本实用新型涉及激光技术领域，特别涉及一种激光器偏振合束装置及激光器。
背景技术：
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等，激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
现有的半导体激光器管壳的芯片载台是分布在光纤的两侧，两侧每一路光束都需一个反射镜进行耦合。
这样将半导体激光芯片放置光纤不同侧，利用一个反射镜进行单路光束的耦合，耗时长，操作重复率高，易造成产品不良，同时不同侧时导电需要分开打线，打线跨度大，耗费原材料。进一步的，还会导致器件尺寸相比较大，所需元器件镜片较多。
技术实现要素：
本实用新型实施例提供了一种激光器偏振合束装置及激光器，以解决现有技术中将半导体芯片放置光纤不同侧，导致利用一个反射镜进行单路光束的耦合，耗时长，操作重复率高，易造成产品不良的问题。
第一方面，本实用新型提供一种激光器偏振合束装置，所述装置包括第一半导体激光芯片、第二半导体激光芯片、反射镜和光纤，所述第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片设置在所述光纤的同一侧，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片的输出光经过所述反射镜耦合后形成激光光束输出到所述光纤中。
进一步的，所述第一半导体激光芯片中包括多个平行排成一列的半导体激光芯片，所述第二半导体激光芯片中包括多个平行排成一列的半导体激光芯片。
进一步的，所述第一半导体激光芯片与所述第二半导体激光芯片形成高度差。
进一步的，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片呈两列交错排布，第一半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片高于第二半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片。
进一步的，所述第一半导体激光芯片、所述第二半导体激光芯片的数量与所述反射镜的数量相同。
进一步的，每个所述反射镜对应一个所述第一半导体激光芯片中的半导体激光芯片和一个所述第二半导体激光芯片中的半导体激光芯片。
进一步的，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片与光纤方向平行。
进一步的，所述第一半导体激光芯片中每个芯片通过引线连接，所述第二半导体激光芯片中每个芯片通过引线连接。
进一步的，所述第一半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片与第二半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片通过引线连接。
第二方面，本实用新型提供一种激光器，所述激光器包括如第一方面中任一所述的激光器偏振合束装置。
从以上技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：
本实用新型激光器偏振合束装置包括第一半导体激光芯片、第二半导体激光芯片、反射镜和光纤，第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片设置在光纤的同一侧，第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片的输出光经过所述反射镜耦合后形成激光光束输出到光纤中。本实用新型实施例中将半导体激光芯片放置在光纤同一侧，利用一个反射镜进行两路光束的耦合,从而减少了工作时间，提高工作效率。
附图说明
图1是本实用新型实施例中激光器偏振合束装置的一个实施例示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、产品或设备固有的其它步骤或单元。
如图1所示，本实用新型提供一种激光器偏振合束装置，所述激光器偏振合束装置第一半导体激光芯片、第二半导体激光芯片、反射镜和光纤，所述第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片设置在所述光纤的同一侧，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片的输出光经过所述反射镜耦合后形成激光光束输出到所述光纤中。
本实用新型激光器偏振合束装置包括第一半导体激光芯片、第二半导体激光芯片、反射镜和光纤，第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片设置在光纤的同一侧，第一半导体激光芯片和第二半导体激光芯片的输出光经过所述反射镜耦合后形成激光光束输出到光纤中。本实用新型实施例中将半导体激光芯片放置在光纤同一侧，利用一个反射镜进行两路光束的耦合,从而减少了工作时间，提高工作效率。
进一步的，所述第一半导体激光芯片中包括多个平行排成一列的半导体激光芯片，所述第二半导体激光芯片中包括多个平行排成一列的半导体激光芯片。
进一步的，第一半导体激光芯片中的半导体激光芯片与第二半导体激光芯片中的半导体激光芯片相同。
进一步的，所述第一半导体激光芯片与所述第二半导体激光芯片形成高度差。
进一步的，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片呈两列交错排布，第一半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片高于第二半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片。
进一步的，所述第一半导体激光芯片、所述第二半导体激光芯片的数量与所述反射镜的数量相同，即两个半导体激光芯片对应一个反射镜，这样半导体激光芯片的数量为反射镜的数量的两倍，每个反射镜对应两个半导体激光芯片，这样利用一个反射镜进行两路光束的耦合，从而减少了工作时间，提高工作效率。同时减少镜片使用，降低成本。
进一步的，每个所述反射镜对应一个所述第一半导体激光芯片中的半导体激光芯片和一个所述第二半导体激光芯片中的半导体激光芯片。
进一步的，所述第一半导体激光芯片和所述第二半导体激光芯片与光纤方向平行。
进一步的，所述第一列半导体激光芯片中每个芯片通过引线连接，所述第二列半导体激光芯片中每个芯片通过引线连接，所述第一列半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片与第二列半导体激光芯片中第一个半导体激光芯片通过引线连接。这样提高了打线效率，不需要换边打线，节省焊线，降低成本。
第二方面，本实用新型提供一种激光器，所述激光器包括如上方案中任一所述的激光器偏振合束装置。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个模块，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，在本实用新型各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上所述，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。