1.一种有机膜形成用组成物，其特征为含有含下列通式(1a)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂；
该通式(1a)中，ar1、ar2为也可以有取代基的苯环或萘环，w1为下列通式(1b)中的任意者，也可组合2种以上的w1使用；w2为碳数1～80的2价有机基团，
该通式(1b)中的r1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，r2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
2.根据权利要求1所述的有机膜形成用组成物，其中，该(1b)式中的r1为下列通式(1c)中的任意者；
3.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用组成物，其中，该通式(1b)中的r2是下列通式(1d)中的任意者；
4.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用组成物，其中，该通式(1a)中的w2表示的2价有机基团是下列通式(1e)中的任意者；
该通式(1e)中的ar3、ar4为也可以有取代基的苯环或萘环，w3为有1个以上的芳香环的碳数6～50的2价有机基团。
5.根据权利要求4所述的有机膜形成用组成物，其中，该通式(1e)中的w3表示的2价有机基团是下列通式中的任意者；
6.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用组成物，其中，该聚合物的重均分子量为1000～5000。
7.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用组成物，其中，该有机溶剂是1种以上的沸点未达180℃的有机溶剂与1种以上的沸点为180℃以上的有机溶剂的混合物。
8.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用组成物，其中，该有机膜形成用组成物更含有表面活性剂及塑化剂中的1种以上。
9.一种图案形成方法，其特征为包括下列步骤:
在被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜；
在该有机膜之上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料而形成含硅的抗蚀剂下层膜；
在该含硅的抗蚀剂下层膜之上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜；
在该抗蚀剂上层膜形成电路图案；
将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用蚀刻将图案转印在该含硅的抗蚀剂下层膜；
将该已转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜，利用蚀刻将图案转印在该有机膜；
将该已转印图案的有机膜作为掩膜，利用蚀刻于该被加工体形成图案。
10.一种图案形成方法，其特征为包括下列步骤:
于被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜；
于该有机膜之上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料而形成含硅的抗蚀剂下层膜；
于该含硅的抗蚀剂下层膜之上形成有机抗反射膜(barc)；
于该barc上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜；
于该抗蚀剂上层膜形成电路图案；
将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，按顺序利用蚀刻将图案转印在该barc及该含硅的抗蚀剂下层膜；
将该已转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜，利用蚀刻将图案转印在该有机膜；
将该已转印图案的有机膜作为掩膜，蚀刻该被加工体而于该被加工体形成图案。
11.一种图案形成方法，其特征为包括下列步骤:
于被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜；
于该有机膜之上形成选自硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧化氮化膜的无机硬掩膜；
于该无机硬掩膜之上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜；
于该抗蚀剂上层膜形成电路图案；
将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，对于该无机硬掩膜利用蚀刻进行图案转印；
将该已形成图案的无机硬掩膜作为掩膜，对于该有机膜利用蚀刻进行图案转印；
将该已形成图案的有机膜作为掩膜，蚀刻该被加工体而于该被加工体形成图案。
12.一种图案形成方法，其特征为包括下列步骤:
于被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜；
于该有机膜之上形成选自硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧化氮化膜的无机硬掩膜；
于该无机硬掩膜之上形成barc；
于该barc上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜；
于该抗蚀剂上层膜形成电路图案；
将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，按顺序利用蚀刻将图案转印在该barc及该无机硬掩膜；
将该已形成图案的无机硬掩膜作为掩膜，利用蚀刻将图案转印在该有机膜；
将该已形成图案的有机膜作为掩膜，蚀刻该被加工体而于该被加工体形成图案。
13.根据权利要求11或12所述的图案形成方法，其中，该无机硬掩膜是利用cvd法或ald法形成的。
14.根据权利要求9至12中任一项所述的图案形成方法，其中，就在该抗蚀剂上层膜形成电路图案的方法而言，使用波长为10nm以上300nm以下的光学光刻、利用电子束所为的直接描绘、纳米压模或它们的组合。
15.根据权利要求9至12中任一项所述的图案形成方法，其中，就显影方法而言，使用碱显影或利用有机溶剂所为的显影。
16.根据权利要求9至12中任一项所述的图案形成方法，其中，就该被加工体而言，使用半导体装置基板、金属膜、金属碳化膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属氧化碳化膜或金属氧化氮化膜。
17.根据权利要求16所述的图案形成方法，其中，就该金属而言，使用硅、钛、钨、铪、锆、铬、锗、铜、银、金、铝、铟、镓、砷、钯、铁、钽、铱、钼或它们的合金。
18.一种聚合物，其特征为含有下列通式(1a)表示的重复单元作为部分结构；
该通式(1a)中，ar1、ar2为也可以有取代基的苯环或萘环，w1为下列通式(1b)中的任意者，也可组合2种以上的w1使用；w2为碳数1～80的2价有机基团；
该通式(1b)中的r1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，r2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
19.根据权利要求18所述的聚合物，其中，该通式(1b)中的r1是下列通式(1c)中的任意者；
20.根据权利要求18或19所述的聚合物，其中，该通式(1b)中的r2是下列通式(1d)中的任意者；
21.根据权利要求18或19所述的聚合物，其中，该通式(1a)中的w2表示的2价有机基团是下列通式(1e)中的任意者；
该通式(1e)中的ar3、ar4为也可以有取代基的苯环或萘环，w3为有1个以上的芳香环的碳数6～50的2价有机基团。
22.根据权利要求21所述的聚合物，其中，该通式(1e)中的w3表示的2价有机基团为下列通式中的任意者；