阵列基板及显示面板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.随着全面屏概念在中小尺寸显示产品上应用的普及，对于大尺寸显示产品(例如：电视)也在追求极致的时尚外观；其中，电视市场已向“无边框”时代迈进，全面屏已成为电视市场新的发展方向，但目前大尺寸全面屏显示产品存在mura(亮度不均匀)、crosstalk(串扰)、竖纹等画质问题。
3.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，能够改善产品存在的mura、crosstalk、竖纹等画质问题，提高产品质量。
5.本公开第一方面提供了一种阵列基板，其包括：
6.衬底基板；
7.多个子像素，设置在所述衬底基板上并沿行方向和列方向呈矩阵排列；
8.多条扫描线，设置在所述衬底基板上并在所述列方向上延伸；所述扫描线与所述子像素电连接，用于向所述子像素提供扫描信号；
9.多条第一数据线，设置在所述衬底基板并在所述行方向上延伸，所述第一数据线与所述所述子像素电连接；
10.多条第二数据线，设置在所述衬底基板上并在所述列方向上延伸，每条所述第二数据线通过过孔结构与一条所述第一数据线电连接，所述第二数据线用于将接收到的数据信号通过所述过孔结构传输到所述第一数据线。
11.在本公开的一种示例性实施例中，
12.所述衬底基板具有在所述列方向上相对设置的第一侧和第二侧；
13.所述扫描线的输入端和所述第二数据线的输入端均靠近所述第一侧或所述第二侧。
14.在本公开的一种示例性实施例中，
15.至少部分相邻两列子像素之间设置有所述扫描线和所述第二数据线，其中，
16.所述扫描线在所述衬底基板上的正投影不与所述第二数据线在所述阵列基板上的正投影存在交叠。
17.在本公开的一种示例性实施例中，
18.所述阵列基板还包括多条公共线，设置在所述衬底基板上并在所述列方向上延伸，所述公共线与所述子像素电连接，用于向所述子像素提供公共信号；
19.其中，至少部分相邻两列子像素之间设置有一条所述公共线，所述公共线在所述
衬底基板上的正投影不与所述扫描线和所述第二数据线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
20.在本公开的一种示例性实施例中，
21.每行子像素中子像素的个数少于每列子像素中子像素的个数；其中，
22.一部分相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线和两条所述第二数据线；
23.另一部分相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线、一条所述第二数据线和一条所述公共线，所述公共线位于所述第二数据线靠近或远离所述扫描线的一侧。
24.在本公开的一种示例性实施例中，
25.每行子像素中子像素的个数大于每列子像素中子像素的个数；其中，
26.一部分相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线和一条所述第二数据线；
27.另一部分相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线和一条所述公共线。
28.在本公开的一种示例性实施例中，
29.每行子像素中子像素的个数等于每列子像素中子像素的个数；其中，
30.每相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线、一条所述第二数据线和一条所述公共线，所述公共线位于所述第二数据线靠近或远离所述扫描线的一侧。
31.在本公开的一种示例性实施例中，
32.相邻两行子像素之间设置一条所述第一数据线，所述第一数据线与所述相邻两行子像素中的一行子像素电连接；
33.相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线，所述扫描线与所述相邻两列子像素中的一列子像素电连接。
34.在本公开的一种示例性实施例中，
35.相邻两行子像素之间设置一条所述第一数据线，所述第一数据线与所述相邻两行子像素中的一行子像素电连接；
36.相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线，所述扫描线与所述相邻两列子像素中一列子像素的第n个子像素电连接，并与另一列子像素中的第n+1个子像素电连接；
37.其中，n为大于或等于1的正整数。
38.在本公开的一种示例性实施例中，
39.相邻两行子像素之间设置一条所述第一数据线，所述第一数据线与所述相邻两行子像素中一行子像素的第n个子像素电连接，并与另一行子像素中的第n+1个子像素电连接；
40.相邻两列子像素之间设置有一条所述扫描线，所述扫描线与所述相邻两列子像素中的一列子像素电连接；
41.其中，n为大于或等于1的正整数。
42.在本公开的一种示例性实施例中，
43.所述子像素在所述行方向上的尺寸大于其在所述列方向上的尺寸；
44.所述衬底基板在所述行方向上的尺寸大于或小于其在所述列方向上的尺寸。
45.在本公开的一种示例性实施例中，
46.所述子像素在所述行方向上的尺寸小于其在所述列方向上的尺寸；
47.所述衬底基板在所述行方向上的尺寸大于或小于其在所述列方向上的尺寸。
48.在本公开的一种示例性实施例中，
49.所述第一数据线位于所述扫描线远离所述衬底基板的一侧；
50.所述第二数据线位于所述第一数据线远离或靠近所述衬底基板的一侧。
51.在本公开的一种示例性实施例中，
52.所述子像素包括形成在所述衬底基板上的像素电极、公共电极和薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极与所述扫描线电连接，所述源电极与所述第一数据线电连接；所述像素电极与所述漏电极电连接；所述公共电极与所述像素电极在所述阵列基板的厚度方向上相对设置，并与所述公共线电连接；
53.其中，所述第一数据线与所述源电极同层设置；所述第二数据线、所述公共线、所述扫描线与所述栅电极同层设置。
54.在本公开的一种示例性实施例中，
55.所述像素电极和所述公共电极中的一者位于所述第一数据线远离所述衬底基板的一侧，另一者位于所述第一数据线靠近所述衬底基板的一侧；
56.且所述像素电极和所述公共电极中的一者为板状电极，另一者为狭缝电极。
57.本公开第二方面提供了一种显示面板，其特征在于，包括上述任一项所述的阵列基板和对置基板。
58.本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：
59.本公开所提供的阵列基板及显示面板，通过在衬底基板上设置与扫描线在一方向上延伸的第二数据线，并使第二数据线与第一数据线通过过孔结构电连接，这样设计不仅可以提高屏占比，实现全面屏显示，而且还可改善mura、crosstalk、竖纹等画质问题，提高产品质量。
60.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
61.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
62.图1为相关技术中阵列基板的结构示意图；
63.图2为本公开另一实施例所述的阵列基板的结构示意图；
64.图3为本公开一实施例所述的阵列基板中的充电波形图；
65.图4为本公开一实施例所述的阵列基板中各区域的分布示意图；
66.图5至图8为本公开又一些实施例所述的阵列基板的结构示意图。
67.附图标记：
68.10、扫描线；11、数据线；12、子像素；
69.20、横向扫描线；21、竖向扫描线；22、数据线；23、过孔结构；24、子像素；
70.30、子像素；301、薄膜晶体管；301a、栅电极；301b、有源层；301c、源电极；301d、漏电极；302、像素电极；303、公共电极；31、扫描线；32、第一数据线；33、第二数据线；34、过孔
结构；35、公共线。
具体实施方式
71.下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
72.另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
73.需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
74.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”、“至少一个”、“至少部分”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
75.在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。
76.在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
77.相关技术中，如图1所示，阵列基板中的扫描线10在行方向x上延伸，数据线11在列方向y上延伸；且扫描线10的输入端通常位于阵列基板的左、右侧，数据线11的输入端通常位于阵列基板的上、下侧；应当理解的是，扫描线10的输入端通常与栅极驱动电路电连接，数据线11的输入端通常与源极驱动电路电连接；也就是说，用于提供扫描信号的栅极驱动电路通常位于阵列基板的左、右侧，用于提供数据信号的源极驱动电路通常位于阵列基板的上、下侧，但这样设计占用空间较大，不利于实现全面屏。
78.需要说明的是，图1中位于扫描线10与数据线11所划分出来的区域的结构可为子像素12。
79.为实现全面屏设计，本公开实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，此阵列基板可包括在行方向x上延伸的横向扫描线20、在列方向y上延伸的竖向扫描线21及在列方向y上延伸数据线22；竖向扫描线21与横向扫描线20通过过孔结构23电连接，且竖向扫描线21的输入端和数据线22的输入端可位于阵列基板的同一侧，例如，阵列基板的绑定侧，这样可使阵列基板中除了绑定侧的其他三个非显示侧因为没有扫描线的输入端和数据线22的输入端，可以做的很窄，因此可以提高屏占比，即：提高显示区的面积，从而可以实现全面屏。
80.需要说明的是，图2中位于横向扫描线20与数据线22所划分出来的区域的结构可为子像素24；图2中示出的竖向扫描线21呈直线状；但这种走线会产生不好的影响，主要存在以下几点：
81.第一点：由于竖向扫描线21和子像素24均在列方向y上延伸，使得竖向扫描线21与
子像素24之间的相对面积较大，即：竖向扫描线21与子像素24之间耦合，并形成较大的寄生电容c2，如图2所示；因此，竖向扫描线21对子像素24存在较大(不可忽略)的拉动，即：如图3所示，像素电压v
pixel
会产生波动电压
△vp
；这样会导致靠近过孔结构23的子像素24的充电效果与其他子像素24的充电效果存在差异，因此，过孔结构23处像素电压差异在宏观显示上会表现为mura；此外，还会导致列方向y上子像素24拉动存在明显差异，宏观显示上表现为竖纹；
82.第二点：数据线22与竖向扫描线21邻近，竖向扫描线21与数据线22耦合，并形成平行板电容c1，如图2所示；会对像素电压v
pixel
(子像素24中像素电极的电压)有拉动，即：如图3所示，像素电压v
pixel
会产生波动电压
△vp’；这样会导致靠近过孔结构23(用于连接竖向扫描线21和横向扫描线20的结构)的子像素24的充电效果与其他子像素24的充电效果存在差异，因此，过孔结构23处像素电压差异在宏观显示上会表现为mura；需要说明的是，图3中的v
gate
可为栅极电压；
83.第三点：由于竖向扫描线21的存在，子像素24两边的数据线22对像素信号的拉动不对称，宏观显示上表面为crosstalk。
84.综上可知，通过在阵列基板中设置横向扫描线20和竖向扫描线21，以使扫描线的输入端(即：竖向扫描线21的输入端)和数据线22的输入端可位于阵列基板的同一侧，这样设计虽然可以实现全面屏，但容易产生mura、竖纹、crosstalk等显示问题。
85.基于此，本公开实施例还提供了一种阵列基板，如图4所示，阵列基板可划分有显示区a和环绕显示区a设置的非显示区b，阵列基板的非显示区b可设置有有环绕显示区a的密封区b1，位于密封区b1靠近显示区a的源静电释放区b2，以及位于密封区b1远离显示区a的扇出区b3，且源静电释放区b2和扇出区b3位于显示区a同一侧的非显示区b(即：绑定区)中。
86.详细说明，如图5至图8所示，阵列基板可包括衬底基板(图中未标记)以及设置在衬底基板上的多个子像素30、多条扫描线31、多条第一数据线32和多条第二数据线33；此子像素30、扫描线31、第一数据线32和第二数据线33均设置在衬底基板的显示区a上。需要说明的是，此衬底基板可为单层或多层结构，且衬底基板可包括玻璃基板，但不限于此，也可为其他材质基板。
87.其中，在显示区a，多个子像素30沿行方向x和列方向y可呈矩阵排列；每条扫描线31可在列方向y上延伸，此扫描线31可与子像素30电连接，用于向子像素30提供扫描信号；每条第一数据线32可在行方向x上延伸，第一数据线32可与子像素30电连接；每条第二数据线33可在列方向y上延伸，此列方向y与行方向x为相互正交的两个方向，且每条第二数据线33通过过孔结构34与一条第一数据线32电连接，第二数据线33用于将接收到的数据信号通过过孔结构34传输到第一数据线32，并通过第一数据线32将数据信号提供至子像素30。应当理解的是，此第二数据线33的数量可与第一数据线32的数量一致，并一一对应连接。
88.需要说明的是，数据信号提供的有效电平通常低于扫描信号提供的有效电平。需要说明的是，过孔结构34为孔内填充有导电材料的结构。
89.在本公开的实施例中，通过设置在列方向y上延伸的扫描线31和第二数据线33，并使在列方向y上延伸的第二数据线33与在行方向x上延伸的第一数据线32通过过孔结构34电连接，在实现向子像素30充电的同时，还能够使得扫描线31的输入端和数据线的输入端
位于衬底基板的同一侧，例如：衬底基板具有在列方向y上相对设置的第一侧和第二侧；扫描线31的输入端和第二数据线33的输入端均靠近第一侧或第二侧，这样可使衬底基板的其他侧没有扫描线31的输入端和数据线的输入端，因此，其他侧可以做的很窄，从而可以提高显示区a占比，以实现全面屏显示。需要说明的是，如图4所示，用于为扫描线31提供扫描信号的栅极驱动电路所在的区域b4可位于非显示区b，具体可位于源静电释放区b2和扇出区b3之间，并位于密封区b1内侧。
90.此外，由于扫描线31与所有其控制的子像素30均由耦合，同时，扫描线31和与其相邻的第二数据线33的耦合与扫描线31对子像素30的耦合类似，因此，这样设计可避免过孔结构34附近子像素30的充电效果与其他子像素30的充电效果之间存在差异，从而可避免mura现象。
91.具体地，扫描线在列方向y上延伸，扫描线31在显示区a无需跳孔可直接接入栅极驱动电路，而源极驱动芯片可经过扇出区b3与第二数据线33电连接，源极驱动芯片可通过第二数据线33将数据信号经过孔结构34传输至第一数据线32，给与第一数据线32对应电连接的子像素30充电。以图5中从左至右数的第四列子像素30为例，第四列扫描线31开启时，将对应子像素30的薄膜晶体管301全开启，源极驱动芯片通过第二数据线33及过孔结构34将数据信号传递给第二行的第一数据线32，给第四列扫描线31所控制的子像素30充电。
92.其中，薄膜晶体管301自身中产生的寄生电容会导致第四列扫描线31控制的所有子像素30预充的像素电压产生波动；当第四列扫描线31关断时，第四列扫描线31与所有其控制着的子像素30均有耦合；同时，第四列扫描线31和与其相邻的第二数据线33之间的耦合与第四列扫描线31和与其控制着的子像素30之间的耦合类似；因此，这样设计可避免过孔结构34附近子像素30的充电效果与其他子像素30的充电效果之间存在差异，从而可避免mura现象。
93.其中，至少部分相邻两列子像素30之间设置有扫描线31和第二数据线33，其中，扫描线31在衬底基板上的正投影不与第二数据线33在阵列基板上的正投影存在交叠，以减少寄生电容，从而避免对像素电压的影响，提高产品质量。
94.此外，如图8所示，阵列基板还可包括多条公共线35，此公共线35可设置在衬底基板上并在列方向y上延伸，公共线35可与子像素30电连接，用于向子像素30提供公共信号。需要说明的是，此公共线35可为在列方向y上延伸的直线型结构，公共线35可包括金属材料或者合金材料。
95.举例而言，部分相邻两列子像素30之间可设置有一条公共线35，此公共线35在衬底基板上的正投影不与扫描线31和第二数据线33在衬底基板上的正投影存在交叠，以减少寄生电容，从而避免对像素电压的影响，提高产品质量。
96.如图5至图7所示，相邻两列子像素30之间可设置一条扫描线31；如图5和图7所示，同一条扫描线31可与一列子像素30中所有的子像素30电连接；如图6所示，同一条扫描线31也可分别与两列子像素30中的部分子像素30电连接；但不限于此，相邻两列子像素30还可设置两条扫描线31，每条扫描线31可以和与其相邻一列子像素30中的部分子像素30电连接；视具体情况而定。
97.且相邻两列子像素30之间还可设置一条第二数据线33；但应当理解的是，若每行子像素30中子像素30的个数少于每列子像素30中子像素30的个数时，则为了保证每条第一
数据线32均能够与一条第二数据线33电连接，可使部分相邻两列子像素30之间设置两条第二数据线33，而另一部分相邻两列子像素30之间可设置一条第二数据线33；若每行子像素30中子像素30的个数等于每列子像素30中子像素30的个数时，则所有相邻两列子像素30之间仅设置一条第二数据线33即可；若每行子像素30中子像素30的个数多于每列子像素30中子像素30的个数时，则部分相邻两列子像素30之间仅设置一条第二数据线33即可，另一部分相邻两列子像素30之间不设置第二数据线33。
98.综上内容，为了保证整个屏工艺的均一性，可使相邻两列子像素之间的信号线数量相同；具体地：
99.在一实施例中，每行子像素中子像素30的个数少于每列子像素中子像素30的个数；其中，一部分相邻两列子像素30之间设置有一条扫描线31和两条第二数据线33；另一部分相邻两列子像素30之间设置有一条扫描线31、一条第二数据线33和一条公共线35，公共线35可位于第二数据线33靠近或远离扫描线31的一侧。
100.在另一实施例中，每行子像素中子像素30的个数大于每列子像素中子像素30的个数；其中，一部分相邻两列子像素30之间设置有一条扫描线31和一条第二数据线33；另一部分相邻两列子像素30之间设置有一条扫描线31和一条公共线35。
101.在又一实施例中，每行子像素中子像素30的个数等于每列子像素中子像素30的个数；其中，每相邻两列子像素30之间设置有一条扫描线31、一条第二数据线33和一条公共线35，此公共线35可位于第二数据线33靠近或远离扫描线31的一侧。
102.如图5至图7所示，相邻两行子像素30之间可设置一条第一数据线32，换言之，每个子像素30在列方向y上的两侧可分别设置一条第一数据线32，这样使得子像素30在列方向y上两侧的数据信号对子像素30的拉动是对称的，所以子像素30在列方向y上的两侧基本无信号拉动，从而可避免显示产品出现crosstalk问题；但不限于此，相邻两行子像素30之间也可设置两条第二数据线33，视具体情况而定。
103.需要说明的是，如图5至图7所示，扫描线31、第二数据线33可为在列方向y上延伸的直线型结构，而第一数据线32可为在行方向x上延伸的直线型结构；但不限于此。
104.基于前述内容，子像素30与第一数据线32和扫描线31之间的连接关系可包括以下几种方案，但不限于以下几种方案；具体地，以下几种方案为：
105.第一种方案，如图5所示，相邻两行子像素30之间可设置一条第一数据线32，此第一数据线32与相邻两行子像素30中的一行子像素30电连接；且相邻两列子像素30之间可设置有一条扫描线31，扫描线31与相邻两列子像素30中的一列子像素30电连接；也就是说，子像素30是每列同时打开，因此，基本不会存在第二数据线33和扫描线31之间的拉动影响个别子像素30的问题，从而可避免mura现象。
106.第二种方案，如图6所示，相邻两行子像素30之间可设置一条第一数据线32，第一数据线32与相邻两行子像素30中的一行子像素30电连接；相邻两列子像素30之间可设置有一条扫描线31，扫描线31与相邻两列子像素30中一列子像素30的第n个子像素30电连接，并与另一列子像素30中的第n+1个子像素30电连接，换言之，扫描线31与相邻两列子像素30中一列子像素30的位于偶数行的子像素30电连接，与另一列子像素30的位于奇数行的子像素30电连接；其中，n为大于或等于1的正整数。
107.第三种方案，如图7所示，相邻两行子像素30之间可设置一条第一数据线32，第一
数据线32与相邻两行子像素30中一行子像素30的第n个子像素30电连接，并与另一行子像素30中的第n+1个子像素30电连接，换言之，第一数据线32与相邻两行子像素30中一行子像素30的位于偶数列的子像素30电连接，与另一行子像素30的位于奇数列的子像素30电连接；相邻两列子像素30之间可设置有一条扫描线31，扫描线31与相邻两列子像素30中的一列子像素30电连接；其中，n为大于或等于1的正整数。
108.在本公开的一些实施例中，如图7所示，子像素30在行方向x上的尺寸可大于其在列方向y上的尺寸；这样使得第二数据线33、扫描线31和子像素30三者之间的相对面积较小，因此，扫描信号及数据信号对子像素30的拉动都很小，不容易出现mura和横竖纹问题；此外，需要说明的是，虽然第一数据线32与子像素30之间的相对面积较大，但因为子像素30在列方向y上两侧的数据信号对子像素30的拉动是对称的，所以子像素30在列方向y上的两侧基本无信号拉动，从而可避免显示产品出现crosstalk问题。
109.在本公开的另一些实施例中，如图5和图6所示，子像素30在行方向x上的尺寸也可小于其在列方向y上的尺寸，这样设计虽然使得第二扫描线31与子像素30之间的相对面积较大，但相比于图2中所示出的方案，由于本公开实施例中数据信号的有效电平低于扫描信号的有效电平，因此，第二扫描线31对子像素30基本不存在拉动，即：此拉动可忽略，可缓解mura现象。其中，应当理解的是，子像素30在行方向x上的尺寸也可等于其在列方向y上的尺寸，视具体情况而定。
110.此外，在本公开的一些实施例中，衬底基板在行方向x上的尺寸大于或小于其在列方向y上的尺寸，但不限于此，衬底基板在行方向x上的尺寸也可等于其在列方向y上的尺寸，视具体情况而定。
111.应当理解的是，第一数据线32与第二数据线33和扫描线31的延伸方向相交，因此，为了避免第一数据线32与扫描线31接触以及避免第一数据线32和除了与之对应的其他第二数据线33接触；可在第一数据线32与第二数据线33和扫描线31之间设计绝缘层，此绝缘层可为单层或多层结构；且此绝缘层可为氮氧化硅、氮化硅等无机绝缘层，但不限于此，也可为有机绝缘层等，视具体情况而定。
112.在本公开的一些实施例中，如图8所示，子像素30可包括形成在衬底基板上的像素电极302、公共电极303和薄膜晶体管301。此薄膜晶体管301可包括栅电极301a、有源层301b、源电极301c和漏电极301d。需要说明的是，栅电极301a与有源层301b之间需要设置绝缘层，以使栅电极301a与有源层301b之间相互绝缘，此绝缘层可为氮化硅、氧化硅等无机绝缘层。其中，栅电极301a可与扫描线31电连接，源电极301c可与第一数据线32电连接；像素电极302可与漏电极301d电连接；且公共电极303与像素电极302在阵列基板的厚度方向上相对设置，并与公共线35电连接。
113.其中，薄膜晶体管301可为顶栅型，也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以薄膜晶体管301为底栅型为例进行说明。在薄膜晶体管30112为底栅型时，栅电极301a可形成在衬底基板上，此栅电极301a可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；绝缘层形成在衬底基板上并覆盖栅电极301a；有源层301b可形成在绝缘层背离衬底基板的一侧；源电极301c和漏电极301d可同层设置，并分别与有源层301b的两端电连接；其中，栅电极301a、源电极301c和漏电极301d可包括金属材料或者合金材料。
114.可选地，像素电极302和公共电极303中的一者为板状电极，另一者为狭缝电极；如图8所示，像素电极302可为狭缝电极，公共电极303可为板状电极，通过同一平面内像素电极302所产生的电场和公共电极303间产生的电场形成多为电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生偏转，可提高液晶的工作效率，且增加了透光效率。但不限于此，像素电极302和公共电极303也可设置为其他结构，视具体情况而定。应当理解的是，为了保证显示区a的透光率，公共电极303、像素电极302可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成。
115.基于前述提到的结构，在本公开的一实施例中，阵列基板上的子像素30、第一数据线32、第二数据线33、扫描线31、公共线35之间的位置关系可如下所示：
116.第一数据线32可位于扫描线31远离衬底基板的一侧；第二数据线33、公共线35和扫描线31可位于第一数据线32远离或靠近衬底基板的一侧；像素电极302和公共电极303中的一者位于第一数据线32远离衬底基板的一侧，另一者位于第一数据线32靠近衬底基板的一侧。
117.具体地，第二数据线33、公共线35和扫描线31可直接形成在衬底基板上，并与薄膜晶体管301的栅电极301a同层设置；且公共电极303可直接形成在衬底基板上，应当理解的是，此公共电极303不与第二数据线33、扫描线31和栅电极301a在衬底基板交叠，其中，当公共线35位于第二数据线33远离扫描线31的一侧时，公共线35可直接搭接在公共电极303上，若公共线35位于第二数据线33靠近扫描线31的一侧时，则公共线35需要通过转接线并经过孔结构与公共电极303电连接。由于公共电极303的材料与第二数据线33、公共线35、扫描线31、栅电极301a的材料不同，因此，公共电极303不能够与第二数据线33、公共线35、扫描线31、栅电极301a同层设置。
118.举例而言，在制作阵列基板时，可先采用一构图工艺在衬底基板上直接形成公共电极303，然后再采用另一构图工艺在衬底基板上同时直接形成第二数据线33、公共线35、扫描线31、栅电极301a；但不限于此，也可先采用一构图工艺在衬底基板上同时直接形成第二数据线33、公共线35、扫描线31、栅电极301a，然后再采用另一构图工艺在衬底基板上直接形成公共电极303。
119.第一数据线32可位于第二数据线33远离衬底基板的一侧，该第一数据线32可与源电极301c、漏电极301d同层设置。且像素电极302可位于第一数据线32远离衬底基板的一侧，其中，在制作第一数据线32之后，以及制作像素电极302之前，还可在制作一层绝缘层。
120.需要说明的是，阵列基板上的子像素30、第一数据线32、第二数据线33、扫描线31、公共线35之间的位置关系不限于前述描述的形式，也可为其他形式，视具体情况而定。
121.在另一可选实施例中，第二数据线33可位于第一数据线32远离衬底基板的一侧，其余设计可同上；由于第一数据线32相比于扫描线31更靠近像素电极302，因此，像素电极302与第一数据线32之间绝缘层的厚度远小于像素电极302与扫描线31之间绝缘层的厚度，本实施例这样设计使得在过孔结构34中的导电材料为与像素电极302同层设置时，相比于图2所记载的方案，由于绝缘层厚度大幅缩减，降低了过孔结构34中孔的刻蚀工艺风险，从而可有效提高产品良率。
122.本公开实施例还提供了一种显示面板，其包括上述任一实施例所描述的阵列基板；应当理解的是，此显示面板可为液晶面板，因此，该显示面板还可包括与阵列基板对盒
设置的对置基板和位于对置基板和阵列基板之间的液晶分子。
123.本公开实施例还提供了一种电子设备，其包括前述所描述的显示面板。
124.在本公开的实施例中，电子设备的具体类型不受特别的限制，本领域常用的电子设备类型均可，具体例如液晶电视、手机、电脑、手表等等，本领域技术人员可根据该电子设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
125.需要说明的是，该电子设备除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该电子设备的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
126.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。