技术总结
本公开提供了一些光刻胶去除方法。光刻胶去除方法包括通过残留气体分析仪对正在经受测试等离子体灰化工艺的多个半导体基板模型的每一者的工艺状态进行分析。用于半导体基板模型的测试等离子体灰化工艺使用多个测试配方；光刻胶去除方法还包括基于残留气体分析仪的分析结果以及至少一个预期的性能标准，选择测试配方的其中一者作为工艺配方。此外，光刻胶去除方法包括根据工艺配方，在半导体基板上进行等离子体灰化工艺，以从半导体基板上去除光刻胶层。
技术研发人员：萧忠仁;陈雅萍;林建宏;刘文斌;陈志文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2019.07.12
技术公布日：2020.01.21