曝光方法及使用该曝光方法制造显示装置的方法与流程

本发明构思的示例性实施方式涉及曝光方法和使用该曝光方法制造显示装置的方法。

背景技术：

近来，已经制造出具有轻重量和小尺寸的显示装置。由于性能和有竞争力的价格，已经使用阴极射线管(crt)显示装置。然而，crt显示装置在尺寸或便携性上具有劣势。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置由于小尺寸、轻重量和低功耗而受到高度重视。

显示装置可包括形成在衬底上的诸如滤色器等的图案。可以通过用图案化的掩模曝光和显影光致抗蚀剂层来形成图案。此时，由于显示装置可以制造得较大，因此当显示装置的尺寸大于掩模的尺寸时，可以使用利用步进式曝光设备通过多次投影执行曝光和显影的方法。然而，存在这样的问题，可能由于在多个曝光区域的边界处形成的拼接污点而降低显示质量。

技术实现要素：

根据本发明构思的一个或多个示例性实施方式的方面，提供了一种步进式曝光方法，其中减少了拼接污点。

根据本发明构思的一个或多个示例性实施方式的另一方面，提供了使用这种曝光方法制造显示装置的方法。

根据本发明构思的一个或多个示例性实施方式，用于步进式移动矩形掩模和被划分成多个区域的衬底的相对位置，并将区域中的每一个暴露于投影的曝光方法包括：第一投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第一区域上，检测掩模的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第一投影部；第二投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第二区域上，检测掩模的、与第一投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第二投影部；以及第三投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第三区域上，检测掩模的、与已经曝光的相邻投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第三投影部。

在示例性实施方式中，第一区域、第二区域和第三区域可以依次连续地布置。可以通过在第一区域的一侧上对齐掩模的一侧来执行第一投影曝光中的对齐。可以通过在第一投影部的一侧上对齐掩模的一侧来执行第二投影曝光中的对齐。可以通过在第二投影部的一侧上对齐掩模的一侧来执行第三投影曝光中的对齐。

在示例性实施方式中，在第一投影曝光中，当掩模位于对齐偏移范围内时，认为对齐完成，并随后可以曝光第一投影部。在第二投影曝光中，可以使用差异量对齐掩模，差异量是与对齐目标坐标的偏移。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，检测并存储与在曝光第二投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标。在第三投影曝光中，可使用其他两个点的坐标对齐掩模。

在示例性实施方式中，检测坐标和对齐坐标分别具有(x、y、θ)的值，其中，x是x坐标，y是y坐标，以及θ通过以下等式计算：

其中，k是拐角编号，并且c是每个投影部的四个拐角的平均值，在第一投影曝光中，检测到的两个点的坐标是(x①1、y①1、θ①1)和(x①2、y①2、θ①2)，在第一投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x①、y①、θ①)通过以下等式计算：

x①＝-(x①1+x①2)/2

y①＝-(y①1+y①2)/2

θ①＝-(θ①1+θ①2)/2

并且存储在曝光第一投影部时掩模的实际位置与对齐偏移范围内的对齐目标坐标(x①、y①、θ①)之间的差异量(δx①、δy①、δθ①)。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，检测到的两个点的坐标可以是(x②3、y②3、θ②3)和(x②4、y②4、θ②4)。在第二投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x②、y②、θ②)可以通过以下等式计算：

x②＝δx①-(x②3+x②4)/2

y②＝δy①-(y②3+y②4)/2

θ②＝δθ①-(θ②3+θ②4)/2

并且可以检测与在曝光第二投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标，可以存储检测到的其他两个点的坐标与第二区域中的相应两个点的坐标之间的差异量(δx②’、δy②’、δθ②’)。

在示例性实施方式中，在第三投影曝光中，检测到的两个点的坐标可以是(x③3、y③3、θ③3)和(x③4、y③4、θ③4)。在第三投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x③、y③、θ③)可以通过以下等式计算：

x③＝δx②’-(x③3+x③4)/2

y③＝δy②’-(y③3+y③4)/2

θ③＝δθ②’-(θ③3+θ③4)/2。

在示例性实施方式中，在第三投影曝光中，可以检测与在曝光第三投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标，可以存储检测到的其他两个点的坐标与第三区域中的相应两个点的坐标之间的差异量(δx③’、δy③’、δθ③’)。曝光方法还包括：第四投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第四区域上，检测掩模的、与已经曝光的相邻投影区域相邻的一侧上的两个点的第四坐标，使用第四坐标对齐掩模，并随后曝光第四投影部，在第四投影曝光中，检测到的两个点的坐标可以是(x④3、y④3、θ④3)和(x④4、y④4、θ④4)。在第四投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x④、y④、θ④)可以通过以下等式计算：

x④＝δx③’-(x④3+x④4)/2

y④＝δy③’-(y④3+y④4)/2

θ④＝δθ③’-(θ④3+θ④4)/2。

在示例性实施方式中，第一区域可以位于第二区域与第三区域之间。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，掩模可以沿着由第一投影部和第二投影部接触而形成的拼接线滑动一定量(例如，预定量)以进行对齐。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，掩模的滑动的量可以通过使用掩模的四个点的坐标来确定。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x②、y②、θ②)可以通过以下等式计算：

x②＝δx①-(x②3+x②4)/2+δx②s

y②＝δy①-(y②3+y②4)/2+δy②s

θ②＝δθ①-(θ②3+θ②4)/2

其中，(δx①、δy①、δθ①)是在曝光第一投影部时掩模的实际位置与对齐偏移范围内的对齐目标坐标之间的差异量，(x②3、y②3、θ②3)和(x②4、y②4、θ②4)是在第二投影曝光中检测到的两个点的坐标，并且滑动量δx②s、δy②s可以通过以下等式计算：

δy②s＝δy②a-(y②3+y②4)/2

δx②s＝δy②s·[(x①1-x①2)/(y①1-y①2)]

其中，“a”是权重值并且可以被设定为0与1之间的值并且(x①1、y①1、θ①1)和(x①2、y①2、θ①2)是在第一投影曝光中检测到的两个点的坐标。在第二投影曝光中，可以检测与在曝光第二投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标，可以存储检测到的其他两个点的坐标与第二区域中的相应两个点的坐标之间的差异量(δx②’、δy②’、δθ②’)。

在示例性实施方式中，在第三投影曝光中，掩模的对齐目标坐标(x③、y③、θ③)可以通过以下等式计算：

x③＝δx②’-(x③3+x③4)/2+δx③s

y③＝δy②’-(y③3+y③4)/2+δy③s

θ③＝δθ②’-(θ③3+θ③4)/2

其中，(x③3、y③3、θ③3)和(x③4、y③4、θ③4)是在第三投影曝光中检测到的两个点的坐标，并且滑动量δx③s、δy③s可以通过以下等式计算：

δy③s＝δy③a-(y③3+y③4)/2

δx③s＝δy③s·[(x②1-x②2)/(y②1-y②2)]

其中，“a”是权重值并且可以被设定为0与1之间的值，并且(x②1、y②1、θ②1)和(x②2、y②2、θ②2)是与在曝光第二投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标。在第三投影曝光中，可以检测与在曝光第三投影部时执行对齐处的两个点相对的其他两个点的坐标，可以存储检测到的其他两个点的坐标与第三区域中的相应两个点的坐标之间的差异量(δx③’、δy③’、δθ③’)。

在示例性实施方式中，第二投影曝光中的权重值“a”和第三投影曝光中的权重值“a”可以彼此不同。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，以可以将附加偏移值进一步添加至滑动量δx②s、δy②s的量进行滑动。

根据本发明构思的一个或多个示例性实施方式，用于通过m次投影曝光包括m个区域的衬底的曝光方法包括：第一投影曝光，相对于第一区域的一侧对齐；第n投影曝光，相对于与第n区域相邻的、已完成曝光的投影部的一侧对齐，其中，n是大于或等于2且小于m的自然数；以及第m投影曝光，相对于与第m区域相邻的、已完成曝光的投影部的一侧对齐。

在示例性实施方式中，在第n投影曝光中，第n投影部的一侧可以沿着已完成曝光的投影部的一侧滑动以进行对齐，并随后可以曝光第n投影部。

在示例性实施方式中，可以使用与第n投影部的拐角对应的至少两个点来计算滑动的位置。

根据本发明构思的一个或多个示例性实施方式，制造显示装置的方法包括：在划分成多个区域的衬底上形成光致抗蚀剂层；使用曝光设备曝光光致抗蚀剂层，该曝光设备用于步进式移动衬底和掩模的相对位置并使各个区域曝光于各个投影；以及显影经曝光的光致抗蚀剂层以形成图案。曝光包括：第一投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第一区域上，检测掩模的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第一投影部；第二投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第二区域上，检测掩模的、与第一投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用坐标对齐掩模，并随后曝光第二投影部；以及第三投影曝光，其中，掩模位于衬底的多个区域中的第三区域上，检测掩模的、与已经曝光的相邻投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第三投影部。

在示例性实施方式中，在第二投影曝光中，掩模可以沿着通过第一投影部和第二投影部接触而形成的拼接线滑动一定量(例如，预定量)以进行对齐。

根据本发明构思的示例性实施方式的方面，在曝光方法中，步进式移动矩形掩模和被划分成多个区域的衬底的相对位置，并且区域中的每一个被曝光于每次投影。根据曝光方法，掩模位于衬底的第一区域上，检测掩模的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第一投影部。掩模位于衬底的第二区域上，检测掩模的、与第一投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第二投影部。掩模位于衬底的第三区域上，检测掩模的、与已经曝光的相邻投影区域相邻的一侧上的两个点的坐标，使用该坐标对齐掩模，并随后曝光第三投影部。此时，由于每个投影部关于拼接线两点对齐，因此可以最小化或降低多个投影部的拼接线周围的曝光的不均匀性。

另外，在使用以上曝光方法形成的图案中，可以减少拼接污点。

应理解，一些示例性实施方式的前述一般描述和以下详细描述两者均为示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

通过参考附图进一步详细描述本发明构思的一些示例性实施方式，本发明构思的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：

图1是在根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法中使用的曝光设备的示意图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图；

图3是示出根据图2的曝光方法形成的多个投影区域的平面图；

图4是示出位于图3中的第一投影区域的拐角部分处的衬底的对齐标记和掩模的对齐标记的放大平面图；

图5是示出基于根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法形成的多个投影区域的平面图；

图6是示出基于根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法形成的多个投影区域的平面图；

图7是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图；

图8是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图；

图9是示出使用根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法制造的显示装置的剖面图；以及

图10是示出使用根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法制造显示装置的方法的流程图。

具体实施方式

在本文中，将参考附图更详细地解释本发明构思。

在附图中，为了清楚说明，可夸大组件的厚度、比例和尺寸。如本文中所用，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

如本文中所用，“包括(include)”或“包括(comprise)”指定存在性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除存在其他性质、固定数目、步骤、操作、元件、组件或其组合。

在元件被描述为与另一元件相关的情况下，例如在另一元件“上”或“位于”不同元件或层“上”，这包括其中元件直接位于另一元件或层上的情况和其中元件经由另一层或又一元件位于另一元件上的情况。相反，在元件被描述为与另一元件相关的情况下，例如“直接在”另一元件“上”或“直接位于”不同元件或层“上”，这表示其中元件位于另一元件或层上而其间没有介于中间的元件或层的情况。

在整个说明书中，相同的附图标记用于相同或相似的部件。

将理解，虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离示例实施方式的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应当理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种定向。设备可另行定向(旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。

本文中使用的术语用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制示例实施方式。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确说明。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例实施方式所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。

图1是在根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法中使用的曝光设备的示意图。

参见图1，曝光设备可以是步进式接近曝光设备，并且可以在移动待处理的衬底2的位置的同时曝光多个投影部(shot)。

在实施方式中，曝光设备可包括基底10、台部、工作卡盘40、掩模50、掩模架60和对齐检测系统70。

台部、工作卡盘40、掩模架60、对齐检测系统70和光源单元可设置在基底10上。

台部可配置成相对地移动衬底2和掩模50，并且包括例如xy台部20和倾斜台部30。xy台部20可以在x方向和y方向上移动衬底2，并且可以通过倾斜台部30控制衬底2的旋转和倾斜。另外，曝光设备还可包括用于调整衬底2与掩模50之间的间隙g的结构。尽管xy台部20和倾斜台部30被描述为与衬底2和掩模50一起被包括以使衬底2和掩模50相对移动，但是本发明不限于此。

工作卡盘40可以吸附并固定并支承待成为加工对象的衬底2。

在实施方式中，掩模架60可以通过真空保持掩模50。

对齐检测系统70可检测衬底2的第一对齐标记(参见图4中的mk1)和掩模50的第二对齐标记(参见图4中的mk2)。在实施方式中，对齐检测系统70可以布置成与具有矩形形状的掩模50的四个拐角对应。

在实施方式中，曝光设备还包括用于测量间隙g(掩模50与衬底2之间的距离)的间隙传感器以及用于产生光以通过掩模50照射衬底2的光源单元(未示出)。

图2是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图；图3是示出根据图2的曝光方法形成的多个投影区域的平面图；以及图4是示出位于图3中的第一投影区域的拐角部分处的衬底的对齐标记和掩模的对齐标记的放大平面图。

参见图2至图4，在实施方式中，曝光方法可包括第一投影曝光步骤s100、第二投影曝光步骤s200、第三投影曝光步骤s300和第四投影曝光步骤s400。在本实施方式中，将衬底2划分成四个区域，并通过四次投影完成曝光过程。然而，衬底2可以被划分成n个区域(其中n是3或更大的自然数)，并且可以通过n次投影完成曝光过程。另外，区域的布置可以变化。例如，尽管在一个实施方式中在水平方向上布置了四个区域，但是它们可以被划分成例如三个区域或六个区域。

再参考图3，该图示出了理想投影区域(虚线)(即，衬底2上的区域)和实际投影区域(实线)。在实施方式中，曝光区域被划分成四个区域，这四个区域通过针对整个区域的第一投影至第四投影而曝光。然而，可以根据需要将曝光区域划分成适当的数量。在本实施方式中，理想投影区域(虚线)是衬底2上应该进行投影的区域，并且第一区域至第四区域沿x方向依次布置。

这里，将平面上的一个方向定义为x方向(x)，将平面上与x方向正交的方向定义为y方向(y)，将与x方向和y方向正交的竖直方向定义为z方向，并且将与x方向和y方向正交的轴的圆周方向定义为θ方向。

另外，使用圆圈中的数字在图上显示每个投影部的编号(例如，第一投影部是①，并且第二投影部是②)，并且每个投影部的四个拐角由带圆圈的数字后面的数字表示。即，第一投影部的右上角ur1的坐标是(x①1、y①1、θ①1)，第一投影部的右下角lr1的坐标是(x①2、y①2、θ①2)，第一投影部的左下角ll1的坐标是(x①3、y①3、θ①3)，以及第一投影部的左上角ul1的坐标是(x①4、y①4、θ①4)。

第二投影部的右上角ur2的坐标是(x②1、y②1、θ②1)，第二投影部的右下角lr2的坐标是(x②2、y②2、θ②2)，第二投影部的左下角ll2的坐标是(x②3、y②3、θ②3)，以及第二投影部的左上角ul2的坐标是(x②4、y②4、θ②4)。

第三投影部的右上角ur3的坐标是(x③1、y③1、θ③1)，第三投影部的右下角lr3的坐标是(x③2、y③2、θ③2)，第三投影部的左下角ll3的坐标是(x③3、y③3、θ③3)，以及第三投影部的左上角ul3的坐标是(x③4、y③4、θ③4)。

第四投影部的右上角ur4的坐标是(x④1、y④1、θ④1)，第四投影部的右下角lr4的坐标是(x④2、y④2、θ④2)，第四投影部的左下角ll4的坐标是(x④3、y④3、θ④3)，以及第四投影部的左上角ul4的坐标是(x④4、y④4、θ④4)。

这里，每个坐标表示(x坐标、y坐标和θ值，θ值是在xy平面上旋转的量)，并且与θ相关的值可以如下计算：

其中，k是拐角编号，并且c是每个投影部的四个拐角的平均值。

此时，在每个投影部的边界处形成拼接线sl。尽管在图中，第一投影部的右侧和第二投影部的左侧彼此重合，但是其实际上可以在对齐偏移范围内偏移一定量(例如，预定量)。当掩模50通过曝光设备移动并对齐时，对齐检测系统70可以检测到的位置的精度大于掩模50可以移动的精度，使得当掩模50接近预定范围内的对齐位置时，可以在对齐时进行曝光过程。此时，可以将容许误差范围限定为对齐偏移范围。

另一方面，第一对齐标记(参见图4中的mk1)可以在每个理想投影区域的拐角处位于衬底2上。每个投影部的拐角(ul1至lr4)与每个曝光区域的拐角对应。因此，拐角ul1至lr4可以示出与掩模50的各个拐角对应的第二对齐标记(参见图4中的mk2)的位置。

在本文中，将参见图2和图3更详细地描述以上曝光方法。

在第一投影曝光步骤s100中，两个点ur1和lr1可以关于理想投影区域的一侧(本实施方式中的右侧参考)对齐。

可以将掩模50移动到第一投影位置(理想位置)，并随后对齐。可以使用以下等式使第一次投影的曝光位置(曝光位置是指两个对齐点的中心坐标，这里，右侧的中心坐标)对齐：

x①＝-(x①1+x①2)/2

y①＝-(y①1+y①2)/2

θ①＝-(θ①1+θ①2)/2。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第一投影坐标(x①、y①、θ①)对齐，并随后可以对第一投影部进行曝光。

此时，如上所述，当曝光第一投影部时，掩模50的实际位置可能与对齐偏移范围内的坐标(x①、y①、θ①)错位。曝光设备可检测并存储错位(δx①、δy①、δθ①)。

此后，在第二投影曝光步骤s200中，两个点(ul2、ll2)可以关于拼接线sl对齐。此时，为了设定下一次投影(第三次投影)的目标位置，可以检测相对侧上的两个点(ur2和lr2)的坐标。

可以将掩模50移动到第二投影位置(理想位置)，并随后对齐。可以使用以下等式使第二次投影的曝光位置(两个对齐点的中心坐标)对齐：

x②＝δx①-(x②3+x②4)/2

y②＝δy①-(y②3+y②4)/2

θ②＝δθ①-(θ②3+θ②4)/2。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第二投影坐标(x②、y②、θ②)对齐，并随后可以对第二投影部进行曝光。此时，由于考虑到错位来确定曝光位置，所以可以不累积由于对齐偏移而引起的误差。

此时，可以检测相对侧上的两个点(即右拐角(ur2、lr2))的理想投影坐标与实际测量的坐标之间的差(δx②’、δy②’、δθ②’)。

此后，在第三投影曝光步骤s300中，两个点(ul3、ll3)可以关于拼接线sl对齐。此时，为了设定下一次投影(第四次投影)的目标位置，可以检测相对侧上的两个点ur3和lr3的坐标。

具体地，可以将掩模50移动到第三投影位置(理想位置)，并随后对齐。可以使用以下等式使第三次投影的曝光位置(两个对齐点的中心坐标)对齐：

x③＝δx②’-(x③3+x③4)/2

y③＝δy②’-(y③3+y③4)/2

θ③＝δθ②’-(θ③3+θ③4)/2。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第三投影坐标(x③、y③、θ③)对齐，并随后可以对第三投影部进行曝光。此时，由于两个目标点(ur3和lr3)是在先前投影中检测到的值，所以可以不累积由于对齐偏移而引起的误差。

此时，可以检测相对侧上的两个点(即右拐角(ur3、lr3))的理想投影坐标与实际测量的坐标之间的差(δx③’、δy③’、δθ③’)。

此后，在第四投影曝光步骤s400中，两个点(ul4、ll4)可以关于拼接线sl对齐。在本实施方式中，由于第四次投影是最后一次投影，因此不需要检测相对侧上的两个点(ur4、lr4)的坐标来设定下一次投影的目标位置。

可以将掩模50移动到第四投影位置(理想位置)，并随后对齐。可以使用以下等式使第四次投影的曝光位置(两个对齐点的中心坐标)对齐：

x④＝δx③’-(x④3+x④4)/2

y④＝δy③’-(y④3+y④4)/2

θ④＝δθ③’-(θ④3+θ④4)/2。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第四投影坐标(x④、y④、θ④)对齐，并随后可以对第四投影部进行曝光。

另一方面，取决于曝光时的周围环境，在不同的投影之间，实际投影区域的尺寸和形状可以不同。图中所示的实际投影区域可以被夸大和变形，作为示例，示出了其中每次投影的实际投影区域偏离矩形形状，但是本发明不限于此。

根据本实施方式，由于各个投影部在关于拼接线sl的两个点处对齐，因此可以最小化或减小多个投影部的拼接线sl部分中的曝光的不均匀性。

图5是示出基于根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法形成的多个投影区域的平面图。

参见图2和图5，曝光方法可包括第一投影曝光步骤s100、第二投影曝光步骤s200、第三投影曝光步骤s300和第四投影曝光步骤s400。

由以下坐标(例如，第一投影部的右上角ur1的坐标(x①1、y①1、θ①1)等)指示的内容与图1至图4的曝光方法中相同，并且将省略其更详细的描述。

在根据本实施方式的曝光方法中，为了最小化或减小图1至图4的曝光方法中的由于累积投影而引起y方向上的误差增加，投影部沿着拼接线sl在降低y方向误差且两点对齐的方向上滑动。在本文中，这将进一步详细描述。

在第一投影曝光步骤s100中，两个点ur1和lr1可以关于理想投影区域的一侧(本实施方式中的右侧参考)对齐。

可以将掩模50移动到第一投影位置(理想位置)，并随后对齐。可以使用以下等式使第一次投影的曝光位置(曝光位置是指两个对齐点的中心坐标，这里，右侧的中心坐标)对齐：

x①＝-(x①1+x①2)/2

y①＝-(y①1+y①2)/2

θ①＝-(θ①1+θ①2)/2。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第一投影坐标(x①、y①、θ①)对齐，并随后可以对第一投影部进行曝光。

此时，如上所述，当曝光第一投影部时，掩模50的实际位置可能与对齐偏移范围内的坐标(x①、y①、θ①)错位。曝光设备可检测并存储错位(δx①、δy①、δθ①)。

此后，在第二投影曝光步骤s200中，两个点(ul2、ll2)可以关于拼接线sl对齐。此时，为了减小y方向上的误差，沿拼接线sl滑动一定量(例如，预定量)以进行对齐。此时，可以通过检测和使用四个点(ul2、ll2、ur2、lr2)的坐标来设定掩模50的目标对齐坐标(x②、y②、θ②)。

x②＝δx①-(x②3+x②4)/2+δx②s

y②＝δy①-(y②3+y②4)/2+δy②s

θ②＝δθ①-(θ②3+θ②4)/2。

这里，滑动量δx②s、δy②s可以通过以下计算：

δy②s＝δy②a-(y②3+y②4)/2

δx②s＝δy②s·[(x①1-x①2)/(y①1-y①2)]

这里，“a”是权重值，并且用户可以根据需要来设定它。例如，当权重值是100％时，即，当a＝1时，这是其中仅使用两个点ul2和ll2来最小化或减小y方向误差的方法(两点对齐)。当权重是0％时，为了减小y方向误差，这是其中通过使用所有四个点(ul2、ll2、ur2、lr2)来最小化或减小y方向误差的方法(四点对齐)。

即，在权重值从0变化至100％(a＝0至1)时，可以在四点对齐中增加两点对齐(拼接线方向)的影响。

另一方面，此时，可以根据处理需要或经验，通过向滑动量(δy②s、δx②s)添加偏移值(例如，预定的偏移值)来任意地调整滑动量。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第二投影坐标(x②、y②、θ②)对齐，并随后可以对第二投影部进行曝光。此时，可以检测相对侧上的两个点(即右拐角(ur2、lr2))的理想投影坐标与实际测量的坐标之间的差(δx②’、δy②’、δθ②’)。

此后，在第三投影曝光步骤s300中，使两个点(ul3、ll3)关于拼接线sl对齐，但是为了减少y方向上的误差，通过沿拼接线sl滑动一定量(例如，预定量)来对齐。此时，可以通过检测和使用四个点(ul3、ll3、ur3、lr3)的坐标来设定掩模50的目标对齐坐标(x③、y③、θ③)。

此时，可以通过检测和使用四个点(ul3、ll3、ur3、lr3)的坐标来设定掩模50的目标对齐坐标(x③、y③、θ③)。

x③＝δx②’-(x③3+x③4)/2+δx③s

y③＝δy②’-(y③3+y③4)/2+δy③s

θ③＝δθ②’-(θ③3+θ③4)/2。

这里，滑动量δx③s、δy③s可以通过以下计算：

δy③s＝δy③a-(y③3+y③4)/2

δx③s＝δy③s·[(x②1-x②2)/(y②1-y②2)]。

这里，“a”是权重值，并且用户可以根据需要来设定它。在这种情况下，权重值可以与第二次投影中的权重值相同或不同，并且偏移值可以与第二次投影中的权重值相同或不同。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第三投影坐标(x③、y③、θ③)对齐，并随后可以对第三投影部进行曝光。此时，可以检测相对侧上的两个点(即右拐角(ur3、lr3))的理想投影坐标与实际测量的坐标之间的差(δx③’、δy③’、δθ③’)。

此后，在第四投影曝光步骤s400中，使两个点(ul4、ll4)关于拼接线sl对齐，但是为了减少y方向上的误差，通过沿拼接线sl滑动一定量(例如，预定量)来对齐。此时，可以通过检测和使用四个点(ul4、ll4、ur4、lr4)的坐标来设定掩模50的目标对齐坐标(x④、y④、θ④)。

x④＝δx③-(x④3+x④4)/2+δx④s

y④＝δy③-(y④3+y④4)/2+δy④s

θ④＝δθ③-(θ④3+θ④4)/2。

这里，滑动量δx④s、δy④s可以通过以下计算：

δy④s＝δy④a-(y④3+y④4)/2

δx④s＝δy④s·[(x③1-x③2)/(y③1-y③2)]。

这里，“a”是权重值，并且用户可以根据需要来设定它。在这种情况下，权重值可以与第三次投影中的权重值相同或不同，并且偏移值可以与第三次投影中的权重值相同或不同。

因此，可以移动掩模50并使掩模50与第四投影坐标(x④、y④、θ④)对齐，并随后可以对第四投影部进行曝光。此时，由于第四次投影是最后一次投影，因此不需要检测相对侧上的两个点(ur4、lr4)的坐标来设定下一次投影的目标位置。

图6是示出基于根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法形成的多个投影区域的平面图。除了每个投影的位置之外，以下曝光方法中的每个步骤处的坐标的检测和对齐与图5的曝光方法的检测和对齐基本上相同。因此，将省略重复说明。

参见图2和图6，曝光方法可包括第一投影曝光步骤s100、第二投影曝光步骤s200、第三投影曝光步骤s300和第四投影曝光步骤s400。

衬底2可包括第一区域至第四区域(虚线)。第二区域、第一区域、第三区域和第四区域沿x方向依次布置。针对第一区域、第二区域、第三区域和第四区域，依次曝光第一投影部至第四投影部。

在第一投影曝光步骤s100中，掩模50的右侧与第一区域的右侧对齐，并随后曝光第一投影部。在第二投影曝光步骤s200中，第二投影部的右侧与第一投影部的左侧对齐，并随后沿拼接线sl滑动掩模50，并随后曝光第二投影部。在第三投影曝光步骤s300中，第三投影部的左侧与第一投影部的右侧对齐，并随后沿拼接线sl滑动掩模50，并随后曝光第三投影部。在第四投影曝光步骤s400中，第四投影部的左侧与第三投影部的右侧对齐，并随后沿拼接线sl滑动掩模50，并随后曝光第四投影部。

根据本实施方式，可以调整衬底2上的每个区域的曝光顺序，以在执行均匀曝光的同时最小化或减小x方向和y方向上的误差累积。在利用四次投影曝光四个区域的情况下，在示例性实施方式中，第一投影部与衬底2的中心线(即，第二定位区域(第一区域)的右侧)对齐。作为另一示例，如果针对六个区域利用六次投影执行曝光，则可以优选地对齐第三定位区域的右侧来曝光第一投影部。

图7是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图。

参见图7，曝光方法可包括与理想第一投影区域的右侧线对齐的第一投影曝光步骤s1100、与第一投影部的右侧线对齐的第二投影曝光步骤s1200、与第(n-1)投影部的右侧线对齐的第n投影曝光步骤s1300、以及与最后投影部之前的投影部的右侧线对齐的最后投影曝光步骤s1400。这里，n是2或更大的自然数，并且最后投影部(第m投影部)可以超过第三投影部。

以上曝光方法是用于步进式移动矩形掩模和被划分成m个区域的衬底的相对位置，并将区域中的每一个m次暴露于每次投影的方法。

在第一投影曝光步骤s1100中，掩模位于衬底的第一区域上，掩模的右侧与第一区域的右侧对齐，并随后曝光第一投影部。

在第二投影曝光步骤s1200中，掩模位于衬底的第二区域上，掩模的左侧与第一投影部的右侧对齐，并随后曝光第二投影部。

在第n投影曝光步骤s1300中，掩模位于衬底的第n区域上，掩模的左侧与第(n-1)投影部的右侧对齐，并随后曝光第n投影部。

在最后投影曝光步骤s1400中，掩模位于衬底的第m区域上，掩模的左侧与第(m-1)投影部(位于最后投影部之前)的右侧对齐，并随后曝光第m投影部。

在实施方式中，使用前一投影部的右侧使每次投影对齐，但是本发明不限于此。即，也可以使用右侧或左侧使每次投影对齐。如图6的曝光方法中那样，也可以根据需要与右侧或左侧对齐。即，基于与由当前投影形成的拼接线对齐，可以不同地应用曝光方法。

图8是示出根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法的流程图。

参见图8，曝光方法可包括与理想第一投影区域的右侧线对齐的第一投影曝光步骤s2100、与第一投影部的右侧线对齐并沿着第一投影部的右侧线滑动的第二投影曝光步骤s2200、与第(n-1)投影部的右侧线对齐并沿着第(n-1)投影部的右侧线滑动的第n投影曝光步骤s2300、以及与最后投影部之前的投影部的右侧线对齐并沿着最后投影部之前的投影部的右侧线滑动的最后投影曝光步骤s2400。这里，n是2或更大的自然数，并且最后投影部(第m投影部)可以超过第三投影部。

在曝光方法中，相对于划分成m个区域的衬底，以步进式方式移动矩形掩模和衬底的相对位置，并且m个区域划分成相应的m次曝光投影。

在第一投影曝光步骤s2100中，掩模位于衬底的第一区域上，掩模的右侧与第一区域的右侧对齐，并随后曝光第一投影部。

在第二投影曝光步骤s2200中，掩模位于衬底的第二区域上，掩模的左侧沿第一投影部的右侧以预定量或计算量滑动并对齐，并随后曝光第二投影部。

在第n投影曝光步骤s2300中，掩模位于衬底的第n区域上，掩模的左侧沿第(n-1)投影部的右侧以预定量或计算量滑动并对齐，并随后曝光第n投影部。

在最后投影曝光步骤s2400中，掩模位于衬底的第m区域上，掩模的左侧沿第(m-1)投影部(位于最后投影部之前)的右侧以预定量或计算量滑动并对齐，并随后曝光最后投影部。

在实施方式中，使用前一投影部的右侧使每次投影对齐，但是本发明不限于此。即，也可以使用右侧或左侧使每次投影对齐。如图6的曝光方法中那样，也可以根据需要与右侧或左侧对齐。即，基于与由当前投影形成的拼接线对齐，可以不同地应用曝光方法。

图9是示出使用根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法制造的显示装置的剖面图。

参见图9，显示装置可包括第一基底衬底100、电路元件层110、第二基底衬底200、黑色矩阵bm、滤色器cf、外涂层210、柱状间隔物cs和液晶层300。

第一基底衬底100可包括透明绝缘衬底。例如，第一基底衬底100可包括玻璃衬底、石英衬底、透明树脂衬底等。

电路元件层110可以设置在第一基底衬底100上。电路元件层110可包括多个导电图案层和在它们之间用于绝缘的多个绝缘层。例如，电路元件层110可包括薄膜晶体管、栅极线、数据线、存储电容器、像素电极等。

第二基底衬底200可以设置成面对第一基底衬底100。第二基底衬底200可包括透明绝缘衬底。例如，第二基底衬底200可包括玻璃衬底、石英衬底、透明树脂衬底等。

黑色矩阵bm可设置在第二基底衬底200上。黑色矩阵bm可包括阻挡光的材料。黑色矩阵bm可以设置在每个像素区域之间以划分每个像素区域。

滤色器cf可以设置在其上设置有黑色矩阵bm的第二基底衬底200上。滤色器cf用于为透过液晶层300的光提供颜色。滤色器cf可以是红色滤色器(红色)、绿色滤色器(绿色)和蓝色滤色器(蓝色)。滤色器cf可以设置成与像素对应，并且可以布置成在相邻像素之间具有不同的颜色。

外涂层210可以形成在滤色器cf和黑色矩阵bm上。外涂层210用于在使滤色器cf平坦的同时保护滤色器cf，并且在实施方式中，可以使用丙烯酸环氧树脂材料形成外涂层210。

液晶层300可设置在第一基底衬底100与第二基底衬底200之间。液晶层300可包括具有光学各向异性的液晶分子。液晶分子由电场驱动，以透射或阻挡穿过液晶层300的光以显示图像。柱状间隔物cs可以保持上衬底与其上设置有液晶层300的下衬底之间的单元间隙。

在实施方式中，通过曝光和显影过程形成诸如滤色器cf、柱状间隔物cs、黑色矩阵bm等的图案。当显示装置的尺寸大于用于曝光的掩模时，可以使用根据本发明的实施方式的曝光方法执行曝光过程。

此时，当使用根据本发明的实施方式的曝光方法时，降低了图案的拼接线中的曝光的不均匀性，从而可以减少拼接污点。

在本实施方式中，以液晶显示装置作为示例，但本发明不限于此。例如，显示装置可以是有机发光显示装置，并且可以使用曝光方法形成有机发光显示装置的待通过曝光和显影过程制造的图案。

图10是示出使用根据本发明构思的示例性实施方式的曝光方法制造显示装置的方法的流程图。

参见图10，制造显示装置的方法可包括在衬底上形成光致抗蚀剂层s10，曝光光致抗蚀剂层s20，以及使曝光的光致抗蚀剂层显影以形成图案s30。

在衬底上形成光致抗蚀剂层s10中，光致抗蚀剂层可以形成在衬底上。可以通过在衬底上施加光致抗蚀剂至一定厚度(例如，预定厚度)来形成光致抗蚀剂层。

在曝光光致抗蚀剂层s20中，使用包括用于形成图案的掩模的曝光设备照射光以使光致抗蚀剂层曝光。此时，可以使用根据本发明的实施方式的曝光方法。

在使曝光的光致抗蚀剂层显影以形成图案s30中，可以使曝光的光致抗蚀剂层显影以形成期望的图案。如上所述，图案可以是例如液晶显示器的滤色器、柱状间隔物、黑色矩阵等。

前述内容是对本发明构思的说明，并且不应解释为对本发明构思进行限制。尽管已经描述了本发明构思的一些示例性实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，可以在示例性实施方式中进行许多修改而不实质上背离本发明构思的新颖教导和方面。因此，所有这些修改旨在包括在如权利要求中阐述的本发明构思的范围内。在权利要求中，装置加功能的权项旨在覆盖本文中描述的执行所述功能的结构，并且不仅包括结构等同而且包括等同结构。因此，应理解，前述内容是对本发明构思的说明，而不应被解释为限于所公开的特定示例性实施方式，并且对所公开的示例性实施方式以及其他示例性实施方式的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。在所附权利要求中阐述了本发明构思，且权利要求的等同应包括在权利要求中。