一种光栅及其特性调整方法、设备与流程

1.本技术涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光栅及其特性调整方法、设备。


背景技术：

2.在光通信技术领域中，分波模块和合波模块是波分网络中的重要模块，主要用于光终端复用器(optical terminal multiplexer，otm)站点。分波模块主要用于将一路具有较多频率分量的光信号(简称为合波光信号)，分离成至少一路主要频率分量不同的光信号(简称为分波光信号)。合波模块的作用与所述分波模块的作用相反，主要用于将至少一路主要频率分量不同的光信号，合成一路具有较多频率分量的光信号。
3.其中，分波模块和合波模块主要通过光栅，例如阵列波导光栅(arrayed waveguide grating，awg)实现。
4.目前，由于组成awg的光波导是通过二氧化硅或硅材料制作而成，其光传输参数是固定的，因此，awg的通道间隔(或者输入衍射峰的谱宽，或者输出衍射峰的谱宽)也是固定的。
5.目前波分网络中常用多种通道间隔的光栅，例如，通道间隔为50ghz的光栅、通道间隔为62.5ghz的光栅、通道间隔为75ghz的光栅，通道间隔为100ghz的光栅。
6.显然，为了满足这种多通道间隔的需求，光栅厂商需要针对每种通道间隔制作一种光栅，这样会导致较高的制造成本和维护成本。


技术实现要素：

7.本技术提供了一种光栅及其特征调整方法、设备，用以实现对光栅的特性的调整，从而可以降低光栅的制造成本和维护成本。
8.第一方面，本技术实施例提供了一种光栅，其中，所述光栅中包括：第一光波导区、第二光波导区以及由多个光波导组成的阵列波导区；所述第一光波导区与阵列波导区相连；所述第二光波导区与阵列波导区相连；
9.所述光栅具有以下任一项或任意组合的特征：所述第一光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述第二光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导能够消除。
10.由于所述光栅具有上述特征，因此，光栅管理设备可以通过光栅进行处理，改变目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除阵列波导区中的部分光波导，从而使得所述光栅的通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的至少一项发生改变，最终实现改变所述光栅的特性。进一步的，通过生产和使用该光栅可以降低光栅的制造成本和维护成本。
11.在一种可能的设计中，当所述光栅实现所述任一项或任意组合的特征时，使得所述光栅的通道间隔、所述光栅的输入衍射峰的谱宽及所述光栅的输出衍射峰的谱宽中的任一种或多种发生改变，从而实现所述光栅特性的调整。
12.在一种可能的设计中，所述光栅为阵列波导光栅。
13.在一种可能的设计中，所述第一光波导区为所述光栅的输入自由传输波导区、输入平板波导区或输入星形耦合区中的任一种；所述第二光波导区为所述光栅的输出自由传输波导区、输出平板波导区或输出星形耦合区中的任一种。
14.在一种可能的设计中，所述第一光波导区、所述第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合中的光波导由液晶材料制成。
15.在一种可能的设计中，所述光栅还包括：刻槽层；所述刻槽层中刻蚀有与所述第一光波导区、第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合的光波导对应的槽；
16.所述刻槽层用于形成所述第一光波导区、第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合的光波导的包层。
17.在一种可能的设计中，所述光栅还包括控制部件；所述控制部件，用于改变所述目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
18.通过该设计，光栅管理设备可以通过控制该控制部件，实现上述改变。
19.在一种可能的设计中，所述控制部件为电极层；所述电极层用于提供电压或电场，使得所述光栅实现以下至少一项变化：改变所述目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
20.通过该设计，所述光栅可以通过电压或电场的改变，实现上述变化。
21.在一种可能的设计中，所述电极层中包含以下任一项或任意组合：
22.所述第一光波导区中的光波导对应的电极区；所述第二光波导区中的光波导对应的电极区；所述阵列波导区中的光波导对应的电极区。
23.通过该设计，光栅管理设备可以灵活地对每个波导区中的光波导进行折射率的调整。当需要对不同光波导区中的光波导的折射率设置不同时，所述光栅管理设备可以根据不同的电压，分别对不同波导区中的光波导对应的电极区供电。
24.在一种可能的设计中，所述光栅还包括：覆层；所述覆层用于密封所述液晶材料。通过该设计，可以避免位于槽内的光波导暴露在空气中。
25.在一种可能的设计中，所述覆层还作为所述电极层中的电极的地层。
26.在一种可能的设计中，所述控制部件为磁极层；所述磁极层用于提供磁场，使得所述光栅实现以下至少一项变化：改变所述目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
27.通过该设计，所述光栅可以通过磁场的改变，实现上述变化。
28.在一种可能的设计中，所述磁极层中包含以下任一项或任意组合：
29.所述第一光波导区中的光波导对应的磁极区；所述第二光波导区中的光波导对应的磁极区；所述阵列波导区中的光波导对应的磁极区。
30.通过该设计，光栅管理设备可以灵活地对所述光栅中的任一个波导区中的光波导折射率的灵活控制。当需要对不同光波导区中的光波导的折射率设置不同时，所述光栅管理设备可以根据不同的磁场强度，调整不同波导区中的光波导对应的磁极区的磁场。
31.第二方面，本技术实施例提供了一种光交叉复用器，包括：光交叉阵列或光开关阵列，至少一个第一方面提供的光栅；所述至少一个光栅与所述光交叉阵列或光开关阵列相连。
32.第三方面，本技术实施例提供了一种光栅特性调整方法，其中，所述光栅具有第一光波导区、第二光波导区，由多个光波导组成的阵列波导区；所述第一光波导区与阵列波导区相连；所述第二光波导区与阵列波导区相连。下面对该方法的步骤进行说明：
33.光栅管理设备获取光栅特性的目标取值，其中，所述光栅特性包含通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的任一种或多种；然后，根据所述光栅特性的目标取值，对所述光栅进行处理，以使所述光栅发生以下任一项或多项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。其中，所述目标波导区为所述第一光波导区、所述第二光波导区或所述阵列波导区中的任一项或任意组合。
34.通过该方法，光栅管理设备可以根据光栅特性的目标取值，对所述光栅中的控制部件进行处理，以使所述光栅发生以下至少一项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导，这样所述光栅管理设备可以改变所述光栅的特性。
35.在一种可能的设计中，所述光栅还包括控制部件；所述光栅管理设备可以通过以下步骤，根据所述光栅特性的目标取值，对所述光栅进行处理：
36.根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理，以使所述光栅发生以下任一项或多项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
37.在一种可能的设计中，所述控制部件为电极层；所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理，包括：
38.根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅提供电压或电场，从而使所述光栅发生上述变化。
39.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电，包括：
40.根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
41.根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述电极层的目标电压；
42.根据所述目标电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中的所述目标波导区提供电压或电场。
43.在所述光栅管理设备中存储有光栅特性的每个取值与每个目标波导区的目标折射率的第一对应关系的场景中，无论将所述光栅调整到哪一种通道间隔，或将所述光栅的光栅特性调整到哪个取值，所述光栅管理设备均可以根据第一上述对应关系，确定需要折射率发生变化的至少一个目标波导区，以及每个目标波导区中的目标折射率。这样，所述光栅管理设备即可通过改变电极层的电压，将所述目标波导区的折射率调整到对应的目标折射率。
44.在一种可能的设计中，在所述光栅管理设备中存储有光栅特性调整方式(从原取值调整到目标取值)与每个目标波导区的目标折射率的第二对应关系的场景中，光栅管理设备可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及第二对应关系，确定需要折射率发生变化的至少一个目标波导区，以及每个目标波导区中的目标折射率。这样，所述光栅管理设备即可通过改变电极层的电压，将所述目标波导区的折射率调整到对应的
目标折射率。
45.在一种可能的设计中，在所述电极层中包含多个波导区中每个光波导对应的电极区的情况下，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的电极区的目标电压。这样，所述光栅管理设备可以分别根据每个目标波导区内的光波导对应的电极区的目标电压，对每个目标波导区内的光波导对应的电极区供电，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应的电压或电场的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
46.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电，包括：
47.根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
48.根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导；
49.根据预设电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中所述部分光波导提供电压或电场。
50.通过该设计，所述光栅管理设备可以根据预设的电压对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中所述部分光波导提供电压或电场，从而最终使所述部分光波导消失。
51.在所述光栅管理设备中存储有光栅特性的每个取值与阵列波导区的结构参数取值的第三对应关系的场景中，所述光栅管理设备可以直接根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
52.在所述光栅管理设备中存储有光栅特性调整方式(从原取值调整到目标取值)与阵列波导区的结构参数取值的第四对应关系的场景中，所述光栅管理设备可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
53.在一种可能的设计中，所述电极层中包含所述阵列波导区中的光波导对应的电极区；
54.所述光栅管理设备可以根据所述预设电压，对所述电极层中所述部分光波导对应的电极区供电，以使所述电极区为所述部分光波导提供电压或电场。
55.通过该设计，所述光栅管理设备可以灵活地将指定光波导消失。
56.在一种可能的设计中，所述控制部件为磁极层；所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理，包括：
57.根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅提供磁场，从而使所述光栅发生上述变化。
58.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度，包括：
59.根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
60.根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述磁极层的目标磁场强度；
61.调整所述磁极层的磁场强度为所述目标磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅中
的所述目标波导区提供磁场，最终使所述目标波导区的折射率变为所述目标折射率。
62.在一种可能的设计中，在所述磁极中包含多个波导区中每个光波导对应的磁极区的情况下，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的目标磁场强度。这样，所述光栅管理设备可以分别根据每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的目标磁场强度，调整每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的磁场强度，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应的磁场强度的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
63.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度，包括：
64.所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数(例如阵列波导区的周期d，和/或，相邻两个光波导的长度差δl)的目标取值；
65.所述光栅管理设备根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导；
66.所述光栅管理设备调整所述磁极层的磁场强度为预设磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅中所述部分光波导提供磁场，最终使所述部分光波导消失。其中，所述预设磁场强度提供的磁场能够使所述部分光波导消失。
67.通过该设计，所述光栅管理设备可以灵活地将指定光波导消失。
68.在一种可能的设计中，所述控制部件为温度控制层；所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理，包括：
69.根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度，所述温度控制层为所述光栅提供温度，从而使所述光栅发生上述变化。
70.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度，包括：
71.根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
72.根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述温度控制层的目标温度；
73.将所述温度控制层调整为所述目标温度，以使所述温度控制层为所述光栅中的所述目标波导区提供温度，最终使所述目标波导区的折射率变为所述目标折射率。
74.在一种可能的设计中，在所述温度控制层中包含多个波导区中每个光波导对应的温度控制区的情况下，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的温度控制区的目标温度。这样，所述光栅管理设备可以分别将每个目标波导区内的光波导对应的温度控制区调整为其对应的目标温度，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应温度的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
75.在一种可能的设计中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度，包括：
76.所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参
数(例如阵列波导区的周期d，和/或，相邻两个光波导的长度差δl)的目标取值；
77.所述光栅管理设备根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导；
78.所述光栅管理设备调整所述温度控制层的温度为预设温度，以使所述温度控制层为所述光栅中所述部分光波导提供所述预设温度，最终使所述部分光波导消失。其中，所述预设温度能够使所述部分光波导消失。
79.通过该设计，所述光栅管理设备可以灵活地将指定光波导消失。
80.第四方面，本技术实施例提供了一种光栅管理设备，包括用于执行以上第三方面中各个步骤的单元。
81.第五方面，本技术实施例提供了一种光栅管理设备，包括至少一个处理元件和至少一个存储元件，其中该至少一个存储元件用于存储程序和数据，该至少一个处理元件用于读取并执行存储元件存储的程序和数据，以使得本技术以上第三方面提供的方法被实现。
82.第六方面，本技术实施例还提供了一种计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述第三方面提供的方法。
83.第七方面，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序被计算机执行时，使得所述计算机执行上述第三方面提供的方法。
84.第八方面，本技术实施例还提供了一种芯片，所述芯片用于读取存储器中存储的计算机程序，执行上述第三方面提供的方法。
85.第九方面，本技术实施例还提供了一种芯片系统，该芯片系统包括处理器，用于支持计算机装置实现上述第三方面提供的方法。在一种可能的设计中，所述芯片系统还包括存储器，所述存储器用于保存该计算机装置必要的程序和数据。该芯片系统可以由芯片构成，也可以包含芯片和其他分立器件。
附图说明
86.图1为本技术实施例提供的一种通用的awg的结构示意图；
87.图2a为本技术实施例提供的一种光栅的结构图；
88.图2b为本技术实施例提供的一种awg的结构图；
89.图2c为本技术实施例提供的又一种光栅的结构图；
90.图2d为本技术实施例提供的一种光栅的覆层分布示意图；
91.图2e为本技术实施例提供的再一种光栅的结构图；
92.图2f为本技术实施例提供的一种电极层中电极区的分布示意图；
93.图2g为本技术实施例提供的再一种光栅的结构图；
94.图2h为本技术实施例提供的一种磁极层中磁极区的分布示意图；
95.图2i为本技术实施例提供的再一种光栅的结构图；
96.图2j为本技术实施例提供的一种温度控制层中温度控制区的分布示意图；
97.图3为本技术实施例提供的一种光交叉复用器的结构图；
98.图4为本技术实施例提供的一种改变阵列波导区的结构的示例图；
99.图5为本技术实施例提供的一种光栅特性调整方法的流程图；
100.图6为本技术实施例提供的一种光栅管理设备的结构图；
101.图7为本技术实施例提供的另一种光栅管理设备的结构图。
具体实施方式
102.本技术提供一种光栅及其特性调整方法、设备，用以实现对光栅的特性的调整，从而可以降低光栅的制造成本和维护成本。其中，方法和设备是基于同一技术构思的，由于方法及设备解决问题的原理相似，因此设备与方法的实施可以相互参见，重复之处不再赘述。
103.以下，对本技术中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。
104.1)光栅，用于实现对光信号进行分波或合波的光学器件。由于其分波和合波的功能，广泛可以应用于光通信技术领域。示例性的，光栅的种类可以但不限于包括：awg，旋转awg。
105.下面以awg为例进行说明。
106.参阅图1所示，awg中主要包括输入波导、输入耦合区、阵列波导区、输出耦合区，以及输出波导几大部分组成。其中，输入耦合区也有称为输入自由传输波导区、输入平板波导区、输入星形耦合区的，为了描述方便，以下统称为输入耦合区。输出耦合区也有称为输出自由传输波导区、输出平板波导区、输出星形耦合区的，为了描述方便，以下统称为输出耦合区。输入耦合区和输出耦合区采用类似凹面光栅和罗兰圆的结构；输入波导和输出波导的端口位于罗兰圆的圆周上，阵列波导区位于凹面光栅的圆周上。输入波导和输出波导分别对光信号进行限制和传导；阵列波导区引入一个较大的光程差，使光栅工作在高阶衍射，提高了光栅的分辨率。
107.需要说明的是，awg的一些结构参数要满足光栅方程，以及角色散方程，这样才能实现其分波或合波的功能。
108.光栅方程符合以下公式一：
109.n
si
*d
i
*sinθ
i
+n
c
*δl+n
so
*d
o
*sinθ
o
＝m*λ
ꢀꢀꢀ
公式一
110.其中，n
si
为输入耦合区(中的光波导)的折射率，n
so
为输出耦合区(中的光波导)的折射率，n
c
为阵列波导区(中的光波导)的折射率，d
i
为阵列波导区在输入耦合区侧的周期，d
o
为阵列波导区在输出耦合区侧的周期，θ
i
为输入耦合区上的衍射角，θ
o
为输出耦合区上的衍射角，m为awg工作的衍射级次，λ为光信号波长，δl为阵列波导区中相邻两个光波导的长度差。
111.根据上述光栅方程，可以推导出角色散方程，其符合以下公式二：
[0112][0113]
其中，n
g
为群折射率，
[0114]
通过以上公式二可以推到出公式三：
[0115]
[0116]
由于为一个相对小量，因此，n
g
≈n
c
，因此，以上公式二可以演变为以下公式四：
[0117][0118]
2)“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0119]
需要说明的是，本技术中所涉及的多个，是指两个或两个以上。
[0120]
另外，需要理解的是，在本技术的描述中，“第一”、“第二”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。
[0121]
由于传统的awg中的波导(包括输入/输出耦合区的波导以及阵列波导区中的波导)一般是通过二氧化硅(sio2)或硅(si)材料制作而成，因此该光波导的光传输参数(折射率等)是固定不变的，进而也是awg的特性(例如通道间隔)也是固定的。
[0122]
然而，在光通信网络中，经常会使用各种不同特性的光栅。例如，传输速率为100gbps光通信网络中所用的光栅，其通道间隔一般在50ghz；传输速率为200gbps的光通信网络中所用的光栅，其通道间隔可能为62.5ghz；传输速率为400gbps的光通信网络中所用的光栅，其通道间隔可能为75ghz；传输速率为1tbps的光通信网络中所用的光栅，其通道间隔可能为100ghz。
[0123]
由于传统的光栅不支持特性调整，为了满足这种多特性光栅的需求，光栅厂商需要针对每种特性制作一种光栅，这样会导致较高的光栅制作成本和管理维护成本，也增加了网络部署方的备货成本。
[0124]
下面结合附图，对本技术实施例进行具体说明。
[0125]
本技术实施例提供了一种特性可变的光栅，该光栅中的波导区具有改变折射率的特征，或者阵列波导区中的光波导能够消除的特征。下面图2a-图2j对所述光栅的结构进行详细说明。需要说明的是，本技术实施例不限定所述光栅的类型，所述光栅可以为awg，也可以为旋转awg等各种类型的光栅。
[0126]
参阅图2a所示光栅结构的纵切面示意图，所述光栅200中包含多个波导区，下面以所述光栅200中包含第一光波导区201、第二光波导区202以及由多个光波导组成的阵列波导区203为例进行说明。所述第一光波导区201与阵列波导区203相连；所述第二光波导区202与阵列波导区203相连。
[0127]
示例性的，当所述光栅200为阵列波导光栅awg时，参阅图2b所示，所述光栅主要包含输入耦合区、阵列波导区和输出耦合区。即第一光波导区201可以为输入耦合区，所述第二光波导区202可以为输出耦合区。
[0128]
所述光栅200具有以下任一项或任意组合的特征：
[0129]
所述第一光波导区201中的光波导的折射率能够改变，所述第二光波导区202中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区203中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区203中的光波导能够消除。
[0130]
所述光栅200还具有控制部件204，用于改变所述光栅200中的目标波导区中的光
波导的折射率，和/或，消除所述阵列波导区203中的部分光波导。其中，所述目标波导区为所述第一光波导区201、所述第二光波导区202或所述阵列波导区203中的任一项或任意组合。
[0131]
当所述光栅200实现所述任一项或任意组合的特征时，使得所述光栅200的通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的任一种或多种发生改变，从而实现所述光栅200的特性的改变。
[0132]
在一种实施方式中，所述第一光波导区201可以为所述光栅200的输入耦合区、输入自由传输波导区、输入平板波导区或输入星形耦合器中的任一种；所述第二光波导区202为所述光栅200的输出耦合区、输出自由传输波导区、输出平板波导区或输出星形耦合器中的任一种，本技术对此不作限定。
[0133]
为了保证所述光栅200具有以上特征，在一种实施方式中，所述光栅200中的第一光波导区101、第二光波导区102或阵列波导区103中的任一项或任意组合中的光波导是由折射率可变的光材料制作成的。示例性的，所述光材料可以为液晶材料、电光材料，或磁流体材料等其他折射率可变的材料，本技术对此不作限定。
[0134]
示例性的，当所述光栅200中的任一个波导区的光波导是由液晶材料制成时，所述光栅200还包括刻槽层205。所述刻槽层205中刻蚀有该波导区中的光波导对应的槽；所述刻槽层205用于形成该波导区中的光波导的包层。示例性的，图2a所示，刻槽层205刻蚀有第一光波导区201、第二光波导区202和阵列波导区203中的光波导的槽。另外，所述光栅200具体加工工艺可以利用毛细现象灌封的方式，将液晶材料添加到所述刻槽层205中对应光波导的槽内。
[0135]
另外，与所述刻槽层205对应的，为了避免位于槽内光波导暴露在空气中，所述光栅200还可以包括覆层206；所述覆层206用于密封任一个波导区中的光波导(即密封制作所述光波导的液晶材料)。可选的，所述覆层206可以覆盖所述刻槽层205，从而密封所述刻槽层205中的所有槽；或者所述覆层206可以内嵌于所述刻槽层205表层，用于密封所述刻槽层205中的每个槽，参阅图2c中的光栅200的纵切面示意图，和图2d中的光栅200的俯视图。示例性的，所述覆层206可以采用氧化铟锡(indium tin oxide，ito)玻璃基板制作。
[0136]
值得注意的是，本技术实施例不对所述覆层206和所述控制部件204的位置进行限定，可选的，所述覆层206和所述控制部件204可以分别位于所述刻槽层205的两侧，如图2a-图2d所示，或者所述覆层206和所述控制部件204可以位于所述刻槽层205上；再或者在所述覆层206上可以加工所述控制部件204。特别的，所述控制部件204还可以独立于所述光栅200的其他单元(例如第一光波导区201、第二光波导区202、阵列波导区203、刻槽层205、覆层206等)部件之外，即与所述光栅的其他单元都有间隙，本技术对此不作限定。
[0137]
需要说明的是，由于本技术对制作光波导的光材料不作限定，那么在本技术也对控制部件改变由光材料制作的光波导的折射率的方式不作限定。在本技术实施例中，管理所述光栅200的管理设备(以下简称为光栅管理设备)可以但不限于通过以下任一方式或任意方式组合，实现光波导折射率的改变。
[0138]
方式一：光栅管理设备可以通过改变所述光栅200中任一波导区中光波导的电压或电场，改变其折射率。
[0139]
方式二：光栅管理设备可以通过改变所述光栅200中任一波导区中光波导的磁场，
改变其折射率。
[0140]
方式三：光栅管理设备还可以通过改变所述光栅200中任一波导区中光波导的温度，改变其折射率。
[0141]
根据改变光波导折射率的方式的不同，所述光栅200的具体结构也不同。
[0142]
在一种实施方式中，在所述光栅200是通过上述方式一改变任一个波导区中光波导的折射率的情况下，所述控制部件204为电极层204a。所述电极层204a用于为所述光栅200提供不同的电压或电场，以使得所述光栅200实现以下变化：改变目标波导区中的光波导的折射率。在该实施例方式下，所述光栅200的结构如图2e所示。
[0143]
需要说明的是，当所述覆层206与所述电极层204a位于所述刻槽层205的两侧时，所述覆层还可以作为所述电极层204a中的电极的地层，和所述电极层204a一起为所述光栅200提供电压或电场。另外，覆层206上可以加工电极，这样所述覆层206还可以兼做电极层204a。
[0144]
此外，为了实现灵活地对所述光栅中的任意一个或多个波导区中的光波导折射率的灵活控制，可选的，所述电极层204a中包含以下任一项或任意组合：
[0145]
所述第一光波导区中的光波导对应的电极区；所述第二光波导区中的光波导对应的电极区；所述阵列波导区中每个光波导对应的电极区，或者所述阵列波导区中部分或全部光波导对应的电极区。
[0146]
其中，所述电极层204a中各个光波导的电极区的分布可以参阅图2f所示。
[0147]
这样，当需要对不同光波导区中的光波导的折射率设置不同时，所述光栅管理设备可以根据不同的电压，分别对不同波导区中的光波导对应的电极区供电。
[0148]
在另一种实施方式中，在所述光栅200是通过上述方式二改变任一个波导区中光波导的折射率的情况下，所述控制部件204为磁极层204b。由于磁场由两个磁极——南极和北极构成。因此，所述磁极层204b分为第一磁极层204b1和第二磁极层204b2。且所述第一磁极层204b1和所述第二磁极层204b2位于所述刻槽层205的两侧，两个磁极层的磁极不同。
[0149]
所述磁极层204a用于为所述光栅200提供不同的磁场，以使得所述光栅200实现以下变化：改变目标波导区中的光波导的折射率。在该实施例方式下，所述光栅200的结构如图2g所示。
[0150]
需要说明的是，本技术不限定所述覆层206和所述第一磁极层204b1的位置。可选的，所述第一磁极层204b1可以位于所述覆层206和刻槽层205之间；也可以位于所述覆层206上面，如图2g中的位置；还可以所述第一磁极层204b1作为所述覆层206，用于密封所述任一个波导区中的光波导；还可以是与所述光栅200其他的单元(例如第一光波导区201、第二光波导区202、阵列波导区203、刻槽层205、覆层206等)都有间隙的单元给所述光栅200提供磁场。
[0151]
此外，为了实现灵活地对所述光栅中的任一个波导区中的光波导折射率的控制，可选的，所述磁极层204b中包含以下任一项或任意组合：
[0152]
所述第一光波导区中的光波导对应的磁极区；所述第二光波导区中的光波导对应的磁极区；所述阵列波导区中每个光波导对应的磁极区，或者所述阵列波导区中部分光波导或全部光波导对应的磁极区。
[0153]
其中，所述磁极层204b中各个光波导的磁极区的分布可以参阅图2h所示。
[0154]
这样，当需要对不同光波导区中的光波导的折射率设置不同时，所述光栅管理设备可以根据不同的磁场强度，调整不同波导区中的光波导对应的磁极区的磁场。例如，每个光波导区对应的磁极区中包含：位于所述第一磁极层204b1的第一磁极区，和位于所述第二磁极层204b2中的第二磁极区。其中，第一磁极区和第二磁极区中的至少一项缠绕有线圈，这样，光栅管理设备通过改变任一个磁极区的线圈的电流强度，从而改变该磁极区的磁场强度。
[0155]
在又一种实施方式中，在所述光栅200是通过上述方式三改变任一个波导区中光波导的折射率的情况下，所述控制部件204包含：温度控制层204c。其中，所述温度控制层204c至少需要具有能够控制所述光栅200的温度的功能。
[0156]
所述温度控制层204c，具有升温和降温功能，并能够处于恒温状态，用于将自身的温度调整到所述目标温度，从而通过热传递影响所述光栅200的温度，以使所述光栅200的温度调整到所述目标温度。示例性的，所述温度控制层204c的主要部件可以为石墨烯材料或者热电合金材料等能够升温和降温的材料制作而成。
[0157]
所述温度控制层204c用于为所述光栅200提供不同的温度，以使得所述光栅200实现以下变化：改变目标波导区中的光波导的折射率。在该实施例方式下，所述光栅200的结构如图2i所示。
[0158]
需要说明的是，本技术不限定所述温度控制层204c的位置。可选的，所述温度控制层204c可以位于所述覆层206和刻槽层205之间；也可以位于所述覆层206上面，如图2i中的位置；所述温度控制层204c还可以作为所述覆层206，用于密封所述任一个波导区中的光波导。
[0159]
此外，为了实现灵活地对所述光栅中的任一个波导区中的光波导折射率的灵活控制，可选的，所述温度控制层204c中包含以下任一项或任意组合：
[0160]
所述第一光波导区中的光波导对应的温度控制区；所述第二光波导区中的光波导对应的温度控制区；所述阵列波导区中每个光波导对应的温度控制区，或者所述阵列波导区中部分光波导或全部光波导对应的温度控制区。
[0161]
这样，当需要对不同光波导区中的光波导的折射率设置不同时，所述光栅管理设备可以根据不同的温度，调整不同波导区中的光波导对应的温度控制区的温度。
[0162]
本领域人员了解，光波导传输光信号的条件为光波导能够实现全反射，而全反射的必要条件为光波导的折射率高于该光波导的包层的折射率。因此，所述光栅管理设备可以通过改变阵列波导区203中某个光波导的折射率，从而消除所述阵列波导区203中的该光波导，以及让该光波导保持有效。所述光栅管理设备调整该光波导的折射率的方法可以参考以上光栅管理设备改变光波导折射率方法的具体描述，此处不再赘述。
[0163]
综上，本技术实施例提供了一种特性可变的光栅。所述光栅具有如下特征：至少一个波导区中的光波导的折射率能够发生改变，和/或阵列波导区中的光波导能够消除。因此，光栅管理设备可以通过光栅中的控制部件，改变目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除阵列波导区中的部分光波导，从而使得所述光栅的通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的至少一项发生改变，最终实现改变所述光栅的特性。进一步的，通过生产和使用该光栅可以降低光栅的制造成本和维护成本。
[0164]
基于以上实施例提供的光栅，本技术实施例还提供了一种特性可变的光交叉复用
器，例如，(动态)光分叉复用器((reconfigurable)optical add/drop multiplexer，(r)oadm)。参阅图3所示，所述光交叉复用器300中包含：光交叉阵列或光开关阵列301，至少一个特性可变的光栅302(具体结构可以参考以上实施例的描述，以及参考图2a-图2j)；所述至少一个光栅302与所述光交叉阵列或光开关阵列301相连。如图所示，所述至少一个光栅302可以为以下任何一种情况：包含至少一个输入光栅302a、包含至少一个输出光栅302b、包含至少一个输入光栅302a和至少一个输出光栅302b。在一种实施方式中，所述光交叉复用器中还包含至少一个发射机303，和/或，至少一个接收机304。
[0165]
基于以上实施例提供的光栅，下面以具有分波功能的awg为例，对调整所述光栅的特性的可行性进行分析。awg能够实现的通道间隔可变(channel spacing)，例如awg的通道间隔在50ghz、62.5ghz、75ghz以及100ghz之间切换。
[0166]
本领域人员了解，awg的输入/输出光信号的通道间隔改变时，可以近似为波长间隔δλ的改变，例如：50ghz的通道间隔对应波长间隔0.4nm；62.5ghz的通道间隔对应波长间隔0.5nm；75ghz的通道间隔对应波长间隔0.6nm；100ghz的通道间隔对应波长间隔0.8nm。
[0167]
下面在awg的基本结构是否能够发生变化的情况下，对awg的通道间隔变化的可行性进行分析。
[0168]
第一种情况：在awg的通道间隔变化时，awg的基本结构不改变。
[0169]
awg的基本结构不改变，即d
o
、δθ
o
是不能改变的。因此，为了实现awg的通道间隔变化，可以改变awg中至少一个波导区的折射率。
[0170]
a、在以上公式二中，n
g
为群折射率，并且由于取值较小(sio2波导一般为0.0048)，因此，n
g
≈n
c
，公式二可以演变为公式四另外，由于改变awg的通道间隔，d
o
、δθ
o
是不能改变的，因此，根据公式四，可以得到以下公式五，即各个通道间隔下均需要满足以下公式五：
[0171][0172]
其中，公式五中的下标1、2、3
……
j分别代表不同的通道间隔。
[0173]
由于通道间隔改变时，δλ为已知的，因此，光栅管理设备可以根据具体情况，改变m和n
so
中的任一项或组合，从而满足上述公式五。
[0174]
需要注意的是，若单纯改变n
so
，则n
so
的变化范围较大。例如，δλ从0.4nm(对应50ghz的通道间隔)变成0.8nm(对应100ghz的通道间隔)时，要保持其他参数不变，则n
so
需要增大1倍，然而，目前基本上没有材料能做到折射率增加1倍这一点。
[0175]
b、基于公式五可知，在需要改变awg的通道间隔时，光栅管理设备可以改变m和n
so
中的任一项或组合。下面针对不同材料的awg进行举例说明。
[0176]
示例1，采用e7液晶材料(异常光折射率n
e
＝1.741，寻常光折射率n
o
＝1.517)制作的awg。
[0177]
在awg工作在50ghz的通道间隔(通道间隔1)下，δλ1＝0.4nm，m1＝6*k，n
so1
＝1.517；
[0178]
在awg工作在62.5ghz的通道间隔(通道间隔2)下，δλ2＝0.5nm，m2＝5*k，n
so2
＝
1.580；
[0179]
在awg工作在75ghz的通道间隔(通道间隔3)下，δλ3＝0.6nm，m3＝4*k，n
so3
＝1.517；
[0180]
在awg工作在100ghz的通道间隔(通道间隔4)下，δλ4＝0.8nm，m4＝3*k，n
so4
＝1.517；其中，k为正整数。
[0181]
示例2，采用高折射率的液晶材料(n
e
＝1.867，寻常光折射率n
o
＝1.514)制作的awg。
[0182]
在awg工作在50ghz的通道间隔(通道间隔1)下，δλ1＝0.4nm，m1＝4*k，n
so1
＝1.660；
[0183]
在awg工作在62.5ghz的通道间隔(通道间隔2)下，δλ2＝0.5nm，m2＝3*k，n
so2
＝1.556；
[0184]
在awg工作在75ghz的通道间隔(通道间隔3)下，δλ3＝0.6nm，m3＝3*k，n
so3
＝1.867；
[0185]
在awg工作在100ghz的通道间隔(通道间隔4)下，δλ4＝0.8nm，m4＝2*k，n
so4
＝1.660。
[0186]
通过以上示例可知，在一些情况下，将awg的通道间隔从第一通道间隔调整到第二通道间隔时，可以只改变awg的衍射级次m。例如，上述示例1中awg在通道间隔1、通道间隔3和通道间隔4中任意两项之间转换时。又例如，上述示例2中awg在通道间隔1和通道间隔4之间转换时。
[0187]
而在一些情况下，将awg的通道间隔从第一通道间隔调整到第二通道间隔时，可以只改变输出耦合区的折射率n
so
。例如，上述示例2中awg在通道间隔2和通道间隔3之间转换时。
[0188]
在其他情况下，将awg的通道间隔从第一通道间隔调整到第二通道间隔时，可以同时改变m和n
so
。例如，上述示例1中awg在通道间隔2与任一其他通道间隔之间转换时。又例如，上述示例2中awg在通道间隔2或通道间隔3与任一其他通道间隔之间转换时。
[0189]
c、awg的通道间隔变化后，需要依然满足光栅方程，即上述公式一，同时awg的基本结构也不能变化。
[0190]
(1)、以分波器为例，不同的通道间隔时，假设存在一个波长的中心频率是一样的，且满足上述公式一，则根据前面分析，不同通道间隔时光栅的δθ
o
不变。这样，就能用同一awg实现不同的通道间隔。假设此波长是λ
u
。
[0191]
(2)、对于不同的通道间隔，光栅方程中的参数d
i
、sinθ
i
、δl、d
o
、sinθ
o
应该保持不变，因此针对不同的通道间隔，可以得到以下方程组一：
[0192][0193]
(3)、以上述e7液晶材料制作的awg为例，将示例1中awg在不同通道间隔下m和n
so
代入上述方程组一，可以得到以下方程组二：
[0194][0195]
(4)、上述方程组二存在多组解，举例而言，其中一组解为：δl＝15um，d
i
＝d
o
＝32.8um，θ
i
＝10
°
。并且e7液晶材料的awg的通道间隔变化时，λ＝1529.163nm是基准，固定从θ
o
＝10
°
处输出。
[0196]
综上，可以所述awg在不同通道间隔下的各个参数的取值，如下所示：
[0197]
在awg工作在50ghz的通道间隔(通道间隔1)下，δλ1＝0.4nm，m1＝6*k，n
so1
＝1.517，n
si1
＝1.517，n
c1
＝1.741；
[0198]
在awg工作在62.5ghz的通道间隔(通道间隔2)下，δλ2＝0.5nm，m2＝5*k，n
so2
＝1.580，n
si2
＝1.517，n
c2
＝1.662；
[0199]
在awg工作在75ghz的通道间隔(通道间隔3)下，δλ3＝0.6nm，m3＝4*k，n
so3
＝1.517，n
si3
＝1.741，n
c3
＝1.620；
[0200]
在awg工作在100ghz的通道间隔(通道间隔4)下，δλ4＝0.8nm，m4＝3*k，n
so4
＝1.517，n
si4
＝1.741，n
c4
＝1.517。
[0201]
(5)、基于(4)中e7液晶材料的awg在不同通道间隔下的各个参数的取值可知，要满足光栅方程，在一些情况下，输入耦合区的折射率n
si
、输出耦合区的折射率n
so
，和阵列波导区的折射率n
c
中的至少一项可以不变。
[0202]
需要说明的是，以上描述仅为举例说明，并不能限定各个不同材料的awg在不同的通道间隔下的各个参数的取值，也不能限定e7材料的awg在不同的通道间隔下的各个参数的取值。
[0203]
第二种情况：在awg的通道间隔变化时，awg的一些结构参数也可以改变。
[0204]
例如，光栅中光波导是由折射率可变的材料制作，如果控制阵列波导区中的某个光波导的折射率与包层材料的折射率相同，或者小于包层材料的折射率，那么该光波导将消失。因此，为了实现awg的通道间隔变化，可以有选择的取消一些光波导，从而改变阵列波导区的周期d和相邻两个光波导的长度差δl。
[0205]
例如，参阅图4所示，光栅的阵列波导区中间隔一个光波导取消一个光波导，如图4中虚线表示的需要取消的光波导，那么调整后的阵列波导区的周期d，和相邻两个光波导的长度差δl可以变为之前的2倍。
[0206]
(1)、下面以awg点通道间隔从50ghz(对应的波长间隔δλ1＝0.4nm，)调整到100ghz(对应的波长间隔δλ4＝0.8nm)的情况为例，进行说明，光栅管理设备需要控制阵列波导区中的光波导的折射率使得d
o4
＝d
o1
，而其他参数不变，即m4＝m1，n
so4
＝n
so1
，这样既可满足awg点角色散方程。
[0207]
(2)、同时，根据awg的光栅方程可以得到以下方程组三：
[0208][0209]
(3)、awg的主要参数为：d＝33.5um，θ
i
＝-10
°
。并且e7液晶材料的awg的通道间隔
变化时，λ＝1529.163nm是基准，固定从θ
o
＝-10
°
处输出。
[0210]
综上，可以得到awg在不同通道间隔下的各个参数的取值，如下所示：
[0211]
在awg工作在50ghz的通道间隔(通道间隔1)下，δλ1＝0.4nm，m1＝6*k，n
so1
＝1.741，n
si1
＝1.539，n
c1
＝1.741，d
i1
＝d
o1
＝33.5um，δl1＝16um；
[0212]
在awg工作在100ghz的通道间隔(通道间隔4)下，δλ4＝0.8nm，m4＝6*k，n
so4
＝1.741，n
si4
＝1.715，n
c4
＝1.517，d
i1
＝d
o1
＝67um，δl4＝32um。
[0213]
(4)、在上面的例子中，d取值偏大，m取值偏小，实际设计时会影响awg的其他参数(插损、通道串扰、通道滤波谱形等)。因此可以联合awg的结构参数变化调整及输出耦合区的折射率n
so
、衍射级次m、输入耦合区的折射率n
si
、阵列波导区的折射率n
c
，综合进行调整，以期在awg通道间隔变化时都能获得较好的awg参数。例如，在较密集的预设的阵列波导中，δλ1＝0.4nm时，在阵列波导区中间隔一个有效光波导选择一个光波导消失，δλ4＝0.8nm时，间隔两个有效光波导选择一个光波导消息，这样d4＝1.5d1，或者取其他非整的倍数，再结合其他参数调整，即可获得较好的awg参数。
[0214]
基于以上对两种情况的分析可知，为了实现awg的通道间隔变化，采用的实质方法为调整输出耦合区的折射率、输入耦合区的折射率、阵列波导区的折射率，以及阵列波导区的结构参数(及阵列波导区中相连两个光波导的长度差和/或阵列波导区的周期)中的任一种或任意组合。
[0215]
下面以e7液晶材料的awg(以下简称第一类awg)、高折射率液晶材料的awg(以下简称第二类awg)以及能够调整阵列波导区的结构参数的awg(第三类awg)三种awg为例，对在不同通道间隔之间变化时，需要调整的参数和无需调整的参数进行举例说明，参阅表1所示。
[0216]
表1
[0217][0218][0219]
还需要说明的是，以上可行性分析是在awg的通道间隔变化时相邻通道间隔之间对应的输入耦合区上的衍射角/输出耦合区上的衍射角不变的基础上实现。即对用于实现分波功能的光栅而言，δθ
o
不变；对用于实现合波功能的光栅而言，δθ
i
不变；对与旋转awg而言，δθ
o
、δθ
i
都不变。
[0220]
基于以上两种情况下的可行性分析可知，本技术能够实现的前提是如何在波导区的折射率变化较小的情况下实现awg通道间隔变化。结合上述举例以及根据awg的角色散方程以及光栅方程分析，可知主要由以下三种场景：
[0221]
(1)、通常场景下，由于波导区的折射率的变化范围有限(与制作该波导区中光波导的材料相关，折射率的变化范围为异常光折射率和寻常光折射率之间)，因此为了满足awg的角色散方程，awg的通道间隔变化时，需要调整衍射级次m；同时需要满足awg的光栅方程，由于衍射角较小，因此，光栅方程中的n
si
*d
i
*sinθ
i
和n
so
*d
o
*sinθ
o
都是取值较小的量，因此衍射级次的变化意味着阵列波导区的折射率n
c
需要变化。详见以上表1中第一类awg中的可变量部分。
[0222]
(2)、在某些场景下(例如，通道间隔在62.5ghz与75ghz之间变化(即波长间隔在0.5nm<->0.6nm之间变化))，有些材料制作的波导区的折射率变化范围足够大，那么此时不需要再调整衍射级次m。但为了满足角色散方程，输出耦合区的折射率n
so
需要变化；另外，为了满足光栅方程，输入耦合区的折射率n
si
和阵列波导区的折射率n
c
中的至少一个需要变化。参见方程组一，方程式右侧值不变，那么若方程式左侧一项参数发生变化，则左侧还需要至少一项发生变化，才能保证等式成立。
[0223]
(3)、在一些场景下，可以通过选择阵列波导区中的有效光波导数量(选择消息部分光波导)，从而改变阵列波导区的周期d和相邻两个光波导的长度差δl。此时可以不用调衍射级次m和输出耦合区的折射率n
so
。与(1)类似的，为了满足光栅方程，至少阵列波导区的折射率n
c
需要变化。参阅方程组三。
[0224]
还需要说明的是，以上仅以awg为例进行说明，但以上分析并不对本技术实施例提供的光栅特性调整方法使用的光栅的类型构成限定。本技术提供的方法不仅可以适用于awg，还可以适用于旋转awg由于原理类似，因此本技术不再对调整旋转awg特性的可行性进行分析。
[0225]
综上所述，无论是哪种类型的光栅，只要光栅管理设备中存储有每个通道间隔下各个参数的取值，或者存储有任意两种通道间隔之间变化时需要变化的参数的取值，那么所述光栅管理设备即可根据该参数的取值进行调整，最终调整所述光栅的通道间隔，从而实现光栅特性的调整。
[0226]
基于以上实施例提供的光栅，以及以上对调整光栅特性的可行性分析，本技术实施例还提供了一种光栅特性调整方法。其中，在本技术实施例中，所述光栅中包含多个波导区，即第一光波导区、第二光波导区以及由多个光波导组成的阵列波导区。并且，所述光栅具有以下任一项或任意组合的特征：所述第一光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述第二光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导能够消除。所述光栅中还包含控制部件，用于改变目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除所述阵列波导区中的部分光波导。下面结合图5所示的流程图，对该方法进行详细说明。
[0227]
s501：光栅管理设备获取光栅特性的目标取值，其中，所述光栅特性包含通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的任一种或多种。
[0228]
可选的，所述光栅特性的目标取值可以为用户输入的，或者为所述光栅管理设备从其它设备获取的。
[0229]
s502：所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述光栅进行处理，以使所述光栅发生以下任意一项或多项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导；其中，所述目标波导区为所述第一光波导区、所述第二光波
导区或所述阵列波导区中的任一项或任意组合。
[0230]
可选的，所述光栅中可以包含控制部件，用于改变所述目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
[0231]
通过以上实施例中对所述光栅的结构描述可知，所述光栅可以通过多种方式调整波导区中的光波导的折射率。因此，在本技术实施例中，所述光栅管理设备针对不同的光栅结构，通过不同的实施方式，执行s502。
[0232]
第一种实施方式：在所述光栅的结构为图2e或图2f的场景中，所述控制部件为电极层。那么所述光栅管理设备可以通过以下步骤，执行s502：
[0233]
所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅提供电压或电场，从而使所述光栅发生以上变化。
[0234]
可选的，当所述光栅的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，对所述电极层供电：
[0235]
a1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率。
[0236]
a2、所述光栅管理设备根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述电极层的目标电压。
[0237]
可选的，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的制作材料，所述目标折射率等信息，确定所述目标电压。或者，所述光栅管理设备保存有所述目标波导区的折射率与电极层的电压的对应关系，因此，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述电极层的目标电压。
[0238]
a3、所述光栅管理设备根据所述目标电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中的所述目标波导区提供电压或电场。
[0239]
基于以上对调整光栅特性的可行性分析可知，只要所述光栅管理设备中存储有每个通道间隔下各个参数的取值，或者存储有任意两种通道间隔之间变化时需要变化的参数的取值，那么所述光栅管理设备即可根据该参数的取值进行调整，最终调整所述光栅的通道间隔，从而实现光栅特性的调整。
[0240]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有每个通道间隔(光栅特性的每个取值)与每个目标波导区的目标折射率的第一对应关系。这样，无论将所述光栅调整到哪一种通道间隔，或将所述光栅的光栅特性调整到哪个取值，所述光栅管理设备均可以根据上述第一对应关系，确定需要折射率发生变化的至少一个目标波导区，以及每个目标波导区中的目标折射率。
[0241]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述a1步骤时，可以直接通过所述光栅特性的目标取值，以及上述第一对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0242]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有通道间隔调整方式(从原通道间隔调整到目标通道间隔)与每个目标波导区的目标折射率的第二对应关系。这样，无论所述光栅的通道间隔如何变化，或将所述光栅的光栅特性从哪个原取值调整到哪个目标取值，所述光栅管理设备均可以根据上述第二对应关系，确定需要折射率发生变化的至少一个目标波导区，以及每个目标波导区中的目标折射率。
[0243]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述a1步骤时，可以根据所述光栅特
性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第二对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0244]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述电极层中包含多个波导区中每个光波导对应的电极区的情况下，参阅图2f所示，所述光栅管理设备在执行a2步骤时，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的电极区的目标电压。这样，所述光栅管理设备在执行a3步骤时，可以分别根据每个目标波导区内的光波导对应的电极区的目标电压，对每个目标波导区内的光波导对应的电极区供电，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应的电压或电场的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
[0245]
可选的，当所述光栅的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，对所述电极层供电：
[0246]
b1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数(例如阵列波导区的周期d，和/或，相邻两个光波导的长度差δl)的目标取值。
[0247]
b2、所述光栅管理设备根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导。
[0248]
可选的，所述光栅管理设备可以通过各种算法，根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，以及以下至少一项或组合，确定需要消除的部分光波导：
[0249]
所述阵列波导区中光波导的制作材料，插损、通道串扰、通道滤波谱形等。
[0250]
可选的，所述光栅管理设备还可以通过保存的阵列波导区的结构参数的各个取值与需要消除的光波导的对应关系，以及所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定需要消除的部分光波导。
[0251]
b3、所述光栅管理设备根据预设电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中所述部分光波导提供电压或电场。其中，所述预设电压提供的电压和电场能够使所述部分光波导消失。
[0252]
通过以上对调整光栅特性的可行性分析可知，当阵列波导区中的光波导的折射率可变的情况下，若调整阵列波导区中部分光波导的折射率小于包层材料的折射率那么这些光波导将消失。并且，需要消除的部分光波导可以通过阵列波导区的结构参数中的目标取值有关。
[0253]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有每个通道间隔(光栅特性的每个取值)与阵列波导区的结构参数取值的第三对应关系。这样，无论将所述光栅调整到哪一种通道间隔，或者将所述光栅的光栅特性调整到哪个取值，所述光栅管理设备均可以根据上述第三对应关系，确定阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0254]
因此，在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述b1步骤时，可以直接根据所述光栅特性的目标取值，和所述第三对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0255]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有通道间隔调整方式(从原通道间隔调整到目标通道间隔)与阵列波导区的结构参数取值的第四对应关系。这样，无论所述光栅的通道间隔如何变化，或将所述光栅的光栅特性从哪个原取值调整到哪个目标取值，所述光栅管理设备均可以根据上述第四对应关系，确定阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0256]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述b1步骤时，可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第四对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0257]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述电极层中包含所述阵列波导区中每个光波导对应的电极区的情况下，参阅图2f所示，所述光栅管理设备在执行上述b3步骤时，可以分别根据所述预设电压，分别对所述部分光波导中每个光波导对应的电极区供电，以使所述每个光波导对应的电极区为对应的每个光波导提供电压或电场，从而使这些光波导受到相应的电压或电场的影响，最终使这些光波导消失。
[0258]
第二种实施方式：在所述光栅的结构为图2g和图2h的场景中，所述控制部件为磁极层。那么所述光栅管理设备可以通过以下步骤，执行s502：
[0259]
所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅提供磁场，从而使所述光栅发生以上变化。
[0260]
可选的，当所述光栅的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，调整所述磁极层的磁场强度：
[0261]
c1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率。
[0262]
c2、所述光栅管理设备根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述磁极层的目标磁场强度。
[0263]
可选的，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的制作材料，所述目标折射率等信息，确定所述目标磁场强度。或者，所述光栅管理设备保存有所述目标波导区的折射率与磁极层的磁场强度的对应关系，因此，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述磁极层的目标磁场强度。
[0264]
c3、所述光栅管理设备调整所述磁极层的磁场强度为所述目标磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅中的所述目标波导区提供磁场，最终使所述目标波导区的折射率变为所述目标折射率。
[0265]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第一对应关系。
[0266]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述c1步骤时，可以直接通过所述光栅特性的目标取值，以及上述第一对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0267]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第二对应关系。
[0268]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述c1步骤时，可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第二对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0269]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述磁极层中包含多个波导区中每个光波导对应的磁极区的情况下，参阅图2h所示，所述光栅管理设备在执行c2步骤时，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的目标磁场强度。这样，所述光栅管理设备在执行c3步骤时，可以分别根据每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的目标磁场强度，调整每个目标波导区内的光波导对应的磁极区的磁场强度，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应的磁场强度的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
[0270]
可选的，当所述光栅的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，调整所述磁极层的磁场强度：
[0271]
d1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数(例如阵列波导区的周期d，和/或，相邻两个光波导的长度差δl)的目标取值。
[0272]
d2、所述光栅管理设备根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导。
[0273]
在本实施方式中，所述光栅管理设备也可以通过多种方法，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导，具体可以参考以上实施方式中的描述，此处不再赘述。
[0274]
d3、所述光栅管理设备调整所述磁极层的磁场强度为预设磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅中所述部分光波导提供磁场，最终使所述部分光波导消失。其中，所述预设磁场强度提供的磁场能够使所述部分光波导消失。
[0275]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第三对应关系。
[0276]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述d1步骤时，可以直接根据所述光栅特性的目标取值，和所述第三对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
[0277]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第四对应关系。
[0278]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述d1步骤时，可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第四对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0279]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述磁极层中包含所述阵列波导区中每个光波导对应的磁极区的情况下，参阅图2h所示，所述光栅管理设备在执行上述d3步骤时，可以分别将所述部分光波导中每个光波导对应的磁极区的磁场强度调整为所述预设磁场强度，以使所述每个光波导对应的磁极区为对应的每个光波导提供磁场，从而使这些光波导受到相应的磁场的影响，最终使这些光波导消失。
[0280]
第三种实施方式：在所述光栅的结构为图2i和图2j的场景中，所述控制部件为温度控制层。那么所述光栅管理设备可以通过以下步骤，执行s502：
[0281]
所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度，以使所述温度控制层为所述光栅提供温度，从而使所述光栅发生以上变化。
[0282]
可选的，当所述光栅的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，调整温度控制层的温度：
[0283]
e1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率。
[0284]
e2、所述光栅管理设备根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述温度控制层的目标温度。
[0285]
可选的，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的制作材料，所述目标折射率等信息，确定所述目标温度。或者，所述光栅管理设备保存有所述目标波导区的折射率与温度控制层的温度的对应关系，因此，所述光栅管理设备可以根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述温度控制层的目标温度。
[0286]
e3、所述光栅管理设备将所述温度控制层调整为所述目标温度，以使所述温度控制层为所述光栅中的所述目标波导区提供温度，最终使所述目标波导区的折射率变为所述
目标折射率。
[0287]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第一对应关系。
[0288]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述c1步骤时，可以直接通过所述光栅特性的目标取值，以及上述第一对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0289]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第二对应关系。
[0290]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述c1步骤时，可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第二对应关系，确定每个目标波导区的目标折射率。
[0291]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述温度控制层中包含多个波导区中每个光波导对应的温度控制区的情况下，参阅图2j所示，所述光栅管理设备在执行e2步骤时，所述光栅管理设备可以通过每个目标波导区的目标折射率，确定每个目标波导区内的光波导对应的温度控制区的目标温度。这样，所述光栅管理设备在执行e3步骤时，可以分别将每个目标波导区内的光波导对应的温度控制区调整为其对应的目标温度，从而使每个目标波导区内的光波导受到相应温度的影响，最终使每个目标波导区内的光波导的折射率调整到对应的目标折射率。
[0292]
可选的，当所述光栅的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述光栅管理设备可以通过以下方法，调整温度控制层的温度：
[0293]
f1、所述光栅管理设备根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数(例如阵列波导区的周期d，和/或，相邻两个光波导的长度差δl)的目标取值。
[0294]
f2、所述光栅管理设备根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导。
[0295]
在本实施方式中，所述光栅管理设备也可以通过多种方法，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导，具体可以参考以上实施方式中的描述，此处不再赘述。
[0296]
f3、所述光栅管理设备调整所述温度控制层的温度为预设温度，以使所述温度控制层为所述光栅中所述部分光波导提供所述预设温度，最终使所述部分光波导消失。其中，所述预设温度能够使所述部分光波导消失。
[0297]
第一种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第三对应关系。
[0298]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述d1步骤时，可以直接根据所述光栅特性的目标取值，和所述第三对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
[0299]
第二种实现方式：所述光栅管理设备中存储有第四对应关系。
[0300]
在该实现方式中，所述光栅管理设备在执行上述d1步骤时，可以根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，以及上述第四对应关系，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0301]
进一步的，无论采用上述哪一种实现方式，在所述温度控制层中包含所述阵列波导区中每个光波导对应的温度控制区的情况下，参阅图2j所示，所述光栅管理设备在执行上述f3步骤时，可以分别将所述部分光波导中每个光波导对应的温度控制区的温度调整为所述预设温度，以使所述每个光波导对应的温度控制区为对应的每个光波导提供所述预设温度，从而使这些光波导受到相应的温度的影响，最终使这些光波导消失。
[0302]
本技术实施例提供了一种光栅特性调整方法。在该方法中，光栅管理设备可以根
据光栅特性的目标取值，对所述光栅中的控制部件进行处理，以使所述光栅发生以下至少一项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导，这样所述光栅管理设备可以改变所述光栅的特性。
[0303]
基于相同的技术构思，本技术还提供了一种光栅管理设备，该设备可以对以上实施例提供的光栅的特性进行调整，并可以实现图5所示的光栅特性调整方法。参阅图6所示，所述光栅管理设备600中包含：通信单元601、处理单元602。下面分别对各个单元进行详细说明。
[0304]
所述通信单元601，用于与其他设备或部件进行通信，接收和发送数据。
[0305]
所述处理单元602，用于获取光栅特性的目标取值，其中，所述光栅特性包含通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的任一种或多种；
[0306]
根据所述光栅特性的目标取值，通过所述通信单元601对所述光栅进行处理，以使所述光栅发生以下任一项或多项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导；
[0307]
其中，所述目标波导区为所述第一光波导区、所述第二光波导区或所述阵列波导区中的任一项或任意组合。
[0308]
在一种实施方式中，所述光栅还包括控制部件；所述处理单元602，具体用于：
[0309]
根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理，以使所述光栅发生以下任一项或多项变化：改变目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。
[0310]
在一种实施方式中，所述控制部件为电极层；所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理时，具体用于：
[0311]
根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅提供电压或电场。
[0312]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电时，具体用于：
[0313]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
[0314]
根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述电极层的目标电压；
[0315]
根据所述目标电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中的所述目标波导区提供电压或电场。
[0316]
在一种实施方式中，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率时，具体用于：
[0317]
根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率。
[0318]
在一种实施方式中，所述电极层中包含所述目标波导区中光波导对应的电极区；
[0319]
所述处理单元602，在根据所述目标电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中的所述目标波导区提供电压或电场时，具体用于：
[0320]
根据所述目标电压，对所述电极层中所述目标波导区内的光波导对应的电极区供电，以使所述电极区为所述目标波导区提供电压或电场。
[0321]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，对所述电极层供电时，具体用于：
[0322]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
[0323]
根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导；
[0324]
根据预设电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中所述部分光波导提供电压或电场。
[0325]
在一种实施方式中，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值时，具体用于：
[0326]
根据所述光栅特性的原取值、所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值。
[0327]
在一种实施方式中，所述电极层中包含所述阵列波导区中的光波导对应的电极区；
[0328]
所述处理单元602，在根据预设电压，对所述电极层供电，以使所述电极层为所述光栅中所述部分光波导提供电压或电场时，具体用于：
[0329]
根据所述预设电压，对所述电极层中所述部分光波导对应的电极区供电，以使所述电极区为所述部分光波导提供电压或电场。
[0330]
在一种实施方式中，所述控制部件为磁极层；所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理时，具体用于：
[0331]
根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度，以使所述磁极层为所述光栅提供磁场。
[0332]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度时，具体用于：
[0333]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
[0334]
根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述磁极层的目标磁场强度；
[0335]
调整所述磁极层的磁场强度为所述目标磁场强度，以使所述磁极层为所述目标波导区中的光波导提供磁场。
[0336]
在一种实施方式中，所述磁极层中包含所述目标波导区中光波导对应的磁极区；
[0337]
所述处理单元602，在调整所述磁极层的磁场强度为所述目标磁场强度，以使所述磁极层为所述目标波导区中的光波导提供磁场时，具体用于：
[0338]
调整所述目标波导区内的光波导对应的磁极区的磁场强度为所述目标磁场强度，以使所述磁极区为所述目标波导区中的光波导提供磁场。
[0339]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，调整所述磁极层的磁场强度时，具体用于：
[0340]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
[0341]
根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的
部分光波导；
[0342]
调整所述磁极层的磁场强度为预设磁场强度，以使所述磁极层为所述部分光波导提供磁场。
[0343]
在一种实施方式中，所述磁极层中包含所述阵列波导区中的光波导对应的磁极区；
[0344]
所述处理单元602，在调整所述磁极层的磁场强度为预设磁场强度，以使所述磁极层为所述部分光波导提供磁场时，具体用于：
[0345]
调整所述部分光波导对应的磁极区的磁场强度为所述预设磁场强度，以使所述磁极区为所述部分光波导提供磁场。
[0346]
在一种实施方式中，所述控制部件为温度控制层；所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，对所述控制部件进行处理时，具体用于：
[0347]
根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度，以使所述温度控制层为所述光栅提供温度。
[0348]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：改变目标波导区中的光波导的折射率时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度时，具体用于：
[0349]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述目标波导区的目标折射率；
[0350]
根据所述目标波导区的目标折射率，确定所述温度控制层的目标温度；
[0351]
将所述温度控制层的温度调整为所述目标温度，以使所述温度控制层为所述目标波导区中的光波导提供温度。
[0352]
在一种实施方式中，所述温度控制层中包含所述目标波导区中光波导对应的温度控制区；所述处理单元602，在将所述温度控制层的温度调整为所述目标温度，以使所述温度控制层为所述目标波导区中的光波导提供温度时，具体用于：
[0353]
将所述目标波导区中光波导对应的温度控制区的温度调整为所述目标温度，以使所述温度控制区为所述目标波导区中的光波导提供温度。
[0354]
在一种实施方式中，当所述光栅的发生的变化包含：消除所述阵列波导区中的部分光波导时，所述处理单元602，在根据所述光栅特性的目标取值，调整所述温度控制层的温度时，具体用于：
[0355]
根据所述光栅特性的目标取值，确定所述阵列波导区的结构参数的目标取值；
[0356]
根据所述阵列波导区的结构参数的目标取值，确定所述阵列波导区中需要消除的部分光波导；
[0357]
将所述温度控制层的温度调整为预设温度，以使所述温度控制层为所述部分光波导提供温度。
[0358]
在一种实施方式中，所述温度控制层中包含所述阵列波导区中的光波导对应的温度控制区；所述处理单元602，在将所述温度控制层的温度调整为预设温度，以使所述温度控制层为所述部分光波导提供温度时，具体用于：
[0359]
将所述部分光波导对应的温度控制区的温度调整为所述预设温度，以使所述温度控制区为所述部分光波导提供温度。
[0360]
本技术实施例提供了一种光栅管理设备。在该方案中，光栅管理设备可以根据光
memory，ram)，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。处理器702执行存储器703所存放的程序指令，并使用所述存储器703中存储的数据，实现上述功能，从而实现上述实施例提供的光栅特性调整方法。
[0371]
可以理解，本技术图7中的存储器703可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)、可编程只读存储器(programmable rom，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable prom，eprom)、电可擦除可编程只读存储器(electrically eprom，eeprom)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，ram)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的ram可用，例如静态随机存取存储器(static ram，sram)、动态随机存取存储器(dynamic ram，dram)、同步动态随机存取存储器(synchronous dram，sdram)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate sdram，ddr sdram)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced sdram，esdram)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink dram，sldram)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus ram，dr ram)。应注意，本文描述的系统和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
[0372]
基于以上实施例，本技术实施例还提供了一种计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行以上实施例提供的光栅特性调整方法。
[0373]
基于以上实施例，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被计算机执行时，使得计算机执行以上实施例提供的光栅特性调整方法。
[0374]
其中，存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质。以此为例但不限于：计算机可读介质可以包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其他光盘存储、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质。
[0375]
基于以上实施例，本技术实施例还提供了一种芯片，所述芯片用于读取存储器中存储的计算机程序，实现以上实施例提供的光栅特性调整方法。
[0376]
基于以上实施例，本技术实施例提供了一种芯片系统，该芯片系统包括处理器，用于支持计算机装置实现以上实施例中光栅管理设备所涉及的功能。在一种可能的设计中，所述芯片系统还包括存储器，所述存储器用于保存该计算机装置必要的程序和数据。该芯片系统，可以由芯片构成，也可以包含芯片和其他分立器件。
[0377]
综上所述，本技术实施例提供了一种光栅及其特性调整方法、设备。其中，所述光栅具有如下特征：至少一个波导区中的光波导的折射率能够发生改变，和/或阵列波导区中的光波导能够消除。因此，光栅管理设备可以通过对所述光栅进行处理，改变目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除阵列波导区中的部分光波导，从而使得所述光栅的通道间隔、输入衍射峰的谱宽和输出衍射峰的谱宽中的至少一项发生改变，最终实现改变所述光栅的特性。进一步的，通过生产和使用该光栅可以降低光栅的制造成本和维护成本。
[0378]
本领域内的技术人员应明白，本技术的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机
可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
[0379]
本技术是参照根据本技术的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0380]
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0381]
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0382]
显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。