像素结构的制作方法

本发明涉及一种像素结构，且特别涉及一种用于显示面板的像素结构。

背景技术

在电竞市场的规模不断地扩展下，方便携带的电竞用笔记本电脑更是近年来各电子厂商所致力于开发的重点产品之一。如何提供消费者具有高效能、低能耗和高显示品质的便携式电竞产品是各厂商所面临的一个重要挑战，其中具有低能耗、高分辨率、快速反应速度及广视角的显示面板更是不可或缺。

共面切换(in-planesswitching，ips)及边缘场切换(fringefieldswitching，ffs)模式的显示面板具有广视角、快速反应速度及高对比的特性，因此，各厂商多使用共面切换或边缘场切换模式的显示面板制作电竞产品，以满足电竞玩家对高显示品质的需求。然而，在反应速度不断提升下，如何维持高穿透率以减少电竞产品的消耗功率是各厂商所亟面临的课题之一。

技术实现要素：

本发明提供一种像素结构，性能佳。

本发明的一实施例的像素结构，包括主动元件、第一电极、第二电极。第一电极设置于主动元件上。第一电极包括主干部、多个第一分支部、第一辅助部、第二辅助部。主干部在第一方向上延伸。多个第一分支部与主干部交叉设置。每一第一分支部具有分别位于主干部的相对两侧的第一端与第二端。第一辅助部连接多个第一分支部的多个第一端。第二辅助部连接多个第一分支部的多个第二端。第一电极或第二电极电性连接至主动元件。第一绝缘层设置于第一电极与第二电极之间。第二电极包括与主干部交叉设置的多个第二分支部及周围部。多个第一分支部与多个第二分支部在第一方向上交替排列。每一第二分支部具有分别位于主干部的相对两侧的第一端与第二端。周围部连接多个第二分支部的多个第一端与多个第二分支部的多个第二端。第一电极的第一辅助部及第一电极的第二辅助部与第二电极的周围部重叠。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第一电极还包括与主干部交叉设置的第三辅助部，设置于相邻的两第一分支部之间，且与第一辅助部及第二辅助部隔开。第一电极的第三辅助部与第二电极的第二分支部重叠。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第一绝缘层覆盖第一电极，第二电极设置于第一绝缘层上，而第一电极的第三辅助部位于第二电极的第二分支部的垂直投影面积以内。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第三辅助部具有不平行且不垂直于第一方向的边缘，第二分支部具有不平行且不垂直于第一方向的边缘，而第三辅助部的边缘平行于第二分支部的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第二分支部还包括第一子部及第二子部，分别位于主干部的相对两侧，其中第一子部的宽度由周围部向主干部递增，第二子部的宽度由周围部向主干部递增。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第二分支部还包括第三子部及第四子部，位于主干部上，其中第三子部连接于第一子部与第四子部之间。第三子部的宽度由第一子部向第四子部递减，第四子部连接于第三子部与第二子部之间。第四子部的宽度由第二子部向第三子部递减。第三子部与第四子部相连接，以定义凹陷方向相反的两凹口。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第二分支部还包括第一子部及第二子部，分别位于主干部的相对两侧，其中第一子部的宽度由周围部向主干部递减，第二子部的宽度由周围部向主干部递减。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第一分支部还包括第一子部及第二子部，分别位于主干部的相对两侧，其中第一子部的宽度由主干部向第一辅助部递减，第二子部的宽度由主干部向第二辅助部递减。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第二分支部还包括第一子部及第二子部，分别位于主干部的相对两侧。第一分支部的第一子部具有彼此相对且不相平行的第一边缘和第二边缘，第二分支部的第一子部具有彼此相对且不相平行的第一边缘和第二边缘，第一分支部的第一子部的第一边缘平行于第二分支部的第一子部的第一边缘，第一分支部的第一子部的第二边缘平行于第二分支部的第一子部的第二边缘。第一分支部的第二子部具有彼此相对且不相平行的第一边缘和第二边缘，第二分支部的第二子部具有彼此相对且不相平行的第一边缘和第二边缘，第一分支部的第二子部的第一边缘平行于第二分支部的第二子部的第一边缘，第一分支部的第二子部的第二边缘平行于第二分支部的第二子部的第二边缘。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构还包括遮光图案层，具有像素开口。第一电极的主干部、第一电极的多个第一分支部以及第二电极的多个第二分支部与像素开口重叠。第二电极的多个第二分支部与第二电极的周围部定义多个凹槽，而遮光图案层遮蔽多个凹槽。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的每一第一分支部的第一端及每一第一分支部的第二端延伸至遮光图案层的下方，而遮光图案层遮蔽每一第一分支部的第一端、每一第一分支部的第二端、第一辅助部以及第二辅助部。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第二电极的周围部具有多个弧状边缘，多个弧状边缘与多个第二分支部定义多个凹槽。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的多个第一分支部包括沿第一方向排列的多个第一分支群，每一第一分支群包括至少两个第一分支部，第一辅助部包括彼此分离的多个第一辅助子部，每一第一辅助子部连接对应的第一分支群的至少两个第一分支部的多个第一端。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构还包括配向膜及多个正型液晶分子。配向膜设置于第一电极或第二电极上。多个正型液晶分子设置于配向膜上，其中配向膜的摩擦方向垂直于第一方向。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构还包括配向膜及多个负型液晶分子。配向膜设置于第一电极或第二电极上。多个负型液晶分子设置于配向膜上，其中配向膜的摩擦方向平行于第一方向。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构还包括第三电极，其中第二绝缘层设置于第一电极与第三电极之间或设置于第二电极与第三电极之间，第三电极重叠于第一电极的多个第一分支部与第二电极的多个第二分支部之间的区域。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第三电极具有固定电位。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的第一电极与第二电极分别具有第一驱动信号以及第二驱动信号，其中第一驱动信号的波形与第二驱动信号的波形相同，且第一驱动信号的极性与第二驱动信号的极性相反。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的主干部的材质、多个第一分支部的材质、多个第二分支部的材质或上述至少二者的组合的材质包括遮光导电材料。

在本发明的一实施例中，上述的像素结构的主干部的材质、多个第一分支部的材质、多个第二分支部的材质或上述至少两者的组合的材质为厚度介于的金属。

基于上述，本发明的实施例的像素结构，通过第一电极的第一辅助部及第二辅助部分别重叠于第二电极的周围部，在具备足够存储电容的前提下提升像素结构的开口率。此外，采用本发明的实施例的像素结构的显示面板操作于适当电压时，其液晶分子的排列状态在受外力按压后的可恢复性优选。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的像素结构的正视示意图。

图2为本发明的第一实施例的像素结构的第一电极的正视示意图。

图3为本发明的第一实施例的像素结构的第二电极的正视示意图。

图4为图1的像素结构的局部区域i的放大示意图。

图5为图2的第一电极的局部区域i的放大示意图。

图6为图3的第二电极的局部区域i的放大示意图。

图7为本发明的第一实施例的像素结构的剖面示意图。

图8为采用本发明的第一实施例的像素结构的显示面板的剖面示意图。

图9为采用本发明的第一实施例的像素结构的另一显示面板的剖面示意图。

图10为采用本发明的第一实施例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

图11为采用本发明的第一比较例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

图12为采用本发明的第二比较例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

图13为采用本发明的第三比较例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

图14为本发明的第二实施例的像素结构的正视示意图。

图15为图14的像素结构的局部区域ii的放大示意图。

图16为本发明的第二实施例的像素结构的第二电极的正视示意图。

图17为采用本发明的第二实施例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大示意图。

图18为采用本发明的第四比较例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大示意图。

图19为本发明的第三实施例的像素结构的正视示意图。

图20为图19的像素结构的局部区域iii的放大示意图。

图21为本发明的第三实施例的像素结构的第二电极的正视示意图。

图22为本发明的第四实施例的像素结构的正视示意图。

图23为图22的像素结构的局部区域iv的放大示意图。

图24为本发明的第四实施例的像素结构的剖面示意图。

图25为本发明的第四实施例的像素结构的第一电极的正视示意图。

图26为采用本发明的第四实施例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

图27为采用本发明的第五实施例的像素结构的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、10a～10d、30～33：像素结构

100、100-a、100-b、100-c、100-d、100-1、100-2、100-3、100-4：第一电极

110、111、112：主干部

110a、110b：侧边

120、121、122、126、127：第一分支部

120a、121a、122a、126a、127a、220a：第一端

120b、121b、122b、126b、127b、220b：第二端

120c、122c、127c、220c：第一子部

120d、122d、127d、220d：第二子部

122c、122d、152a、152b、222c、222d：第一边缘

123c、123d、153a、153b、223c、223d：第二边缘

125：第一分支群

130、131：第一辅助部

130a、140a、250a：边缘

131a：第一辅助子部

140、141：第二辅助部

141a：第二辅助子部

150：第三辅助部

150a：第五子部

150b：第六子部

200、200-a、200-b、200-c、200-d、200-1、200-2、200-3、200-4：第二电极

220：第二分支部

220e：第三子部

220f：第四子部

224、226：凹口

225：凸起

250、250-a：周围部

250b、250c：弧状边缘

251、252：凹槽

300：第一绝缘层

350：第二绝缘层

400：遮光图案层

410：像素开口

500：第三电极

a1、b1：第一夹角

a2、b2：第二夹角

a3、b3：第三夹角

a4、b4：第四夹角

al1：第一配向膜

al2：第二配向膜

ch、ch1、ch2：半导体图案

d、d1、d2：漏极

d1：第一方向

d2：第二方向

d3：第三方向

dl、dl1、dl2：数据线

ed：电极区

g、g1、g2：栅极

i、ii、iii、iv：区域

lc：液晶分子

p：间距

rd1、rd2：摩擦方向

s、s1、s2：源极

sl：扫描线

sm：遮光金属

t、t1、t2：主动元件

w1～w8：宽度

a-a’、b-b’：剖线

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本发明的第一实施例的像素结构10的正视示意图。图2为本发明的第一实施例的像素结构10的第一电极100的正视示意图。图3为本发明的第一实施例的像素结构10的第二电极200的正视示意图。图4为图1的像素结构10的局部区域i的放大示意图。图5为图2的第一电极100的局部区域i的放大示意图。图6为图3的第二电极200的局部区域i的放大示意图。需说明的是，为清楚呈现起见，图1省略图4的遮光图案层400。

请参照图1，在本实施例中，像素结构10包括主动元件t、数据线dl及扫描线sl。主动元件t包括薄膜晶体管，具有源极s、漏极d、栅极g及半导体图案ch。在本实施例中，栅极g可选择性地设置于半导体图案ch的上方，进而形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gatetft)。此外，顶部栅极型薄膜晶体管的半导体图案ch的下方可选择性地设置遮光金属sm。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，主动元件t也可是底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gatetft)或其它适当形式的薄膜晶体管。举例而言，在本实施例中，半导体图案ch的结构可为单层或多层；半导体图案ch的材质可包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。

在本实施例中，栅极g与扫描线sl电性连接，源极s与数据线dl电性连接，且源极s与漏极d分别与半导体图案ch的不同两区电性连接。举例而言，在本实施例中，栅极g及扫描线sl的材质可相同；也就是说，栅极g及扫描线sl可形成于同一膜层。此外，在本实施例中，源极s、漏极d及数据线dl的材质可相同；也就是说，源极s、漏极d及数据线dl可形成于同一膜层。基于导电性的考量，栅极g、源极s、漏极d、扫描线sl及数据线dl的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，栅极g、源极s、漏极d、扫描线sl及数据线dl也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。

请参照图1及图2，在本实施例中，像素结构10还包括第一电极100。在本实施例中，第一电极100例如是电性连接至主动元件t的漏极d的像素电极，但本发明不以此为限。请参照图2及图5，在本实施例中，第一电极100包括主干部110、多个第一分支部120、第一辅助部130及第二辅助部140。主干部110在第一方向d1上延伸。多个第一分支部120与主干部110交叉设置，且每一第一分支部120具有分别位于主干部110的相对两侧的第一端120a与第二端120b。第一辅助部130连接多个第一分支部120的多个第一端120a。第二辅助部140连接多个第一分支部120的多个第二端120b。

请参照图5，在本实施例中，每一第一分支部120还包括第一子部120c及第二子部120d，分别位于主干部110的相对两侧。第一子部120c连接于第一端120a与主干部110之间。第二子部120d连接于第二端120b与主干部110之间。举例而言，在本实施例中，第一子部120c的宽度w1由主干部110向第一辅助部130递减，第二子部120d的宽度w2由主干部110向第二辅助部140递减，但本发明不以此为限。

请参照图2及图5，在本实施例中，第一电极100可选择性地包括与主干部110交叉设置的第三辅助部150。第三辅助部150设置于相邻的两第一分支部120之间，且与第一辅助部130及第二辅助部140隔开。多个第三辅助部150与多个第一分支部120可在第一方向d1交替排列。请参照图5，在本实施例中，第三辅助部150包括第五子部150a及第六子部150b，分别位于主干部110的相对两侧，其中第五子部150a位于第一辅助部130与主干部110之间，第六子部150b位于主干部110与第二辅助部140之间。举例而言，在本实施例中，第五子部150a的宽度w7由主干部110向第一辅助部130递减，第六子部150b的宽度w8由主干部110向第二辅助部140递减，但本发明不以此为限。

图7为本发明的第一实施例的像素结构的剖面示意图。特别是，图7对应于图4的剖线a-a’，且图7省略像素结构10的第一电极100下方膜层的示出。请参照图1、图3及图7，在本实施例中，像素结构10还包括第二电极200，设置在第一电极100上。详细而言，像素结构10还包括第一绝缘层300，设置在第一电极100与第二电极200之间。举例而言，第一绝缘层300可覆盖第一电极100，第二电极200设置于第一绝缘层300上。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，第一电极100也可设置于第二电极200上。第一电极100与第二电极200的一者可作为像素电极，而第一电极100与第二电极200的另一者可作为共用电极。举例而言，在本实施例中，第一电极100可电性连接至主动元件t以作为像素电极，第二电极200可作为共用电极。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，第二电极200也可电性连接至主动元件t以作为像素电极，而第一电极100也可作为共用电极。

请参照图4及图6，在本实施例中，第二电极200包括多个第二分支部220及周围部250。多个第二分支部220与主干部110交叉设置。每一第二分支部220具有分别位于主干部110的相对两侧的第一端220a与第二端220b。周围部250连接多个第二分支部220的多个第一端220a与多个第二分支部220的多个第二端220b。请参照图3、图4及图6，举例而言，在本实施例中，多个第二分支部220在第一方向d1上排成一行，周围部250可包括环绕所述行的一个框型图案(如图3所示)，但本发明不以此为限。

请参照图4及图6，在本实施例中，每一第二分支部220还包括第一子部220c及第二子部220d，分别位于主干部110的相对两侧。第一端220a连接于第一子部220c与周围部250之间。第二端220b连接于第二子部220d与周围部250之间。举例而言，在本实施例中，第一子部220c的宽度w3由周围部250向主干部110递增，第二子部220d的宽度w4由周围部250向主干部110递增，但本发明不以此为限。

在本实施例中，每一第二分支部220还包括第三子部220e及第四子部220f，设置于主干部110上。第二分支部220的第三子部220e及第四子部220f重叠于主干部110。第三子部220e连接于第一子部220c与第四子部220f之间，第四子部220f连接于第三子部220e与第二子部220d之间。举例而言，在本实施例中，第三子部220e的宽度w5由第一子部220c向第四子部220f递减，第四子部220f的宽度w6由第二子部220d向第三子部220e递减，且第三子部220e与第四子部220f相连接，以定义凹陷方向相反的两凹口224，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第一电极100与第二电极200例如是穿透式电极，而穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，像素结构10的主干部110的材质、多个第一分支部120的材质、多个第二分支部220的材质或上述至少两者的组合的材质也可包括遮光导电材料。

请参照图1及图4，在本实施例中，第一电极100的多个第一分支部120与第二电极200的多个第二分支部220在第一方向d1上交替排列，且每一第一分支部120与每一第二分支部220在垂直于第一方向d1的第二方向d2上互不重叠。在本实施例中，第一电极100的第一辅助部130及第二辅助部140与第二电极200的周围部250重叠，第一电极100的第三辅助部150与第二电极200的第二分支部220重叠，以形成存储电容(storagecapacitance)。举例而言，在本实施例中，第一电极100的第三辅助部150位于第二电极200的第二分支部220的垂直投影面积以内，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第一电极100的第一分支部120、第二电极200的第二分支部220、第一电极100的主干部110以及第二电极200的周围部250定义出面积小的电极区(electrodedomain)ed(标示于图1)，而有助于缩减采用像素结构10的液晶显示面板的反应时间(responsetime)。特别是，在本实施例中，用以形成存储电容的第一电极100的第一辅助部130、第二辅助部140及第三辅助部150是重叠于用以定义出电极区ed的第二电极200的周围部250及第二分支部220，而不需为了形成存储电容使得第一辅助部130、第二辅助部140及第三辅助部150占用其它区域。因此，像素结构10能在具备足够存储电容的前提下提升开口率。

请参照图4、图5及图6，在本实施例中，第一电极100的第一辅助部130具有靠近主干部110的边缘130a，第一电极100的第二辅助部140具有靠近主干部110的边缘140a，第二电极200的周围部250具有靠近第二分支部220的边缘250a。举例而言，在本实施例中，第二电极200的周围部250的边缘250a与第一电极100的第一辅助部130的边缘130a可实质上切齐，第二电极200的周围部250的边缘250a与第一电极100的第二辅助部140的边缘140a可实质上切齐，但本发明不以此为限。

请参照图4，在本实施例中，第一分支部120的第一子部120c具有彼此相对且不相平行的第一边缘122c和第二边缘123c，第二分支部220的第一子部220c具有彼此相对且不相平行的第一边缘222c和第二边缘223c。举例而言，在本实施例中，第一分支部120的第一子部120c的第一边缘122c实质上可平行于第二分支部220的第一子部220c的第一边缘222c，第一分支部120的第一子部120c的第二边缘123c实质上可平行于第二分支部220的第一子部220c的第二边缘223c，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一分支部120的第一子部120c的第一边缘122c及第二边缘123c不平行且不垂直于第一方向d1，且第二分支部220的第一子部220c的第一边缘222c及第二边缘223c不平行且不垂直于第一方向d1，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第一子部120c的第一边缘122c的垂直投影与主干部110的侧边110a的垂直投影具有第一夹角a1，第一子部120c的第二边缘123c的垂直投影与主干部110的侧边110a的垂直投影具有第二夹角a2，第一子部220c的第一边缘222c的垂直投影与主干部110的侧边110a的垂直投影具有第三夹角a3，第一子部220c的第二边缘223c的垂直投影与主干部110的侧边110a的垂直投影具有第四夹角a4。举例而言，在本实施例中，第一夹角a1、第二夹角a2、第三夹角a3及第四夹角a4的角度实质上相等，且第一夹角a1、第二夹角a2、第三夹角a3及第四夹角a4例如是91度至95度的范围，但本发明不以此为限。

类似地，在本实施例中，第一分支部120的第二子部120d具有彼此相对且不相平行的第一边缘122d和第二边缘123d，第二分支部220的第二子部220d具有彼此相对且不相平行的第一边缘222d和第二边缘223d。举例而言，在本实施例中，第一分支部120的第二子部120d的第一边缘122d平行于第二分支部220的第二子部220d的第一边缘222d，第一分支部120的第二子部120d的第二边缘123d平行于第二分支部220的第二子部220d的第二边缘223d，但本发明不以此为限。详细而言，在本实施例中，第一分支部120的第二子部120d的第一边缘122d及第二边缘123d不平行且不垂直于第一方向d1，且第二分支部220的第二子部220d的第一边缘222d及第二边缘223d不平行且不垂直于第一方向d1，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第二子部120d的第一边缘122d的垂直投影与主干部110的侧边110b的垂直投影具有第一夹角b1，第二子部120d的第二边缘123d的垂直投影与主干部110的侧边110b的垂直投影具有第二夹角b2，第二子部220d的第一边缘222d的垂直投影与主干部110的侧边110b的垂直投影具有第三夹角b3，第二子部220d的第二边缘223d的垂直投影与主干部110的侧边110b的垂直投影具有第四夹角b4。举例而言，在本实施例中，第一夹角b1、第二夹角b2、第三夹角b3及第四夹角b4的角度实质上相等，且第一夹角b1、第二夹角b2、第三夹角b3及第四夹角b4例如是91度至95度的范围，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第三辅助部150的第五子部150a具有彼此相对且不相平行的第一边缘152a和第二边缘153a，第三辅助部150的第六子部150b具有彼此相对且不相平行的第一边缘152b和第二边缘153b。在本实施例中，第三辅助部150的第一边缘152a、152b与第二边缘153a、153b不平行且不垂直于第一方向d1，但本发明不以此为限。举例而言，在本实施例中，第三辅助部150的第五子部150a的第一边缘152a平行于第二分支部220的第一子部220c的第一边缘222c，第三辅助部150的第五子部150a的第二边缘153a平行于第二分支部220的第一子部220c的第二边缘223c，第三辅助部150的第六子部150b的第一边缘152b平行于第二分支部220的第二子部220d的第一边缘222d，第三辅助部150的第六子部150b的第二边缘153b平行于第二分支部220的第二子部220d的第二边缘223d，但本发明不以此为限。

请参照图1及图4，图4的区域i内的构件可视为图1的像素结构10的一个重复单元。像素结构10可包括彼此连接的多个重复单元。每一重复单元具有尺寸固定且大小适当的电极区ed，以使采用的像素结构10的显示面板具有快速反应时间。在每一重复单元具有适切尺寸的电极区ed的前提下，本领域技术人员可根据所欲实现的显示面板的分辨率决定一个像素结构10所包括的重复单元的数量。举例而言，在本实施例中，像素结构10可包括多行重复单元，每一行的多个重复单元在第一方向d1上排列，相邻两行的多个重复单元可选择性地呈镜向设置，位于同一行且相邻的两重复单元的两第一辅助部130可选择性地彼此连接，位于同一行且相邻的两重复单元的两第二辅助部140可选择性地彼此连接。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，位于同一行且相邻的两重复单元的两第一辅助部130也可彼此隔开，位于同一行且相邻的两重复单元的两第二辅助部140也可彼此隔开，以下将于后续段落配合其它图示举例说明的。

图8为采用本发明的第一实施例的像素结构10的显示面板lcd的剖面示意图。特别是，图8的像素结构10的剖面对应于图4的剖线a-a’，且图8的像素结构10的剖面省略第一电极100下方膜层的示出。请参照图8，显示面板lcd包括第一基板50、设置于第一基板50上的像素结构10、设置于第一基板50对向的第二基板60以及设置于第一基板50与第二基板60之间的多个液晶分子lc。在本实施例中，显示面板lcd还包括第一配向膜al1以及第二配向膜al2，第一配向膜al1设置于像素结构10上，第二配向膜al2设置于第二基板60上，多个液晶分子lc设置于第一配向膜al1与第二配向膜al2之间。

在本实施例中，多个液晶分子lc为正型液晶分子，第一配向膜al1的摩擦方向rd1垂直于第一方向d1，而第二配向膜al2可具有与第一配向膜al1的摩擦方向rd1相反的摩擦方向rd2，且第一配向膜al1的摩擦方向rd1与第二配向膜al2的摩擦方向rd2实质上平行，但本发明不以此为限。

图9为采用本发明的第一实施例的像素结构10的另一显示面板lcd’的剖面示意图。图9的显示面板lcd’与图8的显示面板lcd类似，两者的差异在于：图9的多个液晶分子lc为负型液晶分子，第一配向膜al1的摩擦方向rd1与第二配向膜al2的摩擦方向rd2平行于第一方向d1，但本发明不以此为限。

图10为采用本发明的第一实施例的像素结构10的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。图11为采用本发明的第一比较例的像素结构30的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。特别是，图10是显示其像素结构10设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构10的第一电极100及第二电极200分别施以6伏特0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1；图11是显示其像素结构30设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构30的第一电极100-1及第二电极200-1分别施以6伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。图10所示的本实施例的像素结构10与图11所示的第一比较例的像素结构30类似，两者的差异在于：图11所示的第一比较例的像素结构30不具有第一实施例的像素结构10的第一辅助部130及第二辅助部140。

请参照图10及图11，相较于第一实施例，由于第一比较例的第一电极100-1不具有第一辅助部130及第二辅助部140，使得暗纹(即disclinationline)的位置较偏离主干部110的中心轴，也就是说，其暗纹所形成的十字节点较不对称。请参照图2至图4，相较于第一比较例，由于本实施例的第二电极200的周围部250的边缘250a与第一电极100的第一辅助部130的边缘130a切齐，第二电极200的周围部250的边缘250a与第一电极100的第二辅助部140的边缘140a切齐，因此可改善多个液晶分子lc操作于大电压时，其排列状态在受外力按压后的可恢复性。

图12为采用本发明的第二比较例的像素结构31的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。特别是，图12是显示其像素结构31设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构31的第一电极100-2及第二电极200-2分别施以6伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。图12所示的第二比较例的像素结构31与图10所示的第一实施例的像素结构10类似，两者的差异在于：图12所示的第二比较例的像素结构31的第一电极100-2的第三辅助部150-2在第二电极200-2上的投影面积超出第二电极200-2的第二分支部220-2。

请参照图10及图12，相较图12的第二比较例，在图10的第一实施例中，重叠于两个第一分支部120的两个水平暗纹较集中于两个第一分支部120的水平中心轴，因此，第一实施例的像素结构10可提供较高的光穿透率及较短的液晶分子的反应速度(responsetime)。

图13为采用本发明的第三比较例的像素结构32的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。特别是，图13是显示其像素结构32设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构32的第一电极100-3及第二电极200-3分别施以6伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。图13所示的第三比较例的像素结构32与图10所示的第一实施例的像素结构10类似，两者的差异在于：图13所示的第三比较例的像素结构32的第二电极200-3在第一电极100-3的主干部110上具有相对的一凹口224及一凸起225。

请参照图4、图10及图13，相较于第三比较例，第一实施例的像素结构10的第二电极200的每一第二分支部220在第一电极100的主干部110上具有凹陷方向相反的两凹口224，有助于使暗纹(即disclinationline)同时向第一电极100的主干部110的中心轴集中及第二电极200的第二分支部220的中心轴集中，进而提升光的穿透率及缩短反应时间。

图14为本发明的第二实施例的像素结构10a的正视示意图。图15为本发明的第二实施例的像素结构10a的局部区域ii的放大示意图。图16为本发明的第二实施例的像素结构10a的第二电极200-a的正视示意图。需说明的是，为清楚呈现起见，图14省略图15的遮光图案层400。

请参照图14至图16，本实施例的像素结构10a与第一实施例的像素结构10的差异在于：本实施例的第二电极200-a的周围部250-a具有多个弧状边缘250b、250c，多个弧状边缘250b、250c与多个第二分支部220定义多个凹槽251、252。具体而言，在本实施例中，周围部250-a的每一弧状边缘250b是设置于相邻的两个第二分支部220的两第一端220a之间，邻近第一分支部121的第一端121a的每一凹槽251是为弧状边缘250b、相邻的两个第二分支部220的相对的第一边缘222c及第二边缘223c所形成；周围部250的每一弧状边缘250c是设置于相邻的两个第二分支部220的两第二端220b之间，邻近第一分支部121的第二端121b的每一凹槽252是为弧状边缘250c、相邻的两个第二分支部220的相对的第一边缘222d及第二边缘223d所形成。

请参照图15，在本实施例中，像素结构10a还包括遮光图案层400，具有像素开口410。第一电极100-a的主干部110、第一电极100-a的多个第一分支部120及第二电极200-a的多个第二分支部220与像素开口410重叠，且遮光图案层400遮蔽多个凹槽251。特别是，在本实施例中，与主干部111交叉设置的至少部分的第一分支部121的第一端121a以及与主干部112交叉设置的至少部分的每一第一分支部122的第二端122b延伸至遮光圖案層400的下方；也就是说，遮光圖案層400遮蔽与主干部111交叉设置的至少部分的第一分支部121的第一端121a、与主干部112交叉设置的至少部分的第一分支部122的第二端122b，但本发明不以此为限。

图17为采用本发明的第二实施例的像素结构10a的显示面板在电压驱动下的放大示意图。图18为采用本发明的第四比较例的像素结构33的显示面板在电压驱动下的放大示意图。特别是，图17是显示其像素结构10a设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构10a的第一电极100-a及第二电极200-a分别施以6伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1；图18是显示其像素结构33设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构33的第一电极100-4及第二电极200-4分别施以6伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。

请参照图15、图17及图18，相较于第四比较例，第二实施例中的像素结构10a的第二电极200-a因具有重叠于遮光图案层400的多个凹槽251，使邻近遮光图案层400的暗纹减少，进而缩减反应时间及/或提升穿透率。

图19为本发明的第三实施例的像素结构10b的正视示意图。图20为本发明的第三实施例的像素结构10b的局部区域iii的放大示意图。图21为本发明的第三实施例的像素结构10b的第二电极200-b的正视示意图。

请参照图19至图21，本实施例的像素结构10b与第一实施例的像素结构10的差异在于：本实施例的第二电极200-b的每一第二分支部220-b的第一子部220c的宽度w3由周围部250向主干部110递减，每一第二分支部220-b的第二子部220d的宽度w4由周围部250向主干部110递减。举例而言，在本实施例中，每一第二分支部220-b的第一子部220c与第二子部220d于第一电极100-b的主干部110上直接连接，以定义凹陷方向相反的两凹口226，但本发明不以此为限。在本实施例中，由于第二电极200-b的每一第二分支部220-b具有凹陷方向相反的两凹口226，有助于使暗纹向第一电极100-b的主干部110的中心轴集中，以及向第二电极200-b的第二分支部220-b的中心轴集中。

图22为本发明的第四实施例的像素结构10c的正视示意图。图23为本发明的第四实施例的像素结构10c的局部区域iv的放大示意图。图24为本发明的第四实施例的像素结构10c的剖面示意图。图25为本发明的第四实施例的像素结构10c的第一电极100-c的正视示意图。特别是，图24对应于图23的剖线b-b’，且图24省略像素结构10c的第三电极500以下膜层的示出。

请参照图22，在本实施例中，像素结构10c的主动元件t包括第一薄膜晶体管t1及第二薄膜晶体管t2，像素结构10c还包括第一数据线dl1、第二数据线dl2以及扫描线sl。第一薄膜晶体管t1包括源极s1、漏极d1、栅极g1及半导体图案ch1。第二薄膜晶体管t2包括源极s2、漏极d2、栅极g2及半导体图案ch2。在本实施例中，第一数据线dl1电性连接至第一薄膜晶体管t1的源极s1，第一电极100-c电性连接至第一薄膜晶体管t1的漏极d1。第二数据线dl2电性连接至第二薄膜晶体管t2的源极s2，第二电极200-c电性连接至第二薄膜晶体管t2的漏极d2。扫描线sl与第一数据线dl1及第二数据线dl2交错设置且电性连接至第一薄膜晶体管t1的栅极g1和第二薄膜晶体管t2的栅极g2。举例而言，在本实施例中，像素结构10c的第一电极100-c与第二电极200-c分别具有第一驱动信号以及第二驱动信号，其中所述第一驱动信号的波形与所述第二驱动信号的波形相同，且所述第一驱动信号的极性与所述第二驱动信号的极性相反，但本发明不以此为限。

请参照图23及图24，在本实施例中，像素结构10c还包括第三电极500及第二绝缘层350。举例而言，在本实施例中，第一电极100-c设置于第三电极500与第二电极200-c之间，且第二绝缘层350设置于第一电极100-c与第三电极500之间，但本发明不以此为限，根据其它的实施例，第二电极200-c可设置于第三电极500与第一电极100-c之间，且第二绝缘层350可设置于第二电极200-c与第三电极500之间。请同时参照图22，在本实施例中，第三电极500重叠于第一电极100-c的多个第一分支部120与第二电极200-c的多个第二分支部220之间的区域。特别是，在本实施例中，第一电极100-c和第二电极200-c在驱动时可提供大小相同，极性相反的电压，第三电极500具有参考电位，其中所述参考电位可以是接地电位、固定电位、浮置(floating)电位或其它适当形式的电位。举例而言，在本实施例中，第三电极500例如是穿透式电极，而穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。

请参照图23及图25，在本实施例中，第一电极100-c的多个第一分支部120包括多个第一分支群125。每一第一分支群125具有相邻的两个第一分支部126、127。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，每一第一分支群125可具有相邻的三个第一分支部120。在本实施例中，第一电极100-c的第一辅助部131具有彼此分离的多个第一辅助子部131a，第一电极100-c的第二辅助部141具有彼此分离的多个第二辅助子部141a。每一第一辅助子部131a连接对应的第一分支群125的两相邻的第一分支部126、127的两个第一端126a、127a。每一第二辅助子部141a连接对应的第一分支群125的两相邻的第一分支部126、127的两个第二端126b、127b。

图26为采用本发明的第四实施例的像素结构10c的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。特别是，图26是显示其像素结构10c设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构10c的第一电极100-c、第二电极200-c及第三电极500分别施以3伏特、-3伏特及0伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。请参照图23及图26，在本实施例中，每一第一分支群125的第一分支部126与第一分支部127的间距p，例如是13微米。利用前述的第一电极100-c、第二电极200-c及第三电极500，相较于采用第一实施的像素结构10的显示面板，采用本像素结构10c的显示面板在具有相近的反应时间的前提下，更进一步地提升穿透率。

图27为采用本发明的第五实施例的像素结构10d的显示面板在电压驱动下的放大正视示意图。特别是，图27是显示其像素结构10d设置在两个穿透轴相互垂直的偏光片之间，且针对像素结构10d的第一电极100-d及第二电极200-d分别施以(6)伏特及(0)伏特的电压时所呈现的光穿透状况，详细而言，两个相互垂直的偏光片中的一者，其穿透轴平行于第一方向d1。

请参照图26及图27，本实施例的像素结构10d与第四实施例的像素结构10c的差异在于：本实施例的第一电极100-d的材质为遮光导电材料，例如是金属或合金。相较于第四实施例的像素结构10c，本实施例的像素结构10d的第一电极100-d是由遮光材料形成，因此，第一电极100-d能遮蔽形成于其设置位置的暗纹，有助于降低采用像素结构10d的显示面板的暗态亮度，而提升对比。此外，本实施例的第一电极100-d的主干部110及第一分支部120是通过金属材料层的地形作用，使暗线更进一步向第一电极100-d的主干部110及第一分支部120的中心轴集中。因此，相较于第四实施例的像素结构10c，本实施例的第一电极100-d的主干部110及第一分支部120可具有较窄的宽度，进而提升光的穿透率。然而，本发明不限于此，根据其他的实施例，至少部分的第一电极100-d(主干部110、第一分支部120、第二分支部220或上述至少二者的组合)可采用薄金属，厚度介于具体而言，第一电极100-d可以是厚度介于的钼金属。

综上所述，本发明的实施例的像素结构，通过第一电极的第一辅助部及第二辅助部分别重叠于第二电极的周围部，在具备足够存储电容的前提下提升像素结构的开口率。此外，采用本发明的实施例的像素结构的显示面板操作于适当驱动电压时，其液晶分子的排列状态在受外力按压后的可恢复性佳。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。