1.一种光刻掩模，包括：
掩模衬底；
反射结构，设置在所述掩模衬底上；以及
吸收层，形成在所述反射结构上，
其中，所述掩模衬底包括限定在所述掩模衬底上的印刷部件区域和辅助部件区域，
其中，所述吸收层在所述印刷部件区域中具有第一厚度且在所述辅助部件区域中具有第二厚度，并且
其中，所述第一厚度不同于所述第二厚度，
所述辅助部件区域与所述印刷部件区域相对设置并且在所述辅助部件区域与所述印刷部件区域之间不存在所述吸收层，所述印刷部件区域具有面向所述辅助部件区域的第一连续垂直侧壁，所述辅助部件区域具有面向所述印刷部件区域的第二连续垂直侧壁，所述第一连续垂直侧壁与所述第二连续垂直侧壁具有高度差。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述印刷部件区域不反射辐射。
3.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，配置所述第二厚度使得通过所述辅助部件区域反射的辐射不超过目标光刻胶的曝光阈值。
5.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述辅助部件区域与所述印刷部件区域隔开。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层包括上吸收层和下吸收层。
7.根据权利要求6所述的光刻掩模，其中，所述辅助部件区域包括部分所述上吸收层和部分所述下吸收层。
8.根据权利要求6所述的光刻掩模，其中，所述辅助部件区域基本不包括所述上吸收层。
9.一种光刻技术，所述技术包括：
接收掩模，所述掩模具有印刷部件区域、子分辨率辅助部件区域和既非所述印刷部件区域也非所述子分辨率辅助部件区域的第三区域，每个区域中均设置有不同厚度的吸收层；
将所述掩模暴露于辐射，使得通过所述子分辨率辅助部件区域反射的辐射的强度基本在通过所述印刷部件区域反射的辐射的强度和通过所述第三区域反射的辐射的强度之间；以及
使用通过所述印刷部件区域反射的辐射、通过所述子分辨率辅助部件区域反射的辐射以及通过所述第三区域反射的辐射来曝光工件，
所述子分辨率辅助部件区域与所述印刷部件区域相对设置并且在所述子分辨率辅助部件区域与所述印刷部件区域之间不存在所述吸收层，所述印刷部件区域具有面向所述辅助部件区域的第一连续垂直侧壁，所述辅助部件区域具有面向所述印刷部件区域的第二连续垂直侧壁，所述第一连续垂直侧壁与所述第二连续垂直侧壁具有高度差。
10.一种用于制造光掩模的方法，所述方法包括：
接收掩模，其中，所述掩模包括：
衬底；
辐射吸收结构，形成在所述衬底上；以及
光刻胶，形成在所述辐射吸收结构上；
图案化所述光刻胶以限定印刷部件和辅助部件；
使用图案化的光刻胶蚀刻所述辐射吸收结构以形成所述印刷部件和所述辅助部件，使得所述印刷部件内的所述辐射吸收结构的第一厚度不同于所述辅助部件内的所述辐射吸收结构的第二厚度，
所述辅助部件与所述印刷部件相对设置并且在所述辅助部件与所述印刷部件之间不存在所述辐射吸收结构，所述印刷部件具有面向所述辅助部件的第一连续垂直侧壁，所述辅助部件具有面向所述印刷部件的第二连续垂直侧壁，所述第一连续垂直侧壁与所述第二连续垂直侧壁具有高度差；以及
然后，去除所述光刻胶。