彩膜基板和显示面板的制作方法

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种彩膜基板和显示面板。

背景技术：

便携式电子显示产品功能多方位全面性的发展，对电子显示产品动力驱动组件提出了更高的要求。

现有的便携式电子显示产品，如智能手机、平板电脑等，其电池续航能力依然较差，需要高频率的人为充电，无法满足人们对于便携式电子显示产品电池长久续航的需求。

因此，现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题，需要改进。

技术实现要素：

本发明提供一种彩膜基板和显示面板，以解决现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种彩膜基板，包括：

衬底基板；

彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；

光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；

公共电极层；

转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转化层设置于所述衬底基板和所述彩膜层之间。

在本发明提供的彩膜基板中，所述衬底基板上设置有凹槽，所述光电转换层设置在所述凹槽内。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度和所述凹槽的深度相同。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度和所述黑矩阵的厚度之和小于或等于所述光阻的厚度。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层设置在所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层包括设置在所述衬底基板和所述彩膜层之间的第一光电转换层，以及设置在所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的第二光电转换层。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。

在本发明提供的彩膜基板中，所述光电转换层的厚度为到

本发明还提供一种显示面板，包括如上所述的彩膜基板、阵列基板、液晶、以及连接端子，所述彩膜基板的公共电极层通过所述连接端子与所述阵列基板上的供电电路电连接。

本发明的有益效果为：本发明提供一种彩膜基板和显示面板，其彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的彩膜基板的第一种结构示意图；

图2为本发明实施例提供的彩膜基板的第二种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的彩膜基板的第三种结构示意图；

图4为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。

本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

针对现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题，本发明提供一种彩膜基板可以缓解这个问题。

在一种实施例中，如图1所示，本发明提供的彩膜基板包括：

衬底基板100；

彩膜层200，包括黑矩阵210以及光阻220，所述光阻220包括第一光阻221、第二光阻222和第三光阻223；

光电转换层300，与所述黑矩阵210对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；

公共电极层500；

转换端子，电连接所述公共电极层500以及所述光电转换层300。

本发明提供一种彩膜基板，包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

在本发明提供的实施例中，所述衬底基板100为采用玻璃、石英、透明塑料等制作而成的透明基板或半透明基板

在本发明提供的实施例中，所述黑矩阵210一般为含有金属元素(如Cr或Ti)的BM光刻胶或者是采用炭黑丙烯树脂颜料的BM；所述黑矩阵210通过先在所述衬底基板100上涂布一层黑矩阵材料，然后经过曝光和显影工艺，在所述衬底基板100上形成设定的黑矩阵图案得到；所述黑矩阵210主要用于防止所述第一光阻221、所述第二光阻222和所述第三光阻223之间的混色，提高显示图像的色纯度，同时遮蔽因液晶紊乱造成的漏光。

在本发明提供的实施例中，所述光阻220一般由R、G、B三基色组成，在所述制备好的有固定图案的黑矩阵210上涂布一层所述第一光阻221，然后经过曝光和显影技术，在所述衬底基板上形成所述第一光阻221的图案，接着再依次涂布所述第二光阻222、所述第三光阻223，经过同样的工艺，最终完成包括所述第一光阻221、所述第二光阻222和所述第三光阻223的所述光阻220的制备。

为了避免由于所述彩膜层200内三基色角段差对显示效果带来影响，通常在所述彩膜层200上会制备一层平坦层，所述平坦层通过在所述彩膜层200上涂布一层所述平坦层材料，然后经过膜层固化实现平坦化的效果。因为所述色阻210一般含有金属离子成分，所以平坦层材料一般为电学上高阻的树脂，可以有效防止金属离子成分扩散进入到液晶里面引起残像等显示不良。

在本发明提供的实施例中，所述公共电极层500通常为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明导电薄膜，作为公共电极的ITO薄膜厚度一般为20nm到40nm，所述ITO薄膜采用溅射方法沉积所得。

在一种实施例中，如图1所示，所述光电转换层300设置于所述衬底基板100和所述彩膜层200之间。所述光电转换层300的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。所述光电转换层300的厚度为到所述光电转换层300可以很好的吸收外界进入的光线，并将外界光线的光能转化为电能，提供给电池。

所述光电转换层300将光能转化为电能遵循太阳能电池原理，即半导体PN结的“光生伏特”效应。当太阳光照射PN结时，在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子，相应地便产生了电子-空穴对，并在势垒电场的作用下，电子被驱向N型区，空穴被驱向P型区，从而使N区有过剩的电子，P区有过剩的空穴；于是就在PN结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的一部分抵消势垒电场，其余部分使P型区带正电、N型区带负电；于是就使得N区与P区之间的薄层产生的电动势，即“光生伏打”电动势。当接通外电路时，便有电能输出。

在该实施例中，所述彩膜基板的具体形成步骤为：提供所述衬底基板，并在所述衬底基板上预先设定出所述黑矩阵210对应的区域，并对所述的黑矩阵210对应的全部或是部分衬底基板区域进行处理，形成凹槽，从而形成带有特定凹槽区域的所述衬底基板100；接着在所述衬底基板100上涂布一层光电转换材料，然后通过曝光-显影技术制备得位于所述凹槽内的光电转换层300；随后在所述衬底基板上制备所述黑矩阵210，然后制备所述光阻220，从而形成所述彩膜层200，在所述彩膜层200上制备平坦层400；然后在所述平坦层400上制备所述公共电极层500；最后在所述彩膜基板上制备转换端子，通过所述转化端子将所述光电转换层300和所述公共电极层500连接；如此，所述光电转换层300在吸收外界光能，并将其转化为光生电流之后，通过所述转换端子，经过所述公共电极层500向外输出电流。

如图1所示的彩膜基板，在一种实施例中，所述光电转换层300的厚度和所述凹槽的深度相同，相当于将所述光电转换层300至于所述衬底基板100内，对于后续所述彩膜基板的制备不存在任何的影响和改变。

如图1所示的彩膜基板，在另一种实施例中，所述光电转换层300的厚度小于所述凹槽的深度，并且所述光电转换层300的厚度和所述黑矩阵210的厚度之和小于或等于所述光阻220的厚度。

如图1所示的彩膜基板，在又一种实施例中，所述光电转换层300的厚度大于所述凹槽的深度，并且所述光电转换层300的厚度和所述黑矩阵210的厚度之和小于或等于所述光阻220的厚度。

如图2所示，所述光电转换层300设置于所述彩膜层200远离所述衬底基板100的一侧。所述光电转换层300的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。所述光电转换层300的厚度为到所述光电转换层300可以很好的吸收背光光源发出的光线，并将背光光源光线的光能转化为电能，提供给电池。

在该实施例中，所述彩膜基板的具体形成步骤为：提供所述衬底基板；在所述衬底基板上制备所述黑矩阵210，然后制备所述光阻220，从而形成所述彩膜层200；接着在所述彩膜层200上涂布一层光电转换材料，然后通过曝光-显影技术制备得位于部分或是全部所述黑矩阵210上方的光电转换层300；在所述彩膜层200和所述光电转换层300上制备平坦层400；然后在所述平坦层400上制备所述公共电极层500；最后在所述彩膜基板上制备转换端子，通过所述转化端子将所述光电转换层300和所述公共电极层500连接；如此，所述光电转换层300在吸收外界光能，并将其转化为光生电流之后，通过所述转换端子，经过所述公共电极层500向外输出电流。

如图2所示的彩膜基板，在一种实施例中，所述光电转换层300的厚度和所述黑矩阵210的厚度之和等于所述光阻220的厚度。

如图2所示的彩膜基板，在另一种实施例中，所述光电转换层300的厚度和所述黑矩阵210的厚度之和小于所述光阻220的厚度。

如图3所示，所述光电转换层300包括设置在所述衬底基板100和所述彩膜层200之间的第一光电转换层310，以及设置在所述彩膜层200远离所述衬底基板100一侧的第二光电转换层320。所述光电转换层300的材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、砷化镓、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚对苯撑乙烯、以及聚噻吩中的一种。所述光电转换层300的厚度为到所述第一光电转换层310可以很好的吸收外界进入的光线，并将外界进入光线的光能转化为电能；所述第二光电转换层320可以很好的吸收背光光源发出的光线，并将背光光源光线的光能转化为电能，所述第一光电转换层310和所述第二光电转换层320可以同时吸收外界和自身的光线，并将其转化为光能，提供给电池，做到了光能的最大利用。

在该实施例中，所述彩膜基板的具体形成步骤为：提供所述衬底基板，并在所述衬底基板上预先设定出所述黑矩阵210对应的区域，并对所述的黑矩阵210对应的全部或是部分衬底基板区域进行处理，形成凹槽，从而形成带有特定凹槽区域的所述衬底基板100；接着在所述衬底基板100上涂布一层光电转换材料，然后通过曝光-显影技术制备得位于所述凹槽内的第一光电转换层310；随后在所述衬底基板上制备所述黑矩阵210，然后制备所述光阻220，从而形成所述彩膜层200；接着，在所述彩膜层200上涂布一层光电转换材料，然后通过曝光-显影技术制备得位于部分或是全部所述黑矩阵210上方的第二光电转换层320；在所述第二光电转换层320和所述彩膜层200上制备平坦层400；然后在所述平坦层400上制备所述公共电极层500；最后在所述彩膜基板上制备转换端子，通过所述转化端子将所述第一光电转换层310和所述第二光电转换层320与所述公共电极层500连接；如此，所述光电转换层300在吸收光能，并将其转化为光生电流之后，通过所述转换端子，经过所述公共电极层500向外输出电流。

同时，如图4所示，本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上述任一实施例所述的彩膜基板、阵列基板、液晶、以及连接端子，其中所述彩膜基板的公共电极层通过所述连接端子与所述阵列基板上的供电电路电连接。其工作原理与上述彩膜基板相似，具体可参照上述实施例，在此不再一一详细介绍。

本发明提供一种显示面板，其彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

根据上述实施例可知：

本发明提供一种彩膜基板和显示面板，其彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，包括黑矩阵以及光阻；光电转换层，与所述黑矩阵对应设置，用于将吸收到的光能转化为电能；公共电极层；转换端子，电连接所述公共电极层以及所述光电转换层。通过在黑矩阵单元对应位置设置光电转换层，将外界进入的光能以及背光模组本身的光能吸收后转化为电能，从而对电子产品的电池进行自充电，缓解了现有便携式电子显示产品存在电池续航能力弱的问题。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。