一种光刻机的制作方法

本实用新型涉及一种集成电路生产工艺，尤其涉及一种光刻机。

背景技术：

在集成电路生产过程中，光刻曝光工艺是其中必不可少的步骤。硅片在进入光刻机前通常会经过许多工艺流程，由于工艺和机台问题，硅片的背部经常黏附颗粒而受到污染，或硅片因制造异常而导致背部有凸起，异常的硅片经光刻机的承片台送入曝光平台上进行曝光时，硅片的背部异常(如颗粒黏附或凸起)的区域易发生失焦，导致图形变形。且，硅片的背部黏附的颗粒容易留在曝光台，导致后续硅片固定位置凸起，曝光时凸起区域发生失焦，影响产品的良率，且需要进行停机清扫曝光平台，造成光刻机产能损失。

因此，如何研发一种硅片的背部平坦度的检测设备成为业界兹待解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种光刻机，以避免异常曝光硅片漏侦测而导致的产品良率问题。

本实用新型提供的光刻机，包括：承片台，用于放置待曝光的硅片；以及平坦度检测装置，平坦度检测装置位于承片台下方，用于检测待曝光的硅片置于承片台的一侧的平坦度。

更进一步的，平坦度检测装置包括发射器和接收器，发射器用于发射光至待曝光的硅片的背部，接收器用于接收待曝光的硅片的背部反射，或反射及折射的光。

更进一步的，发射器和接收器对称地位于待曝光的硅片的两侧。

更进一步的，发射器包括至少一排LED灯。

更进一步的，发射器发射至待曝光的硅片的背部的光为多束均匀光束。

更进一步的，所述接收器包括判断装置，所述判断装置用于判断接收的光的光强差是否大于一设定值。

本实用新型提供的光刻机，通过在光刻机中加入平坦度检测装置，在待曝光的硅片被传送至曝光平台之前，即在承片台上等待曝光时，用平坦度检测装置以对待曝光的硅片的背部的平坦度进行检测，如此有效侦测晶背颗粒异常凸起，保证存在晶背异常的硅片能够被有效检测到，避免异常曝光硅片漏侦测而导致的产品良率问题。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的硅片曝光流程示意图。

图2为本实用新型一实施例的光刻机的内部示意图。

图3为本实用新型一实施例的平坦度检测装置示意图。

图4为本实用新型一实施例的硅片异常示意图。

对附图中所用到的标记解释如下：

220、承片台；230、平坦度检测装置；310、硅片；311、背部。

具体实施方式

下面将结合附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1及图2，图1为本实用新型一实施例的硅片曝光流程示意图。图2为本实用新型一实施例的光刻机的内部示意图。如图1所示，并请参阅图2，本实用新型的硅片(如硅片)曝光方法,包括：步骤110，提供一光刻机，光刻机包括承片台220和平坦度检测装置230，承片台220用于放置待曝光的硅片310，平坦度检测装置230位于承片台220下方；步骤120，放置一待曝光的硅片310于承片台220上，并等待对待曝光的硅片310进行曝光；步骤130，平坦度检测装置230对待曝光的硅片310的背部311的平坦度进行检测，即对待曝光的硅片310置于承片台220的一侧的平坦度进行检测；步骤140，判断待曝光的硅片310的背部311的平坦度是否正常。如此，待曝光的硅片310被传送至曝光平台之前，即在承片台220上等待曝光时，本实用新型加入平坦度检测装置230以对待曝光的硅片310的背部311的平坦度进行检测的步骤130，如此有效侦测晶背颗粒异常凸起，保证存在晶背异常的硅片能够被有效检测到，避免异常曝光硅片漏侦测而导致的产品良率问题。

本实用新型一实施例中，进一步包括：若待曝光硅片的背部是平坦的，则进入步骤150，对待曝光的硅片进行曝光；若待曝光的硅片的背部是的不平坦的，则进入步骤160，平坦度检测装置230发出报警，然后进入步骤150，对待曝光的硅片进行曝光。

请参阅图3，图3为本实用新型一实施例的平坦度检测装置示意图。如图3所示，平坦度检测装置230包括发射器231和接收器232。硅片310在承片台220上等待曝光时，发射器231发出光至待曝光的硅片310的背部311，并在待曝光的硅片310的背部311发生反射，或反射及折射，接收器232接收硅片310的背部311反射，或反射及折射的光，并根据接收到的反射，或反射及折射光的光强差是否大于一设定值来判断硅片310的背部311是否平坦。具体的，请参考图3，如果待曝光的硅片310的背部311是平坦的，则发射器231发出的光束在硅片310的背部311发生反射，且反射角度相同，则接收器232接收的光的光强将是一致的或光强差小于设定值，则认为硅片310的背部311是平坦的，平坦度检测装置230中的报警器(图中未示出)不发出警报。更具体的，在本实用新型一实施例中，接收器包括判断装置，判断装置用于判断接收的光的光强差是否大于一设定值。请参考图4，如果待曝光的硅片310的背部311是不平坦的，如有颗粒312，则发射器231发出的光将在硅片310的背部311发生反射，或反射及折射，且光在颗粒312上的反射角度将发生偏移，则接收器232接收的光的光强将是不一致的，如果接收器232接收的光的光强差大于设定值，则认为硅片310的背部311是不平坦的，平坦度检测装置230中的报警器(图中未示出)将发出警报，提醒工作人员进行处理。上述设定值可根据实际产品需求进行设置，本实用新型对此不做限定。上述实施例中的“相同”和“一致”可有一定的偏差，如5％；较优的，可有10％的偏差；更优的，可有20％的偏差。

在本实用新型一实施例中，如图3所示，发射器231和接收器232对称地位于待曝光的硅片310的两侧，但本实用新型对此并不做限定，可以根据实际产品需求有适当的偏移。在本实用新型一实施例中，发射器231发出的光为均匀光束，在本实用新型一实施例中，发射器231包括至少一排LED灯，即发出多束均匀光束，如果待曝光的硅片背部是平坦的，则接收器232接收到的光束也将为均匀；如果待曝光的硅片310的背部311有凸起，则硅片310的背部311接收的部分均匀光束将在凸起上发生折射或反射，且反射角度将发生偏移，接收器232接收到的光束将为不均匀的光束，即接收器232接收到的光的强度不同，如此，即可根据接收器232接收的光的光强差是否大于设定值来判断硅片310的背部311的平坦度。

更进一步的，步骤130，平坦度检测装置230对待曝光的硅片310的背部311的平坦度进行检测，还包括步骤131，平坦度检测装置230中的发射器231发出光至待曝光的硅片310的背部311，接收器232接收硅片310的背部311反射，或反射及折射的光。步骤140，判断待曝光的硅片310的背部311的平坦度是否正常，还包括步骤141，判断接收器232接收的光的光强是否大于设定值。硅片工艺完成之后，工作人员对平坦度异常且曝光后的硅片进行检测，如此避免异常曝光硅片漏侦测而导致的产品良率问题。

综上所述，通过在光刻机中加入平坦度检测装置，在待曝光的硅片被传送至曝光平台之前，即在承片台上等待曝光时，用平坦度检测装置以对待曝光的硅片的背部的平坦度进行检测，如此有效侦测晶背颗粒异常凸起，保证存在晶背异常的硅片能够被有效检测到，避免异常曝光硅片漏侦测而导致的产品良率问题。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。