1.一种掩膜组件，其特征在于，所述掩膜组件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，其中，
所述第一掩膜内形成有第一标记图形，所述第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形，所述第一主标记图形与所述第二主标记图形之间具有间距；其中，所述第一主标记图形包括若干个沿第一方向平行间隔排布的第一子标记图形，所述第一子标记图形沿第二方向延伸；所述第二主标记图形包括若干个沿第二方向平行间隔排布的第二子标记图形，所述第二子标记图形沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；
所述第二掩膜内形成有第二标记图形，所述第二标记图形对应于所述第一标记图形的一侧，且与所述第一标记图形具有间距；所述第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形，所述第三主标记图形与所述第四主标记图形之间具有间距；其中，所述第三主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第三子标记图形，所述第三子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第四主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第四子标记图形，所述第四子标记图形沿所述第二方向延伸；及
所述第三掩膜内形成有第三标记图形，所述第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形；其中，所述第五主标记图形对应于所述第一主标记图形与所述第三主标记图形之间，所述第五主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第五子标记图形，所述第五子标记图形沿所述第二方向延伸；所述第六主标记图形对应于所述第三主标记图形与所述第四主标记图形之间，所述第六主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第六子标记图形，所述第六子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第七主标记图形对应于所述第一主标记图形与所述第二主标记图形之间，所述第七主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第七子标记图形，所述第七子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第八主标记图形对应于所述第二主标记图形与所述第四主标记图形之间，所述第八主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第八子标记图形，所述第八子标记图形沿所述第二方向延伸。
2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于：所述第一主标记图形与所述第二主标记图形沿所述第一方向间隔排布，所述第三主标记图形与所述第四主标记图形沿所述第一方向间隔排布，所述第一主标记图形与所述第三主标记图形沿所述第二方向间隔排布，所述第二主标记图形与所述第四主标记图形沿所述第二方向间隔排布。
3.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一子标记图形、所述第二子标记图形、所述第三子标记图形、所述第四子标记图形、所述第五子标记图形、所述第六子标记图形、所述第七子标记图形及所述第八子标记图形均呈条状。
4.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于：若干个所述第一子标记图形、若干个所述第二子标记图形、若干个所述第三子标记图形、若干个所述第四子标记图形、若干个所述第五子标记图形、若干个所述第六子标记图形、若干个所述第七子标记图形及若干个所述第八子标记图形均等间距排布，且相邻两所述第一子标记图形之间的间距与相邻两所述第五子标记图形之间的间距相等，相邻两所述第二子标记图形之间的间距与相邻两所述第七子标记图形之间的间距相等，相邻两所述第三子标记图形之间的间距与相邻两所述第六子标记图形之间的间距相等，相邻两所述第四子标记图形之间的间距与相邻两所述第八子标记图形之间的间距相等。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩膜组件，其特征在于：所述第一掩膜、所述第二掩膜及所述第三掩膜均包括若干个芯片区域及位于相邻所述芯片区域之间及若干个所述芯片区域外围的切割道区域，所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形均位于所述切割道区域内。
6.根据权利要求5所述的掩膜组件，其特征在于：所述切割道的宽度大于所述第一标记图形、所述第二标记图形和所述第三标记图形所占区域沿所述切割道宽度方向上的尺寸。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的掩膜组件，其特征在于：所述第一掩膜、所述第二掩膜及所述第三掩膜均包括若干个芯片区域及位于相邻所述芯片区域之间及若干个所述芯片区域外围的切割道区域；所述芯片区域包括功能区域及闲置区域，所述功能区域内形成有器件结构图形，所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形均位于所述闲置区域内。
8.一种套准量测方法，其特征在于，所述套准量测方法包括以下步骤：
提供基板及如权利要求1至7中任一项所述的掩膜组件；
在所述基板表面形成光刻胶层，依据所述第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光显影，以将所述第一标记图形转移至所述光刻胶层内，采用刻蚀工艺将所述第一标记图形转移至所述基板；
在所述基板表面形成光刻胶层，依据所述第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光显影，以将所述第二标记图形转移至所述光刻胶层内，采用刻蚀工艺将所述第二标记图形转移至所述基板；
在所述基板表面形成光刻胶层，依据所述第三掩膜对所述光刻胶层进行第三次曝光显影，以将所述第三标记图形转移至所述光刻胶层内；及
获取所述第三标记图形相较于所述第一标记图形的位置偏移、所述第三标记图形相较于所述第二标记图形的位置偏移及所述第二标记图形相较于所述第一标记图形的位置偏移。
9.根据权利要求8所述的套准量测方法，其特征在于：获取所述第三标记图形相较于所述第一标记图形的位置偏移、所述第三标记图形相较于所述第二标记图形的位置偏移及所述第二标记图形相较于所述第一标记图形的位置偏移的具体方法包括如下步骤：
量测所述第五主标记图形相较于所述第一主标记图形在所述第一方向的偏移量以获取所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移；
量测所述第七主标记图形相较于所述第二主标记图形在所述第二方向的偏移量以获取所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第二方向的位置偏移；
量测所述第六主标记图形相较于所述第三主标记图形在所述第二方向的偏移量以获取所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第二方向的位置偏移；
量测所述第八主标记图形相较于所述第四主标记图形在所述第一方向的偏移量以获取所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第一方向的位置偏移；
依据所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移及所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第一方向的位置偏移获取所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移；及
依据所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第二方向的位置偏移及所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第二方向的位置偏移获取所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第二方向的位置偏移。
10.根据权利要求9所述的套准量测方法，其特征在于，
依据所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移及所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第一方向的位置偏移获取所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移的公式为：
p2y-ma＝{[p1y-p3y]+[p2y-p3y]}×w1+[p2y-p3y]×w1
其中，p2y-ma为所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移；p1y为所述第一标记图形在所述第一方向上的坐标，p2y为所述第二标记图形在所述第一方向上的坐标，p3y为所述第三标记图形在所述第一方向上的坐标，p1y-p3y为所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的偏移量；p2y-p3y为所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第一方向的偏移量；w1为第一权重，为一与工艺条件相关的常数；
依据所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移及所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第一方向的位置偏移获取所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第一方向的位置偏移的公式为：
p2x-ma＝{[p1x-p3x]+[p2x-p3x]}×w2+[p2x-p3x]×w2
其中，p2x-ma为所述第二标记图形相较于所述第一标记图形在所述第二方向的位置偏移；p1x为所述第一标记图形在所述第二方向上的坐标，p2x为所述第二标记图形在所述第二方向上的坐标，p3x为所述第三标记图形在所述第二方向上的坐标，p1x-p3x为所述第三标记图形相较于所述第一标记图形在所述第二方向的偏移量；p2x-p3x为所述第三标记图形相较于所述第二标记图形在所述第二方向的偏移量；w2为第二权重，为一与工艺条件相关的常数。