1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有树脂(a)，用于形成膜厚为2μm以上的膜，
所述树脂(a)包含具有酸性基团的重复单元及具有酸分解性基团的重复单元，
所述具有酸性基团的重复单元的含量相对于所述树脂(a)中的所有重复单元为15摩尔％以上，
所述具有酸分解性基团的重复单元的含量相对于所述树脂(a)中的所有重复单元大于20摩尔％，
所述树脂(a)的玻璃化转变温度为145℃以下。
2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述酸性基团为羧基、酚性羟基或磺基。
3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂(a)所具有的重复单元的任意至少一种具有芳香环。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述具有酸性基团的重复单元的含量相对于所述树脂(a)中的所有重复单元为45摩尔％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂(a)的汉森溶解度参数为20.5(j/cm3)0.5以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂(a)具有源自于制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体的重复单元b1。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
上述树脂(a)具有汉森溶解度参数为19.5(j/cm3)0.5以下的重复单元c1。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂(a)具有汉森溶解度参数为19.5(j/cm3)0.5以下且源自于制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体的重复单元bc1。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述重复单元b1、c1或bc1是源自于制成均聚物时的玻璃化转变温度为-20℃以下的单体的重复单元。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述重复单元b1、c1或bc1是源自于汉森溶解度参数为16.0(j/cm3)0.5以下的单体的重复单元。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述重复单元b1、c1或bc1是由下述通式(1-2)表示的重复单元，
通式(1-2)中，r1表示氢原子、卤素原子或烷基，r2表示任选地包含杂原子的、碳原子数为4以上的非酸分解性链状烷基。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述重复单元b1、c1或bc1的含量相对于所述树脂(a)中的所有重复单元为5摩尔％以上。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂(a)含有由下述通式(1-2)表示的重复单元、由下述通式(1-3)表示的重复单元及由下述通式(1-4)表示的重复单元，
通式(1-2)中，r1表示氢原子、卤素原子或烷基，r2表示任选地包含杂原子的、碳原子数为4以上的非酸分解性链状烷基，
通式(1-4)中，r11表示氢原子、卤素原子或烷基。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有由下述通式(zi-3)表示的通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物，
通式(zi-3)中，m表示烷基、环烷基或芳基，当具有环结构时，所述环结构任选地包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键及碳-碳双键中的至少一种，r1c及r2c分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或芳基，任选地r1c与r2c键合而形成环，rx及ry分别独立地表示烷基、环烷基或烯基，任选地rx及ry键合而形成环，并且，任选地选自m、r1c及r2c中的至少2个键合而形成环结构，所述环结构中任选地包含碳-碳双键，z-表示阴离子。
15.一种图案形成方法，其包括：
抗蚀剂膜形成工序，使用权利要求1～14中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成抗蚀剂膜；
曝光工序，对所述抗蚀剂膜进行曝光；及
显影工序，使用显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影。
16.一种电子器件的制造方法，其包括权利要求15所述的图案形成方法。
17.一种抗蚀剂膜，其为由权利要求1～14中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的膜厚为2μm以上的膜。