【技术领域】
本发明涉及一种用于集成电路制造技术领域的半导体光刻胶清洗剂。
背景技术：
随着集成电路技术的发展，先后出现了铝钨金属连接，铜互联大马士革工艺，尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现，对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。结合图形化工艺技术进展，溶剂类光刻胶去除剂、羟胺类光刻胶去除剂、含氟类半水性光刻胶去除剂、双氧水类水性光刻胶去除剂先后成为市场主流。现有技术中大部分都以集成电路图形化工艺发展为主线。光刻工艺是集成电路图形化工艺中的常规工艺，而所述集成电路图形化工艺包括制造触控电路，印刷电路，集成电路，显示屏和基因芯片。所述光刻胶是光刻工艺中所使用的重要原料之一。而光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成的且对光敏感的混合液体。光刻胶的作用主要是在材料表面形成掩膜，曝光后进行图形转移。在光刻工艺中，得到所需图形后理应去除残留光刻胶，之后进行下一道工序。为了去除残留电路板表面或芯片框架表面的光刻胶而采用光刻胶清洗剂，以期能够完全去除目的，且基材不被腐蚀。在通常的半导体的制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，使得在电路板表面形成所需要的图形，接着，等待进行下一道工序。在进行下一个工序之前，需要剥离残留于电路板表面的光刻胶。由于残留于电路板的光刻胶的厚度不一样，在剥离过程中，很容易在电路板表面残留光刻胶痕迹或光刻胶颗粒等物质。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明所要解决的技术问题是提供一种具有环保，成本低，不腐蚀芯片基材体的半导体光刻胶清洗剂；该清洗剂不仅可以完全清除残留电路板表面光刻胶，不腐蚀电路板或基材体表面的图案的功效，而且还能够防止电路板上芯片表面线路的被氧化，防止静电击穿电路，以及芯片边缘被崩边的现象发生的功能。
为此解决上述技术问题，本发明中的技术方案所提供一种半导体光刻胶清洗剂，其包含醇胺，c4-c6多元醇，溶剂，有机碱及添加剂；
其中，所述醇胺为单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，正丙醇胺，异丙醇胺，乙醇，乙基二乙醇胺，以及二甘醇胺中一种或者二种以上的物质组合而成；
其中，c4-c6多元醇为苏阿糖，阿拉伯糖，木糖，核糖，核酮糖，木酮糖，葡萄糖，甘露糖，半乳糖，塔格糖，阿洛糖，阿卓糖，艾杜糖，塔罗糖，山梨糖，阿洛酮糖，果糖，苏糖醇，赤藓醇，核糖醇，阿拉伯糖醇，木糖醇，塔罗糖醇，山梨醇，甘露醇，艾杜糖醇，以及半乳糖醇中的一种或者二种以上的物质组合而成；
其中，所述溶剂为亚砜，砜，咪唑烷酮，咪唑啉酮，吡咯烷酮，醇醚，酰胺中的一种或二种以上物质组合而成；
其中，醇胺的质量含量为5～15％，c4-c6多元醇的质量含量为0.1～10％，有机碱的质量含量为10～20％，溶剂的质量含量为2％～5％，添加剂的质量含量为1％～10％。
进一步限定，所述亚砜为二甲基亚砜，所述砜为环丁砜；所述咪唑烷酮为1、3-二甲基-2-咪唑烷酮，所述咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述吡咯烷酮为n-甲基吡咯烷酮、n-乙基吡咯烷酮、n-羟乙基吡咯烷酮和n-环己基吡咯烷酮；所述酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述醇醚为乙二醇醚和丙二醇醚，所述乙二醇醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚，所述丙二醇醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚。
本发明的有益技术效果：因本技术方案的所述清洗剂采用醇胺，c4-c6多元醇，溶剂，有机碱以及添加剂而混合形成混合溶液，再将所述含有光刻胶的半导体晶片浸入到所述混合溶液中，加热至85℃后浸泡设定的时间之后，取出洗涤后用高纯氮气吹干，即可。在此去除光刻胶工序过程中，因所述光刻胶是由树脂材料成分组成的，当含有光刻胶的半导体晶片浸入混合溶液之后，光刻胶中树脂材料溶解或分解于混合溶液内，使得去除于残留半导体晶片表面光刻胶的目的。与此同时，在浸泡于混合溶液之后的所述半导体晶片表面形成一层厚度为1-2um的导电层，该导电层相当于半导体膜的功效，具有限流保护电极与电路的能力，避免了外界氧分子或电源对焊接在电路板上面的电子元器件的干扰和袭击，所述导电层相当于电路板的保护套的功能，从而达到防止电路板上芯片表面线路的被氧化，防止静电击穿电路，以及芯片边缘被崩边的功能。另外，由于所述的混合溶液中不含有任何强碱性或强酸性物质，使得在去除光刻胶的工序中不会损坏电路板主体或电子元器件等部件，因此，达到不腐蚀基材体的目的。
下面结合实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
【具体实施方式】
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合实施例说明一种半导体光刻胶清洗剂，其包含醇胺，c4-c6多元醇，溶剂，有机碱及添加剂。
其中，所述醇胺为单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，正丙醇胺，异丙醇胺，乙醇，乙基二乙醇胺，以及二甘醇胺中一种或者二种以上的物质组合而成；
其中，c4-c6多元醇为苏阿糖，阿拉伯糖，木糖，核糖，核酮糖，木酮糖，葡萄糖，甘露糖，半乳糖，塔格糖，阿洛糖，阿卓糖，艾杜糖，塔罗糖，山梨糖，阿洛酮糖，果糖，苏糖醇，赤藓醇，核糖醇，阿拉伯糖醇，木糖醇，塔罗糖醇，山梨醇，甘露醇，艾杜糖醇，以及半乳糖醇中的一种或者二种以上的物质组合而成；
其中，所述溶剂为亚砜，砜，咪唑烷酮，咪唑啉酮，吡咯烷酮，醇醚，酰胺中的一种或二种以上物质组合而成；
所述亚砜为二甲基亚砜，所述砜为环丁砜；所述咪唑烷酮为1、3-二甲基-2-咪唑烷酮，所述咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述吡咯烷酮为n-甲基吡咯烷酮、n-乙基吡咯烷酮、n-羟乙基吡咯烷酮和n-环己基吡咯烷酮；所述酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述醇醚为乙二醇醚和丙二醇醚，所述乙二醇醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚，所述丙二醇醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚。在本实施例中，所述亚砜为二甲基亚砜，所述砜为环丁砜，所述咪唑烷酮为1、3-二甲基-2-咪唑烷酮，所述咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮，所述吡咯烷酮为n-甲基吡咯烷酮、n-乙基吡咯烷酮、n-羟乙基吡咯烷酮和n-环己基吡咯烷酮，所述酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；以及所述醇醚混合组成所述的溶剂。
将质量含量为5～15％醇胺，质量含量为0.1～10％的c4-c6多元醇，质量含量为10～20％的有机碱，质量含量为2％～5％的溶剂，质量含量为1％～10％的添加剂，按照各自对应的重量百分比例加入反应容器中均匀搅拌即可形成所述半导体光刻胶清洗剂溶液，使得本发明的半导体光刻胶清洗剂溶液具有加工简单，方便的功能。
所述半导体光刻胶清洗剂为澄清无色的黄色液体，易溶于水，化合复合物。所述半导体光刻胶清洗剂具有分散、润湿、乳化、清洁、除蜡除脂等多种功能，能对颗粒起吸附、分散作用。所述的半导体光刻胶清洗剂主要营业半导体芯片表面残留的光刻胶清洗的功能。所述半导体光刻胶清洗剂的ph值为9-10，沸点大于100度，100％溶于水，熔点为小于负5度。半导体光刻胶清洗剂的使用温度为80～90℃，最佳值为85度，浸泡时间为300s～480s，
本发明中的刻性光刻胶清洗剂可以在85℃左右清洗光刻胶。具体方法如下：将含有光刻胶的半导体晶片浸入本实施例中的低蚀刻性的光刻胶清洗剂，加热至85℃浸泡合适的时间后，取出洗涤后用高纯氮气吹干。本发明中的刻性光刻胶清洗剂具有光刻胶去除能力强；对金属和非金属的腐蚀抑制能力强；具有较大的操作窗口。
综上所述，因本技术方案的所述清洗剂采用醇胺，c4-c6多元醇，溶剂，有机碱以及添加剂而混合形成混合溶液，再将所述含有光刻胶的半导体晶片浸入到所述混合溶液中，加热至85℃后浸泡设定的时间之后，取出洗涤后用高纯氮气吹干，即可。在此去除光刻胶工序过程中，因所述光刻胶是由树脂材料成分组成的，当含有光刻胶的半导体晶片浸入混合溶液之后，光刻胶中树脂材料溶解或分解于混合溶液内，使得去除于残留半导体晶片表面光刻胶的目的。与此同时，在浸泡于混合溶液之后的所述半导体晶片表面形成一层厚度为1-2um的导电层，该导电层相当于半导体膜的功效，具有限流保护电极与电路的能力，避免了外界氧分子或电源对焊接在电路板上面的电子元器件的干扰和袭击，所述导电层相当于电路板的保护套的功能，从而达到防止电路板上芯片表面线路的被氧化，防止静电击穿电路，以及芯片边缘被崩边的功能。另外，由于所述的混合溶液中不含有任何强碱性或强酸性物质，使得在去除光刻胶的工序中不会损坏电路板主体或电子元器件等部件，因此，达到不腐蚀基材体的目的。
以上参照说明了本发明的优选实施例，并非因此局限本发明的权利范围。本领域技术人员不脱离本发明的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本发明的权利范围之内。