技术特征：
技术总结
本发明公开了一种光刻板及掩模修正方法，涉及半导体技术领域。其中在掩模修正方法中，在基底上形成图案化的掩模，根据掩模确定在基底上嵌入散射条的位置，在确定的位置上设置开口，以便将散射条嵌入到开口中。通过将散射条嵌入光刻板的基底中，从而可有效避免散射条对掩模图案的影响，降低沉积损失，提高修正效果，并缩短修正时间。
技术研发人员：张健澄;吴苇;张晨波
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.12.08
技术公布日：2019.06.18