SRAM版图的OPC修正方法与流程

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种关键尺寸在22nm及以下sram版图的opc(光学邻近效应矫正)修正方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，器件关键尺寸越来越小，工艺节点达到16纳米或14纳米及以下时，一般都采用将一层版图拆分成多层，光刻工艺进行多次曝光的方法，用以解决duv光刻机光源波长达到极限的限制。工艺节点在20纳米或22纳米时，对于未使用多层拆分的版图的opc修正则遇到的是前所未有的难度，版图中的线宽和间距均是机台所能承受的极限值，所以opc的难度是非常巨大的。

calibre软件的pxopc产品经常用来解决opc在修正过程中遇到的一些问题，诸如图形断开，桥连，因掩模板规则限制而无法修到目标等问题。pxopc主要的特点是将掩模板层中图形的分段设置得很小，且会添加合理的非规则形状的亚显影辅助图形。所以pxopc修正的过程极其复杂，且时间较久，一般只用来对版图的小部分截图进行运算，不适宜进行完整的版图运算。所以常规opc方法在遇到难以修正的结构时，往往通过借鉴pxopc的结果作为参考，调整掩模板的分段和结构以及优化亚显影辅助图形等方法进行修正，但是需要大幅修改opc脚本才能使得修正得到的掩模板形状的结果与pxopc运算得到的形状接近。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种适用于关键尺寸在22nm及以下工艺，能节约运算修改时间，提高掩模板生成速度的sram版图的opc修正方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种sram版图的opc修正方法，包括以下步骤：

1)将sram版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；

中间区域，sram版图中重复单元布图的区域；

过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域；

边界区域，sram版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；

2)对sram版图中重复单元截图进行pxopc修正获得最小重复单元掩模板；

3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个sram版图最小重复单元上形成中间掩模板；

4)对过渡区域进行opc修正获得过渡掩模板；

5)对边界区域进行opc修正获得边界掩模板；

6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成sram版图膜板。

其中，所述预设宽度为大于5～10个最小重复单元尺寸。

其中，实施步骤2)时，截取sram版图的一部分进行pxopc修正，获取sram版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。截取sram版图部分至少包括5*5个sram版图最小重复单元。

其中，实施步骤2)时，截取sram版图中间区域的一部分进行pxopc修正，获取sram版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。截取sram版图部分至少包括5*5个sram版图最小重复单元。

其中，通过calibrepatternmatch软件进行最小重复单元查找和匹配。

如果将已经pxopc运算得到掩模板形状直接用于最终的出版则可以省去大量修改opc脚本的步骤。而calibre软件的另一产品---图形匹配软件可以通过选中某种特定的结构或者截图形状，在整个版图中进行匹配搜索，进而选中与特定形状或截图一致或类似的所有位置，进行图形替换或者其他操作。目前图形匹配已经较广泛的应用在工艺热点的查找方面。

静态随机存取存储器(sram)版图的特点就是除了边界区域之外，其余位置的结构均为重复的单元图形的排列，所以对于小尺寸的sram的版图，直接将pxopc运算得到的结果通过图形匹配的方法替换到sram的版图内，这样既可以将pxopc运算出的较好的掩模板形状用作opc的结果，又可以保证sram区域opc结果的一致性，同时可以节省大量的cpu运算时间和人力。本发明将calibre的两种工具即pxopc和图像匹配工具结合使用，并通过对sram边界区域进行额外的opc修正等方法可以解决较小关键尺寸的电路版图，不需要拆分版图的基础上解决常见的opc遇到的难题，利用了sram区域结构重复的特点，可以在较短的时间内得到尺寸均一的掩模板形状。本发明能节约运算修改时间，提高掩模板生成速度。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是sram版图整体示意图。

图2是opc修正sram版图最小重复单元示意图。

图3是pxopc修正sram版图最小重复单元示意图。

图4是sram版图中靠近边界处的示意图，其包含最小重复单元也包含非最小重复单元。

图5是中间区域、过渡区域和边界区域关系示意图。

图6是本发明的流程示意图。

附图标记说明

1是边界区域

2是过渡区域

3是中间区域

4是预设宽度

具体实施方式

本发明提供的sram版图opc修正主要解决关键尺寸在22nm及以下的sram版图的opc修正过程中遇到的诸如断路，桥接，掩模板硅片尺寸变化较大等问题造成的运算修改时间长，掩模板生成速度慢，生产效率低。

pxopc的方法针对sram版图中较小的区域截图进行运算，pxopc运算的特点是掩模板层分段较短，添加的亚显影辅助图形形状不规则，运算时间较长，不宜对整个版图进行运算。介于pxopc的以上特点，一般只为opc修正和sraf图形的添加做指导，而很难通过正常opc的办法修正出与pxopc结果完全一致的结果。

calibrepatternmatch即calibre开发的图形匹配软件，在opc修正中的工艺热点查找方面使用广泛，可以在版图中精确地查找与目标图形一致的或者含某种规则的图形。查找到目标图形后可以通过标准验证规则格式(svrf)语句对查找到的图形进行替换。

sram区域的版图的图形一般都是某一种重复的单元结构的有规则的阵列排布，所以可以通过图形匹配的办法将其中最小的重复单元作为目标图形，在整个版图中进行查找，并将pxopc运行得到的最小重复单元掩模板图形进行替换。sram区域的边界会有不同于最小重复单元的结构，这就需要opc单独对这些位置进行修正，但是周围图形的形状不同，也会影响sram区域中最小重复单元的掩模板层的形状。所以需要将sram版图中靠近边界一定距离的范围选中，重新进行opc修正，但是超过该区域的最小重复单元的掩模板层图像的形状可以不需要重新进行opc修正。

如图5所示，本发明提供sram版图的opc修正方法第一实施例，包括以下步骤：

1)将sram版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；

中间区域，sram版图中重复单元布图的区域；

过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度，其中预设宽度大于5～10个最小重复单元尺寸的区域；

即，预设宽度大于5、6、7、8、9或10个最小重复单元尺寸。本实施例延伸5个最小重复单元尺寸距离。

边界区域，sram版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；

2)对sram版图中重复单元截图进行pxopc修正获得最小重复单元掩模板；

3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个sram版图最小重复单元上形成中间掩模板；

4)对过渡区域进行opc修正获得过渡掩模板；

5)对边界区域进行opc修正获得边界掩模板；

6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成sram版图膜板。

本发明提供sram版图的opc修正方法第二实施例，包括以下步骤：

1)将sram版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；

中间区域，sram版图中最小重复单元布图的区域；

过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度，其中预设宽度大于5～10个最小重复单元尺寸的区域；

即，预设宽度大于5、6、7、8、9或10个最小重复单元尺寸。本实施例延伸10个最小重复单元尺寸距离。

边界区域，sram版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；

2)截取sram版图中包含重复单元的一部分截图进行pxopc修正，获取sram版图中最小重复单元的掩模板。截取sram版图部分至少包括5*5个sram版图最小重复单元。

第二实施例，截取sram版图的包含多个重复单元的一部分版图，有助于减少运算时间，提供工作效率。

3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个sram版图最小重复单元上形成中间掩模板；

4)对过渡区域进行opc修正获得过渡掩模板；

5)对边界区域进行opc修正获得边界掩模板；

6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成sram版图膜板。

本发明提供sram版图的opc修正方法第三实施例，包括以下步骤：

1)将sram版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；

中间区域，sram版图中最小重复单元布图的区域；

过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度，其中预设宽度大于5～10个最小重复单元尺寸的区域；

即，预设宽度大于5、6、7、8、9或10个最小重复单元尺寸。本实施例延伸15个最小重复单元尺寸距离。

边界区域，sram版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；

2)截取sram版图中间区域一部分截图进行pxopc修正，获取sram版图中最小重复单元的掩模板。截取sram版图部分至少包括5*5个sram版图最小重复单元。

sram版图中间区域必然含有最小重复单元，截取sram版图中间区域有助于减少运算时间，提供工作效率。

3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个sram版图最小重复单元上形成中间掩模板；

4)对过渡区域进行opc修正获得过渡掩模板；

5)对边界区域进行opc修正获得边界掩模板；

6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成sram版图膜板。

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。