本发明涉及集成电路黄光制程中的光阻剂涂布，具体涉及一种光阻剂涂布制程工艺、润湿溶剂筛选方法及润湿溶剂。
背景技术：
随着对集成电路的品质要求的提高，在晶圆为8寸及以上的黄光制程的光阻剂涂布中维持光阻剂形成的光阻层厚度的均匀性以及降低涂布制程中光阻剂的使用量显得尤为重要。通常情况下，涂布光阻剂时需要使用大量光阻剂，且光阻剂涂布均匀度较差，进而影响集成电路的品质。
技术实现要素：
本发明提供一种光阻剂的涂布工艺、润湿溶剂筛选方法及润湿溶剂，以至少解决现有技术中的以上技术问题。
为达到上述目的，本发明提供了一种光阻剂的涂布工艺，包括：
提供待涂布的晶圆；
在所述晶圆的待涂面滴定润湿溶剂，并旋涂所述润湿溶剂进行预湿以形成润湿层；以及
在所述润湿层的表面旋涂光阻剂以形成光阻层；
其中，所述润湿溶剂滴定在所述待涂面形成的液珠与所述待涂面的接触角小于90°；所述润湿溶剂的汉森溶解度参数中色散参数介于17.8～19mpa1/2，极性参数介于4.1～16.7mpa1/2，氢键参数介于5.1～7.4mpa1/2。`
作为一种可实施方式，所述光阻层的厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于所述光阻层平均厚度的5％。
作为一种可实施方式，旋涂所述润湿溶剂的旋转速度大于旋涂所述光阻剂的主转速。
作为一种可实施方式，在所述润湿层的表面旋涂光阻剂以形成光阻层的步骤中剩余在所述润湿层表面的光阻剂不低于所述光阻剂滴定量的30％～50％。
作为一种可实施方式，所述晶圆包括8寸及8寸以上的晶圆；
在所述晶圆的待涂面滴定所述润湿溶剂之前还包括：
在所述晶圆表面涂布六甲基二硅氮烷。
作为一种可实施方式，所述润湿溶剂包括环己酮和/或环己酮衍生物。
为达到上述目的，本发明提供了一种用于在光阻剂涂布之前对晶圆进行润湿的溶剂的筛选方法，包括：
选取m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且通过一种溶剂涂布一组晶圆，以形成润湿层，其中，每组晶圆包括n个晶圆，m和n均为大于等于2的正整数；
对于每组晶圆，分别在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量的第一种光阻剂，形成光阻层，以形成涂胶片，其中，每组晶圆中，采用一种预设用量的所述第一种光阻剂对一个晶圆进行涂布形成光阻层；
根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选，且筛选出满足筛选条件的涂胶片集合；以及
根据所述第一种光阻剂的预设用量对所述涂胶片集合进行筛选，以筛选出所述第一种光阻剂的预设用量最少的涂胶片作为选取的涂胶片，用于涂布所述选取的涂胶片的溶剂作为选取的适用于所述第一种光阻剂的润湿溶剂。
作为一种可实施方式，在所述m种溶剂对m组晶圆进行涂布的步骤之前，所述筛选方法还包括：
根据汉森溶解度参数判断所有待筛选的溶剂在所述第一种光阻剂中的溶解度；
根据所述溶解度确定所述m种溶剂，其中，所述m种溶剂中的每一种在所述第一种光阻剂中的溶解度大于预设溶解度。
作为一种可实施方式，所述根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选的步骤包括：
在所述涂胶片的所述光阻层上选取多个测试点；
测量每个测试点的高度，以计算出所述光阻层的平均高度；以及
通过膜厚检测器测量每个测试点的位置，形成光阻层立体图像，以检测所述光阻层的膜厚均匀度，以筛选出所述平均高度在预设高度范围内且所述膜厚均匀度在预设均匀度范围内的涂胶片作为所述涂胶片集合。
作为一种可实施方式，所述根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选的步骤包括：
使用显微仪器观察所述涂胶片的所述光阻层表面，以筛选出所述光阻层表面无损坏的涂胶片作为所述涂胶片集合。
作为一种可实施方式，所述m种溶剂对m组晶圆进行涂布的步骤包括：
在相同的涂布环境中，以相同的涂布方式，分别使用相同计量的m种溶剂对m组晶圆进行涂布；以及
所述对于每组晶圆，分别在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量的第一种光阻剂，以形成光阻层的步骤包括：
在相同的涂布环境中，以相同的涂布方式，对于每组晶圆，分别在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量的所述第一种光阻剂，以形成光阻层。
作为一种可实施方式，在所述m种溶剂对m组晶圆进行涂布的步骤之前，所述筛选方法还包括：
将所有待筛选的溶剂滴定在所述晶圆上，以在所述晶圆上形成液珠；
测量所有所述待筛选的溶剂的液珠与所述晶圆之间的接触角的角度；
根据所述接触角的角度确定所述m种溶剂，其中，所述m种溶剂中的每一种的液珠与所述晶圆的接触角的角度小于90度。
作为一种可实施方式，还包括：
选择k种光阻剂中的第二种光阻剂，第三种光阻剂，…，第k种光阻剂，对每一种光阻剂均采用所述筛选方法筛选出所适用的润湿溶剂，以形成润湿溶剂集合；
从所述润湿溶剂集合中筛选出同时适用于k种光阻剂的润湿溶剂。
为达到上述目的，本发明提供了一种包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的用途。
作为一种可实施方式，所述包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂适用于arf干式光刻法和arf浸没式光刻法中对所述晶圆进行涂布前润湿；
其中，所述arf干式光刻法是使用氟化氩准分子激光进行干式光刻的方法，所述arf浸没式光刻法是使用氟化氩准分子激光进行浸没式光刻的方法。
为达到上述目的，本发明提供了一种润湿溶剂，作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的用途，所述润湿溶剂滴定在所述晶圆待涂面形成的液珠与所述晶圆待涂面的接触角小于90°；所述润湿溶剂的汉森溶解度参数中色散参数介于17.8～19mpa1/2，极性参数介于4.1～16.7mpa1/2，氢键参数介于5.1～7.4mpa1/2。
作为一种可实施方式，当在所述晶圆的待涂面滴定所述润湿溶剂，并旋涂所述润湿溶剂进行预湿以形成润湿层；以及在所述润湿层的表面旋涂所述光阻剂以形成光阻层，所述光阻层的厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于光阻层平均厚度的5％。
作为一种可实施方式，所述润湿溶剂包括环己酮和/或环己酮衍生物。
本发明通过将包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的润湿溶剂，有效的改善了晶圆表面的光阻剂涂布状况，提高了涂胶片的光阻层厚度均匀度，同时在涂胶片的光阻层的平均厚度和厚度均匀度符合要求的前提下，减少光阻剂用量，降低成本。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本发明范围的限制。
图1为本发明实施例中光阻剂的涂布工艺的流程图；
图2为本发明实施例中滴定润湿溶剂时液珠与晶圆的接触角简图；
图3为本发明实施例中用于在涂布光阻剂之前对晶圆进行润湿的溶剂的筛选方法的流程图。
附图标记：
110润湿溶剂液珠，
120晶圆，
θ接触角。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
实施例一
本实施例提供一种光阻剂涂布的制程工艺，如图1所示，所述工艺包括：
步骤s11：提供待涂布的晶圆；
步骤s12：在所述晶圆的待涂面滴定润湿溶剂，并旋涂所述润湿溶剂进行预湿以形成润湿层；
步骤s13：在所述润湿层的表面旋涂光阻剂以形成光阻层。
其中，结合图2所示，所述润湿溶剂滴定在所述晶圆120的待涂面形成的润湿溶剂液珠110与晶圆120的待涂面的接触角为θ，测量所述接触角θ，所述润湿溶剂滴定在所述待涂面形成的润湿溶剂液珠110与所述晶圆120的待涂面的接触角小于90°，即θ<90°；所述润湿溶剂的汉森溶解度参数中色散参数介于17.8～19mpa1/2，极性参数介于4.1～16.7mpa1/2，氢键参数介于5.1～7.4mpa1/2；所述光阻层厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于光阻层平均厚度的5％。
本实施例光阻剂涂布的制程工艺适用的范围包括晶圆为8寸及以上的黄光制程中的光阻剂涂布工艺，但不限于晶圆为8寸及以上的黄光制程中的光阻剂涂布工艺。
其中，所述润湿溶剂包括环己酮和/或环己酮衍生物为优选的润湿溶剂，但不局限于包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂。
在一示例中，在所述润湿层的表面旋涂光阻剂以形成光阻层包括以下步骤：
将所述光阻剂滴定在所述润湿层的表面；
旋转所述晶圆以旋涂所述光阻剂；
对所述晶圆上的光阻剂进行回流处理；
以设定主转速旋转所述晶圆并清除所述晶圆边缘的光阻剂；
清洗所述晶圆与待涂面相背的一面；
旋转所述晶圆，以使所述晶圆的光阻剂干燥，形成所述光阻层。
通过上述步骤，可以形成光阻层。
在上述光阻剂涂布的制程工艺各个步骤的要求如下：
旋转所述晶圆以旋涂所述光阻剂的步骤中，所述晶圆的旋转速度为300～1000转/每分钟；所述主转速为800～2500转/每分钟，旋涂所述润湿溶剂进行预湿以形成润湿层的步骤中旋涂润湿溶剂的旋转速度大于旋涂光阻剂的主转速，光阻层厚度形成与涂布时转速相关联。
旋转所述晶圆以旋涂所述光阻剂，且旋涂光阻剂时剩余在所述晶圆上润湿层表面的光阻剂不低于所述光阻剂滴定量的30％～50％。
在一示例中，所述光阻剂包括丙烯酸树脂。
所述晶圆包括8寸及8寸以上晶圆，所述晶圆在滴定所述润湿溶剂之前表面涂布六甲基二硅氮烷(hmds)，以增加晶圆表面的疏水性，进而增强光阻剂与晶圆表面的黏附性。
本实施例的光阻剂涂布的制程工艺使用的所述润湿溶剂滴定在所述待涂面形成的液珠与所述待涂面的接触角小于90°，则所述润湿溶剂具备湿润晶圆的作用，同时选取的所述润湿溶剂的汉森溶解度参数中色散参数为17.8～19mpa1/2，极性参数为4.1～16.7mpa1/2，氢键参数为5.1～7.4mpa1/2(包括边界值)，符合上述汉森溶解度参数的润湿溶剂对于多种光阻剂都具有良好的溶解度，在预湿后的晶圆进行光阻剂涂布，对于多种光阻剂都能得到较好的光阻剂涂布状态，进而使得光阻层具备较高的均匀性，满足生产要求，同时光阻剂用量较小。同时，光阻层的厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于光阻层平均厚度的5％，即光阻层的厚度均匀度较高。
实施例二
本实施例提供了一种在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的润湿溶剂的筛选方法，如图3中流程图所示，包括：
步骤s21：选取m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且通过一种溶剂涂布一组晶圆，以形成润湿层，其中，每组晶圆包括n个晶圆，m和n均为大于等于2的正整数；
步骤s22：对于每组晶圆，分别在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量的第一种光阻剂，形成光阻层，以形成涂胶片，其中，每组晶圆中，采用一种预设用量的第一种光阻剂对一个晶圆进行涂布以形成涂胶片；
步骤s23：根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选，且筛选出满足筛选条件的涂胶片集合；
步骤s24：根据所述第一种光阻剂的预设用量对所述涂胶片集合进行筛选，以筛选出第一种光阻剂的预设用量最少的涂胶片作为选取的涂胶片，用于涂布所述选取的涂胶片的溶剂作为选取的适用于所述第一种光阻剂的润湿溶剂。
本实施例的筛选方法筛选出的润湿溶剂，不仅涂胶片满足筛选要求，而且光阻剂的预设用量最少，即在保证涂胶片在预设范围的前提下，光阻剂的预设用量最少。将选取的润湿溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的溶剂，使之后光阻剂进行涂布时与润湿溶剂在接触面均匀混合，改善了光阻剂涂布的均匀度，进而改善了光阻剂形成的光阻层厚度的均匀度，在保证光阻层在符合均匀度要求的前提下，减少光阻剂用量，降低成本。
为了能够筛选出符合要求的涂胶片，所述根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选的步骤包括：
在涂胶片的光阻层上选取多个测试点；
测量每个测试点的高度，以计算出光阻层的平均高度；以及
通过膜厚检测器测量每个测试点的位置，形成光阻层立体图像，以检测光阻层的膜厚均匀度，以筛选出所述平均高度在预设高度范围内且所述膜厚均匀度在预设均匀度范围内的涂胶片作为所述涂胶片集合。
所述根据筛选条件对所述涂胶片进行筛选的步骤包括：
使用显微仪器观察涂胶片的光阻层表面，以筛选出出光阻层表面无损坏的涂胶片作为所述涂胶片集合。
这样，满足筛选条件不仅要求涂胶片的光阻层表面无破损，且涂胶片的光阻层的平均膜厚和光阻层的膜厚均匀度均达到预设基准范围内。这样筛选出的润湿溶剂，不仅涂胶片的光阻层平均厚度达到厚度预设范围内，而且光阻层的厚度的均匀度达到均匀度预设范围内，同时光阻剂的预设用量最少。在保证光阻层的平均厚度和厚度均匀度符合要求的前提下，减少光阻剂用量，降低成本。
在一示例中，在步骤s21中m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且通过一种溶剂涂布一组晶圆，以形成润湿层，每种所述溶剂涂布一个所述晶圆的溶剂用量是相同的。
在一示例中，在步骤s21中m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且通过一种溶剂涂布一组晶圆形成润湿层的步骤中，每种所述溶剂涂布所述晶圆的涂布环境和涂布方式相同；
在步骤s22中对于每组晶圆，分别在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量的第一种光阻剂，以形成光阻层的步骤中，第一种光阻剂进行涂布的涂布环境和涂布方式相同。
在一具体示例中，选定5种待测溶剂：a溶剂、b溶剂、c溶剂、d溶剂、e溶剂，将5种待测溶剂对五组晶圆进行涂布形成润湿层，其中，a溶剂涂布第一组晶圆，b溶剂涂布第二组晶圆，c溶剂涂布第三组晶圆，d溶剂涂布第四组晶圆，e溶剂涂布第五组晶圆，每组晶圆包括6个晶圆。
第一组的6个晶圆的润湿层采用0.90ml、0.80ml、0.70ml、0.65ml、0.60ml、0.55ml的光阻剂分别对6个晶圆一一对应涂布形成光阻层，第二组晶圆到第五组晶圆都采用上述方式涂布形成光阻层，以形成涂胶片。
测量五组晶圆形成的30个涂胶片的每个涂胶片的光阻层的平均厚度和光阻层的厚度的均匀度；测量的方法可以是采用膜厚检测系统进行测量。
目测五组晶圆形成的30个涂胶片的每个涂胶片的光阻层的均匀度，目测包括使用放大仪器观察涂胶片的光阻层表面状况以得到光阻层的均匀度。
将每组测量结果按照光阻剂的预设用量降序排列，具体的如下表1所示；其中，表1中“√”表示目测光阻层的均匀度，以及膜厚检测系统测量的光阻层的平均厚度和光阻层的厚度的均匀度均通过，“◎”表示目测通过而膜厚检测系统测量的光阻层的平均厚度和光阻层的厚度的均匀度未通过，“╳”表示目测和膜厚检测系统测量的光阻层的平均厚度和光阻层的厚度的均匀度均未通过。
表1
根据表1进行筛选，筛选条件为：达到“√”的光阻剂涂布用的预设用量越少，溶剂的溶解性越好，“√”同样时，达到“◎”的光阻剂涂布用的预设用量越少越好；
根据上述筛选条件，选定d溶剂溶解性最好，因而作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的润湿溶剂。
本实施例通过将d溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的润湿溶剂，使之后光阻剂进行涂布时与润湿溶剂在接触面均匀混合，改善了光阻剂涂布的均匀度，进而改善了光阻剂形成的涂胶片的光阻层厚度的均匀度。
在一示例中，根据上述的筛选方法，选择k种光阻剂中的第二种光阻剂，第三种光阻剂，…，第k种光阻剂，对每一种光阻剂均采用上述示例中任一所述的筛选方法筛选出所适用的润湿溶剂，以形成润湿溶剂集合；
从所述润湿溶剂集合中筛选出同时适用于k种光阻剂的润湿溶剂；
选择k种光阻剂在n个所述晶圆的所述润湿层上涂布n种预设用量，形成光阻层，以形成涂胶片，并根据筛选条件对涂胶片进行筛选，选取润湿溶剂以形成润湿溶剂数据库，以筛选出适用于多种光阻剂的润湿溶剂；其中，使用不同种光阻剂筛选出的润湿溶剂可能为同一种，也可能为不同种，形成润湿溶剂数据库后，以适用数量多和效果好两个标准选取润湿溶剂。
涂胶片的光阻层的平均膜厚和厚度的均匀度的测量包括采用膜厚检测系统测量，其具体步骤包括：在涂胶片的光阻层上选取若干测试点，利用膜厚检测系统测量每个测试点的高度，通过计算所有测试点的平均高度获得涂胶片的光阻层的平均厚度，以及通过将每个测试点进行立体成像而获得涂胶片的光阻层的厚度均匀度，从而通过比较每个涂胶片的光阻层测量的平均厚度和膜厚均匀度，筛选溶剂的溶解度，其中，以平均厚度和厚度均匀性好的为具有最好溶解度溶剂。
在所有待筛选的溶剂种类较多的情况下，为了缩短筛选时间，可以在步骤s21中在m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且一种溶剂仅涂布一组晶圆形成润湿层的步骤之前进行初步筛选，即还可以包括以下步骤：
将所有待筛选的溶剂滴定在所述晶圆上，每种所述溶剂在晶圆上形成该溶剂的液珠；
测量所有待筛选的溶剂的液珠与所述晶圆之间的接触角的角度；
根据溶剂液珠与所述晶圆的接触角的角度对所述溶剂进行筛选，筛选出溶剂液珠与所述晶圆的接触角的角度小于预设角度的溶剂；其中，所述预设角度小于90度，如预设角度可以选择45度。
当所述接触角的角度等于0°时，则该溶剂完全润湿晶圆；当所述接触角的角度小于90°时，则该溶剂润湿或部分润湿晶圆；当所述接触角的角度大于90°时，则该溶剂不润湿晶圆。因此先筛选出使晶圆湿润的溶剂以进行后续筛选，能缩小筛选范围，节省筛选的时间。
为了缩短筛选时间，可以在m种溶剂对m组晶圆进行涂布，且一种溶剂仅涂布一组晶圆形成润湿层的步骤之前进行初步筛选，即还可以包括以下步骤：
根据汉森(hansen)溶解度参数判断所有待筛选的溶剂在光阻剂中的溶解度，筛选出溶剂溶解光阻剂的溶解度大于预设溶解度的溶剂，其中待筛选的溶剂包括光阻剂溶剂和/或与光阻剂溶剂成分相似的有机溶剂，待筛选的溶剂与光阻剂溶剂相同或具有相似成分，保证光阻剂涂布中不会掺杂其他元素，以保证光刻显影质量。
根据汉森溶解度参数判断所有待筛选的溶剂在光阻剂中的溶解度的方法是把光阻剂及其融基放置在以d，p，h为三维坐标的空间中，以光阻剂为中心以该光阻剂的相互作用的半径作为半径画圆球，其中，d代表色散参数，p代表极性参数，h代表氢键参数，r代表互相作用的半径。如果溶剂的位置位于球内，那么该光阻剂可以溶解于此溶剂。溶解的程度可以用比率(red)来定量描述，显然，red≤1，可溶；red越小，溶解度越高。以此为理论基础，对所有待筛选的溶剂进行初步筛选，能缩小筛选范围，节省筛选的时间。
实施例三
本实施例提供了一种包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的用途。
本实施例通过将包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的润湿溶剂，使之后光阻剂进行涂布时与润湿溶剂在接触面均匀混合，改善了光阻剂涂布的均匀度，进而改善了光阻剂形成的光阻层厚度的均匀度。
关于包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的用途能够适用的范围包括适用于arf干式光刻法和arf浸没式光刻法中对所述晶圆进行涂布前润湿；其中，所述arf干式光刻法是使用氟化氩(波长193nm的氟化氩)准分子激光进行干式光刻的方法，所述arf浸没式光刻法是使用氟化氩准分子激光进行浸没式光刻的方法。
在一示例中，所述光阻剂包括丙烯酸树脂。
在一示例中，所述晶圆包括8寸及8寸以上晶圆，所述晶圆表面涂布六甲基二硅氮烷，涂布六甲基二硅氮烷用于增加晶圆表面的疏水性。
本发明通过使用包括环己酮和/或环己酮衍生物的溶剂作为润湿溶剂，尤其针对正在应用的arf类光阻剂，如丙烯酸树脂是一种arf类光阻剂，明显改善光阻剂涂布形成的光阻层的厚度的均匀性，同时减少光阻剂用量。
实施例四
本实施例提供了一种润湿溶剂，作为在涂布光阻剂之前对晶圆进行涂布润湿的用途，如图2所示，所述润湿溶剂滴定在晶圆120的待涂面形成的润湿溶剂液珠110与所述晶圆120的待涂面的接触角小于90°，其中接触角用θ表示；所述润湿溶剂的汉森溶解度参数中色散参数介于17.8～19mpa1/2，极性参数介于4.1～16.7mpa1/2，氢键参数介于5.1～7.4mpa1/2，符合上述汉森溶解度参数的润湿溶剂对于多种光阻剂都具有良好的溶解度，在预湿后的晶圆进行光阻剂涂布，对于多种光阻剂都能得到较好的光阻剂涂布状态，进而使得光阻层具备较高的均匀性，满足生产要求，同时光阻剂用量较小。
在一示例中，当在晶圆的待涂面滴定润湿溶剂，并旋涂润湿溶剂进行预湿以形成润湿层；以及在所述润湿层的表面旋涂光阻剂以形成光阻层，所述光阻层的厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于光阻层平均厚度的5％。
在一示例中，所述润湿溶剂包括环己酮和/或环己酮衍生物。
本发明润湿溶剂中包括环己酮和/或环己酮衍生物，尤其针对正在应用的arf类光阻剂，如丙烯酸树脂是一种arf类光阻剂，形成所述光阻层的厚度最大值及最小值与所述光阻层平均厚度的差的绝对值均小于光阻层平均厚度的5％，明显改善光阻剂涂布形成的光阻层的厚度的均匀性，同时减少光阻剂用量。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。