涂胶设备及涂胶方法与流程

本发明一般涉及面板制备领域，尤其涉及涂胶设备及涂胶方法。

背景技术：

目前，薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，以下简称tft-lcd)以其薄体积，宽视角，高清晰等优点，已成为当今市场主流的平板显示器件，并且随着经济的发展，电视显示面板逐渐趋于大尺寸化，这对像素充电能力、工艺均匀性都提出了更大的挑战。为了提高面板像素充电能力，最直接有效的方式就是增大金属导电膜层厚度，以降低面电阻，抵消信号传输过程中由于电阻消耗引起的电压降低。

当前tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)基板的主要制备流程为镀膜、光刻、刻蚀三大工艺，其中光刻工艺是在镀膜膜层上均匀涂覆光刻胶，利用掩膜板在曝光机的作用下进行区域曝光，最后利用显影液将发生曝光的光刻胶显影掉形成特征图案，光刻胶特征图案作为后续etch工艺的阻挡层保护下方镀膜，光刻工艺形成的图案质量直接决定最终形成的图案。当前高世代线光刻工艺中的光刻胶涂覆单元主要为精细刮涂，涂覆完的基板由机械手臂取出放置于减压干燥单元进行光刻胶固化。液晶面板制造企业常用光刻胶粘度在3.6cp左右，有较强流动性，实际操作过程中机械手臂移动基板时，整个基板会发生较大抖动，玻璃基板尺寸越大，抖动越明显，基板抖动引起光刻胶流动，造成光刻胶均一性变差。

并且光刻胶是涂覆在高低起伏的图案化镀膜之上，针对高世代线，为降低面电阻金属膜层厚度一般在左右，膜层刻蚀完成后高度段差较大，这种光刻胶由高处向低处流动情况更加明显，造成下层镀膜较低处光刻胶偏厚而较高处光刻胶偏薄现象，最终导致曝光、显影后出现光刻胶残留和关键尺寸偏离等不良的情况，这种不良在曝光剂量要求较高的半透膜掩膜工艺更加严重。此外，由于玻璃基板在移动过程中不同位置抖动程度不同，导致光刻胶流动情况不同，导致同一基板不同位置光刻胶厚度变化情况更加复杂。

技术实现要素：

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种涂胶设备及涂胶方法。

第一方面，提供一种涂胶设备，包括基板放置区，所述基板放置区用于放置待涂胶基板，所述基板放置区上方设有可移动喷头，所述喷头用于喷涂光刻胶，所述基板放置区下方设有多个激光器。

第二方面，提供一种涂胶方法，采用上述的涂胶设备进行涂胶。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过在涂胶设备中增加多个激光器进行基板的边涂胶边固化，能够有效防止基板在传送的过程中引起的光刻胶不规则流动，提高了曝光前光刻胶膜层的均一性，提升了曝光的精度，有效防止了光刻胶残留等不良，同时将光刻胶涂覆和固化进行整合，节省了后续的步骤，降低了单件产品的生产时间。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实施例中涂胶设备结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参考图1，本实施例提供一种涂胶设备，包括基板放置区1，所述基板放置区1用于放置待涂胶基板6，所述基板放置区1上方设有可移动喷头2，所述喷头2用于喷涂光刻胶7，所述基板放置区1下方设有多个激光器3。

本实施例中通过在涂胶设备中增加多个激光器，在可移动喷头进行光刻胶的涂覆的时候通过激光器进行光刻胶的固化，能够有效防止基板在传送的过程中引起的光刻胶不规则流动，提高了曝光前光刻胶膜层的均一性，提升了曝光的精度，有效防止了光刻胶残留等不良，同时将光刻胶涂覆和固化进行整合，节省了后续的步骤，降低了单件产品的生产时间。

进一步的，多个所述激光器3均匀分布在所述基板放置区1下方。本实施例中的涂胶设备一般采用气悬浮的方式进行基板的放置，在基板下方设置多个激光器对光刻胶进行加热固化，将多个激光器均匀设置在基板放置区的下方，均匀的对基板进行加热，可以进一步的根据基板的尺寸不同进行激光器分布的具体设置。

进一步的，所述基板放置区1与所述激光器3之间还设有多个温度传感器。本实施通过设置温度传感器对光刻胶加热温度进行实时的监控，防止温度过高对基板等产品造成损坏或者温度过低造成光刻胶无法固化的情况发生，温度传感器将检测的实时温度进行反馈，进一步灵活的控制激光器的输出功率，保证该涂胶设备对光刻胶的固化效果。

进一步的，所述激光器3与所述温度传感器一一对应设置。本实施例中在每个激光器与基板放置区之间均设置一个温度传感器，通过温度传感器实时的检测每一个激光器发出的激光位置的温度，实时的对每个激光器进行控制和调节，灵活的控制每个激光器的输出功率。

进一步的，还包括涂胶腔室4，所述基板放置区1、所述可移动喷头2以及所述激光器3均设置在所述涂胶腔室4内，

所述涂胶腔室4设置有多个真空排气口5，所述真空排气口连接真空泵。

本实施例中的涂胶设备还包括有涂胶腔室，上述的待涂胶基板以及可移动喷头、激光器、温度传感器等设备均放置在涂胶腔室内，通过在涂胶腔室内设置真空泵和多个真空排气口进行抽真空，图1中并未示出真空泵，本实施例选用的真空泵极限真空度需要不低于100pa，保证该涂胶设备的运行。

进一步的，所述真空排气口设置于所述涂胶腔室的顶部和/或底部。本实施例将真空排气口设置在涂胶腔室的顶部和/或者底部，通过真空泵和真空排气口的作用将该腔室内的压强控制在100pa左右，使得该涂胶设备可以进行激光器的加热和真空的干燥。

进一步的，所述激光器为二氧化碳激光器，每个所述激光器发射的激光波长为10.6μm，功率密度为160～200w/cm²，每个所述激光器加热温度区间为60～120℃。

本实施例中通过调节激光器焦点，将激光的能量聚焦在光刻胶所在的平面，优选的采用固定波长的二氧化碳激光器，效率较高，优选的该激光器的功率密度设置为160w/cm²，加热温度控制在60～120℃之间，优选的选用100℃的加热温度，进一步的综合考虑光刻胶的流动性以及单件产品的生产时间进行加热时间的管控。

本实施例提供的涂胶设备通过增加设置激光器对光刻胶进行固化，进一步的通过温度传感器进行加热温度的控制等，能够有效防止基板在传送过程中引起的光刻胶不规则流动；同时，本实施例中的装置可以直接在现有设备上进行改装，实现产线的快速升级。

本发明实施例还提供一种涂胶方法，采用上述的涂胶设备进行涂胶。将待涂胶基板放置在基板放置区，上方的可移动喷头移动记性光刻胶的涂覆，同时，下方的激光器发射激光进行光刻胶的固化和干燥，能够防止后续基板传送过程中引起的光刻胶不规则流动的问题，提高了曝光前光刻胶膜层的均一性。

进一步的，多个所述激光器3沿所述可移动喷头2移动方向顺次开启。本实施例中在进行涂胶的过程中开启激光器对光刻胶进行固化和干燥，其中为了保证固化干燥的效果，将激光器的开启顺序与可移动喷头的移动方向保持一致，使得喷出光刻胶后激光器能够立刻对该光刻胶进行固化干燥，保证了光刻胶固化的效果。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。