技术特征：
技术总结
本发明提供一种激光薄膜及其制备方法和应用，涉及光学薄膜技术领域。一种激光薄膜的制备方法，包括：以HfCl4和SiCl4作为前驱体，在90～110℃的条件下采用原子层沉积法在衬底上交替沉积制备HfO2激光薄膜和SiO2激光薄膜。制备方法简单，可控性强，制得的产品质量高。一种激光薄膜，由上述激光薄膜的制备方法制备而成。具有厚度小，高激光损伤阈值的特点。
技术研发人员：卫耀伟;许乔;张清华;王建;王震;吴倩;张飞;潘峰
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
技术研发日：2017.11.21
技术公布日：2018.04.27