一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置。

背景技术：

显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlightmodule)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(liquidcrystal，lc)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

而随着lcd产品趋向于高解析度方向发展，人们发现该lcd技术也存在这一些亟待解决的问题，例如，现有的显示面板不够智能，到了阳光底下背光太暗看不清画面，而到了暗处，则背光太亮，刺眼。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够根据外界环境进行自主调节的显示面板、显示面板的制造方法和显示装置。

本发明提供了一种显示面板，包括：

基板，

开关组件，设置在所述基板上；所述开关组件包括铟镓锌氧化物层；

光感测元件，所述光感测元件设置于所述开关组件一侧。

进一步的，所述基板包括玻璃基板，所述开关组件从玻璃基板起包括：栅极金属层、栅极绝缘层、铟镓锌氧化物层、刻蚀阻挡层，以及位于同一层的源极金属层和漏极金属层。本实施方案中，该开关组件的本征半导体层使用的是铟镓锌氧化物(igzo，即indiumgalliumzincoxide)制成的，利用igzo技术可以使显示屏功耗接近oled，但成本更低，厚度也只比oled只高出25％，且分辨率可以达到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition，分辨率4k*2k)级别程度；igzo是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高tft对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在tft-lcd中成为可能。

另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，igzo显示器具有更高的能效水平，而且效率更高；而且，igzo可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

进一步的，所述开关组件还包括刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层设置在铟镓锌氧化物层上；所述光感测元件设置在所述刻蚀阻挡层的延伸部上。本实施方案中，在形成刻蚀阻挡层时，顺势将其向开关组件的一侧近延伸，并在该延伸部上形成光感测元件，该步骤节约了工序，达到了一举两得的效果；该蚀刻阻挡层采用esl结构，该带岛状esl，etch-stoplayer，刻蚀保护层的tft结构以寄生电容小的优点，得到了广泛应用，并且对该铟镓锌氧化物层起到了促进作用。

进一步的，所述的刻蚀阻挡层的延伸部上设置有光感金属层，所述光感测元件设置在所述光感金属层上；

所述光感测元件的上设置有透明导电层。本实施方案中，该光感测元件与栅极金属层和源极金属层同层设置，并一起形成，节约了工序；另外，该光感金属层是作为光感测元件的下电极而存在，该透明导电层则作为光感金属层的上电极而存在，如此，该光感测元件将能够通过上下电极之间的电信号差，而得以感测显示区域的外界光线强度，从而为显示面板的自主调节提供数据支持。

进一步的，所述光感测元件从光感金属层起包括p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层。实施方案中，该p型半导体层可以是高浓度掺杂p型本征半导体层，即p+α-si，该本征半导体层可以是α-si，而该n型半导体层则可以是高浓度掺杂n型本征半导体层，即n+α-si；三者构成光感测元件的主体，配合上下电极以侦测显示面板的显示区域处的外界光线强度等信息。

进一步的，所述开关组件和光感测元件的上覆盖有钝化层。

进一步的，所述钝化层的上分别对应开关组件和光感测元件设置有透明导电层。两处透明导电层同层设置，用一道光罩制程形成，节约工序，一举两得；该透明导电层也是一起形成的，满足开关组件需求的同时，也满足了光感测元件的上电极的需求。

进一步的，所述的刻蚀阻挡层的延伸部上设置有光感金属层，所述光感测元件设置在所述光感金属层上；

所述光感金属层与源极金属层、漏极金属层位于同一层。该光感金属簇鞥与与源极金属层、漏极金属层位于同一层，由同一道光罩制程形成，一举三得。

本发明还提供了一种显示面板的制造方法，包括步骤：

在基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成铟镓锌氧化物层；

在栅极绝缘层和铟镓锌氧化物层的上形成刻蚀阻挡层；

在刻蚀阻挡层的上形成源极金属层和漏极金属层，并在蚀刻阻挡层的延伸部上形成光感金属层；

在光感金属层的上形成包括p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层；

对应刻蚀阻挡层，在源极金属层、漏极金属层和光感测元件的上覆盖钝化层；

在钝化层的上分别对应漏极金属层和光感测元件设置透明导电层。

本发明还提供了一种显示装置，包括驱动装置以及本发明任一所述的显示面板。

本发明中，该开关组件的一侧边成比例的对应设置有光感测元件，可以是一对一也可以是多对一，如此，该显示面板的显示区域的外界环境，特别是外界光线强度情况将被该光感测元件感知，因而，光线强时，显示面板可以自动调节提高亮度，增强对比度，避免显示画面太暗而看不清的情况；而光线弱，也能够对应将亮度调暗，降低对比度，避免画面太亮刺眼而伤眼睛，提升了观众的观看体验；另外，该开关组件采用铟镓锌氧化物(igzo，即indiumgalliumzincoxide)制成的，利用igzo技术可以使显示屏功耗接近oled，但成本更低，厚度也只比oled只高出25％，且分辨率可以达到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition，分辨率4k*2k)级别程度；igzo是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高tft对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在tft-lcd中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，igzo显示器具有更高的能效水平，而且效率更高；而且，igzo可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

附图说明

图1是本发明实施例一种显示面板的示意图；

图2是本发明实施例一种显示面板的制造方法的流程图；

图3是本发明实施例一种显示面板的制造方法的示意图；

图4是本发明实施例一种显示装置的示意图。

附图说明，10、开关组件；11、刻蚀阻挡层；12、栅极金属层；13、栅极绝缘层；14、铟镓锌氧化物层；15、源极金属层；16、漏极金属层；17、钝化层；20、光感测元件；21、光感金属层；22、透明导电层；23、p型半导体层；24、本征半导体层；25、n型半导体层；30、玻璃基板；100、基板；210、显示面板；230、驱动装置；200、显示装置。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

图1是本发明实施例一种显示面板的示意图，参考图1可知，本发明公开了一种显示面板，包括：

基板100，

开关组件10，设置在所述基板100上；所述开关组件10包括铟镓锌氧化物层14；

光感测元件20，所述光感测元件20设置所述开关组件10一侧。

本发明的显示面板，该显示面板中的开关组件的一侧边成比例的对应设置有光感测元件，可以是一对一也可以是多对一，如此，该显示面板的显示区域的外界环境，特别是外界光线强度情况将被该光感测元件感知，因而，光线强时，显示面板可以自动调节提高亮度，增强对比度，避免显示画面太暗而看不清的情况；而光线弱，也能够对应将亮度调暗，降低对比度，避免画面太亮刺眼而伤眼睛，提升了观众的观看体验；另外，该开关组件采用铟镓锌氧化物(igzo，即indiumgalliumzincoxide)制成的，利用igzo技术可以使显示屏功耗接近oled，但成本更低，厚度也只比oled只高出25％，且分辨率可以达到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition，分辨率4k*2k)级别程度；igzo是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高tft对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在tft-lcd中成为可能。

另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，igzo显示器具有更高的能效水平，而且效率更高；而且，igzo可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

本实施例可选的，基板100包括玻璃基板30，所述开关组件10从玻璃基板20起包括：栅极金属层12、栅极绝缘层13、铟镓锌氧化物层14、刻蚀阻挡层11，以及位于同一层的源极金属层15和漏极金属层16。本实施方案中，该开关组件的本征半导体层使用的是铟镓锌氧化物(igzo，即indiumgalliumzincoxide)制成的，利用igzo技术可以使显示屏功耗接近oled，但成本更低，厚度也只比oled只高出25％，且分辨率可以达到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition，分辨率4k*2k)级别程度。

本实施例可选的，开关组件10和光感测元件20的上覆盖有钝化层17。

本实施例可选的，开关组件10还包括刻蚀阻挡层11；所述刻蚀阻挡层11设置在铟镓锌氧化物层14上；所述光感测元件20设置在所述刻蚀阻挡层11的延伸部上。本实施方案中，在形成刻蚀阻挡层时，顺势将其向开关组件的一侧近延伸，并在该延伸部上形成光感测元件，该步骤节约了工序，达到了一举两得的效果；该蚀刻阻挡层采用esl结构，该带岛状esl(etch-stoplayer)，蚀刻阻挡层/刻蚀保护层的tft结构以寄生电容小的优点，得到了广泛应用，并且对该铟镓锌氧化物层起到了促进作用。

本实施例可选的，刻蚀阻挡层11的延伸部上设置有光感金属层21，所述光感测元件20设置在所述光感金属层21上；

所述光感测元件20的上设置有透明导电层22。本实施方案中，该光感测元件与栅极金属层和源极金属层同层设置，并一起形成，节约了工序；另外，该光感金属层是作为光感测元件的下电极而存在，该透明导电层则作为光感金属层的上电极而存在，如此，该光感测元件将能够通过上下电极之间的电信号差，而得以感测显示区域的外界光线强度，从而为显示面板的自主调节提供数据支持。

本实施例可选的，光感测元件20从光感金属层21起包括p型半导体层23、本征半导体层24和n型半导体层25。实施方案中，该p型半导体层可以是高浓度掺杂p型本征半导体层，即p+α-si，该本征半导体层可以是α-si，而该n型半导体层则可以是高浓度掺杂n型本征半导体层，即n+α-si；三者构成光感测元件的主体，配合上下电极以侦测显示面板的显示区域处的外界光线强度等信息。

本实施例可选的，钝化层17的上分别对应开关组件10和光感测元件20设置有透明导电层(对应开关组件的透明导电层未标示)。两处透明导电层同层设置，用一道光罩制程形成，节约工序，一举两得；该透明导电层也是一起形成的，满足开关组件需求的同时，也满足了光感测元件的上电极的需求。

本实施例可选的，刻蚀阻挡层11的延伸部上设置有光感金属层21，所述光感测元件20设置在所述光感金属层21上；

所述光感金属层21与源极金属层15、漏极金属层16位于同一层。该光感金属簇鞥与与源极金属层、漏极金属层位于同一层，由同一道光罩制程形成，一举三得。

图2是本发明实施例种显示面板的制造方法的流程图，图3是本发明实施例显示面板的制造方法的示意图，参考图2和图3本发明还提供了一种显示面板的制造方法，包括步骤：

s1:在基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

s2:在栅极绝缘层上形成铟镓锌氧化物层；

s3:在栅极绝缘层和铟镓锌氧化物层的上形成刻蚀阻挡层；

s4:在刻蚀阻挡层的上形成源极金属层和漏极金属层，并在蚀刻阻挡层的延伸部上形成光感金属层；

s5:在光感金属层的上形成包括p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层；

s6:对应刻蚀阻挡层，在源极金属层、漏极金属层和光感测元件的上覆盖钝化层；

s7:在钝化层的上分别对应漏极金属层和光感测元件设置透明导电层。一侧

图4是本发明实施例一种显示装置的示意图，参考图4可知，本发明还提供了一种显示装置200，包括驱动装置230，以及本发明任一所述的显示面板210。一侧

在某些实施方式中，上述显示装置200可以为tn、ocb、va型、曲面型液晶显示器件，但并不限于此。

可选的，显示面板还可例如为oled显示面板、qled显示面板、曲面显示面板或其他显示面板。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。