版图的特征图形的识别方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种版图的特征图形的识别方法。

背景技术：

在光刻工艺中，由于光学临近效应(opticalproximityeffect)，设计图形经过曝光之后在晶圆上的实际图形会和原始设计略有差异，所以引入光学修正技术(opticalproximitycorrect，opc)来弥补由光学系统的有限分辨率造成的误差。随着芯片的技术节点进入几十纳米，opc技术得到大量广泛的使用，同时版图设计的复杂度以及线宽的逐渐变小，使得光学修正的程式也越来越复杂。

金属层版图的逻辑区域内的特征图形密集且形状复杂多变，当因工艺需要需对逻辑区域的特征图形进行特殊处理时，面临挑选特征图形的效率太低，且无法有效定义某类特征图形的特征导致无法较好的实现工艺需要。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种版图的特征图形的识别方法，可以提高挑选特征图形的效率，并且能更好地挑选出想要的特征图形。

为了达到上述目的，本发明提供了一种版图的特征图形的识别方法，用于识别opc处理的特征图形，包括：

查看所述版图上的opc预警位置；

将以opc预警位置为中心的一定范围划分为限定范围；

提取落入限定范围的特征图形。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述限定范围的尺寸为4倍设计规则。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述限定范围包含小于或等于三个特征图形。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述特征图形的种类为多个，每种类的特征图形的形状不一致。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述特征图形的种类为四个，分别是t形特征图形、i形特征图形、l形特征图形和凹形特征图形。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述t形特征图形的最长的一个边的长度大于两倍设计规则。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述i形特征图形的长边的长度大于两倍设计规则。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述l形特征图形的两个边的长度均大于两倍设计规则。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，所述凹形特征图形的凸出来的两个边大于两倍设计规则。

可选的，在所述的版图的特征图形的识别方法中，提取落入限定范围的特征图形的方法包括：在所述限定范围之外，切断版图上与特征图形连接的线条，提取所述特征图形。

在本发明提供的一种版图的特征图形的识别方法中，版图的特征图形的识别方法包括：查看所述版图上的opc预警位置；划分以opc预警位置为中心的一定范围为限定范围；提取落入限定范围的特征图形。可以提高挑选特征图形的效率，并且能更好地挑选出想要的特征图形。

附图说明

图1是本发明实施例的版图的特征图形的识别方法的流程图；

图2是本发明实施例的版图的特征图形的识别方法的结构示意图；

图3-6是本发明实施例的版图的特征图形的结构示意图；

图7是本发明实施例的版图的特征图形的识别方法的结构示意图；

图8是本发明实施例的版图的特征图形的识别方法的结构示意图；

图中：100-opc预警位置、200-限定范围、210-第一特征图形、220-第二特征图形、230-第三特征图形、110-t形特征图形、120-i形特征图形、130-l形特征图形、140-凹形特征图形、111-t型特征图形的第一边、121-i型特征图形的第一边、131-l型特征图形的第一边、141-凹型特征图形的第一边、112-标记、122-标记、132-标记、142-标记。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。

如图1，本发明提供了一种版图的特征图形的识别方法，用于识别opc处理的特征图形，包括：

s11：查看所述版图上的opc预警位置；

s12：将以opc预警位置为中心的一定范围划分为限定范围；

s13：提取落入限定范围的特征图形。

由于opc处理后，也有可能并没有处理好，可以进行手动修正。在步骤s1中，首先查看版图上的opc预警位置，也就是版图上可能还要进行opc修正的地方，例如图2，版图上具有多个版图图形，版图的中间位置具有一opc预警位置100，在本发明的其他实施例中，opc预警位置100可能在其他地方，也可能具有多个，在此处，举一个位于中间位置的opc预警位置100作为例子。opc预警位置100就是opc处理的风险区域，可以再进行手动修正以得到更好的opc修正结果。

接着，在步骤s2中，找opc出预警位置100处的特征图形，对特征图形进行修正，然而特征图形做opc修正时会受到周围环境的影响，即会受到周围其他特征图像的影响，需要找出周围一定范围内的其他特征图形。因此，可以以opc预警位置100为中心的一定范围划分形成的限定范围200内的特征图形进行处理，形成的限定范围200的尺寸为设计规则(线宽)的4倍，并且，所述限定范围200包含小于或等于三个特征图形。限定范围200可以是一个方形的形状，长宽的尺寸均为设计规则的4倍，并且，同时满足包含小于或等于三个特征图形的情况，如图2，本发明实施例的的限定范围200包含了3个特征图形，分别是第一特征图形210、第二特征图形220和第三特征图形230。

本发明实施例中，所述特征图形的种类为多个，每种类的特征图形的形状不一致。具体的，所述特征图形的种类为四个，分别是t形特征图形110、i形特征图形120、l形特征图形130和凹形特征图形140。

其中，所述t形特征图形110的最长的一个边的长度大于两倍设计规则。如图3，t型特征图形的第一边111为t型特征图形的下部分的边，也是最长的一个边，其长度大于设计规则的尺寸的两倍，其余边的长度可以为设计规则的尺寸。所述i形特征图形120的长边的长度大于设计规则的尺寸的两倍，如图4，i型特征图形120的第一边121的长度大于设计规则的尺寸的两倍，其余边的长度可以为设计规则的尺寸。所述l形特征图形130的两个边的长度均大于设计规则的尺寸的两倍，如图5，l形特征图形130的第一边131的长度均大于设计规则的尺寸的两倍，其余边的长度可以为设计规则的尺寸。所述凹形特征图形140的凸出来的两个边大于设计规则的尺寸的两倍，如图6，凹形特征图形140的第一边141的长度均大于设计规则的尺寸的两倍，其余边的长度可以为设计规则的尺寸。

而为了方便定位，可以在图形上设置一个作为参考的标记，例如图2中，t形特征图形110的标记112，i形特征图形120的标记122，l形特征图形130的标记132和凹形特征图形140的标记142，标记可以设置在每个图形的任何位置，一般设置在图形的中间位置。

因此，回到回到步骤s2中，可以看出，本发明实施例的第一特征图形210为t型特征图形，第二特征图形220和第三特征图形230为i型特征图形，第一特征图形210、第二特征图形220和第三特征图形230均有一部分落入限定范围200中，如图7。

在步骤s3中，提取落入限定范围200内的特征图形，可以看出有三个特征图形部分落入限定范围内，因此，需要提取三个完整的特征图形出来，具体的，如图8，提取的图形即为可以进行opc处理的特征图形，具体的，在限定范围外，切断版图上与特征图形连接的线条，提取所述特征图形，更为具体的，提取出第一特征图形210、第二特征图形220和第三特征图形230，分别获得第一特征图形210、第二特征图形220和第三特征图形230的尺寸信息，以及它们之间的位置信息，把尺寸信息和位置信息输入识别模块，得到所需图形的识别语音，最后就可以找到需要的特征图形，再对特征图形进行手动opc处理，处理的时候可以使用标记作为位置的参考。使用此方法很快查询到需要的特征图形，效率提高了，并且还能精确找到需要的opc特征图形。

其中，继续参照图8，第一特征图形210、第二特征图形220和第三特征图形230的之间的位置信息的计算包括，分别计算第一特征图形210的标记211和第二特征图形220的标记221之间的沿着x轴方向和y轴方向的直线距离，分别计算第一特征图形210的标记211和第三特征图形230的标记231之间的沿着x轴方向和y轴方向的直线距离，分别计算第二特征图形220的标记221和第三特征图形230的标记231之间的沿着x轴方向和y轴方向的直线距离。

综上，在本发明实施例提供的一种版图的特征图形的识别方法中，版图的特征图形的识别方法包括：查看所述版图上的opc预警位置；划分以opc预警位置为中心的一定范围为限定范围；提取落入限定范围的特征图形。可以提高挑选特征图形的效率，并且能更好地挑选出想要的特征图形。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。