一种液晶显示面板的制作方法

本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种液晶显示面板。

背景技术：

液晶显示面板由多种显示模式，如垂直排列型(va：verticalalignment)方式或者水平排列型(ips：inplaneswitching)方式或者扭曲向列型(tn：twistednematic)方式。其中，水平排列型(ips：inplaneswitching)方式包括ffs(边缘场开关技术，fringefieldswitching)显示模式，图1所示为ffs显示模式的像素结构图，图1显示了一个像素单元，一个像素单元包括依序排列的红色(r)子像素单元、绿色(g)子像素单元和蓝色(b)子像素单元，ffs显示模式的像素结构采用黑矩阵10来阻挡漏光及混色等不良现象，其中当液晶显示面板承受外力按压时会使彩膜基板和阵列基板因外力造成形变，使支撑柱(图未示)形成错位进而划伤配向膜pi，当配向膜pi被划伤时会对液晶失去配向力而造成漏光，目视下就会看到黑画面有白斑或是红蓝斑。为了改善此漏光不良现象，通常会加大支撑柱的位置的黑矩阵来遮挡支撑柱划伤配向膜pi造成的漏光。

以上说明为了遮挡漏光增加黑矩阵的方式会使透过率下降，造成功耗上升。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种降低透过率损失的液晶显示面板。

本发明提供一种液晶显示面板，其包括相对设置的彩膜基板和阵列基板；所述彩膜基板包括黑色矩阵和支撑彩膜基板和阵列基板之间盒厚的支撑柱；所述阵列基板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿第二方向延伸的数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元、位于扫描线和数据线之间的tft开关、间隔扫描线和数据线的第一绝缘层、位于像素单元内的像素电极、公共电极以及间隔在像素电极和公共电极之间的第二绝缘层；每个像素单元包括多个子像素单元；所述黑色矩阵位于扫描线和数据线的交叉处，所述黑色矩阵和支撑柱在空间上重叠且黑色矩阵在阵列基板上的投影面积盖住支撑柱在阵列基板上的投影面积；偶数行的像素电极与奇数行的像素电极呈对称设置；所述电极包括位于每个子像素单元内且平行设置的多个条状电极和位于相邻条状电极之间的狭缝，每个条状电极包括依序连接的第一边缘电极、第一主体电极、第二主体电极和第二边缘电极；长度较端的第一边缘电极和长度较端的第二边缘电极称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极和长度较长的第二边缘电极称为深拐角，所述黑色矩阵在空间上遮住像素电极的深拐角；所述电极为像素电极或公共电极。

进一步地，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极的长度从左往右依序增加，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极的长度从左往右依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极的长度从左往右依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极的长度从左往右依序增加。

进一步地，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极的长度从右往左依序增加，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极的长度从右往左依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极的长度从右往左依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极的长度从右往左依序增加。

进一步地，相邻第一边缘电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第一主体电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二主体电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二边缘电极之间的长度差为0.5um～2um。

进一步地，奇数行的第一主体电极和第一方向之间的第一夹角为70度～85度，奇数行的第二主体电极和第一方向之间的第一夹角为95度～110度；奇数行的第一边缘电极和第一方向之间的第三夹角为45度～60度，奇数行的第二边缘电极和第一方向之间的第四夹角为120度～135度。

本发明还提供一种液晶显示面板，其包括相对设置的彩膜基板和阵列基板；所述彩膜基板包括黑色矩阵和支撑彩膜基板和阵列基板之间盒厚的支撑柱；所述阵列基板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿第二方向延伸的数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元、位于扫描线和数据线之间的tft开关、间隔扫描线和数据线的第一绝缘层、位于像素单元内的像素电极、公共电极以及间隔在像素电极和公共电极之间的第二绝缘层；每个像素单元包括多个子像素单元；所述黑色矩阵位于扫描线和数据线的交叉处，所述黑色矩阵和支撑柱在空间上重叠且黑色矩阵在阵列基板上的投影面积盖住支撑柱在阵列基板上的投影面积；偶数列的像素电极与奇数列的像素电极呈对称设置；所述电极包括位于每个子像素单元内且平行设置的多个条状电极和位于相邻条状电极之间的狭缝，每个条状电极包括依序连接的第一边缘电极、第一主体电极、第二主体电极和第二边缘电极；长度较端的第一边缘电极和长度较端的第二边缘电极称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极和长度较长的第二边缘电极称为深拐角，所述黑色矩阵在空间上遮住像素电极的深拐角；所述电极为像素电极或公共电极。

进一步地，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极的长度从左往右依序增加，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极的长度从左往右依序减少，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极的长度从左往右依序减少，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极的长度从左往右依序增加。

进一步地，相邻第一边缘电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第一主体电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二主体电极之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二边缘电极之间的长度差为0.5um～2um。

进一步地，奇数列的第一主体电极和第一方向之间的第一夹角为70度～85度，奇数行的第二主体电极和第一方向之间的第一夹角β为95度～110度；奇数列的第一边缘电极和第一方向之间的第三夹角为45度～60度，奇数列的第二边缘电极和第一方向之间的第四夹角为120度～135度。

本发明还提供一种液晶显示面板，其包括相对设置的彩膜基板和阵列基板；所述彩膜基板包括黑色矩阵和支撑彩膜基板和阵列基板之间盒厚的支撑柱；所述阵列基板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿第二方向延伸的数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元、位于扫描线和数据线之间的tft开关、间隔扫描线和数据线的第一绝缘层、位于像素单元内的像素电极、公共电极以及间隔在像素电极和公共电极之间的第二绝缘层；每个像素单元包括多个子像素单元；所述黑色矩阵位于扫描线和数据线的交叉处，所述黑色矩阵和支撑柱在空间上重叠且黑色矩阵在阵列基板上的投影面积盖住支撑柱在阵列基板上的投影面积；偶数行的像素电极与奇数行的像素电极呈对称设置或偶数列的像素电极与奇数列的像素电极呈对称设置；所述电极包括位于每个子像素单元内且平行设置的多个条状电极和位于相邻条状电极之间的狭缝，每个条状电极包括依序连接的第一边缘电极、主体电极和第二边缘电极；长度较端的第一边缘电极和长度较端的第二边缘电极称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极和长度较长的第二边缘电极称为深拐角，所述黑色矩阵在空间上遮住像素电极的深拐角；所述电极为像素电极或公共电极。

本发明液晶显示面板的像素电极具有拐角，通过在支撑柱的位置设置面积较大的黑色矩阵，使得黑色矩阵遮住像素电极或公共电极的深拐角，以降低透过率损失。

附图说明

图1为现有阵列基板的断线修复示意图；

图2为本发明液晶显示面板第一实施例的结构示意图；

图3为本发明液晶显示面板第二实施例的结构示意图；

图4为本发明液晶显示面板第三实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。

本发明液晶显示面板，其包括相对设置的彩膜基板(图未示)和阵列基板(图未示)、夹设在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层(图未示)。

如图2为本发明第一实施例的结构示意图，彩膜基板包括矩阵设置的第一横向黑色矩阵11、矩阵设置的第二纵向黑色矩阵12、第三黑色矩阵13和支撑彩膜基板和阵列基板之间盒厚的支撑柱14，支撑柱14位于第二黑色矩阵12和第三黑色矩阵13交叉处。

阵列基板包括沿第一方向x延伸的扫描线(图未示)、沿第二方向y延伸的数据线(图未示)、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元、位于扫描线和数据线之间的tft开关(图未示)、间隔扫描线和数据线的第一绝缘层(图未示)、位于像素单元内的像素电极、公共电极以及间隔在像素电极和公共电极之间的第二绝缘层(图未示)。其中像素电极和公共电极之间产生驱动液晶层的边缘电场，形成ffs显示模式的液晶显示面板。

第三黑色矩阵13位于扫描线和数据线的交叉处，第三黑色矩阵13和支撑柱14在空间上重叠且第三黑色矩阵13在阵列基板上的投影面积盖住支撑柱14在阵列基板上的投影面积，也就是通过在支撑柱14的位置设置面积较大的第三黑色矩阵13，让第三黑色矩阵13遮住支撑柱14。

一个像素单元包括依序排列的红色(r)子像素单元、绿色(g)子像素单元和蓝色(b)子像素单元。

在本实施例中，像素电极可以在公共电极的上方，也可以公共电极在像素电极的上方，都属于本发明的保护范围。

像素电极和公共电极均由ito材料制成的，像素电极呈双畴模式，其结构如图2所示，像素电极包括位于每个子像素单元内且平行设置的多个条状电极21和位于相邻条状电极之间的狭缝(slit)22，每个条状电极21包括依序连接的第一边缘电极211、第一主体电极212、第二主体电极213和第二边缘电极214。

在本实施例中，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极211的长度从左往右依序增加，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极212的长度从左往右依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极213的长度从左往右依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极214的长度从左往右依序增加。偶数行的像素电极与奇数行的像素电极呈对称设置。

在其他实施例中，对应电极的长度也可以从右往左依序增加，即奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极211的长度从右往左依序增加，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极212的长度从右往左依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极213的长度从右往左依序减少，奇数行的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极214的长度从右往左依序增加。偶数行的像素电极与奇数行的像素电极呈对称设置。

奇数行像素电极的条状电极与第一方向x之间的夹角与偶数行像素电极的的条状电极与第一方向之间的夹角的不同，具体地，奇数行的第一主体电极212和第一方向x之间的第一夹角α为70度～85度，奇数行的第二主体电极213和第一方向x之间的第一夹角β为95度～110度；偶数行的第一主体电极212和第一方向x之间的第一夹角为95度～110度，奇数行的第二主体电极213和第一方向x之间的第一夹角为70度～85度，说明奇数行的像素电极和偶数行的像素电极呈对称的状态。

奇数行的第一边缘电极211和第一方向x之间的第三夹角ω为45度～60度，奇数行的第二边缘电极214和第一方向x之间的第四夹角ψ为120度～135度；偶数行的第一边缘电极211和第一方向x之间的第三夹角为120度～135度，偶数行的第二边缘电极214和第一方向x之间的第四夹角为45度～60度，也说明奇数行的像素电极和偶数行的像素电极呈对称的状态。

相邻第一边缘电极211之间的长度差为0.5um～2um，相邻第一主体电极212之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二主体电极213之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二边缘电极214之间的长度差为0.5um～2um。

其中长度较短的第一边缘电极211和长度较短的第二边缘电极214称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极211和长度较长的第二边缘电极214称为深拐角，深拐角和浅拐角分别位于第一边缘电极211和第二边缘电极214的两端，第三黑色矩阵13在空间上遮住像素电极的深拐角，以降低透过率损失。

如图3为本发明第二实施例的结构示意图，奇数列像素电极和偶数列像素电极称对称状态。

奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第一边缘电极211的长度从左往右依序增加，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第一主体电极212的长度从左往右依序减少，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第二主体电极213的长度从左往右依序减少，奇数列的每个子像素单元内的像素电极的多个第二边缘电极214的长度从左往右依序增加。偶数列的像素电极与奇数列的像素电极呈对称设置。

奇数列的第一主体电极212和第一方向x之间的第一夹角α为70度～85度，奇数行的第二主体电极213和第一方向x之间的第一夹角β为95度～110度；奇数列的第一边缘电极211和第一方向x之间的第三夹角ω为45度～60度，奇数列的第二边缘电极214和第一方向x之间的第四夹角ω为120度～135度。

相邻第一边缘电极211之间的长度差为0.5um～2um，相邻第一主体电极212之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二主体电极213之间的长度差为0.5um～2um，相邻第二边缘电极214之间的长度差为0.5um～2um。

其中长度较短的第一边缘电极211和长度较短的第二边缘电极214称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极211和长度较长的第二边缘电极214称为深拐角，第三黑色矩阵13在空间上遮住像素电极的深拐角，以降低透过率损失。

如图4为本发明第三实施例的结构示意图，像素电极呈单畴模式，奇数行像素电极和偶数行像素电极称对称状态或者奇数列像素电极和偶数列像素电极称对称状态。每个条状电极21包括依序连接的第一边缘电极211、主体电极212和第二边缘电极213。

与上述第一实施例和第二实施例相同的是，其中长度较短的第一边缘电极211和长度较短的第二边缘电极213称为浅拐角，长度较长的第一边缘电极211长度的最长处和长度较长的第二边缘电极214称为深拐角，第三黑色矩阵13在空间上遮住像素电极的深拐角，以降低透过率损失。

对于上述第一实施例至第三实施例说明的都是像素电极的结构，对于公共电极也可以采用图2至图4所述的结构，公共电极也属于保护范围内。

本发明液晶显示面板的像素电极具有拐角，通过在支撑柱的位置设置面积较大的黑色矩阵，使得黑色矩阵遮住像素电极或公共电极的深拐角，以降低透过率损失。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。