一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法与流程

本发明涉及掩模制造和激光直写光刻技术领域，尤其涉及一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法。

背景技术：

集成电路制造的过程大致如下：1设计公司提供设计文件；2掩模制造厂(maskshop)将设计文件的内容制造到掩模上；3晶圆厂(fab)使用掩模进行制造，将掩模上的内容制造到晶圆上，最终形成集成电路。掩模的制造依靠激光直写或电子束直写，由于激光束斑和电子束斑的特性，往往会采用两次直写的方式以达到更好的掩模制造效果。即将设计版图分两次直写到掩模上，采用逻辑和运算使掩模上的图形和设计版图上的图形完全相同，但对两次直写过程和结果不能得到很好的控制，致使制造出的掩模的精度不高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，提高制得的掩模的精度。

为实现上述目的，本发明提供了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，包括：

按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展；

根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理；

对两次直写进行结果验证和规则验证。

其中，按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展，包括：

根据拆分后得到的矩形，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，直至所有矩形扩展完成，完成第一次直写。

其中，按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展，还包括

按照第一次直写的扩展规则，根据所述第一扩展路径的相反扩展方向进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成。

其中，根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理，包括：

判断第一次直写扩展和第二次直写扩展中是否存在冲突，若产生冲突，则对冲突区域进行标记和调试，并调整扩展方向或者调整扩展区域尺寸，同时对不合理区域进行填充和消除。

其中，对两次直写进行结果验证和规则验证，包括：

将第一次直写结果和第二次直写结果进行逻辑与运算，并将运算结果与所述原始版图不一致的区域进行标记。

其中，对两次直写进行结果验证和规则验证，还包括：

对第一次直写和第二次直写得到的所有图形的线宽和间距与规则要求进行验证，并将不满足规则要求的区域进行标注和调整，直至满足掩模制造规则。

本发明的一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的一种用于掩模制造的双重直写方法和激光直写光刻的步骤示意图。

图2是本发明提供的原始版图拆分示意图。

图3是本发明提供的第一次直写扩展示意图。

图4是本发明提供的第二次直写扩展示意图。

图5是本发明提供的不合理区域的填充示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1，本发明提供一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，包括：

s101、按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展。

具体的，版图的图形虽然整体上分布复杂，但对于单个图形来说，都是内角为90度或270度的图形，因此，根据内拐点，将原始版图中的所有单个图形拆分成多个矩形，如图2所提供的原始版图拆分示意图所示。

根据拆分后得到的矩形，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，直至所有矩形扩展完成，完成第一次直写，如图3所提供的第一次直写扩展示意图所示，矩形1向其关键尺寸方向的左侧扩展，矩形2向右侧扩展，矩形3向左侧扩展，矩形4向右侧扩展，直至完成所有矩形的扩展。若相邻矩形的走向不同，则扩展方向相互不影响，即矩形1向下扩展，则相邻的矩形2只可能向上或左或右扩展。对于第二次直写扩展，按照第一次直写的扩展规则，根据所述第一扩展路径的相反扩展方向进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成，如图4所提供的第二次直写扩展示意图所示，矩形4向左扩展，矩形3向右扩展，矩形2向左扩展，矩形1向右扩展，直至所有矩形扩展完成。其中，第一次直写扩展定义为mask1，第二次直写扩展定义为mask2通过两次的反向直线扩展，可以保证原始版图在拆分成两次直写图像的准确性。

s102、根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理。

具体的，判断第一次直写扩展和第二次直写扩展中是否存在冲突，若产生冲突，则对冲突区域进行标记和调试，并通过调整扩展方向或者调整扩展区域尺寸来解决冲突，有效保证直线扩展的正常进行，若是在扩展过程中，因为扩展导致了一些违反制造规则，或者是不利于制造的区域，同时对不合理区域进行填充和消除，如图5所提供的不合理区域的填充示意图所示，在矩形2和矩形3之间存在的空白间隙就是不合理区域，对空白间隙进行填充，避免因为不合理区域对扩展结果产生影响。

s103、对两次直写进行结果验证和规则验证。

具体的，在进行完扩展后，一方面，将第一次直写结果和第二次直写结果进行逻辑与运算，运算的结果应该与原始版图一致，若不一致，则将运算结果与所述原始版图不一致的区域进行标记，排查具体原因；同时另一方面，对第一次直写和第二次直写得到的所有图形的最小线宽和最小间距与规则要求进行验证，需满足最小线宽大于规则要求、最小间距大于规则要求等，并将不满足规则要求的区域进行标注和调整，排查具体原因，重新进行扩展或者调整扩展的尺寸等等，直至满足掩模制造规则，提高制得的掩模的精度。

本发明的一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。