一种阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

液晶显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，被广泛的应用于电视、电脑、手机等电子产品中。液晶显示面板通常包括阵列基板(tft基板)、与该阵列基板相对的彩膜基板(cf基板)以及夹设于该阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，在阵列基板和彩膜基板之间还包括有框胶，以将阵列基板和彩膜基板粘结形成液晶盒。大多数的液晶显示面板其水平扫描线的驱动多由外接的集成电路板(integratedcircuit，ic)来控制各级水平扫描线的逐级充电和放电。而goa(gatedriveronarray)技术为集成在阵列基板上的行扫描驱动技术，可以运用液晶显示面板的阵列制程将栅极驱动电路制作在tft阵列基板上，实现对栅极逐行扫描的驱动方式，因而可以省掉栅极驱动集成电路部分，不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品的成本，而且也使显示面板可以做到两边对称，且可以显著的降低显示面板的边框宽度，有助于满足显示面板窄边框或无边框的设计需求。

目前，现有goa构架下的阵列基板，因窄边框的设置需求，其框胶涂布往面板的显示区域靠近，而与goa电路的重叠度较高，在显示面板的制作过程中需对框胶进行光照固化，因此goa电路的配置须可透光，大多数的goa电路中，阵列基板上的薄膜晶体管(tft)的尺寸均较小且与储存电容的金属配线之间有间距，有透光区保证透光性以进行框胶的硬化，而在goa基本电路中的上拉电路(pullup)中，如图1-图3所示，由于该电路配置的薄膜晶体管300的尺寸较大，且储存电容200由不透光的金属层组成，因此在现有技术中将重叠的电容设计成栅栏状，保留透光区201以进行框胶的光照硬化。

然而，将重叠的储存电容配置设计为栅栏状以保留透光区，而栅栏式电容的可透光的部分不能用于形成电容，这样在保证电容容量的前提下，形成电容的面积就会变大，所需的配置面积较大，这样不利于显示面板边框的进一步变窄，而不能达到显示面板窄边框的需求。

技术实现要素：

本发明提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有阵列基板中将重叠的储存电容设置为栅栏状以保留透光性，而使电容形成的面积变大，不利于显示面板边框的进一步变窄，而不能达到显示面板窄边框的需求的问题。

本发明的一方面提供一种阵列基板，包括：

设置在衬底上的第一金属层，所述第一金属层上覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有第一透明电极层，且所述第一透明电极层与第二金属层电连接，所述第一透明电极层、所述第二金属层以及所述第一绝缘层上覆盖有钝化层，所述钝化层上设有第二透明电极层，且所述第二透明电极层通过第一接触孔与所述第一金属层电连接，第一透明电极层和所述第二透明电极层形成可供光线穿过的第一储存电容。

在本发明的具体实施方式中，所述第一金属层和所述第二金属层在水平方向上分别位于所述第一透明电极层的两侧，且所述第一金属层在竖向上与所述第二透明电极层的一端对应设置。

在本发明的具体实施方式中，所述第二金属层设在所述第一绝缘层上，且所述第二金属层的一端延伸到所述第一透明电极层上，以使所述第二金属层与所述第一透明电极层电连接。

在本发明的具体实施方式中，所述第一绝缘层和所述第一透明电极层上覆盖有刻蚀阻隔层，所述第二金属层位于所述刻蚀阻隔层上且所述第二金属层通过第二接触孔与所述第一透明电极层电连接，所述钝化层覆盖在所述刻蚀阻隔层和所述第二金属层上。

在本发明的具体实施方式中，所述第二透明电极层和所述钝化层上覆盖有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有第三透明电极层，所述第三透明电极层与所述第二金属层通过第三接触孔电连接，且所述第二透明电极层和所述第三透明电极层形成可供光线穿过的第二储存电容。

在本发明的具体实施方式中，所述第一金属层的一端沿着水平方向从所述第一透明电极层的一端延伸到所述第一透明电极层的另一端，以使所述第一透明电极层在所述衬底上的投影区域位于所述第一金属层上，且所述第一金属层和所述第一透明电极之间形成可供光线穿过的第三储存电容。

在本发明的具体实施方式中，所述第二金属层和所述第一金属层的一端沿着水平方向分别从所述第一透明电极层的一端延伸到所述第一透明电极层的另一端，且所述第一金属层和所述第一透明电极之间形成可供光线穿过的第三储存电容，所述第二金属层与所述第二透明电极层形成可供光线穿过的第四储存电容。

在本发明的具体实施方式中，所述第一金属层为栅极金属层，所述第二金属层为源极金属层；

所述第一透明电极层为igzo电极层，所述第二透明电极层为ito电极层。

本发明的另一方面提供一种显示面板，包括上述任一所述的阵列基板。

本发明的又一方面提供一种显示装置，包括上述所述的显示面板。

本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在阵列基板的衬底上设置第一金属层，在该第一金属层上覆盖第一绝缘层，该第一绝缘层上设置第一透明电极层，且该第一透明电极层电连接有第二金属层，在该第一透明电极层、第二金属层以及第一绝缘层上设置钝化层，并在该钝化层上设置第二透明电极层，使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接，这样就使分别与第一金属层和第二金属层电连接的第一透明电极和第二透明电极形成了第一储存电容，而由于第一透明电极层和第二透明电极层为透明的可透光，就使得该第一储存电容具有透光性，即在阵列基板上配置的第一储存电容能够使光线穿过，这样在保证了框胶硬化的光照需求的同时，与现有的通过栅栏状来保证储存电容的透光性相比，可透光的部分也可用于形成电容，使用较小的面积即可形成所需的电容，显著的减少了阵列基板侧配置的储存电容的面积，有利于边框的进一步变窄，满足显示面板窄边框的需求。解决了现有阵列基板中将储存电容配置设计为栅栏状以保留透光性，而使电容形成的面积变大，不利于显示面板边框的进一步变窄，而不能达到显示面板窄边框的需求的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的一种阵列基板的平面结构示意图；

图2是现有的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例一提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图4是本发明实施例四提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图5是本发明实施例五提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图6是本发明实施例六提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图7是本发明实施例七提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

附图标记说明：

衬底-10；第一金属层-20；第一绝缘层-30；第一透明电极层-40；第二金属层-50；钝化层-60；第二透明电极层-70；第一接触孔-80；刻蚀阻隔层-90；第二接触孔-100；第二绝缘层-110；第三透明电极层-120；第三接触孔-130；储存电容-200；透光区-201；薄膜晶体管-300。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例的第一方面提供一种阵列基板，可以应用于goa构架下的显示面板及显示装置中，尤其适用于goa构架的窄边框或无边框显示面板中，不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低显产品成本，而且有利于进一步减小边框宽度，满足显示面板的窄边框需求。

实施例一

图3是本发明实施例一提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

本发明实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括衬底10，在现有的阵列基板中，在该衬底10上设有储存电容，一般的储存电容均是由第一金属层20、第二金属层50组成，且第一金属层20和第二金属层50之间具有用于使第一金属层20和第二金属层50绝缘的第一绝缘层30。

为保证储存电容可透光的前提下，进一步减小储存电容的面积，在本实施例中，该阵列基板包括：设置在衬底10上的第一金属层20，第一金属层20上覆盖有第一绝缘层30，第一绝缘层30上设置有第一透明电极层40，且第一透明电极层40与第二金属层50电连接，第一透明电极层40、第二金属层50以及第一绝缘层30上设置有钝化层60，钝化层60上设有第二透明电极层70，且第二透明电极层70通过第一接触孔80与第一金属层20电连接，第一透明电极层40和第二透明电极层70形成可供光线穿过的第一储存电容。其中，阵列基板的衬底10上设置有第一金属层20以及覆盖该第一金属层20的第一绝缘层30，在第一绝缘层30上设置第一透明电极层40，在该第一透明电极层40上还设置有钝化层60，该钝化层60上设有第二透明电极层70，并将第一透明电极层40与第二金属层50电连接，第二透明电极层70与第一金属层20电连接，这样分别与第一金属层20电连接的第二透明电极层70和与第二金属层50电连接的第一透明电极层40就能够形成第一储存电容，而由于第一透明电极层40和第二透明电极层70为透光层，就使得第一透明电极层40和第二透明电极层70形成了具有透光性的第一储存电容，因此，在阵列基板衬底上设置的第一储存电容就能够使光线穿过保证了框胶的光照硬化，同时与现有的通过栅栏状来保证储存电容的透光性相比，该第一储存电容的可透光部分也可用于形成电容，即相比于现有的储存电容，使用较小的面积就能够形成所需的电容，减小了第一储存电容的面积，使阵列基板侧配置的储存电容的面积减小，有利于边框的进一步变窄，满足显示面板窄边框的需求。

具体的，如图3所示，在本实施例中，在阵列基板的衬底10上设置有第一金属层20，在该衬底10上还设有第一绝缘层30，该第一绝缘层30覆盖在第一金属层20上，在该第一绝缘层30上设置有第一透明电极层40以及与该第一透明电极层40电连接的第二金属层50，在该第一透明电极层40、第二金属层50以及第一绝缘层30上设置有钝化层60，该钝化层60上设置第二透明电极层70，并且将该第二透明电极层70通过第一接触孔80与第一金属层20电连接，这样就使分别与第一金属层20和第二金属层50电连接的第一透明电极层40和第二透明电极层70形成了第一储存电容，且形成的该第一储存电容为可供光线透过的储存电容，这样就保证了框胶硬化所需的光照，而与现有的储存电容相比，可透光的部分也可形成电容，显著的减小了在阵列基板上配置的储存电容的面积，便于满足显示面板窄边框的需求。

需要说明的是，在本实施例中，第一接触孔80的位置应位于与第一金属层20一端相对应的位置，从而在不破坏储存电容形成的情况下，通过该第一接触孔80将第一金属层20和第二透明电极层70电连接。

在本实施例中，对第一透明电极层40和第二透明电极层70的类型及其延伸长度等并无其他要求，使第一透明电极层40和第二透明电极层70具有较好的透光性，且能够形成所需储存电容即可。该第一透明电极层40和第二透明电极层70可以是铟镓锌氧化物(igzo)、氧化铟锡(ito)、氧化锡、氧化锌等透明氧化物层中的任一种。

在本实施例中，对第一金属层20和第二金属层50的种类以及其与第一透明电极层40和第二透明电极层70的相对设置位置等并无其它要求，能够实现其功能即可。该第一金属层20和第二金属层50可以为栅极金属层或源极金属层中的一种。

其中，在本实施例中，该钝化层60以及第一绝缘层30的形成材料、厚度等可参见现有技术中阵列基板上设置的钝化层以及绝缘层，在本实施例中不再赘述，该第一绝缘层可为栅极绝缘层，在阵列基板侧形成tft的栅极绝缘层时形成，这样有助于减少阵列基板的制程，提升生产速率。

进一步的，在本实施例中，该第一金属层20为栅极金属层，第二金属层50为源极金属层；第一透明电极层40为铟镓锌氧化物层，第二透明电极层70为氧化铟锡层。这样刻在阵列基板侧形成tft的栅极、源极、以及igzo电极层和ito电极层时形成，有助于减少阵列基板的制程，提升生产速率。

本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在阵列基板的衬底10上设置第一金属层20，在该第一金属层20上覆盖第一绝缘层30，该第一绝缘层30上设置第一透明电极层40，且该第一透明电极层40电连接有第二金属层50，在该第一透明电极层40、第二金属层50以及第一绝缘层30上设置钝化层60，并在该钝化层60上设置第二透明电极层70，使第二透明电极层70通过第一接触孔80与第一金属层20电连接，这样就使与电连接的第二透明电极层70和与第二金属层50电连接的第一透明电极形成了第一储存电容，而由于第一透明电极层40和第二透明电极层70为透明的可透光，就使得该第一储存电容具有透光性，即在阵列基板上配置的第一储存电容能够使光线穿过，这样在保证了框胶硬化的光照需求的同时，与现有的通过栅栏状来保证储存电容的透光性相比，可透光的部分也可用于形成电容，使用较小的面积即可形成所需的电容，显著的减少了阵列基板侧配置的储存电容的面积，有利于边框的进一步变窄，满足显示面板窄边框的需求。解决了现有阵列基板中将储存电容配置设计为栅栏状以保留透光性，而使电容形成的面积变大，不利于显示面板边框的进一步变窄，而不能达到显示面板窄边框的需求的问题。

实施例二

进一步的，在上述实施例一的基础上，在本实施例中，第一金属层20和第二金属层50在水平方向上分别位于第一透明电极层40的两侧，且第一金属层20在竖向上与第二透明电极层70的一端对应设置。其中，水平方向是指与阵列基板的衬底10平行的方向，竖向是指与衬底10垂直的方向，将第一金属层20和第二金属层50在水平方向上分别设置在第一透明电极层40的两侧，而第一金属层20在竖直方向上设置在与第二透明电极层70一端相对应的位置，即第一金属层20和第二金属层50在水平方向上位于由第一透明电极层40和第二透明电极层70形成的第一储存电容的两侧，这样形成的该第一储存电容就是透明的电容，从而使光线能够透过，保证了框胶硬化所需的光照，同时，与现有的栅栏式储存电容相比，由于在阵列基板衬底上形成的该第一储存电容为透明的、可供光线穿过的电容，该第一储存电容可作为阵列基板侧配置的储存电容，而第一储存电容的可透光部分也用于形成电容，因此使用较小的面积即可形成所需的电容，有效的减小了第一储存电容的面积，同时，由于第一储存电容的透明可透光性，则无需在第一储存电容上留设栅栏式的透光部分，进一步减小了第一储存电容的面积，便于满足边框进一步变窄的需求。

具体的，如图3所示，在本实施例中，第一金属层20和第二金属层50在水平方向上分别位于第一透明电极层40的两侧，该第一金属层20在竖直方向上位于与第二透明电极层70的一端相对应的位置，也就使第一金属层20和第二金属层50分别位于由第一透明电极层40和第二透明电极层70形成的第一储存电容的两侧，这样形成的第一储存电容就是透明的电容，实现了使光线能够透过的目的，在保证了框胶的照光硬化的同时，由于其可透光部分可用于形成电容，能够有效的减小第一储存电容的面积，且无需另外设置透光区，进一步减小了第一储存电容的面积，便于满足边框变窄的需求。

实施例三

进一步的，在上述实施例二的基础上，在本实施例中，第二金属层50设在第一绝缘层30上，且第二金属层50的一端延伸到第一透明电极层40上，以使第二金属层50与第一透明电极层40电连接。通过将第二金属层50和第一透明电极层40均设置在第一绝缘层30上，并使第二金属层50的一端延伸到第一透明电极层40上，实现了第二金属层50与第一透明电极层40之间的电连接。具体的，如图3所示，在本实施例中，第二金属层50和第一透明电极层40均设置在第一绝缘层30上，且第二金属层50的一端延伸到第一透明电极层40上，从而实现了第一透明电极层40和第二金属层50的电连接，而第一金属层20通过第一接触孔80与第二透明电极层70电连接，从而使第一透明电极层40和第二透明电极层70形成透明的第一储存电容，达到能使光线透过以保证框胶硬化照光的目的，同时在保证电容容量数值的前提下，减小了第一储存电容的面积，以便于满足边框进一步变窄的需求。

其中，在本实施例中，对第二金属层50一端延伸到第一透明电极层40上的具体延伸长度及厚度等并无其它要求，能够实现第二金属层50与第一透明电极层40间的电连接，且不会影响第一储存电容的透明透光性即可。

需要说明的是，在本实施例中，该阵列基板的储存电容可通过五道掩膜(mask)的工艺制程获得，形成该储存电容的5mask制程方法具体包括：

s201：通过第一道掩膜工艺在所述衬底上形成第一金属层。

s202：在该衬底和第一金属层上形成覆盖第一金属层的第一绝缘层，并通过第二道掩膜工艺在第一绝缘层上形成第一透明电极层，且第一金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的一侧。

s203：通过第三道掩膜工艺在该绝缘层上形成第二金属层，并使第二金属层一端延伸到第一透明电极层上，以使第二金属层和第一透明电极层电性相连，且第二金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的另一侧。

s204：在第二金属层上覆盖钝化层，并通过第四道掩膜工艺在钝化层上与第一金属层相对应的位置形成第一接触孔。

s205：通过第五道掩膜工艺在钝化层上形成第二透明电极层，并使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接，且第一金属层在竖向上与第二透明电极层的一端对应设置。

实施例四

图4是本发明实施例四提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

进一步的，在上述实施例二的基础上，在本实施例中，第一绝缘层30和第一透明电极层40上覆盖有刻蚀阻隔层90，第二金属层50位于刻蚀阻隔层90上且第二金属层50通过第二接触孔100与第一透明电极层40电连接，钝化层60覆盖在刻蚀阻隔层90和第二金属层50上。通过在第一绝缘层30和第一透明电极层40上覆盖刻蚀阻隔层90，将第二金属层50设置在该刻蚀阻隔层90上，并将第二金属层50与第一透明电极层40通过第二接触孔100电连接，来实现第二金属层50与第一透明电极层40之间的电连接，而钝化层60上的第二透明电极层70与第一金属层20通过第一接触孔80电连接，从而使第一透明电极层40和第二透明电极层70形成透明的第一储存电容，能够使光线透过保证框胶的照光硬化，同时在保证电容容量数值的前提下，显著的减小了第一储存电容的面积。

具体的，如图4所示，在本实施例中，在第一绝缘层30和第一透明电极层40上覆盖有刻蚀阻隔层90，第二金属层50设置于刻蚀阻隔层90上，第二金属层50通过第二接触孔100与第一透明电极层40电连接，钝化层60覆盖在第二金属层50从和刻蚀阻隔层90上，钝化层60上设置的第二透明电极层70与第一金属层20通过第一接触孔80电连接，实现了使第一透明电极层40和第二透明电极层70形成透明的第一储存电容，达到能使光线透过以保证框胶硬化照光的同时减小储存电容面积的目的。

需要说明的是，在本实施例中，由于第二金属层50在水平方向上位于第一透明电极层40的另一侧，而第二接触孔100用于将第一透明电极层40和第二金属层50电连接，因此，第二接触孔100的位置应位于与第一透明电极层40的一侧相对应的位置。

需要说明的是，在本实施例中，该阵列基板的储存电容可通过六道掩膜的工艺制程获得，形成该储存电容的6mask制程方法具体包括：

s201：通过第一道掩膜工艺在所述衬底上形成第一金属层。

s202：在该衬底和第一金属层上形成覆盖第一金属层的第一绝缘层，并通过第二道掩膜工艺在第一绝缘层上形成第一透明电极层，且第一金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的一侧。

s203：在第一绝缘层和第一透明电极层上覆盖刻蚀阻隔层，并通过第三道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上与第一透明电极层的另一侧相对应的位置处形成第二接触孔；

s204：通过第四道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上形成第二金属层，该第二金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的另一侧，且第二金属层通过第二接触孔与第一透明电极层电连接。

s205：在第二金属层和刻蚀阻隔层上覆盖钝化层，并通过第五道掩膜工艺在钝化层上与第一金属层相对应的位置形成第一接触孔。

s206：通过第六道掩膜工艺在钝化层上形成第二透明电极层，并使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接，且第一金属层在竖向上与第二透明电极层的一端对应设置。

实施例五

图5是本发明实施例五提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

进一步的，在上述实施例四的基础上，在本实施例中，第二透明电极层70和钝化层60上覆盖有第二绝缘层110，第二绝缘层110上设置有第三透明电极层120，第三透明电极层120与第二金属层50通过第三接触孔130电连接，且第二透明电极层70和第三透明电极层120形成可供光线穿过的第二储存电容。在第二透明电极层70和钝化层60上覆盖第二绝缘层110，在第二绝缘层110上设置第三透明电极层120，并将第三透明电极层120与第二金属层50通过第三接触孔130电连接，而由于第二透明电极层70通过第一接触孔80与第一金属层20电连接，且第一透明电极层40通过第二接触孔100与第二金属层50电连接，因此就使与第一金属层20电连接的第二透明电极层70和与第二金属层50电连接的第三透明电极层120形成了第二储存电容，该第一储存电容和第二储存电容均可作阵列基板上配置的储存电容，也就使第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120三者或者不导通的两者之间均可形成储存电容，而第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120均为透明的，因此形成的储存电容为透明的、可供光线透过的电容，这样在阵列基板衬底上配置的储存电容能够使光线透过以保证框胶的照光硬化，同时，与现有的储存电容相比，其透光部分也可形成电容，且使用第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120共同形成储存电容时，使用较小面积的电容即可满足电容容量的需求，在保证容量数值的前提下，可有效的减小配置的储存电容的面积，有利于满足窄边框的需求。

具体的，如图5所示，在本实施例中，第一金属层20通过第一接触孔80与第二透明电极层70电连接，第二金属层50通过第二接触孔100与第一透明电极层40电连接，而在第二透明电极层70和钝化层60上覆盖有第二绝缘层110，设置在第二绝缘层110上的第三透明电极层120与第二金属层50通过第三接触孔130电连接，从而使与第一金属层20电连接的第二透明电极层70和与第二金属层50电连接的第三透明电极层120形成了第二储存电容，也就使第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120中的三者或其中两者之间形成储存电容，而第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120均为透明的，因此形成的储存电容为透明的、可供光线透过的电容，从而达到了使光线透光以保证框胶硬化照光的同时减小了储存电容面积的目的。

其中，需要说明的是，在本实施例中，该第三透明电极层120可以是铟镓锌氧化物(igzo)、氧化铟锡(ito)、氧化锡、氧化锌等透明氧化物中的任一种形成的。第一透明电极层40、第二透明电极层70和第三透明电极层120的形成材料可以相同可以不同，其中，在本实施例中，第一透明电极层40可以是igzo层，第二透明电极层70可以是共通透明电极(comito)层，第三透明电极层120可以是像素电极层(pixelito)。

在本实施例中，由于第三接触孔130用于将第二金属层50和第三透明电极层120电连接，因此第三接触孔130可以设置在第二绝缘层110上与第二金属层50相对应的位置处。

需要说明的是，在本实施例中，该阵列基板可应用于边缘场开关技术(fringefieldswitching，ffs)构架中，可通过八道掩膜的工艺制程获得，形成该储存电容的8mask制程方法具体包括：

s201：通过第一道掩膜工艺在所述衬底上形成第一金属层。

s202：在该衬底和第一金属层上形成覆盖第一金属层的第一绝缘层，并通过第二道掩膜工艺在第一绝缘层上形成第一透明电极层，且第一金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的一侧。

s203：在第一绝缘层和第一透明电极层上覆盖刻蚀阻隔层，并通过第三道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上与第一透明电极层的另一侧相对应的位置处形成第二接触孔；

s204：通过第四道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上形成第二金属层，该第二金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的另一侧，且第二金属层通过第二接触孔与第一透明电极层电连接。

s205：在第二金属层和刻蚀阻隔层上覆盖钝化层，并通过第五道掩膜工艺在钝化层上与第一金属层相对应的位置形成第一接触孔。

s206：通过第六道掩膜工艺在钝化层上形成第二透明电极层，并使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接，且第一金属层在竖向上与第二透明电极层的一端对应设置。

s207：在第二透明电极层和钝化层上堵盖第二绝缘层，并通过第七道掩膜工艺在第二绝缘层上与第二金属层相对应的位置形成第三接触孔。

s208：通过第八道掩膜工艺在第二绝缘层上形成第三透明电极层，并使第三透明电极层通过第三接触孔与第二金属层电连接。

实施例六

图6是本发明实施例六提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

进一步的，在上述实施例三的基础上，在本实施例中，第一金属层20的一端沿着水平方向从第一透明电极层40的一端延伸到第一透明电极层40的另一端，且第一金属层20和第一透明电极层40形成可供光线穿过的第三储存电容。将第一金属层20的一端沿着水平方向从第一透明电极层40的一端延伸，第二透明电极层70的另一端，具体的，使第一透明电极层40和第二透明电极层70在衬底10上的投影区域位于第一金属层20上，而第一透明电极层40与第二金属层50电连接，就使第一透明电极层40和第一金属层20形成第三储存电容，且形成的该电容为可供光线穿过的电容，具体的，可将第一金属层20设置为栅栏状，以使形成的第三储存电容可透光，另外，与第二金属层50电连接的第一透明电极层40和与第一金属层20电连接的第二透明电极层70之间形成了透明、可供光线穿过的第一储存电容，该第一储存电容和第三储存电容可共同作为阵列基板上配置的储存电容，也就使第一透明电极层40、第二透明电极层70搭配第一金属层20共同形成阵列基板侧配置的储存电容，因此与现有的栅栏式电容相比，相同面积的电容其容量较大，在保证电容容量数值的前提下，减小了配置的储存电容的面积，而且即使第三储存电容为栅栏状，但其上的透明的第二储存电容使栅栏的透光部分也可形成电容，在保证框胶硬化照光的前提下，进一步减小了储存电容的面积。

具体的，如图6所示，在本实施例中，第一金属层20的一端沿着水平方向从第一透明电极层40的一端延伸到第一透明电极层40的另一端，使第一透明电极层40和第二透明电极层70在衬底10上的投影区域位于第一金属层20上，第一透明电极层40与第二金属层50电连接，同时第一金属层20为栅状，就使第一金属层20和第一透明电极层40之间形成了可供光学穿过的第三储存电容，而与第一金属层20电连接的第二透明电极层70和第一透明电极层40之间形成了透明的第一储存电容，这样就使第一透明电极层40、第二透明电极层70搭配第一金属层20形成了阵列基板侧的储存电容，使用较小的面积即可达到所需的电容容量，有效的减小了配置的储存电容的面积，便于满足窄边框的需求。

需要说明的是，在本实施例中，可将第一金属层20设置为栅栏状以使形成的第三储存电容可透光以保证框胶照光硬化，具体的设置方式可参见现有技术，在本实施例中不再赘述。

需要说明的是，在本实施例中，该阵列基板侧的储存电容可通过五道掩膜的工艺制程获得，形成该储存电容的5mask制程方法具体包括：

s201：通过第一道掩膜工艺在所述衬底上形成第一金属层。

s202：在该衬底和第一金属层上形成覆盖第一金属层的第一绝缘层，并通过第二道掩膜工艺在第一绝缘层上形成第一透明电极层，且第一透明电极层在衬底上的投影区域位于第一金属层上。

s203：通过第三道掩膜工艺在该绝缘层上形成第二金属层，并使第二金属层一端延伸到第一透明电极层上，以使第二金属层和第一透明电极层电性相连，且第二金属层在水平方向上设置在第一透明电极层的另一侧。

s204：在第二金属层上覆盖钝化层，并通过第四道掩膜工艺在钝化层上与第一金属层相对应的位置形成第一接触孔。

s205：通过第五道掩膜工艺在钝化层上形成第二透明电极层，且第二透明电极层在衬底上的投影区域位于第一金属层上，并使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接。

实施例七

图7是本发明实施例七提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。

进一步的，在上述实施例四的基础上，在本实施例中，第二金属层50和第一金属层20的一端沿着水平方向分别从第一透明电极层40的一端延伸到第一透明电极层40的另一端，且第一金属层20和第一透明电极层40形成可供光线穿过的第三储存电容，第二金属层50与第二透明电极层70形成可供光线穿过的第四储存电容。需要说明的是，第一金属层20和第二金属层50可设置为栅栏状，以使第三储存电容和第四储存电容为可供光线穿过的电容，通过将第一金属层20和第二金属层50分别从第一透明电极层40的一端延伸到第一透明电极层40的另一端，具体的，使第二透明电极层70在衬底10上的投影区域位于第一金属层20上，使第二金属层50在衬底10上的投影区域覆盖第二金属层50在衬底10上的投影区域，使第一金属层20和第一透明电极之间形成可供光线穿过的第三储存电容，第二金属层50与第二透明电极层70之间形成可供光线穿过的第四储存电容，而第一透明电极层40和第二透明电极层70之间也可形成透明的第一储存电容，该第三储存电容、第二储存电容以及第一储存电容可共同作为阵列基板侧配置的储存电容，这样就使第一透明电极层40、第二透明电极层70、第一金属层20和第二金属层50搭配共同形成阵列基板侧储存电容，使用较小的面积即可达到所需的电容容量，在保证电容容量数值的前提下，减小了配置的储存电容的面积，且与现有的栅栏式储存电容相比，由于透明的第一储存电容的存在，使栅栏的透光部分也可形成电容，在保证框胶硬化照光的前提下，进一步减小了配置的储存电容的面积。

具体的，如图7所示，第一金属层20与第二透明电极层70电连接，第二金属层50与第一透明电极层40电连接，将第一金属层20和第二金属层50的一端沿水平方向分别从第一透明电极层40的一端延伸到第一透明电极层40的另一端，就使第一金属层20和第一透明电极层40之间形成可供光学穿过的第三储存电容，第二金属层50与第二透明电极层70之间形成可供光学穿过的第四储存电容，也就使第一透明电极层40、第二透明电极层70、第一金属层20和第二金属层50搭配形成阵列基板侧储存电容，使用较小的面积即可达到所需的电容容量，有效的减小了配置的储存电容的面积，便于满足窄边框的需求。

需要说明的是，在本实施例中，该阵列基板侧的储存电容可通过六道掩膜的工艺制程获得，形成该储存电容的6mask制程方法具体包括：

s201：通过第一道掩膜工艺在衬底上形成第一金属层。

s202：在该衬底和第一金属层上形成覆盖第一金属层的第一绝缘层，并通过第二道掩膜工艺在第一绝缘层上形成第一透明电极层。

s203：在第一绝缘层和第一透明电极层上覆盖刻蚀阻隔层，并通过第三道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上与第一透明电极层的另一侧相对应的位置处形成第二接触孔；

s204：通过第四道掩膜工艺在该刻蚀阻隔层上形成第二金属层，该第二金属层在衬底上的投影覆盖第一透明电极层在衬底上的投影，且第二金属层通过第二接触孔与第一透明电极层电连接。

s205：在第二金属层和刻蚀阻隔层上覆盖钝化层，并通过第五道掩膜工艺在钝化层上与第一金属层相对应的位置形成第一接触孔。

s206：通过第六道掩膜工艺在钝化层上形成第二透明电极层，且第二透明电极层在衬底上的投影位于第一金属层上，并使第二透明电极层通过第一接触孔与第一金属层电连接。

本发明的另一方面还提供一种显示面板，该显示面板采用上述实施例中的光光配向方法制得，该显示面板可以为电子纸、平板电脑、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机等产品中进行显示的部件。

本发明的又一方面提供一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板，该显示装置具体可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。