修正方法、装置和存储介质与流程

本发明涉及基板缺陷修正技术领域，尤其涉及一种修正方法、装置和存储介质。

背景技术：

液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，现己占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包括成盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅极线、源极线以及形成像素点的像素电极。液晶显示器的制备过程主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、将阵列基板和彩膜基板对盒并注入液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺，在上述制备工艺中，液晶显示器的像素点不良是常制备工艺中不可避免出现的缺陷。

现有技术中，若阵列基板中的栅极线所在的金属层和公共电极线所在的金属层之间设置有绝缘层，则当栅极线所在的金属层和公共电极线所在的金属层之间存在电压差时，会造成两层金属层的电势差不为0，进而造成阵列基板中原应显示为暗点的像素块呈现为亮点，导致液晶显示器的像素点不良。

技术实现要素：

本发明提供一种修正方法、装置和存储介质，对阵列基板中由于与像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的缺陷，进行信号线的熔接，使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致，进而对缺陷进行修正。

本发明的第一方面提供一种修正方法，所述阵列基板包括像素层、第一金属层和第二金属层，所述像素层包括多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素电极，每个所述像素电极分别与所述第一金属层中的信号线、所述第二金属层中的信号线连接，所述修正方法包括：

获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，所述缺陷是由与所述第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，所述存在压差的两个信号线分别为所述第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线；

根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述第一金属层和所述第二金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层上预留有通孔；所述位置信息包括所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标；

所述根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接，包括：

根据所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标，在所述阵列基板上确定所述第一像素区域；

在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标包括：所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标；

所述对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接，包括：

在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，在重力方向上，所述第二金属层位于所述第一金属层的上方，所述对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接之前，还包括：

根据所述中心位置的坐标，在所述第二金属层上确定熔接点；

所述对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接，包括：

根据所述中心位置的坐标和所述熔接点，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述根据所述中心位置的坐标，在所述第二金属层上确定熔接点，包括：

在垂向方向上，将所述中心位置的坐标在所述第二金属层上的投影位置，作为所述熔接点。

可选的，所述对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接之后，还包括：

获取熔接后的所述阵列基板的第一检测结果，所述第一检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板仍存在缺陷；

对所述熔接后的所述阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，所述第二检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板不存在缺陷。

可选的，所述存在压差的两个信号线中的第二金属层中的信号线为：漏极线或源极线。

本发明的第二方面提供一种修正装置，包括：

位置信息获取模块，用于获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，所述缺陷是由与所述第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，所述存在压差的两个信号线分别为所述第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线；

熔接模块，用于根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述第一金属层和所述第二金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层上预留有通孔；所述位置信息包括所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标；

所述熔接模块，具体用于根据所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标，在所述阵列基板上确定所述第一像素区域；在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标包括：所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标；

所述熔接模块，具体用于在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，在重力方向上，所述第二金属层位于所述第一金属层的上方。

可选的，所述装置还包括：熔接点确定模块；

所述熔接点确定模块，用于根据所述中心位置的坐标，在所述第二金属层上确定熔接点。

可选的，所述熔接模块，具体用于根据所述中心位置的坐标，以及所述熔接点，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，所述熔接点确定模块，具体用于在垂向方向上，将所述中心位置的坐标在所述第二金属层上的投影位置，作为所述熔接点。

可选的，所述装置还包括：检测结果获取模块；

所述检测结果获取模块，用于获取熔接后的所述阵列基板的第一检测结果，所述第一检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板仍存在缺陷；对所述熔接后的所述阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，所述第二检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板不存在缺陷。

可选的，所述存在压差的两个信号线中的第二金属层中的信号线为：漏极线或源极线。

本发明的第三方面提供一种修正装置，包括：至少一个处理器和存储器；

所述存储器存储计算机执行指令；

所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述修正装置执行上述修正方法。

本发明的第四方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机执行指令，当所述计算机执行指令被处理器执行时，实现上述修正方法。

本发明的第五方面提供一种修正系统，包括：修正装置、检测装置和处理装置；所述处理装置分别和所述修正装置、所述检测装置连接；

所述检测装置用于检测获取阵列基板中的缺陷，以及所述缺陷所在的第一像素区域的位置信息，并将所述位置信息发送至处理装置；所述位置信息包括：所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标，所述阵列基板包括像素层、第一金属层和第二金属层，所述像素层包括多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素电极，每个所述像素电极分别与所述第一金属层中的信号线、所述第二金属层中的信号线连接，所述缺陷是由与所述第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的；

所述处理装置，用于根据位置信息，获取所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标，并将所述位置信息发送至所述修正装置，所述位置信息中包括所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标；

所述修正装置用于获取所述位置信息，并根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

本发明提供一种修正方法、装置和存储介质，该方法包括：获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，存在压差的两个信号线分别为第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线；根据位置信息，控制激光熔接器，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。本发明中，对阵列基板中由于与像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的缺陷，进行信号线的熔接，使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致，进而对缺陷进行修正。

附图说明

图1为本发明提供的阵列基板中存在缺陷的示意图一；

图2为本发明提供的修正方法的流程示意图一；

图3为本发明提供的阵列基板中存在缺陷的示意图二；

图4为本发明提供的修正方法的流程示意图二；

图5为本发明提供的对信号线熔接的剖面示意图；

图6为本发明提供的修正方法的流程示意图三；

图7为本发明提供的修正系统的连接示意图；

图8为本发明提供的修正装置的结构示意图一；

图9为本发明提供的修正装置的结构示意图二；

图10为本发明提供的修正装置的结构示意图三。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

液晶显示器的主体结构包括成盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅极线、源极线以及形成像素点的像素电极。具体的，所述阵列基板包括像素层和第一金属层和第二金属层，通常情况下，在玻璃基板上设置金属层，在金属层的上方设置像素层，金属层和像素层的大小(宽度和长度)相等。

其中，每个金属层中设置有信号线，示例性的，第一金属层中设置有源极线和漏极线，第二金属层中设置有栅极线和存储电容线；现有技术中，如第一金属层中设置有相互垂直的源极线和漏极线，第二金属层中设置有相互平行的栅极线和存储电容线，进一步的，第一金属层中的源极线与第二金属层中的存储电容线垂直设置；具体的，在栅极线和源极线交叉形成的区域在像素层中对应的区域为像素区域。

图1为本发明提供的阵列基板中存在缺陷的示意图一，如图1所示，纵向的信号线为源极线，横向的信号线为存储电容线，实际情况下，存储电容线和源极线位于不同的金属层，图1中为了便于描述，将存储电容线和源极线在像素层对应的位置处示出，由于栅极线和存储电容线平行设置，因此，对应的图中在存储电容线和源极线形成的交叉区域为像素区域。图中未示出漏极线和栅极线。图1中的源极线为纵向的黑线，存储电容线为横向的灰线。

阵列基板中的所述像素层包括多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素电极，每个所述像素电极分别与两个所述金属层中的信号线连接；示例性的，阵列基板中包括两个金属层，第一金属层中设置有源极线和漏极线，第二金属层中设置有栅极线和存储电容线，具体的连接方式可以通过过孔的方式将上下层的金属层中的信号线和像素电极连接。

可以想到的是，本实施例中的修正方法也可适用于像素区域与两个金属层中的信号线连接的情况。

正常情况下，像素电极对应的像素区域在预设电压下，呈现暗点；但由于与像素电极分别连接的两个信号线对应的电压不同，即存在压差时，示例性的，如与像素电极分别连接的存储电容线和源极线之间存在压差时，像素电极对应的像素区域在预设电压下，呈现亮点，导致阵列基板中该像素区域显示不良，存在缺陷。

为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板的修正方法，通过熔接的方式对存在压差的两个信号线进行熔接，使得与存在缺陷的像素区域连接的信号线之间连接，进而使得存在压差的两个信号线对应的电压相等，解决信号线之间存在压差导致像素区域显示亮点的问题。

本发明提供的修正方法应用于修正系统中，具体的，该修正系统中包括：检测装置、处理装置和修正装置，具体的，下述实施例中以修正装置为执行主体对本发明提供的修正装置进行说明。

下面结合图2对本发明提供的修正方法进行说明，图2为本发明提供的修正方法的流程示意图一，图2所示方法流程的执行主体可以为修正装置，该修正装置可由任意的软件和/或硬件实现。如图2所示，本实施例提供的修正方法可以包括：

s201，获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，存在压差的两个信号线分别为第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线。

本实施例中的检测装置，用于对阵列基板进行测试，获取阵列基板中的缺陷，其中，阵列基板中的缺陷可以包括多种类型，示例性的，如有核异物、存在暗点、存在亮点等。检测装置中预先存储有各种类型的缺陷对应的缺陷特征，在获取阵列基板中的所有的缺陷后，对阵列基板中的确信进行分类。示例性的，本实施例中的修正方法对应的缺陷类型为存在亮点。

可以想到的是，阵列基板中存在亮点缺陷的原因有多种，检测装置可以获取亮点缺陷的生成原因，获取预设原因对应的缺陷，具体的，本实施例中的缺陷的预设原因为：与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间存在压差。检测装置可以通过获取每个亮点缺陷对应的像素区域中与像素电极连接的信号之间的电压，获取实施例中预设原因对应的缺陷。

检测装置在获取预设原因的缺陷后，根据缺陷的位置，获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息；具体的，该缺陷所在的第一像素区域的位置信息可以为第一像素区域在阵列基板中的坐标。检测装置在获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息后，可以直接将该位置信息发送给修正装置，以使修正装置获取缺陷所在的第一像素区域的位置；或者，检测装置在获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息后，可以直接将该位置信息发送给处理装置，经处理装置对该位置信息进行进一步处理后，发送给修正装置。

本实施例中的预设原因为与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间存在压差，具体的，本实施例中预设的存在压差的两个信号线可以为存储电容线和源极线，也可以为存储电容线和漏极线。

s202，根据位置信息，控制激光熔接器，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

本实施例中，在修正装置获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息后，可以确定阵列基板中存在缺陷的第一像素区域，该像素区域的像素电极连接的两个预设信号线之间存在压差。

如图1所示，图1中示例性的示出了预设的存在压差的两个信号线为存储电容线和源极线，存储电容线和源极线垂直设置，第一像素区域中的像素电极与存储电容线和源极线连接，图1中未示出；本实施例中的第一像素区域呈现亮点缺陷，图1中示例性的用黑色表示亮点缺陷。

图3为本发明提供的阵列基板中存在缺陷的示意图二，如图3所示，图3中示例性的示出了预设的存在压差的两个信号线为存储电容线和漏极线，存储电容线和漏极线平行设置，实际情况下，存储电容线在第二金属层中的位置与漏极线在第一金属层中的位置相同，为了便于说明，图3中将存储电容线和漏极线并列平行表示；第一像素区域中的像素电极与存储电容线和漏极线连接；本实施例中的第一像素区域呈现亮点缺陷，图3中示例性的用黑色表示亮点缺陷。图3中的横向的灰线为存储电容线，横向的网格线为漏极线。

本实施例中，可以根据缺陷所在的第一像素区域的位置信息，确定存在缺陷的第一像素区域；修正装置可以与激光熔接器连接，在确定存在缺陷的第一像素区域后，控制激光熔接器，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

示例性的，如图1所示，由于与第一像素区域中的像素电极连接的为存储电容线和源极线，而存储电容线和源极线垂直设置，在竖直方向上，要对存储电容线和源极线进行熔接，可以在图1中存储电容线和源极线交叉的位置处对存储电容线和源极线进行熔接，如图1中的a位置所示。在存储电容线和源极线进行熔接后，存储电容线和源极线连接，二者对应的电压相等，不存在压差，因此使得亮点缺陷暗点化。

示例性的，如图3所示，由于与第一像素区域中的像素电极连接的为存储电容线和漏极线，而存储电容线和漏极线平行设置，在竖直方向上，要对存储电容线和漏极线进行熔接，可以在图3中存储电容线和漏极线任意位置处对对存储电容线和漏极线进行熔接，如图3中的b位置和c位置所示。在存储电容线和漏极线进行熔接后，存储电容线和漏极线连接，二者对应的电压相等，不存在压差，因此使得亮点缺陷暗点化。

本实施例提供一种修正方法，该方法包括：获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，存在压差的两个信号线分别为第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线；根据位置信息，控制激光熔接器，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。本实施例中，对阵列基板中由于与像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的缺陷，进行信号线的熔接，使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致，进而对缺陷进行修正。

下面结合图4对本发明提供的修正方法中的熔接过程进行详细说明，图4为本发明提供的修正方法的流程示意图二，如图4所示，本实施例提供的修正方法可以包括：

s401，获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息。

本实施例中的缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，具体的，第一像素区域的存在压差的两个信号线分别为：存储电容线和漏极线，由于存储电容线和漏极线平行设置，二者之间进行熔接连接的可选位置多，且具有较好的熔接效果。

具体的，第一金属层和第二金属层之间存在绝缘层；图5为本发明提供的对信号线熔接的剖面示意图，如图5所示，漏极线对应的第一金属层100和存储电容线对应的第二金属层200之间存在绝缘层300，具体的，该绝缘层300可以为jas绝缘层。

在制备阵列基板时，在每个像素区域在绝缘层的对应位置处预留有通孔；其中，位置信息包括第一像素区域在阵列基板上的坐标和第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标。具体的，该第一像素区域在阵列基板上的坐标和第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标是由检测装置在对阵列基板进行测试时获取的。

s402，根据第一像素区域在阵列基板上的坐标，在阵列基板上确定第一像素区域。

本实施例中，每个阵列基板预先设置好对应的坐标系，在获取第一像素区域在阵列基板上的坐标后，可以根据该第一像素区域在阵列基板上的坐标和阵列基板预先设置好对应的坐标系，在阵列基板上确定第一像素区域。

可以想到的是，位置信息还可以为第一像素区域在阵列基板上的标识信息，如第一像素区域在阵列基板上的像素区域编号，根据该像素区域编号也在阵列基板上确定第一像素区域。

s403，在第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

具体的，对存在压差的两个信号线进行熔接指的是；控制激光熔接器，对第一金属层100中第一像素区域对应的漏极线进行熔融，激光强度大于绝缘层300的穿透强度，使得熔融的漏极线与第二金属层200中的存储电容线连接；但是采用该方法对信号线进行熔接的过程中，可能由于激光能量过大导致在穿透绝缘层300时，造成熔融的漏极线的飞溅。

本实施例中，为了解决该问题，可以在绝缘层中每个像素区域预留有通孔；修正装置在获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息后，可以根据其中的第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标，确定通孔的位置；具体的，对存在压差的两个信号线之间的熔接可以是：在第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

值得注意的是，本实施例中的熔接是控制激光熔接器，对第一金属层100中第一像素区域对应的漏极线进行熔融，使得熔融的漏极线通过该通孔与第二金属层200中的存储电容线连接，避免了熔接过程中飞溅现象的发生。

进一步的，本实施例中的第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标包括：第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标，其中，第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标，即为通孔的圆心在阵列基板上的中心位置的坐标。具体的，检测装置在获取第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标后，可以将该第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标发送给处理装置；本实施例中的处理装置中设置有显微镜，处理装置控制显微镜对第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标处进行放大处理，使得处理装置根据放大后的通孔，获取通孔在阵列基板上的中心位置的坐标，并将该通孔在阵列基板上的中心位置的坐标发送给修正装置，使得修正装置获取通孔在阵列基板上的中心位置的坐标。

具体的，本实施例中对存在压差的两个信号线之间的熔接可以是：在第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

进一步的，本实施例中，在重力方向上，第二金属层位于第一金属层的上方。在获取第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标后，可以根据该中心位置的坐标在第二金属层上确定熔接点。具体的，本实施例中在垂向方向上，将中心位置的坐标在第二金属层上的投影位置，作为熔接点。

具体的，本实施例中对存在压差的两个信号线之间的熔接可以是：根据中心位置的坐标，以及熔接点，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

示例性的，如在漏极线对应的第一金属层100中，获取与第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标相同的位置，作为熔接点；本实施例中控制激光熔接器对第一金属层100中的漏极线进行熔接，熔融的漏极线通过绝缘层300上的通孔与金属层300中的存储电容线连接。

其中，修正装置控制激光熔接器对准金属层中的熔接点和通孔所在的位置，在对准位置后，控制激光熔接器释放能量，进而使得存在压差的两个信号线熔接。

如图5所示，示例性的，第一金属层100中的漏极线与第二金属层200中的存储电容线通过绝缘层300连接；具体的，其中通过通孔的阴影部分为第一金属层100熔融的漏极线。

本实施例中，第一像素区域的存在压差的两个信号线对应的金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层的对应位置处预留有通孔；位置信息包括第一像素区域在阵列基板上的坐标和第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标；进一步的，第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标包括：第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标；根据中心位置的坐标，在第一像素区域的存在压差的两个信号线对应的金属层上确定熔接点；根据中心位置的坐标，以及熔接点，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。本实施例提供的修正方法不仅使得存在压差的两个信号线之间保持电压一致，实现对缺陷进行修正，还在熔接的过程中避免了熔接过程中飞溅现象的发生。

下面结合图6对本发明提供的修正方法进行进一步说明，图6为本发明提供的修正方法的流程示意图三，如图6所示，本实施例提供的修正方法可以包括：

s601，获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息。

s602，根据第一像素区域在阵列基板上的坐标，在阵列基板上确定第一像素区域。

s603，在第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

s604，获取熔接后的阵列基板的第一检测结果，第一检测结果用于表征熔接后的阵列基板仍存在缺陷。

本实施例中，在对阵列基板中的缺陷对应的第一像素区域进行相应的熔接处理后，检测装置可以进一步对熔接后的阵列基板进行缺陷测试，获取熔接后的阵列基板的第一检测结果；进一步的，将该第一检测结果发送给修正装置，具体的，该第一检测结果用于表征熔接后的阵列基板仍存在缺陷。

可以想到的是，第一检测结果中的缺陷为满足预设缺陷原因的缺陷，预设缺陷原因为与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间存在压差；进一步的，该第一检测结果中还包括缺陷所在的第一像素区域的位置信息，其中的位置信息可以与上述实施例中的缺陷所在的第一像素区域的位置信息相同。

进一步的，检测装置可以将第一检测结果发送给处理装置，处理装置在对第一检测结果进行处理后发送给修正装置，其中的处理过程可以与上述实施中的处理过程相同，在此不做赘述。

s605，对熔接后的阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，第二检测结果用于表征熔接后的阵列基板不存在缺陷。

本实施例中，在修正装置获取第一检测结果后，根据其中的缺陷所在的第一像素区域的位置信息，采用与上述实施例中相同的方法对熔接后的阵列基板中的缺陷进行再次熔接，进一步的，检测装置还可以对再次熔接后的阵列基板进行缺陷测试，若其中还包括有缺陷，则修正装置再次对阵列基板进行熔接处理，直至修正装置获取第二检测结果，第二检测结果用于表征熔接后的阵列基板不存在缺陷。修正装置确定阵列基板中不存在缺陷，修正完成。

本实施例中的s601-s603中的实施方式具体可参照上述实施例中的s401-s403中的相关描述，在此不作限制。

本实施例中，获取熔接后的阵列基板的第一检测结果，第一检测结果用于表征熔接后的阵列基板仍存在缺陷，对熔接后的阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，第二检测结果用于表征熔接后的阵列基板不存在缺陷。本实施例中提供的修正方式使得对阵列基板中的缺陷完全进行修正，提高了阵列基板的良率。

进一步的，图7为本发明提供的修正系统的连接示意图，如图7所示，本发明还提供一种修正系统700，具体的，该修正系统700包括：修正装置703、检测装置701和处理装置702；处理装置702分别和修正装置703、检测装置701连接。

检测装置701用于检测获取阵列基板中的缺陷，以及缺陷所在的第一像素区域的位置信息，并将位置信息发送至处理装置702；位置信息包括：第一像素区域在阵列基板上的坐标和第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标，阵列基板包括像素层和至少两个金属层，像素层包括多个像素区域，每个像素区域包括一个像素电极，每个像素电极与至少两个金属层中的信号线连接，缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的。

处理装置702，用于根据位置信息，获取第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标，并将位置信息发送至修正装置703，位置信息中包括第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标。

修正装置703用于获取位置信息，并根据位置信息，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。具体的，修正装置703根据位置信息，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接的具体方式与上述实施例中的修正方式和效果相同，在此不做赘述。

图8为本发明提供的修正装置的结构示意图一，如图8所示，该修正装置800包括：位置信息获取模块801、熔接模块802。

位置信息获取模块801，用于获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，缺陷是由与第一像素区域中的像素电极连接的两个信号线之间的压差产生的，存在压差的两个信号线分别为第一金属层的存储电容线和第二金属层中的信号线。

熔接模块802，用于根据位置信息，控制激光熔接器，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

本实施例提供的修正装置与上述修正方法实现的原理和技术效果类似，在此不作赘述。

可选的，图9为本发明提供的修正装置的结构示意图二，如图9所示，该修正装置800还包括：熔接点确定模块803和检测结果获取模块804。

可选的，第一金属层和第二金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层上预留有通孔；位置信息包括第一像素区域在阵列基板上的坐标和第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标。

熔接模块802，具体用于根据第一像素区域在阵列基板上的坐标，在阵列基板上确定第一像素区域；在第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标包括：第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标。

熔接模块802，具体用于在第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心位置的坐标处，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，装置还包括：熔接点确定模块；

熔接点确定模块803，用于根据中心位置的坐标，在第二金属层上确定熔接点。

可选的，熔接模块802，具体用于根据中心位置的坐标，以及熔接点，对第一像素区域的存在压差的两个信号线进行熔接。

可选的，熔接点确定模块803，具体用于在垂向方向上，将中心位置的坐标在第二金属层上的投影位置，作为熔接点。

检测结果获取模块804，用于获取熔接后的阵列基板的第一检测结果，第一检测结果用于表征熔接后的阵列基板仍存在缺陷；对熔接后的阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，第二检测结果用于表征熔接后的阵列基板不存在缺陷。

可选的，存在压差的两个信号线中的第二金属层中的信号线为：漏极线或源极线。

图10为本发明提供的修正装置的结构示意图三，如图10所示，该修正装置1000包括：存储器1001和至少一个处理器1002。

存储器1001，用于存储程序指令。

处理器1002，用于在程序指令被执行时实现本实施例中的修正方法，具体实现原理可参见上述实施例，本实施例此处不再赘述。

该修正装置1000还可以包括及输入/输出接口1003。

输入/输出接口1003可以包括独立的输出接口和输入接口，也可以为集成输入和输出的集成接口。其中，输出接口用于输出数据，输入接口用于获取输入的数据，上述输出的数据为上述方法实施例中输出的统称，输入的数据为上述方法实施例中输入的统称。

本发明还提供一种可读存储介质，可读存储介质中存储有执行指令，当修正装置的至少一个处理器执行该执行指令时，当计算机执行指令被处理器执行时，实现上述实施例中的修正方法。

本发明还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在可读存储介质中。修正装置的至少一个处理器可以从可读存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得修正装置实施上述的各种实施方式提供的修正方法。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(英文：processor)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(英文：read-onlymemory，简称：rom)、随机存取存储器(英文：randomaccessmemory，简称：ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在上述网络设备或者车机端设备的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元(英文：centralprocessingunit，简称：cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(英文：digitalsignalprocessor，简称：dsp)、专用集成电路(英文：applicationspecificintegratedcircuit，简称：asic)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。