阵列基板、触控显示面板和触控显示装置的制作方法

本申请为申请日为2015年4月1日、申请号为201510153206.2、发明创造名称为“阵列基板、触控显示面板和触控显示装置”的分案申请。

本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置。

背景技术：

根据电容的检测方式，电容式触摸屏可以分为自电容式和互电容式两种。而根据玻璃面板、触控面板和显示面板的相对位置关系，触控显示装置又分为内嵌式(in-cell)、表面式(on-cell)和外挂式三种。其中，内嵌式触摸屏以具有集成度高、薄型以及性能优越等优点，成为触控技术的重要发展方向。

目前，现有的触控显示装置主要采用互电容内嵌式触摸屏技术，但是，该触控显示装置中，显示面板的电极与触控面板的触控电极需要两个独立的驱动电路来配合工作，导致该触控显示装置的成本较高。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置，以解决现有技术中采用互电容内嵌式触摸屏技术的触控显示装置成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种阵列基板，包括公共电极层和驱动电路，所述公共电极层被分割成多个自电容电极，所述自电容电极通过触控引线与所述驱动电路电连接；

所述触控引线通过过孔与所述自电容电极电连接，与所述触控引线重叠的区域的自电容电极上具有第一凹槽或间隙，且与所述过孔对应的自电容电极至少保留一定厚度。

一种触控显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板。

一种触控显示装置，包括如上所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的阵列基板、触控显示面板和触控显示装置，将阵列基板上的公共电极层分割成多个自电容电极，该自电容电极既能够作为公共电极，又能够作为触控电极，并且，该自电容电极通过触控引线与阵列基板的驱动电路电连接，从而将触控驱动电路和显示驱动电路集成在了一起，进而降低了触控显示面板和触控显示装置的成本。并且，由于与所述触控引线重叠的区域的自电容电极上具有第一凹槽或间隙，因此，可减小自电容电极与触控引线之间的寄生电容。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种阵列基板的切面结构示意图；

图2为本发明提供的另一种阵列基板的切面结构示意图；

图3为本发明提供的一种阵列基板的整体俯视图；

图4a为本发明提供的一种阵列基板中触控引线具有过孔区域的结构俯视图；

图4b为本发明提供的一种阵列基板中触控引线不具有过孔区域的结构俯视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的一个实施例提供了一种阵列基板，如图1、4a和4b所示，该阵列基板包括衬底10、位于所述衬底10上的多条栅极线101、多条数据线102以及由栅极线101和数据线102围成的多个像素单元，该像素单元包括薄膜晶体管20和像素电极30，其中，该薄膜晶体管20的栅极201与栅极线101电连接，源极202与数据线102电连接，漏极203与像素电极30电连接，该阵列基板还包括位于薄膜晶体管20和像素电极30之间的公共电极层40，其中公共电极层40和像素电极30之间具有绝缘层50，或者，在本发明的其他实施例中，如图2所示，像素电极30位于薄膜晶体管20和公共电极层40之间，该公共电极层40和像素电极30之间具有绝缘层50。

本实施例中，如图3所示，从阵列基板的俯视图中可以看出，公共电极层40被分割成了多个块状的自电容电极401，该自电容电极401之间相互绝缘，并且，该自电容电极401通过触控引线402与阵列基板的驱动电路ic电连接，该驱动电路ic用于为自电容电极401提供触控信号，以使该自电容电极401作为触控电极，并且，该驱动电路ic还用于为自电容电极401提供公共电压，以使该自电容电极401作为公共电极，此外，该驱动电路ic还与数据线102和栅极线101电连接，用于为栅极线101提供扫描信号，为数据线102提供数据信号。

基于此，本实施例提供的阵列基板，采用自电容技术，将公共电极层40分割成多个块状自电容电极401，在垂直于阵列基板的方向上，自电容电极401的投影覆盖多个像素单元的投影，因此，该自电容电极401既能够作为公共电极，又能够被复用为触控电极，并且，可选地，本实施例中将触控驱动电路和显示驱动电路集成在一个驱动电路ic上，从而不需采用两个驱动电路ic来分别驱动，进而降低了阵列基板的成本。

本实施例中，如图1和2所示，触控引线402通过过孔403与自电容电极401电连接，可选地，触控引线402与像素电极30位于同一层。可选地，触控引线402与像素电极30采用同一步工艺制成。但是，本发明并不仅限于此，进一步地，本实施例中提供的触控引线402的材料为金属钼、铝或铜，当然，本发明并不仅限于此。

如图4a所示，与触控引线402重叠的区域的自电容电极401上具有第一凹槽或间隙4010，且与过孔403对应的自电容电极401至少保留一定厚度。可选地，在垂直于阵列基板的方向上，自电容电极401的投影完全覆盖过孔403的投影，可选地，与过孔403对应的自电容电极401的区域不设置间隙或凹槽，或者，与过孔403位置对应的自电容电极401上具有第二凹槽(图中未示出)，且第二凹槽的深度小于第一凹槽或间隙4010的深度。

如图1所示，当公共电极层40位于像素电极层30下方时，过孔403的下方必须保证具有一定厚度的自电容电极401，以避免刻蚀通孔时影响下方的膜层，或者，如图2所示，公共电极层40位于像素电极层30上方时，必须保证自电容电极401能够完全覆盖住过孔403，以避免过孔403出现腐蚀问题。

此外，与触控引线402重叠的区域的自电容电极401上具有第一凹槽或间隙4010，如图4a和4b所示。本发明通过在自电容电极401上刻蚀第一凹槽或间隙4010的方式，来减少触控引线402与自电容电极401的交叠，以减小触控引线402与自电容电极401之间的寄生电容，减小寄生电容对阵列基板、触控显示面板和触控显示装置触控性能的影响。

如图4a和4b所示，自电容电极401上的第一凹槽或间隙4010为条状结构，且在垂直于阵列基板的方向上，所述第一凹槽或间隙4010的投影位于像素单元之间，且第一凹槽或间隙4010的延伸方向与数据线102的延伸方向相同，并且，第一凹槽或间隙4010的宽度范围为0.1μm～10μm。本实施例中，凹槽和间隙的区别在于凹槽是指对特定区域的自电容电极进行了部分刻蚀并未刻穿，间隙是指对特定区域的自电容电极进行了全部刻蚀。可选地，自电容电极401上设置的是间隙，间隙的制成工艺简便，减小寄生电容效果好。

需要说明的是，如图4a和4b中虚线方框1包围的区域所示，过孔403对应的自电容电极401的形状与不具有过孔403的触控引线402对应的自电容电极401的形状不同，可选地，过孔403下方的自电容电极401的形状可以为圆形也可以为方形，本发明并不对此进行限定，只要过孔403对应的自电容电极401能够完全覆盖过孔403即可。

本实施例提供的阵列基板，将公共电极层分割成多个自电容电极，该自电容电极既能够作为公共电极，又能够作为触控电极，并且，该自电容电极通过触控引线与阵列基板的驱动电路电连接，从而将触控驱动电路和显示驱动电路集成在了一起，进而降低了触控显示面板和触控显示装置的成本，并且，这种采用自电容内嵌式触摸屏技术的触控显示装置在防水特性、报点率和悬浮特性等方面均具有较大优势。此外，由于与所述触控引线重叠的区域的自电容电极上具有第一凹槽或间隙，因此，可减小自电容电极与触控引线之间的寄生电容。

本发明的另一个实施例提供了一种触控显示面板，该触控显示面板包括如上所述的任一种阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

本发明的又一个实施例提供了一种触控显示装置，该触控显示装置包括如上所述的触控显示面板。

本实施例提供的触控显示面板和触控显示装置，将公共电极层分割成多个自电容电极，该自电容电极既能够作为公共电极，又能够作为触控电极，并且，该自电容电极通过触控引线与阵列基板的驱动电路电连接，从而将触控驱动电路和显示驱动电路集成在了一起，进而降低了触控显示面板和触控显示装置的成本，并且，这种采用自电容内嵌式触摸屏技术的触控显示装置在防水特性、报点率和悬浮特性等方面均具有较大优势。并且，由于与所述触控引线重叠的区域的自电容电极上具有第一凹槽或间隙，因此，可减小自电容电极与触控引线之间的寄生电容。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。