1.一种测量在衬底上形成的目标的方法，所述目标包括对准结构和量测结构，其中所述方法包括：
第一测量过程，包括利用第一辐射照射所述目标并检测由所述第一辐射从所述目标的散射引起的辐射；和
第二测量过程，包括利用第二辐射照射所述目标并检测由所述第二辐射从所述目标的散射引起的辐射，其中：
所述第一测量过程检测所述对准结构的位置；
所述第二测量过程使用由所述第一测量过程检测到的所述对准结构的位置，以将所述第二辐射的辐射斑对准至所述量测结构内的期望部位上；和
所述第二测量过程的辐射斑被使得：
理论上能够围绕形成所述辐射斑的至少第零阶辐射的最小四边形边界框与所述对准结构相交或围绕所述对准结构；和
由所述四边形边界框围绕的至少第零阶辐射完全在所述对准结构之外。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一测量过程包括形成所述对准结构和量测结构的图像。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一测量过程使用计算机实施的图案分辨来分辨所述对准结构。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述量测结构包括周期性结构。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述对准结构是非周期性的。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
在所述量测结构上平均的所述量测结构对所述第一辐射的照射的总反射比与在所述对准结构上平均的所述对准结构对所述第一辐射的照射的总反射比相差达在所述对准结构上平均的所述对准结构对所述第一辐射的照射的总反射比的至少20％。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述目标包括彼此分离的两个或更多个对准结构。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述最小四边形边界框是正方形或矩形。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述辐射斑是圆形或椭圆形。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述辐射斑是限制为圆形或椭圆形的衍射。
11.一种量测设备，用于测量在衬底上形成的目标，所述量测设备包括：
第一测量系统，配置成利用第一辐射照射所述目标并检测由所述第一辐射从所述目标的散射引起的辐射；
第二测量系统，配置成利用第二辐射照射所述目标并检测由所述第二辐射从所述目标的散射引起的辐射；和
控制器，配置成：
使用由所述第一测量系统检测到的辐射检测所述对准结构的位置；和
控制所述第二测量系统使用所检测到的所述对准结构的位置，将所述第二辐射的辐射斑对准到所述量测结构内的期望部位上，其中
所述第二测量的辐射斑被使得：
理论上能够围绕形成所述辐射斑的至少第零阶辐射的最小四边形边界框与所述对准结构相交或围绕所述对准结构；和
由所述四边形边界框围绕的至少第零阶辐射完全在所述对准结构之外。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一测量系统配置成形成所述对准结构和量测结构的图像。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器使用计算机实施的图案分辨来分辨所述对准结构。
14.一种光刻单元，包括：
光刻设备，配置成执行光刻过程以限定在衬底上的目标；和
根据权利要求11-13中任一项所述的量测设备，配置成测量所述目标。
15.一种在衬底上形成的目标，所述目标包括：
对准结构和量测结构，其中：
在所述量测结构上平均的所述量测结构对可见光的照射的总反射比与在所述对准结构上平均的所述对准结构对可见光的照射的总反射比相差达在所述对准结构上平均的所述对准结构对可见光的照射的总反射比的至少20％；
所述量测结构包括其中不存在所述对准结构的部分的圆形或椭圆形区；和
理论上能够围绕所述圆形或椭圆形区的最小四边形边界框与所述对准结构相交或围绕所述对准结构。