1.一种模斑转换器，其特征在于，包括：
硅衬底以及位于所述硅衬底之上的埋氧层；
位于所述埋氧层之上的第一波导以及与所述第一波导平行的至少两个第二波导，所述第二波导设置于所述第一波导两侧；所述第一波导的宽度从入光面一侧到出光面一侧逐渐减小；
位于所述埋氧层、第一波导及第二波导之上的上包层；
位于所述上包层中高于所述第一波导且与所述第一波导平行的至少两个低折射率波导，所述低折射率波导设置于所述第一波导两侧；所述低折射率波导的宽度从入光面一侧到出光面一侧逐渐增大，所述低折射率波导的折射率低于所述第一波导的折射率。
2.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述低折射率波导的数量与所述第二波导相同或比所述第二波导多两个；所述低折射率波导相对于所述第一波导和第二波导错位排列。
3.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述上包层的材料为sio2。
4.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述低折射率波导的材料为sin或sion。
5.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述第一波导的入光面一侧宽度为350～500nm，出光面一侧宽度为80～160nm，长度为50～500um。
6.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述第二波导为直波导或楔形波导，其宽度为80～300nm，长度为50～500um。
7.根据权利要求1所述的一种模斑转换器，其特征在于：
所述低折射率波导的宽度为80～600nm，其高于第一波导100～600nm。
8.一种模斑转换器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在soi晶圆的顶层硅上刻蚀出第一波导和两个第二波导，所述两个第二波导平行设置于所述第一波导两侧；所述第一波导的宽度从入光面一侧到出光面一侧逐渐减小；
在埋氧层、所述第一波导和第二波导之上生长第一上包层；
在所述第一上包层上制作两个平行的低折射率波导，所述两个低折射率波导分别位于所述第一波导两侧，所述两个低折射率波导的宽度从入光面一侧到出光面一侧逐渐增大，所述两个低折射率波导的折射率低于硅折射率；
在所述第一上包层和低折射率波导之上生长第二上包层。
9.根据权利要求8所述的一种模斑转换器制备方法，其特征在于：
所述在所述第一上包层上制作两个平行的低折射率波导，具体包括：在所述第一上包层上生长低折射率波导层，所述低折射率波导层的折射率高于所述第一上包层材料的折射率，低于硅折射率；
在所述低折射率波导层上刻蚀出两个平行的低折射率波导。