描述目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，相同附图标记表示相同要素。

当一元件或层被称为“位于另一元件或层上”、“与另一元件或层连接”或“与另一元件或层联接”时，该元件或层可以直接位于另一元件或层上、与另一元件或层直接连接或与另一元件或层直接联接，或者可以存在中间的元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接位于另一元件或层上”、“与另一元件或层直接连接”或“与另一元件或层直接联接”时，不存在中间的元件或层。为了本公开目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或x、y和z中两个或更多个的任意组合，例如xyz、xyy、yz和zz。在全文中，相同的数字指示相同的要素。如本文中使用的术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。

虽然在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区别开。因此，在不背离本公开的教义的情况下，下面讨论的第一要素、部件、区域、层或部分可以被称为第二要素、部件、区域、层或部分。

为了描述目的，本文中可以使用空间相关术语，如“在……下方”、“在……下面”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等，由此来描述附图中图示的一个要素或特征与另一要素或特征的关系。空间相关术语旨在涵盖装置在使用时、在操作时和/或在制造时除附图中描绘的朝向以外的不同朝向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于其它要素或特征“下面”或“下方”的要素将位于其它要素或特征“上方”。因此，示例性术语“下面”可以涵盖上方和下方两种方位。而且，装置可以朝向别的方向(例如，旋转90度或朝其它方位)，因此相应地解释本文中使用的空间相关描述符。

本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地表示别的含义。此外，术语“包括”和/或“包含”，当其在本说明书中使用时，规定所述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。

在本文中参考剖面图示来描述各种示例性实施例，该剖面图示是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可预期图示形状之间的变化。因此，本文所公开的示例性实施例不应被解释为限于特别图示的区域形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，图示为长方形的插入区域将通常具有圆形或曲线特征和/或在其边缘具有插入浓度的梯度，而非从插入到非插入区域的双态变化。类似地，通过插入形成的浸入区域可在该浸入区域和发生插入所经过的表面之间的区域中导致一些插入。因此，在图中所示的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在图示设备的区域的实际形状，并且不旨在限制。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开属于其一部分的领域中的普通技术人员之一所通常理解的含义相同的含义。术语，如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不要从理想化的或过于形式的意义上去解释，除非本文中明确如此限定。

下文中，将参考附图描述示例性实施例。

图1是示意性图示根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的像素部分的布局图。

像素部分px可电连接到第一栅线gl1和数据线dl。基于图1，像素部分px可位于由第一栅线gl1、第二栅线gl2和数据线dl划分的区域中。第一栅线gl1和第二栅线gl2可在第一方向d1上延伸。数据线dl可在不同于第一方向d1的第二方向d2上延伸。第一方向d1可与第二方向d2垂直相交。基于图1，第一方向d1被描述为列方向，并且第二方向d2被描述为行方向。第一栅线gl1接收来自栅驱动器的栅信号并可将栅信号提供给像素部分px。

数据线dl接收来自数据驱动器的数据信号并可将数据信号提供给像素部分px。更具体地，根据本发明构思的实施例的液晶显示设备可进一步包括连接到数据线dl的远端192的数据焊盘部分193。数据焊盘部分193可将数据线dl的远端192连接到外部设备。例如，数据焊盘部分193可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。

像素部分px可包括开关元件tr和电连接到开关元件tr的像素电极pe。例如，开关元件tr可以是三端元件，诸如，薄膜晶体管。下文中，作为示例，开关元件tr将被描述为薄膜晶体管。开关元件tr的栅电极ge可电连接到第一栅线gl1，并且源电极se可电连接到数据线dl。开关元件tr的漏电极de可电连接到像素电极pe。因此，开关元件tr根据从第一栅线gl1提供的栅信号被导通，并且可将从数据线dl提供的数据信号提供给像素电极pe。

像素电极pe可与开关元件tr的漏电极de一体形成。稍后将参考图2描述像素电极pe。基于稍后将描述的下基板110(参见图2)，像素电极pe可在垂直方向上与公共电极ce重叠。因此，像素电极pe可与稍后待描述的公共电极ce电容耦合。公共电极ce可包括多个狭缝部分slt。

图2是沿图1的线i-i’、线ii-ii’和线iii-iii”截取的剖视图。图3是图示图1所示的栅导体的平面图。图4是图示图1所示的第一透明电极和半导体图案的平面图。图5是图示图1所示的数据导体、公共电极和连接电极的平面图。

参考图1至图5，下显示面板10可面对上显示面板20布置。液晶层30可被置于下显示面板10和上显示面板20之间并可包括多个液晶分子。作为示例，下显示面板10可通过密封件结合到上显示面板20。

首先，将描述下显示面板10。

作为示例，下基板110可以是透明绝缘基板。这里，透明绝缘基板可包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。

栅导体gw可被布置在下基板110上。栅导体gw可包括第一栅线gl1、第二栅线gl2和栅电极ge。第一栅线gl1和第二栅线gl2可在下基板110上沿第一方向d1延伸。

栅电极ge从第一栅线gl1延伸。栅电极ge可与第一栅线gl1位于同一层。栅电极ge可以以从第一栅线gl1突出的形状被形成。

栅导体gw可由单层膜、双层膜或三层膜形成，单层膜选自导电金属，包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钨化钼(mow)、钛化钼(moti)、铜/钛化钼(cu/moti)，双层膜由所列举导电金属中的至少两种组成，三层膜由所列举导电金属中的三种组成。第一栅线gl1、第二栅线gl2和栅电极ge可同时形成，例如，通过同一道掩模工艺。

栅绝缘膜120可被布置在栅导体gw上。例如，栅绝缘膜120可由氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)形成。栅绝缘膜120可具有多层膜结构，该多层膜结构至少包括两层具有彼此不同的物理特性的绝缘膜。

半导体图案130可被布置在栅绝缘膜120上。半导体图案130可包括形成开关元件tr的沟道的区域130a。同时，半导体图案130可包括氧化物半导体。半导体图案130可由选自氧化物半导体中的一种形成，氧化物半导体包括氧化铟镓锌(igzo)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o2、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3和ti3o5。

第一透明电极te1可被布置在半导体图案130上。第一透明电极te1与半导体图案130直接接触。第一透明电极te1可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。

第一透明电极te1可包括彼此间隔布置的第一电极和第二电极。这里，第一电极可以是开关元件tr的源电极se。下文中，第一电极将被称为源电极se进行描述。

如上所述，像素电极pe可与开关元件tr的漏电极de一体形成，并且因此，第二电极可以是像素电极pe。下文中，第二电极和漏电极de都将被称为像素电极pe。像素电极pe可包括与栅电极ge重叠的漏区deg和与公共电极ce重叠的像素区peg。像素电极pe可与开关元件tr的源电极se布置在同一层并可以以预定距离与源电极se间隔开。

第一透明电极te1和半导体图案130可使用单掩模工艺形成。因此，第一透明电极te1可被布置成在与除开关元件tr的沟道形成在其中的区域130a之外的剩余区域中与半导体图案130完全重叠。换句话说，基于半导体图案130，除了开关元件tr的沟道形成在其中的区域130a之外，半导体图案130可具有与第一透明电极te1相同的形状。

钝化膜140可被布置在栅绝缘膜120以及第一透明电极te1上。例如，钝化膜140可由无机绝缘材料形成，诸如，氮化硅和氧化硅。钝化膜140可被形成在第一透明电极te1上，以避免在稍后待描述的数据线dl的形成期间可产生的任何工艺污染物流到第一透明电极te1中。同时，至少暴露源电极se的一些的接触孔cnt可被形成在钝化膜140上。

数据线dl可被布置在钝化膜140上以在第二方向d2上延伸。数据线dl可由单层膜、双层膜或三层膜形成，单层膜选自导电金属，包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钨化钼(mow)、钛化钼(moti)、铜/钛化钼(cu/moti)，双层膜由导电金属中的至少两种组成，三层膜由导电金属中的三种组成。数据线dl可通过稍后待描述的连接电极150电连接到被接触孔cnt暴露的源电极se。

更具体地，连接电极150可被布置在接触孔cnt内部和钝化膜140上。连接电极150可直接连接到被暴露的开关元件tr的源电极se和数据线dl。参考图2的区域a，例如，连接电极150可形成以覆盖数据线dl的顶部。

连接电极150可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。连接电极150可由与稍后待描述的公共电极ce相同的材料形成。同时，连接电极150可与公共电极ce电绝缘。

第二透明电极可被布置在钝化膜140上。第二透明电极可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。这里，第二透明电极可以是公共电极ce。下文中，第二透明电极将被描述为公共电极ce。

公共电极ce可被布置在钝化膜140上。公共电极ce可被布置成与像素电极pe至少部分重叠，并且可与数据线dl位于同一层。公共电极ce可包括多个狭缝部分slt。公共电极ce可通过多个狭缝部分slt关于像素电极pe形成水平电场，以控制多个液晶分子31的排列。如图1所示，公共电极ce的狭缝部分slt可被布置在第一方向d1上，以便狭缝部分slt的长边基本平行于第一栅线gl1。此外，当第一栅线gl1具有弯曲结构时，公共电极ce的狭缝部分slt也可以是类似于第一栅线gl1的弯曲结构的形状。

数据保持线160可被布置在钝化膜140上以在第二方向d2上延伸。例如，数据保持线160可与像素电极pe至少部分重叠并可延伸以穿过像素电极pe的中心部分。数据保持线160可通过公共电极连接部分161电连接到公共电极ce。这使得降低公共电极ce的电阻分量成为可能。

根据本发明构思的实施例的液晶显示设备可进一步包括连接到数据线dl的远端192的数据焊盘部分193。数据焊盘部分193可将数据线dl的远端192连接到外部设备(未示出)。数据焊盘部分193可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。

屏蔽电极170可在垂直于下基板110的方向上与包括数据线dl的多条数据线重叠。屏蔽电极170通常可在第二方向d2上延伸。因此，屏蔽电极170可防止由多条数据线dl和与每条数据线相邻的像素电极之间的耦合引起的漏光现象。

尽管图中未示出，下配向膜可被布置在公共电极ce、数据保持线160、公共电极连接部分161、屏蔽电极170和连接电极150上。下配向膜可由聚酰亚胺等形成。

接下来，将描述上显示面板20。

上基板210可面对下基板110布置。上基板210可由透明玻璃或塑料形成，并且可例如由与下基板110相同的材料形成。

黑色矩阵bm可被布置在上基板210上以防止光穿过除了像素区以外的区域。例如，黑色矩阵bm可由铬或包括有机物的金属性材料形成。

滤色器cf可被放置在黑色矩阵bm和上基板210上。更具体地，滤色器cf可被形成在与由黑色矩阵bm限定的像素区对应的上基板210上，并且滤色器cf的至少一部分可被形成在黑色矩阵bm的至少一部分上。例如，滤色器cf可显示红色、绿色和蓝色中的一种。

以滤色器cf位于上基板210上的情况为例进行了描述，但本发明构思并不限于此。也就是说，滤色器cf可被布置在下基板110上。

尽管图中未示出，上配向膜(未示出)可被布置在上基板210上。上配向膜可由聚酰亚胺等形成。

图6是示意性图示根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的第一像素部分px1至第三像素部分px3的布局图。然而，将不提供图1至图5中所描述的内容的重复描述。

第一像素部分px1可电连接到第一栅线gl1和数据线dl。第二像素部分px2可电连接到第二栅线gl2和数据线dl。第三像素部分px3可电连接到第三栅线gl3和数据线dl。也就是说，第一像素部分px1至第三像素部分px3可电连接到同一个数据线dl。

第一像素部分px1至第三像素部分px3可显示彼此不同的颜色。作为示例，第一像素部分px1可显示红色，第二像素部分px2可显示绿色，并且第三像素部分px3可显示蓝色。也就是说，由于显示彼此不同颜色的第一像素部分px1至第三像素部分px3与单条数据线连接，因此减少所需的数据线的数量和连接到数据线的数据驱动集成电路的数量是可能的。

下文中，在本说明书中，将描述制造图1和图2所示的液晶显示设备的方法作为示例。

图7是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成栅导体的方法的图。

参考图3和图7，栅导体gw被形成在下基板110上。栅导体gw形成第一栅线gl1、第二栅线gl2和从第一栅线gl1延伸的栅电极ge。

接下来，栅绝缘膜120被形成在栅导体gw上。栅绝缘膜120可通过化学气相沉积形成。栅绝缘膜120被形成在形成有栅导体gw的下基板110的整个表面之上。

图8至图12是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成第一透明电极的方法的图。

参考图4和图8，半导体层130b和第一透明导电层te1a被顺序层压在栅绝缘膜120上。

例如，通过借助化学气相沉积法沉积前述氧化物半导体，半导体层130b可被层压在栅绝缘膜120上，并可包括igzo。第一透明导电层te1a可由诸如氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)的透明导电材料或诸如铝的反射导电材料形成。

接下来，参考图9，通过将光敏膜施加在第一透明导电层te1a之上并通过使用半色调掩模(未示出)或狭缝掩模对光敏膜进行曝光和显影，第一光敏膜图案pr1被形成。第一光敏膜图案pr1包括具有第一厚度的第一区域40a和具有小于第一厚度的第二厚度的第二区域40b。第一光敏膜图案pr1的第一区域40a位于第一透明电极te1稍后形成在其中的部分中。第一光敏膜图案pr1的第二区域40b位于开关元件tr的沟道区130a待形成在其中的部分中。

参考图10，通过使用第一光敏膜图案pr1作为掩模蚀刻被暴露的第一透明导电层te1a，第二透明导电层te1b被形成。接下来，通过使用第一光敏膜图案pr1作为掩模蚀刻半导体层130b，半导体图案130被形成。

栅绝缘膜120的至少一些通过前述两次蚀刻工艺被暴露。此外，第二透明导电层te1b的一侧表面和半导体图案130的一侧表面可重叠并且第二透明导电层te1b的另一侧表面和半导体图案130的另一侧表面可重叠，以便位于基本相同的平面上。

接下来，参考图11，通常减小第一光敏膜图案pr1的厚度以形成第二光敏膜图案pr1'，其中第一光敏膜图案pr1的第二区域40b被去除。因此，第二透明导电层te1b可在与开关元件tr的沟道区对应的位置处被暴露。第二光敏膜图案pr1'可通过回蚀工艺、灰化工艺等形成。此后，通过使用第二光敏膜图案pr1'作为掩模，蚀刻被暴露的第二透明导电层te1b。

参考图12，通过使用第二光敏膜图案pr1'作为掩模，蚀刻被暴露的第二透明导电层te1b，形成第一透明电极te1。之后，第二光敏膜图案pr1'被剥离。因此，具有以预定距离彼此隔开的源电极se和像素电极pe的第一透明电极te1被形成。这里，如上所述，像素电极pe与漏电极de一体形成。

图13至图17是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成钝化膜、数据线和数据保持线的方法的图。

参考图5和图13，无机绝缘层140a和第一数据导体dwa被顺序层压在半导体图案130、源电极se和像素电极pe上。例如，无机绝缘层140a可由无机绝缘材料形成，诸如，氧化硅或氮化硅。无机绝缘层140a可被形成在第一透明电极te1和栅绝缘膜120上，以避免在稍后待描述的数据线dl的形成期间可产生的任何工艺中的污染物流到第一透明电极te1中。

接下来，参考图14，将光敏膜施加到第一数据导体dwa的顶部，并使用大面积半色调掩模(未示出)或狭缝掩模对光敏膜进行曝光和显影，以形成第三光敏膜图案pr2。第三光敏膜图案pr2包括具有第一厚度的第一区域50a和具有大于第一厚度的第二厚度的第二区域50b。第三光敏膜图案pr2未被形成在稍后待描述的接触孔cnt形成在其中的部分中。因此，第一数据导体dwa被部分暴露。

接下来，参考图15，通过使用第三光敏膜图案pr2作为掩模，蚀刻被暴露的第一数据导体dwa，形成部分暴露无机绝缘层140a的第二数据导体dwb。随后，参考图16，通过使用第三光敏膜图案pr2作为掩模，蚀刻被暴露的无机绝缘层140a，可形成通过接触孔cnt部分地暴露源电极se的钝化膜140。接下来，通常减小第三光敏膜图案pr2的厚度以形成第四光敏膜图案pr2'，其中第一区域50a被去除。

参考图16，使用第四光敏膜图案pr2'作为掩模，蚀刻被暴露的第二数据导体dwb。参考图17，随着第二数据导体dwb被蚀刻，数据线dl和数据保持线160被形成。此后，第四光敏膜图案pr2'被去除。

图18至图20是用于说明在制造根据本发明构思的实施例的液晶显示设备的方法中形成公共电极、屏蔽电极和连接电极的方法的图。

参考图18，第三透明导电层te2a被形成在数据线dl和数据保持线160上。第三透明导电层te2a可由透明导电材料组成，诸如，氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。第三透明导电层te2a可被形成在数据线dl、数据保持线160和数据线dl的远端192中的每个上。此后，通过将光敏膜施加到第三透明导电层te2a上，并通过使用大面积半色调掩模(未示出)或狭缝掩模对光敏膜进行曝光和显影，第五光敏膜图案pr3被形成。因此，第三透明导电层te2a被部分暴露。

参考图19和图20，随着使用第五光敏膜图案pr3作为掩模蚀刻被暴露的第三透明导电层te2a，连接电极150、公共电极ce、屏蔽电极170、公共电极连接部分161和数据焊盘部分193被形成。虽然连接电极150与公共电极ce和屏蔽电极170被形成在同一层，但却如此形成以便与公共电极ce和屏蔽电极170绝缘。相反，数据保持线160可通过公共电极连接部分161电连接到公共电极ce。此后，第五光敏膜图案pr3被去除。

尽管已参照其示例性实施例具体图示并描述了本发明构思，本领域普通技术人员将理解可进行各种形式和细节上的改变，而不背离下面的权利要求限定的本发明构思的精神和范围。示例性实施例应当仅从说明性的意义上去理解而不应当被认为用于限制。