决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法与流程

本发明涉及决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法。

背景技术：

半导体、液晶面板等通过光刻工序制造。在光刻工序中，使用一边经由投影光学系统在涂敷有感光剂的基板(玻璃基板、晶片)上对曝光区域进行扫描，一边对原版(掩模)的图案进行投影的扫描型曝光装置。近年来，液晶面板等显示器的大型化得到发展，需要针对例如超过2m四方形那样的玻璃基板进行曝光。为了应对这样的大型基板，并非对基板上的曝光区域的全部一次进行曝光，而将基板上的曝光区域分割为几个拍摄区域进行曝光。此时，进行使邻接的拍摄区域的一部分重叠而曝光的接合曝光。

在接合曝光中，在邻接的拍摄区域彼此重叠的区域(接合区域)中的叠加(重叠)误差变大时，在接合区域中发生不均。在专利文献1中，公开了如下技术：特化为接合区域中的上下层之间的位置偏移量、或者邻接拍摄区之间的位置偏移量的某一个，求出用于减小该偏移量的校正量，使用该校正量来进行曝光。另外，在专利文献2中，公开了将构成1个设备的多个拍摄区作为1个单位，进行拍摄区位置的校正的技术。拍摄区位置的校正以使构成1个设备的多个拍摄区的叠接部中的重叠精度差成为最小的方式进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平07-321026号公报

专利文献2：日本特开平09-306818号公报

技术实现要素：

在进行接合曝光的情况下，邻接拍摄区之间的位置偏移是决定制造的设备的性能的最重要的指标。尽管如此，在以往的校正中，仅校正上下层之间的位置偏移量，未考虑邻接拍摄区之间的位置偏移，或者，仅校正邻接拍摄区之间的位置偏移量，未考虑上下层之间的位置偏移。相对于此，还提出了优先校正邻接拍摄区之间的位置偏移的手法(接合优先校正)。根据该手法，虽然上下层之间的位置偏移的校正效果弱，但能够满足此前的接合曝光的要求精度。

但是，伴随基板的大型化以及图案的微细化，同时高精度地保证上下层的重叠精度以及邻接拍摄区的接合精度这两方的要求变高。即，要求以高的精度同时校正上下层的偏移和邻接拍摄区之间的位置偏移的手法。

本发明的目的在于提供一种有利于同时确保上下层的重叠精度以及邻接拍摄区的接合精度的接合曝光的技术。

根据本发明的第1侧面，提供一种决定方法，决定用于接合曝光的与基板的第1拍摄区域以及第2拍摄区域的对位有关的校正量，该接合曝光中对第1拍摄区域进行曝光来形成第1像，对与所述第1拍摄区域的一部分重复的第2拍摄区域进行曝光来形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像叠接的像，所述决定方法的特征在于，求出作为用于进行上下层的重叠的重叠标志之间的位置偏移量的第1位置偏移量，求出作为用于进行所述第1拍摄区域和所述第2拍摄区域的对位的接合位置测量标志之间的位置偏移量的第2位置偏移量，将对所述第1位置偏移量加上预定比例的所述第2位置偏移量而得到的位置偏移量决定为所述第1拍摄区域和所述第2拍摄区域重复的接合区域中的所述第1像的校正量，将从所述第1位置偏移量减去相对所述预定比例的剩余比例的所述第2位置偏移量而得到的位置偏移量决定为所述接合区域中的所述第2像的校正量。

根据本发明的第2侧面，提供一种曝光方法，具有：第1工序，对基板的第1拍摄区域进行曝光来形成第1像；以及第2工序，对与所述第1拍摄区域的一部分重复的第2拍摄区域进行曝光来形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像叠接的像，所述曝光方法的特征在于，在所述第1工序中，用通过上述第1侧面所述的决定方法决定的所述第1像的校正量来校正所述第1拍摄区域的与所述第2拍摄区域重复的接合区域中的所述第1像，在所述第2工序中，用通过上述第1侧面所述的决定方法决定的所述第2像的校正量来校正所述接合区域中的所述第2像。

根据本发明的第3侧面，提供一种曝光装置，进行接合曝光，该接合曝光中对基板的第1拍摄区域进行曝光来形成第1像，对与所述第1拍摄区域的一部分重复的第2拍摄区域进行曝光来形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像叠接的像，所述曝光装置的特征在于，具有：处理部，进行决定与所述第1拍摄区域及所述第2拍摄区域的对位有关的校正量的处理；以及控制部，进行所述接合曝光的控制，所述处理部求出作为用于进行上下层的重叠的重叠标志之间的位置偏移量的第1位置偏移量，求出作为用于进行所述第1拍摄区域和所述第2拍摄区域的对位的接合位置测量标志之间的位置偏移量的第2位置偏移量，将对所述第1位置偏移量加上预定比例的所述第2位置偏移量而得到的位置偏移量决定为所述第1拍摄区域和所述第2拍摄区域重复的接合区域中的所述第1像的校正量，将从所述第1位置偏移量减去相对所述预定比例的剩余比例的所述第2位置偏移量而得到的位置偏移量决定为所述接合区域中的所述第2像的校正量，所述控制部用所述决定的所述第1像的校正量来校正所述接合区域中的所述第1像，并且用所述决定的所述第2像的校正量来校正所述接合区域中的所述第2像，从而执行所述接合曝光。

根据本发明的第4侧面，提供一种物品制造方法，其特征在于，包括：使用上述第2侧面所述的曝光方法对基板进行曝光的工序；以及对在所述工序中所述曝光的基板进行显影的工序，根据所述显影的基板制造物品。

根据本发明，能够提供有利于同时确保上下层的重叠精度以及邻接拍摄区的接合精度的接合曝光的技术。

附图说明

图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的图。

图2是示出接合曝光时的照度分布的例子的图。

图3是决定校正量的处理以及曝光处理的流程图。

图4是示出拍摄区s1的标志配置的例子的图。

图5是示出拍摄区s2的标志配置的例子的图。

图6是示出接合区域中的重叠标志以及接合位置测量标志的例子的图。

图7是示出接合位置测量标志的例子的图。

图8是示出在接合区域中设定的假想标志的例子的图。

图9是示出在接合区域中设定的假想标志的例子的图。

(符号说明)

10：照明光学系统；20：狭缝成像系统；30：原版；40：投影光学系统；60：基板；70：控制部。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式。

<第1实施方式>

图1示出实施方式中的曝光装置的概略结构。该曝光装置例如是采用使用了投影光学系统的镜面投影方式的扫描型曝光装置。此外，在本说明书以及附图中，在将与利用基板载置台的基板保持面平行的方向设为xy平面的xyz坐标系中表示方向。将xyz坐标系中的与x轴、y轴、z轴分别平行的方向称为x方向、y方向、z方向。另外，将曝光时的原版以及基板的扫描方向设为y方向。

曝光装置包括搭载原版30(掩模)的原版载置台31、搭载基板60(例如玻璃平板)的基板载置台61、对原版30进行照明的照明光学系统10、以及将原版30的图案投影到基板60的投影光学系统40。原版30和基板60隔着投影光学系统40配置于在光学上大致共轭的位置(投影光学系统40的物体面以及像面)。在照明光学系统10与原版载置台31之间，配置有进行曝光光的整形的狭缝成像系统20。另外，在对基板60进行扫描曝光时，用于在基板60的表面的不同的区域使原版30的图案的像重叠相互的一部分而依次曝光的x遮光板50配置于投影光学系统40与基板载置台61之间。控制部70控制曝光装置的各部的驱动。

照明光学系统10能够包括超高压汞灯等光源部、波长选择滤光片、透镜群、快门等。照明光学系统10朝向狭缝成像系统20照射适合于曝光的波长的光。狭缝成像系统20具有未图示的狭缝，将来自照明光学系统10的入射光整形为满足一定的载置台扫描速度(例如扫描速度的上限值等)下的必要曝光量的曝光宽度。

在控制部70的控制下，通过未图示的驱动机构，向y方向扫描搭载有原版30的原版载置台31。在原版载置台31中配置有多个反射镜32。多个反射镜32分别对来自配置于原版载置台31外的干涉仪33的测量光进行反射。干涉仪33接受反射的测量光，始终监视、测量原版载置台31的位置。控制部70根据由干涉仪33测量的结果，进行原版载置台31的位置以及速度的控制。

投影光学系统40具有反射镜以及透镜，通过使曝光光反射、折射，将形成于原版30的图案投影到基板60。另外，在控制部70的控制下，通过未图示的驱动机构，在x、y、以及z方向上驱动反射镜以及透镜，产生任意的倍率、移位。

在本实施方式中的曝光装置中，进行对基板的第1拍摄区域进行曝光来形成第1像，对与第1拍摄区域的一部分重复的第2拍摄区域进行曝光来形成第2像，得到将第1像和第2像叠接的像的接合曝光。曝光装置为了进行该接合曝光，具备x遮光板50。此外，在以下的说明中，将“拍摄区域”还简称为“拍摄区”。能够在控制部70的控制下，通过未图示的驱动机构在y方向上驱动x遮光板50。通过使x遮光板50在曝光光路内水平地移动而变更对曝光光进行遮光的位置，由狭缝成像系统20整形的曝光光相对扫描方向被倾斜地遮光，由此控制在基板上累计的曝光量。由此，能够进行针对如图2的(a)所示的接合拍摄区布局的接合曝光的控制。即，如图2的(b)所示，将拍摄区s1(第1拍摄区域)中的接合区域外的区域即非接合区域的照度分布设为100％，将接合区域的各x位置的照度分布设为负的斜率。例如，从接合区域的x方向的一端至另一端，使曝光量(照度)从100％直线地衰减至0％。另外，如图2的(c)所示，将拍摄区s2(第2拍摄区域)的非接合区域的照度分布设为100％，将接合区域的各x位置的照度分布设为正的斜率。例如，从接合区域的x方向的一端至另一端，使曝光量从0％直线地增加至100％。这样，在对拍摄区s1进行曝光时和对拍摄区s2进行曝光时，使接合区域中的曝光量交叉混合(crossfade)。由此，如图2的(d)所示，针对接合区域以及非接合区域的累计的照度分布以100％均衡化。

在控制部70的控制下，通过未图示的驱动机构，向x、y以及z方向扫描搭载有基板60的基板载置台61。在基板载置台61中，配置有多个反射镜62。多个反射镜62分别对来自配置于基板载置台61外的干涉仪63的测量光进行反射。干涉仪63接受反射的测量光，始终监视、测量基板载置台61的位置。控制部70根据由干涉仪63测量的结果，进行基板载置台61的位置以及速度的控制。

对准仪(alignmentscope)80经由原版30以及投影光学系统40，检测基板60的对准标志。另一方面，轴外仪(off-axisscope)81配置于投影光学系统40的下部，不经由原版30以及投影光学系统40，检测基板60的对准标志。

控制部70作为进行决定与拍摄区s1以及拍摄区s2的对位有关的校正量的处理的处理部发挥功能，并且作为进行接合曝光的控制的控制部发挥功能。在控制部70中，作为其功能结构，能够包括数据保持部71、驱动量运算部72、驱动指示部73。数据保持部71保持从通过曝光装置在基板上曝光的标志测量的拍摄区内的1个以上的点的x、y方向的偏移量、各驱动轴的驱动偏置、灵敏度等驱动参数、由曝光装置取得的各种测量数据。驱动量运算部72根据在数据保持部71中保持的数据，使用一般的统计手法，计算x、y、z方向的位置偏置、旋转、倍率等各种校正分量。另外，驱动量运算部72根据驱动参数以及计算出的校正分量，决定各轴的驱动指示量。驱动指示部73使用由驱动量运算部72决定的针对各驱动机构的驱动指示量，输出针对各驱动机构的驱动指示。此外，在控制部70中，作为其硬件结构，例如，能够由包括cpu(中央处理装置)以及存储器的计算机装置构成。在该情况下，数据保持部71能够通过存储器实现，驱动量运算部72以及驱动指示部73能够通过cpu实现。

(实施例1)

参照图3的流程图，说明本实施方式中的决定用于接合曝光的与拍摄区s1以及拍摄区s2的对位有关的校正量的处理以及根据决定的校正量进行的曝光处理的概略。首先，针对拍摄区s1以及拍摄区s2，进行第1次的接合曝光(s101)。该第1次的接合曝光是用于决定校正量的曝光。此时使用的基板既可以是生产用的基板，也可以是测试用的基板。接下来，测量接合区域中的上下层的重叠(叠加)误差、和拍摄区s1以及拍摄区s2的位置偏移(左右拍摄区的排列偏移)(s102)。该测量既可以使用曝光装置外部的测量装置来进行，也可以使用对准仪80或者轴外仪81来进行。

控制部70根据该测量结果，进行校正量的计算(决定)(s103)。将计算出的校正量作为曝光时的校正参数，存储到例如数据保持部71。作为校正参数，有拍摄区域的移位、旋转、倍率等，作为曝光装置的控制对象，有载置台、光学系统等的控制数据，计算出的校正量能够变换为适合于这些参数的校正值。

之后，进行第2次的曝光(接下来的接合曝光)。此处所称的第2次的曝光能够是使用了生产用的基板的正式曝光(s104)。在此控制部70反映校正值来实施接合曝光。

以下，详细说明与上述s101～s103相关的、决定与拍摄区s1以及拍摄区s2的对位有关的校正量的决定方法。图4是在s101中曝光的拍摄区s1的示意图。在本实施方式中，用于上下层的重叠的测量、和用于拍摄区s1和拍摄区s2的对位的测量使用例如箱中箱(boxinbox)的标志来进行。在图4中，在接合区域的下层中，已经形成有构成重叠标志的外箱(outbox)标志91(基底标志)。在拍摄区s1的曝光时，形成用于与该外箱标志91的对位的内箱(inbox)标志90(第1标志)。另外，在拍摄区s1的曝光时，作为用于拍摄区s1和拍摄区s2的对位的接合位置测量标志的外箱标志92(第2标志)也形成于接合区域内。

如上所述，在拍摄区s1中，从接合区域的x方向的一端至另一端，曝光量(照度)从100％直线地衰减至0％。如图4所示，形成于接合区域内的各标志配置于拍摄区s1和拍摄区s2的重复宽度的方向(x方向)上的预定的位置x1，将位置x1处的曝光量的衰减率设为a％。根据在下层中形成的外箱标志91和在上层中形成的内箱标志90的位置的差，检测重叠误差(叠加误差)。但是，在拍摄区s1被曝光的时间点，位置x1的照度仅为(100-a)％，所以内箱标志90以及外箱标志92未完全形成。

图5是在s101中曝光的拍摄区s2的示意图。在拍摄区s2的曝光时，为了与作为基底标志的外箱标志91的对位，以与内箱标志90重复的方式形成内箱标志93(第3标志)。另外，在拍摄区s2的曝光时，在与外箱标志92重复的位置，还形成作为用于拍摄区s1和拍摄区s2的对位的接合位置测量标志的内箱标志94(第4标志)。能够根据在下层中形成的外箱标志91和在上层中形成的内箱标志93的位置的差，检测重叠误差。但是，拍摄区s2被曝光时的位置x1处的照度是a％，所以与理想位置坐标相同的图4的内箱标志90的合计照度成为(100-a)+a＝100％而在此完全形成。通过这样将内箱标志90和内箱标志93重叠，如图6所示，形成合成内箱标志95(合成标志)。因此，将测量出的合成内箱标志95相对外箱标志91的位置偏移量求出作为作为用于进行上下层的重叠的重叠标志(91、95)之间的位置偏移量的第1位置偏移量。

同样地，在拍摄区s2中形成的内箱标志94的照度也并非100％。图4的外箱标志92和图5的内箱标志94也由于理想位置坐标相同，所以这些标志形成为夹入的位置关系，所以通过图6所示的标志96，测量作为拍摄区s1和拍摄区s2的位置偏移量的第2位置偏移量。外箱标志92和内箱标志94能够采用如图7所示的灰色调箱中箱标志。通过研究掩模上的各个标志的曝光光透射率，能够高精度地测量拍摄区s1和拍摄区s2的位置偏移量。此外，例如，在日本特开2018-10211号公报中，公开了灰色调箱中箱标志的详细内容。

将作为上层的重叠标志的内箱标志90(图4)相对作为下层的重叠标志的外箱标志91的x方向的位置偏移量设为δ1。即，δ2表示拍摄区s1相对下层的位置偏移量。另外，将作为上层的重叠标志的内箱标志93(图5)相对作为下层的重叠标志的外箱标志91的x方向的位置偏移量设为δ2。即，δ2表示拍摄区s2相对下层的位置偏移量。由此，在s102中，通过下式，求出通过左右拍摄区的叠接而成为合计照度100％的上层的合成内箱标志95相对下层的外箱标志91的向x方向的偏移量即第1位置偏移量m1。

m1＝((100-a)/100)·δ1+(a/100)·δ2(1)

另外，根据标志96，通过下式，求出在拍摄区s2中曝光的内箱标志94相对在拍摄区s1中曝光的外箱标志92的位置偏移量(左右拍摄区排列偏移量)即第2位置偏移量m2(s102)。

m2＝δ1-δ2(2)

在此，为了简化说明，考虑将接合区域中的各标志形成的x位置x1设为接合区域的中央(拍摄区s1和拍摄区s2的重复宽度的方向的中央)的情况。在该情况下，a＝50％，所以(1)式如下所示。

m1＝(δ1+δ2)/2(3)

根据(2)式和(3)式，δ1以及δ2如下所示。

δ1＝m1+(m2/2)(4)

δ2＝m1-(m2/2)(5)

由此，能够将对第1位置偏移量m1加上预定比例(例如50％)的第2位置偏移量m2而得到的位置偏移量决定为接合区域中的拍摄区s1的第1像的校正量。另外，能够将从第1位置偏移量m1减去相对上述预定比例的剩余比例(例如100％-50％＝50％)的第2位置偏移量m2而得到的位置偏移量决定为接合区域中的拍摄区s2的第2像的校正量。以上的说明能够在将接合区域中的各标志形成的x位置x1设为任意的情况下一般化。

在此，使用从第1次的曝光(s101)的结果得到的位置偏移量，将基于拍摄区s1的曝光的x位置x1的校正量设为下式。

m1+(a/100)·m2(6)

另外，使用从第1次的曝光结果得到的位置偏移量，将基于拍摄区s2的曝光的x位置x1的校正量设为下式。

m1-((100-a)/100)·m2(7)

由此，使用(6)、(7)式，x位置x1处的上下层的向x方向的校正量成为下式。

((100-a)/100)×(m1+(a/100)·m2)+(a/100)×(m1+((100-a)/100)·m2}(8)

对该(8)式代入(1)、(2)式时，如下所示。

((100-a)/100)·{((100-a)/100)×δ1+(a/100)×δ2+a(δ1-δ2)/100}+(a/100)·{((100-a)/100)×δ1+(a/100)×δ2-(100-a)(δ1-δ2)/100}

＝(100-a)/100×δ1+a/100×δ2(9)

另外，叠接后的左右拍摄区排列偏移测量标志即标志96的向x方向的校正量如下式所示。

(m1+(a/100)·m2)-(m1-((100-a)/100)·m2)

＝(((100-a)/100)·δ1+(a/100)·δ2+a(δ1-δ2)/100)-(((100-a)/100)·δ1+(a/100)·δ2-(100-a)(δ1-δ2)/100)

＝δ1-δ2(10)

作为上述校正后的效果，在第2次的曝光(s104)中，如以下所述，能够进行无校正残差的校正。

·上下层的叠加

第1次的曝光的偏移量：(100-a)/100)·δ1+(a/100)·δ2

第2次的曝光时的校正量：(100-a)/100·δ1+(a/100)·δ2

校正残差：0

·左右拍摄区的排列偏移

第1次的曝光的偏移量：δ1-δ2

第2次的曝光的校正量：δ1-δ2

校正残差：0

但是，根据工艺特性、掩模制造成本等生产条件的不同，还有无法如上述实施例1那样在接合区域内配置标志的情况。此时，无法根据标志的测量结果，直接检测接合区域中的上下层的偏移以及左右拍摄区排列偏移。在接下来的实施例2以及实施例3中，说明根据从接合区域外的标志检测出的位置偏移信息，推测接合区域内的上下层的偏移以及左右拍摄区排列偏移，而能够使用实施例1的校正手法的例子。

(实施例2)

如图8所示，曝光拍摄区的布局与实施例1相同。在拍摄区s1中的接合区域外的位置，形成有能够检测拍摄区的特定部位的绝对位置的偏移的标志c1(第1拍摄区域侧的接合位置测量标志)。另外，在拍摄区s1中的接合区域外的位置，还形成有能够检测特定部位的上下层的相对位置偏移的标志b1(第1拍摄区域侧的重叠标志)。同样地，在拍摄区s2中的接合区域外的位置，形成有能够检测拍摄区的特定部位的绝对位置的偏移的标志c2(第2拍摄区域侧的接合位置测量标志)。另外，在拍摄区s2中的接合区域外的位置，还形成有能够检测特定部位的上下层的相对位置偏移的标志b2(第2拍摄区域侧的重叠标志)。

以使在接合曝光后形成的标志c1、c2的理想位置的中心位置成为接合区域内的方式，调整标志c1、c2的拍摄区内配置位置。在该中心位置，设定将该中心位置处的拍摄区s1和拍摄区s2的曝光结果的相对位置偏移的检测作为目的的假想标志c3(第2假想标志)。

同样地，以使在接合曝光后形成的标志b1、b2的理想位置的中心位置成为接合区域内的方式，调整标志b1、b2的拍摄区内配置位置。在该中心位置，设定将该中心位置处的拍摄区s1和拍摄区s2的接合合成曝光结果和下层的相对位置偏移的检测作为目的的假想标志b3(第1假想标志)。

如果分别得到假想标志c3以及假想标志b3的检测量，则能够使用与实施例1同样的校正手法。根据标志c1的检测量qc1和标志c2的检测量qc2，通过下式推测假想标志c3的检测量qc3。

qc3＝qc1-qc2

同样地，根据标志b1的检测量qb1和标志b2的检测量qb2，通过下式推测假想标志b3的检测量qb3。

qb3＝(qb1+qb2)/2

如以上所述，根据该实施例，在第1拍摄区域侧的重叠标志与第2拍摄区域侧的重叠标志之间的接合区域内的位置，设定第1假想标志。然后，根据第1拍摄区域侧的重叠标志之间的位置偏移量和第2拍摄区域侧的重叠标志之间的位置偏移量，推测第1假想标志的位置偏移量，将该推测出的位置偏移量求出作为第1位置偏移量。另外，在第1拍摄区域侧的接合位置测量标志与第2拍摄区域侧的接合位置测量标志之间的接合区域内的位置，设定第2假想标志。然后，根据第1拍摄区域侧的接合位置测量标志之间的位置偏移量与第2拍摄区域侧的接合位置测量标志之间的位置偏移量，推测第2假想标志的位置偏移量，将该推测出的位置偏移量求出作为第2位置偏移量。

此外，在图8中，检测拍摄区的特定部位的绝对位置的偏移的标志以及检测特定部位的上下层的相对位置偏移的标志配置于接合区域的附近，不同的拍摄区的同种类的标志通过以接合区域的中心线对称的方式而被配置。但是，本发明不限定于该配置。

(实施例3)

进而，如图9所示，在拍摄区s1和拍摄区s2的各拍摄区内，在任意的直线上配置有多个检测拍摄区的特定部位的绝对位置的偏移的标志的情况下，假想标志能够配置于接合区域内的直线上的部位。将标志c10、c11、c20、c21至假想标志c30的距离分别设为d10、d11、d20、d21。另外，将标志c10、c11、c20、c21的检测量分别设为qc10、qc11、qc20、qc21。在该情况下，通过下式，推测假想标志c30的检测量qc30。

qc30＝

[((qc11-qc10)/(d11-d10))×d11+qc11]-

[((qc21-qc20)/(d21-d20))×d21+qc21]

同样地，在拍摄区s1和拍摄区s2的各拍摄区内，在任意的直线上配置有多个检测特定部位的上下层的相对位置偏移的标志的情况下，假想标志能够配置于接合区域内的直线上的部位。将从标志b10、b11、b20、b21至假想标志b30的距离分别设为e10、e11、e20、e21。另外，将标志b10、b11、b20、b21的检测量分别设为qb10、qb11、qb20、qb21。在该情况下，通过下式，推测假想标志b30的检测量qb30。

qb30＝{[(qb11-qb10)/(e11-e10)×e11+qb11]+[(qb21-qb20)/(e21-e20)×e21+qb21]}/2

在图9所示的方法中，根据配置的标志的检测量，用线性插值求出假想标志的检测量，但不限定于此。也可以通过其他一般的统计手法求出。

在上述各实施例中，将接合区域内的上下层检测用标志或者其假想标志以及左右拍摄区排列偏移检测标志或者其假想标志分别配置一个，但不限定于此。也可以将接合区域内的上下层检测用标志或者其假想标志以及左右拍摄区排列偏移检测标志或者其假想标志分别配置多个。

<第2实施方式>

如图1所示，实施方式中的曝光装置具备对准仪80以及轴外仪81。在本实施方式中，通过对准仪80以及轴外仪81这双方，测量在基板上曝光的标志，将测量数据保存到数据保持部71。关于对准仪80以及轴外仪81，通过控制部70实施校准处理，以在测量同一标志的情况下不论用哪个仪器测量都使测量值都相同的方式进行调整。在此，通过在曝光前测量在原版30和基板60上形成的标志，能够实现在实施例1中说明的δ1、δ2的测量。通过使用该方法，也能够实现第1实施方式中的实施例。

<物品制造方法的实施方式>

本发明的实施方式所涉及的物品制造方法例如适合于制造半导体设备等微型设备、具有微细构造的元件等物品。本实施方式的物品制造方法包括：对涂敷于基板的感光剂使用上述图案形成方法或者光刻装置形成潜像图案的工序(对基板进行曝光的工序)；以及对在上述工序中形成潜像图案的基板进行加工(显影)的工序。进而，上述制造方法包括其他公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、键合、封装等)。本实施方式的物品制造方法相比于以往的方法，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少1个方面更有利。

(其他实施方式)

本发明也能够通过将实现上述实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或者存储介质供给到系统或者装置，由该系统或者装置的计算机中的1个以上的处理器读出并执行程序的处理来实现。另外，也能够通过实现1个以上的功能的电路(例如asic)来实现。

其它实施例

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(cpu)、微处理单元(mpu)读出并执行程序的方法。

以上，说明了本发明的实施方式，但本发明不限定于这些实施方式，能够在其要旨的范围内进行各种变形以及变更。