掩膜板装置、显示器、曝光机的制作方法

文档序号:23068373发布日期:2020-11-25 17:56阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种掩膜板装置,其特征在于,包括:

掩膜板,其内设置有若干曝光区域;

挡板,环绕所述掩膜板设置,并用于遮挡所述掩膜板的非曝光区域;

至少一刻度尺,设于相邻两个所述曝光区域之间,用于确认首次曝光时所述挡板遮挡所述掩膜板的位置;

至少一遮光带,呈矩形长条,设于所述掩膜板上且位于所述刻度尺的一侧,用于机台自动识别第二次及第二次以后曝光时所述挡板遮挡所述掩膜板的位置。

2.如权利要求1所述的掩膜板装置,其特征在于,相邻两个所述曝光区域之间相互重叠形成一重叠曝光区,所述遮光带位于所述重叠曝光区内。

3.如权利要求1所述的掩膜板装置,其特征在于,所述遮光带设置于所述曝光区域的四角位置。

4.如权利要求1所述的掩膜板装置,其特征在于,所述遮光带的材质包括不透光金属,所述不透光金属包括铬。

5.如权利要求1所述的掩膜板装置,其特征在于,所述遮光带包括间隔设置的第一金属层标识、第二金属层标识、过孔标识以及氧化铟锡层标识。

6.如权利要求5所述的掩膜板装置,其特征在于,所述第一金属层标识、所述第二金属层标识、所述过孔标识以及所述氧化铟锡层标识之间等距离间隔设置,间隔的距离为50um-100um。

7.如权利要求5所述的掩膜板装置,其特征在于,所述第一金属层标识、所述第二金属层标识、所述过孔标识以及所述氧化铟锡层标识的长度相同,其长度均为5000um-10000um;所述第一金属层标识的宽度范围为30um-60um;所述第二金属层标识的宽度范围为70um-90um;所述过孔标识的宽度范围为110um-130um;所述氧化铟锡层标识的宽度范围为140um-160um。

8.如权利要求1所述的掩膜板装置,其特征在于,所述刻度尺的中心设置为零点,向两端延伸均匀设置有相同的刻度值;所述刻度尺的刻度值为毫米级或微米级。

9.一种使用权利要求1-8任一项所述掩膜板装置的显示器,其特征在于,所述显示器设有相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板和/或阵列基板的图形通过权利要求1-8任一项所述掩膜板装置曝光形成。

10.一种曝光机,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的掩膜版装置。


技术总结
本申请公开了一种掩膜板装置、显示器、曝光机。掩膜板装置包括掩膜板、挡板、至少一刻度尺以及至少一遮光带;刻度尺设于相邻两个曝光区域之间,用于确认首次曝光时挡板遮挡掩膜板的位置;遮光带呈矩形长条,设于掩膜板上且位于刻度尺的一侧,用于机台自动识别第二次及第二次以后曝光时挡板遮挡掩膜板的位置。本申请通过在现有挡板位置监控标志旁增加一个矩形条状遮光带,其不必保留遮光带要保护的图形,即可实现机台自动识别第二次及第二次以后曝光时挡板遮挡掩膜板的位置,从而提高识别精度,减少识别误差,并能提高生产效率。

技术研发人员:邓帆
受保护的技术使用者:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:2020.08.12
技术公布日:2020.11.24
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1