一种掩膜版及其制作方法、回收方法与流程

本发明涉及掩膜版领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、回收方法。

背景技术：

掩膜版作为制作电子产品领域中一种常见的图形转移媒介，其上设计有掩膜图案(包括透光图案和遮光图案)，以实现图形转移；由于不同电子产品的设计具有差异，从而需要针对每款电子产品设计具有不同掩膜图案的掩膜版。

然而，掩膜版中掩模基板自身的成本较高，并且无法重新再利用；即使重新利用，也需要将原来的掩膜图案通过抛光、打磨进行去除，而目前以国内的技术水平还不能实现，因此需要委托国外的厂商，从而造成电子产品的成本增加。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种掩膜版及其制作方法、回收方法，能够解决现有技术中，掩膜版无法重新利用或者重新利用成本高的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种掩膜版，包括掩膜基板和掩膜图案，其特征在于，所述掩膜版还包括第一透明薄膜；所述第一透明薄膜以可撕除的方式设置于所述掩膜基板上；所述掩膜图案由所述第一透明薄膜承载，且位于所述第一透明薄膜背离所述掩膜基板的一侧。

在一些实施例中，所述第一透明薄膜通过光学胶层贴附于所述掩膜基板上。

在一些实施例中，形成所述光学胶层的材质包括温控胶。

在一些实施例中，形成所述第一透明薄膜的材料包括环烯烃聚合物、聚酰亚胺中的至少一种。

在一些实施例中，所述掩膜基板为玻璃基板；所述玻璃基板的厚度为6mm～12mm。

在一些实施例中，所述掩膜图案为主要采用铬和/或氧化铬形成的薄膜。

本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：在第一透明薄膜上依次形成遮光层、光阻层；在掩膜基板上形成光学胶层；将第一透明薄膜通过所述光学胶层贴附在所述掩膜基板，且所述第一透明薄膜可撕离所述掩膜基板；对所述遮光层进行图案化，形成掩膜图案。

在一些实施例中，在所述在第一透明薄膜上依次形成遮光层、光阻层之前，所述制作方法包括：在基底上形成光学胶层；在光学胶层上贴附第一透明薄膜；在所述在第一透明薄膜上形成依次设置的遮光层、光阻层之后，在将第一透明薄膜通过所述光学胶层贴附在所述掩膜基板之前，所述制作方法还包括：将形成有所述遮光层、光阻层的第一透明薄膜整体撕离所述基底。

本发明实施例还提供一种前述的掩膜版中掩膜基板的回收方法，其特征在于，包括：将承载所述掩膜图案的第一透明薄膜，整体从掩膜基板上撕除，以形成空白的掩膜基板。

在一些实施例中，在所述第一透明薄膜通过光学胶层贴附于所述掩膜基板上，且形成所述光学胶层的材质包括温控胶的情况下，在所述将承载所述掩膜图案的第一透明薄膜，整体从掩膜基板上撕除之前，所述回收方法包括：将所述掩膜版整体降温至-5℃～5℃；在所述将承载所述掩膜图案的第一透明薄膜，整体从掩膜基板上撕除之后，所述回收方法包括：去除掩膜基板上残留的光学胶层。

本发明实施例提供一种掩膜版及其制作方法、回收方法，该掩膜版包括掩膜基板和掩膜图案，掩膜版还包括第一透明薄膜；第一透明薄膜以可撕除的方式设置于掩膜基板上；掩膜图案由第一透明薄膜承载，且位于第一透明薄膜背离掩膜基板的一侧。

这样一来，在实际的应用时，电子产品的生产商在工厂内部可以自行通过撕除第一透明薄膜，即可除去位于其上的掩膜图案，从而避免了因采用抛光、打磨工艺对掩膜基板造成损坏，并且也无需委托国外设备厂商，从而缩短了掩膜基板的回收周期，同时可以增加掩膜基板重复利用次数(理论上可以一直循环使用)，进而极大程度上降低了开发成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为相关技术中提供的一种掩膜版的结构示意图；

图1b为相关技术中提供的一种掩膜版的制作过程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种掩膜版的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作流程示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种掩膜版的制作流程示意图；

图6为本发明实施例提供的一种掩膜版制作过程示意图；

图7为本发明实施例提供的第一透明薄膜的剪裁示意图；

图8为本发明实施例提供的第一透明薄膜的贴附过程示意图；

图9为本发明实施例提供的一种掩膜版的掩膜基板的回收过程的示意图。

附图标记：

01-掩膜版；10-掩膜基板；11-基底；20-掩膜图案；100-光学胶层；101-第一透明薄膜；200-遮光层；300-光阻层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

如图1a所示，相关技术(例如触摸面板领域)中的掩膜版01(也称光掩膜版、光罩(mask))，包括掩膜基板10和掩膜图案20；该掩膜版01在制作时，参考图1b中(a)、(b)、(c)、(d)的制作过程，通过在掩膜基板10上进行镀膜形成遮光层200，然后在遮光层200上进行光刻胶涂布形成光阻层300，接下来，通过激光描绘机按照需要的图形进行曝光工艺，使光刻胶进行光反应，再进行显影、刻蚀、剥离工艺得到最终具有所需掩膜图案20的掩膜版01(参考图1b中(d))。

由于采用上述制作方法形成的掩膜版01中的掩膜图案20，直接固定在掩膜基板10，从而无法再实现重复利用；当然，相关技术中，如果需要重复回收，则需要将掩膜版01上的掩膜图案20采用抛光、打磨工艺进行去除，但是以目前的技术水平，抛光、打磨工艺都需要委托国外设备厂商进行，国内无此设备及相关的技术经验；并且由于每次回收均需抛光、打磨，每次抛光、打磨都会导致掩膜基板的厚度减少50μm左右，当掩膜基板的厚度下降200μm左右时，掩膜基板不可在重新使用，也即采用抛光、打磨工艺回收掩膜基板的方式，回收利用的次数有限，一般重复次数不超过4次，无法实现多次回收利用。从而导致产品的成本增加。

本发明实施例中提供一种掩膜版01，该掩膜版01包括掩膜基板10和掩膜图案20；如图2所示，该掩膜版01还包括第一透明薄膜101；掩膜图案20由该第一透明薄膜101承载，且位于第一透明薄膜101背离掩膜基板10的一侧。其中，该第一透明薄膜101以可撕除的方式设置于掩膜基板10上。

其中，上述掩膜基板10可以为玻璃基板，例如石英玻璃；其厚度为6mm～12mm，示意的，可以为7mm～10mm。

这样一来，在实际的应用时，电子产品的生产商在工厂内部可以自行通过撕除第一透明薄膜，即可除去位于其上的掩膜图案，从而避免了因采用抛光、打磨工艺对掩膜基板造成损坏，并且也无需委托国外设备厂商，从而缩短了掩膜基板的回收周期，同时可以增加掩膜基板重复利用次数(理论上可以一直循环使用)，进而极大程度上降低了开发成本。

对于上述第一透明薄膜101以可撕除的方式设置于掩膜基板10上而言，在一些实施例中，如图3所示，可以设置该第一透明薄膜101通过光学胶层100贴附于掩膜基板10上。

在此基础上，为了便于第一透明薄膜101的撕除，在一些实施例中，可以设置形成上述光学胶层100的材质包括温控胶，从而保证掩膜版01在工作状态时，温控胶自身具有较好的胶粘性，使得第一透明薄膜101能够很好的贴附在掩膜基板10上，同时在掩膜基板10回收利用时，通过控制温度来降低温控胶的胶粘性，使得第一透明薄膜101更易于从掩膜基板10上撕除。

在一些实施例中，可以采用型号为cs2325na3、cs2325na4、cs2325na2的温控胶，在温度降低至10℃以下其胶粘性明显下降，从而便于进行撕除。示意的，可以在-5℃～5℃、-2℃～2℃的温度范围进行撕除。当然，该温控胶在25℃以上，具有较大的胶粘性，因此，可以选择在25℃以上，例如50℃，将第一透明薄膜101贴附至掩膜基板10，以保证粘结效果。

另外，在一些实施例中，形成上述第一透明薄膜101的材料可以包括cop(环烯烃聚合物，cyclo9olefin0polymer)、pi(聚酰亚胺，polyimide)中的至少一种。其中，cop为一种光学材料，具有较好的机械性、耐温性及耐候性；该第一透明薄膜101的厚度一般可以为10μm～100μm。

在一些实施例中，上述掩膜图案20为主要采用铬和/或氧化铬形成的膜层；也即掩膜图案20可以包括铬，也可以包括氧化铬；还可以包括铬和氧化铬；本发明对此不做具体限定，实际中也可以采用其他的材料。

本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法，如图4所示，该制作方法包括：

步骤s101、在第一透明薄膜上形成依次设置的遮光层、光阻层。

步骤s102、在掩膜基板上形成光学胶层。

步骤s103、将第一透明薄膜通过光学胶层贴附在掩膜基板，且第一透明薄膜可撕离掩膜基板。

步骤s104、对遮光层进行图案化，形成掩膜图案。

需要说明的是，上述步骤的序号并不代表必然的先后顺序；例如，对于步骤s101而言，其可以是在步骤s103之前进行，也即第一透明薄膜在贴附至掩膜基板之前，其上已经依次形成了遮光层、光阻层。也可以是在完成步骤s103之后进行，也即第一透明薄膜在贴附至掩膜基板之后，再依次形成遮光层、光阻层。本发明对此不做具体限定。

以下，以步骤s101在步骤s103之前进行为例，对掩膜版的制作方法进行说明，结合图5和图6所示，该制作方法包括：

步骤s11、参考图6中(a)，在基底11上形成光学胶层100。

在一些实施例中，该光学胶层可以采用型号为cs2325na3、cs2325na4、cs2325na2的温控胶。

上述基底11可以采用厚度为0.4mm～1.1mm的玻璃基板。

步骤s12、参考图6中(b)，在光学胶层100上贴附第一透明薄膜101。

在一些实施例中，第一透明薄膜101可以pi膜或者cop膜。

步骤s101、参考图6中(c)，在第一透明薄膜101上形成依次设置的遮光层200、光阻层300。

在一些实施例中，可以采用铬和氧化铬材料以镀膜的方式，形成遮光层200；并采用光刻胶以旋涂的方式形成光阻层300。

步骤s13、参考图6中(d)，将形成有遮光层200、光阻层300的第一透明薄膜101整体撕离基底11。

在一些实施中，当步骤s11中形成的光学胶层100采用温控胶的情况下，可以通过控制温度，降低光学胶层胶粘性，以便于将第一透明薄膜101更容易从基底11上撕离。

步骤s102、参考图6中(e)，在掩膜基板10上形成光学胶层100。

在一些实施例中，该光学胶层可以采用型号为cs2325na3、cs2325na4、cs2325na2的温控胶。

当然，步骤s102与步骤s13并没有必然的先后顺序，两者可以同时进行，或者在一定的间隔时间段内先后进行。

步骤s103、参考图6中(f)，将第一透明薄膜101通过光学胶层100贴附在掩膜基板10，且第一透明薄膜101可撕离掩膜基板10。

需要说明的是，参考图7，第一透明薄膜101在裁剪时(cutting)，应当保证其尺寸与掩膜基板10的尺寸相当，单边尺寸的误差在1mm的范围内。

另外，参考图8，第一透明薄膜101在贴附的过程中，为了防止气泡产生，可以采用橡胶滚轮辅助进行贴附。

需要说明的是，以上的步骤，均可以在电子产品生产商(例如触控屏生产商)内部进行，从而一定程度上能够降低掩膜版的制作成本。

步骤s104、参考图6中(g)，对遮光层200进行图案化，形成掩膜图案20。

具体的，通过激光描绘机按照实际需要的图形进行曝光工艺，使光阻层300中的光刻胶进行光反应，再进行显影、刻蚀、剥离工艺，从而完成对遮光层200的图案化，形成掩膜图案20；实际中，该步骤的实施一般需要委托mask制作厂进行。

当然，对于该制作方法中其他的相关内容，可以对应的参考前述掩膜版实施例中的对应部分，此处不再赘述；对于前述掩膜版实施例中的其他设置结构，可以参考上述制作方法对应制备，调整相应的制作步骤，此处不再一一赘述。

本发明实施例还提供一种前述掩膜版的回收方法，如图9所示，该回收方法包括：将承载掩膜图案20的第一透明薄膜101，整体从掩膜基板100上撕除，以形成空白的掩膜基板10。

该过程在电子产品的生产商在工厂内部即可完成，也即在工厂内部通过撕除第一透明薄膜，即可除去位于其上的掩膜图案，从而避免了因采用抛光、打磨工艺对掩膜基板造成损坏，并且也无需委托国外设备厂商，从而缩短了掩膜基板的回收周期，同时可以增加掩膜基板重复利用次数(理论上可以一直循环使用)，进而极大程度上降低了开发成本。

当然，需要说明的是，在第一透明薄膜101通过光学胶层100贴附于掩膜基板10上，且形成光学胶层100的材质包括温控胶的情况下，上述回收方法，在将承载掩膜图案20的第一透明薄膜101，整体从掩膜基板100上撕除之前，还包括：将掩膜版01整体降温至-5℃～5℃，以降低光学胶层100的胶粘性，从而更容易将第一透明薄膜101从掩膜基板100上撕除。

另外，在将承载掩膜图案20的第一透明薄膜101，整体从掩膜基板100上撕除之后，上述回收方法还包括：去除掩膜基板10上残留的光学胶层100，从而可以开始制作具有新的掩膜图案的掩膜版01。

具体的，可以采用碱性溶液(例如10％的koh溶液)对掩膜基板10表面残留的光学胶进行溶解去除，从而达到清洁掩膜基板10表面的目的。当然，该碱性溶液不会对掩膜基板本身造成损坏。

可以理解的是，本发明中，回收空白的掩膜基板10的过程，均可以在电子产品生产商(例如触控屏生产商)内部进行，从而一定程度上能够降低掩膜版的制作成本。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。