技术特征：
技术总结
本发明提供了一种纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法。该纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300‑800纳米，线栅宽度50‑400纳米；所述多个条状结构线栅厚度为40‑60纳米，其材料为金属纳米结构超材料。该装置利用超材料表面等离激元共振产生的超强局域场和超小模体积，增强荧光材料的自发辐射率和荧光强度，通过调节纳米线栅结构的线宽调制荧光增强程度，并通过调节纳米线栅结构的周期控制荧光场增强方向，从而解决了现有材料荧光信号弱以及现有技术难以调制荧光增强程度和光场偏振方向的技术问题。
技术研发人员：韩春蕊;齐月静;王宇;叶剑挺
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2019.05.10
技术公布日：2019.08.16