微光刻投射曝光装置中的组件的制作方法

文档序号:19282788发布日期:2019-11-29 23:09阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种在微光刻投射曝光装置中的组件,具有:

·光学元件(100、200);

·至少一个重量补偿装置,其包含至少一个磁路,由该磁路所产生的磁场引起力,用于至少部分地补偿作用在该光学元件(100、200)上的重量的力;以及

·具有多个线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)的线圈配置,该线圈配置能够由电流来赋能以产生作用于该光学元件(100、200)上的补偿力,该补偿力至少部分地补偿当该光学元件(100、200)移动时由该磁路所施加的寄生力,但对作用在该光学元件(100、200)上的该重量的力的补偿没有贡献。

2.如权利要求1所述的组件,其特征在于该线圈配置的线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)至少部分地位于该磁路的杂散场中。

3.如权利要求1或2所述的组件,其特征在于该线圈配置的线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)能够彼此独立地用电流来赋能。

4.如权利要求1到3其中任一项所述的组件,其特征在于该线圈配置包含至少五个线圈,特别是至少六个线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)。

5.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于这些线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)中至少某些线圈相对于该重量补偿装置的系统轴在方位角上偏移。

6.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该线圈配置包含相对于该重量补偿装置的系统轴在方位角上相对于彼此偏移的线圈(151a、151b、151c、251a、251b、251c)的第一组(151、251)以及相对于该系统轴在方位角上相对于彼此偏移的线圈(152a、152b、152c、252a、252b、252c)的第二组(152、252)。

7.如权利要求6所述的组件,其特征在于该第一组(151、251)的线圈(151a、151b、151c、251a、251b、251c)相对于该第二组(152、252)的线圈(152a、152b、152c、252a、252b、252c)在方位角上偏移。

8.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该磁路的至少一个磁体固定在该光学元件(100、200)上。

9.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该磁路的至少一个磁体固定在固定支撑框架(105、205)上。

10.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该重量补偿装置具有相对于该光学元件(100、200)固定不动的部分,并仅通过磁力耦接至该光学元件(100、200)。

11.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该重量补偿装置包含第一磁环(110、210)和至少一个第二磁环(121、122、221、222),与一个第一磁环(110、210)相比,该至少一个第二磁环(121、122、221、222)相对于该重量补偿装置的系统轴在径向上更向内地布置。

12.如权利要求11所述的组件,其特征在于该线圈配置布置在位于该第一磁环(110、210)和该第二磁环(121、122、221、222)之间的间隙之外。

13.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该组件包含至少一个力传感器,用于测量当该光学元件(100、200)移动时由该磁路所施加的寄生力。

14.如前述权利要求中任一项所述的组件,其特征在于该光学元件(100、200)为反射镜。

15.一种微光刻投射曝光装置的光学系统,其特征在于该光学系统具有至少一个如前述权利要求中任一项所述的组件。


技术总结
本发明关于在微光刻投射曝光装置中的组件,其具有光学元件(100、200)、至少一个重量补偿装置以及具有多个线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)的线圈配置,其中至少一个重量补偿装置包含至少一个磁路,由此磁路所产生的磁场引起力,用于至少部分地补偿作用在光学元件上的重量的力,以及其中线圈配置可由电流来赋能以产生作用于光学元件上的补偿力,此补偿力至少部分地补偿当光学元件移动时由磁路所施加的寄生力且对作用在光学元件上的重量的力的补偿无贡献。

技术研发人员:J.威斯林;M.埃拉思;A.霍利;S.特罗格;A.沃格勒
受保护的技术使用者:卡尔蔡司SMT有限责任公司
技术研发日:2019.05.22
技术公布日:2019.11.29
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