显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机液晶显示器(organic liquid crystal display，olcd)可以理解为柔性lcd，是一种柔性显示技术的实现方式。olcd是以柔性低温有机薄膜晶体管(organic thin film transistor，otft)技术为基础，采用三醋酸纤维(tac)薄膜或聚甲基丙烯酸甲酯(pet)薄膜等塑料作为基板，因此，olcd拥有着较好的延展性，同时更加纤薄、轻巧，并且防碎，能够适应各种表面。但是，目前弯折后的olcd显示装置，存在漏光的问题，严重影响显示品质。


技术实现要素：

3.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
4.本公开实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以防止弯折后的olcd显示装置漏光，提升显示品质。
5.本公开实施例提供的显示面板，包括：对盒设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个色阻块，阵列基板包括第二衬底基板和间隔设置于第二衬底基板上的多个像素电极，像素电极与色阻块一一对应，显示面板包括弯折区和位于弯折区至少一侧的非弯折区，弯折区的像素电极的密度小于非弯折区的像素电极的密度，弯折区的色阻块的密度小于非弯折区色阻块的密度。
6.在一示例性实施例中，在垂直于弯折区的弯折轴的方向上，弯折区的相邻像素电极之间的间距大于非弯折区的相邻像素电极之间的间距，弯折区的相邻色阻块之间的间距大于非弯折区的相邻色阻块的之间的间距。
7.在一示例性实施例中，在平行于弯折区的弯折轴的方向上，弯折区的相邻像素电极之间的间距等于非弯折区的相邻像素电极之间的间距，弯折区的相邻色阻块之间的间距等于非弯折区的相邻色阻块的之间的间距。
8.在一示例性实施例中，在垂直于弯折区的弯折轴的方向上，弯折区的像素电极长度大于弯折区的色阻块长度。
9.在一示例性实施例中，在垂直于弯折区的弯折轴的方向上，弯折区的像素电极长度为30微米到400微米，弯折区的色阻块长度为20微米到200微米。
10.在一示例性实施例中，在平行于弯折区的弯折轴的方向上，非弯折区的像素电极的宽度等于弯折区的像素电极的宽度，非弯折区的色阻块的宽度等于弯折区的色阻块的宽度。
11.在一示例性实施例中，彩膜基板还包括覆盖色阻块的平坦层和设置于平坦层上的隔垫层，隔垫层位于非弯折区，显示面板还包括设置于阵列基板和彩膜基板之间的多个隔
垫柱，多个隔垫柱包括支撑于隔垫层和第二衬底基板之间的第一隔垫柱和支撑于平坦层和第二衬底基板之间的第二隔垫柱。
12.在一示例性实施例中，第一衬底基板包括第一基板、设置于第一基板上的应变层以及设置于应变层上的黑矩阵，黑矩阵设置于相邻的色阻块之间，应变层至少设置于弯折区，应变层包括第一应变区和第二应变区，黑矩阵覆盖第一应变区，色阻块位于第二应变区，第一应变区的拉伸模量小于第二应变区的拉伸模量。
13.在一示例性实施例中，第一应变区包括沿平行于弯折区的弯折轴方向延伸并沿垂直于弯折区的弯折轴方向间隔设置的多个第一应变槽，第二应变区包括相邻第一应变槽之间形成的像素棱条，黑矩阵覆盖第一应变槽和像素棱条除与色阻块对应的位置。
14.在一示例性实施例中，在垂直于第一基板的方向上，第一应变槽的深度小于或等于应变层的厚度。
15.在一示例性实施例中，还包括设置于彩膜基板和阵列基板之间的隔垫柱，隔垫柱与像素棱条位置对应，并位于相邻的所述色阻块之间。
16.在一示例性实施例中，第一应变区包括沿着平行于弯折区的弯折轴方向延伸并沿垂直于弯折区的弯折轴方向间隔设置的多个第一应变槽和沿着垂直于弯折区的弯折轴方向延伸并沿平行于弯折区的弯折轴方向间隔设置的多个第二应变槽，第二应变区包括第一应变槽和第二应变槽之间形成的像素岛，色阻块位于像素岛靠近阵列基板一侧的表面，黑矩阵覆盖第一应变槽和第二应变槽。
17.在一示例性实施例中，在垂直于第一基板的方向上，第一应变槽的深度小于或等于应变层的厚度，第二应变槽的深度小于或等于应变层的厚度。
18.在一示例性实施例中，还包括设置于彩膜基板和阵列基板之间的隔垫柱，隔垫柱与所述第一应变槽或第二应变槽位置对应
19.在一示例性实施例中，应变层的厚度为5微米到30微米。
20.本公开实施例提供的显示装置，包括上述实施例的显示面板。
21.本公开实施例提供的显示面板的制备方法，包括：
22.形成彩膜基板，彩膜基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个色阻块，彩膜基板包括弯折区和非弯折区，弯折区的色阻块密度小于非弯折区的色阻块密度；
23.形成阵列基板，阵列基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个像素电极，阵列基板包括弯折区和非弯折区，弯折区的像素电极密度小于非弯折区的像素电极密度；
24.对盒彩膜基板和阵列基板，色阻块与像素电极一一对应。
25.在一示例性实施例中，形成彩膜基板包括：
26.形成第一基板；
27.在第一基板上形成应变层，应变层包括第一应变区和第二应变区，第一应变区的拉伸模量小于第二应变区的拉伸模量；
28.在应变层上形成黑矩阵，黑矩阵覆盖应变层，黑矩阵上设置有暴露第二应变区的像素开口；
29.在黑矩阵上形成色阻块，色阻块覆盖像素开口；
30.其中，第一基板、应变层和黑矩阵构成第一衬底基板。
31.本公开实施例提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置，通过将显示面板弯折区的像素电极和色阻块密度设置为小于非弯折区的像素电极和色阻块的密度，防止了弯折区的像素电极和色阻块错位引起的漏光，提升了显示面板的显示品质。
32.本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
33.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
34.附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
35.图1为一种olcd显示面板的结构图；
36.图2为传统液晶显示面板的结构示意图；
37.图3为olcd显示面板弯折后的结构示意图；
38.图4为olcd显示面板弯折后产生问题一的结构示意图；
39.图5为olcd显示面板弯折后产生问题二的结构示意图；
40.图6为olcd显示面板弯折后产生问题三的结构示意图；
41.图7a为本公开实施例显示面板的剖面结构图；
42.图7b为本公开实施例阵列基板的平面结构示意图；
43.图7c为本公开实施例彩膜基板的平面结构示意图；
44.图8为本公开示例性实施例一种显示面板的结构图；
45.图9a为本公开示例性实施例另一种显示面板的结构图；
46.图9b为图9b中彩膜基板结构图；
47.图10a为本公开示例性实施例另一种显示面板的结构图；
48.图10b为图10b中彩膜基板结构图；
49.图11a为本公开示例性实施例形成黑矩阵后的平面图；
50.图11b为图11a中a-a位置的剖面图；
51.图12a为本公开示例性实施例形成色阻块后的平面图；
52.图12b为图12a中a-a位置的剖面图；
53.图13为本公开示例性实施例形成平坦层后的结构图；
54.图14为本公开示例性实施例形成隔垫层后的结构图；
55.图15为本公开示例性实施例形成隔垫柱后的结构图；
56.图16a为本公开示例性实施例形成像素电极后的平面图；
57.图16b为图16a中a-a位置剖面图；
58.图17为本公开示例性实施例色阻块和像素电极一种对位方式布设图；
59.图18为本公开示例性实施例彩膜基板和阵列基板另一种对位方式布设图；
60.图19为本公开示例性实施例弯折区受力分析图；
61.图20a为本公开示例性实施例形成一种应变层后的平面图；
62.图20b为图20a中a-a位置的剖面图；
63.图21a为本公开示例性实施例形成黑矩阵后的平面图；
64.图21b为图21a中a-a位置的剖面图；
65.图22a为本公开示例性实施例形成色阻块后的平面图；
66.图22b为图22a中a-a位置的剖面图；
67.图23a为本公开示例性实施例形成另一种应变层后的平面图；
68.图23b为图23a中a-a位置的剖面图；
69.图24为本公开示例性实施例形成另一种黑矩阵后的结构图。
70.附图标记说明
71.1-彩膜基板；
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1a-第一衬底基板；
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11-对应区域；
72.12-第一非对应区；
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13-第二非对应区；
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14-弯折区；
73.15-非弯折区；
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16-弯折轴；
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17-弯折中心面；
74.100-第一基板；
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101-色阻块；
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101a-红色色阻块；
75.101b-蓝色色阻块；
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101c-绿色色阻块；
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102-黑矩阵；
76.1021-像素开口；
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103-第一取向层；
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104-平坦层；
77.105-隔垫层；
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106-应变层；
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1061-第一应变区；
78.1062-第二应变区；
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107-第一应变槽；
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108-像素棱条；
79.109-第二应变槽；
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110-像素岛；
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2-阵列基板；
80.2a-第二衬底基板；
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200-第二基板；
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201-偏光层；
81.202-遮光层；
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203-第一绝缘层；
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204-源漏金属层；
82.2041-源电极；
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2042-漏电极；
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205-有源层；
83.206-第二绝缘层；
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207-栅金属层；
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208-第三绝缘层；
84.209-像素电极；
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210-第四绝缘层；
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211-公共电极；
85.212-第二取向层；
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213-阵列结构层
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3-隔垫柱；
86.31-第一隔垫柱；
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32-第二隔垫柱；
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4-液晶；
87.5-玻璃载板；
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6-封框胶。
具体实施方式
88.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
89.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
90.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实
比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
91.本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
92.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
93.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
94.在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，也包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
95.在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
96.图1为一种olcd显示面板的结构图。olcd显示面板是基于低温有机薄膜晶体管(organicthinfilmtransistor，otft)技术开发而来，与传统的lcd显示面板相比，olcd显示面板能够不依托玻璃载板，而采用塑性的tac或pet作为支撑，使得其能够实现弯曲，从而能够制备成各种曲面的显示装置。如图1所示，olcd显示面板包括对盒设置的彩膜基板1和阵列基板2，阵列基板2和彩膜基板1之间通过隔垫柱3形成液晶盒，液晶分子4填充于液晶盒内。彩膜基板1包括第一基板100和间隔设置于第一基板100上的色阻块101和设置于色阻块101之间的黑矩阵102以及覆盖色阻块101和黑矩阵102的第一取向层103。色阻块101包括红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块，红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块周期性排列。阵列基板2包括第二基板200和依次设置于第二基板200上的偏光层201、遮光层202、第一绝缘层203、源漏金属层204、有源层205、第二绝缘层206、栅金属层207、第三绝缘层208、像素电极209、第四绝缘层210、公共电极211以及覆盖公共电极211的第二取向层212。有源层205与遮光层202位置对应，有源层205在第二基板200上的正投影位于遮光层202在第二基板200上的正投影范围内。源漏金属层204包括源电极2041和漏电极2042，漏电极2042通过贯通第二绝缘层206和第三绝缘层208的过孔与像素电极209连接，也就是说，过孔内的第二绝缘层206和第三绝缘层208被刻蚀掉。栅金属层207包括栅极和栅连接电极。公共电极211与像素电极209位置对应，公共电极211为狭缝电极，像素电极209和公共电极211在施加电压后，形成驱动液晶分子4偏转的水平电场。其中，遮光层202、第一绝缘层203、源漏金属层204、有源层205、第二绝缘层206、栅金属层207和第三绝缘层208构成阵列结构层213，有源层205、源电极2041、漏电极2042和栅极构成有机薄膜晶体管。第一基板100和第二基板200均采用柔性基板，因此，彩膜基板1和阵列基板2均能够弯折。在一示例中，第一基板100和第
二基板200的材料可以选择tac或者pet等。有源层的材料采用有机材料，例如聚3-己基噻吩、聚芴基聚合物和聚噻吩等。
97.图2为传统液晶显示面板的结构示意图，图3为olcd显示面板弯折后的结构示意图。如图2所示，lcd显示面板在完成对盒工艺之后，不进行弯折，彩膜基板1上的色阻块101与阵列基板2上的像素电极209能够完全对应，在数据电压通过漏电极输入到各像素电极209上时，可以实现对相应区域液晶的控制。而olcd显示面板在向外弯折后，如图3所示，在弯折区，第一基板100因被拉伸，所以长度变长，第二基板200因被压缩，所以长度变短，也就是说，彩膜基板1的第一基板100和阵列基板2的第二基板200变形不同。第一基板100变长，导致弯折区的色阻块101密度变小，色阻块101间距变大。第二基板200变短，导致弯折区的像素电极209密度变大，像素电极209的间距变小，进而产生弯折区的色阻块与对应的像素电极错位，以及液晶盒盒厚不均等不良。
98.如图4所示，olcd显示面板弯折后，色阻块101与对应的像素电极209部分错位，色阻块101与像素电极209之间存在对应区域11和非对应区域，非对应区域包括与色阻块101对应的第一非对应区12和与像素电极209对应的第二非对应区13，由于第一非对应区域12没有水平电场作用，进而无法控制液晶偏转，也就无法控制从背光源射至此区域的光线，造成漏光。此外，由于色阻块101与对应的像素电极209错位，对应区域11的面积变小，导致像素的开口率降低。olcd显示面板弯折后，也可能出现色阻块101与对应的像素电极209完全错位的情况，如图5所示，其中色阻块101和像素电极209填充图案相同代表存在对应关系，而图中色阻块101对应的像素电极209与相邻的色阻块101对应，导致显示错误。
99.图6为olcd显示面板弯折后出现液晶盒盒厚不均的结构示意图。如图6所示，olcd显示面板的弯折区14因弯折变形，弯折区14的液晶盒厚度d1小于非弯折曲15的液晶盒厚度d2，导致弯折区14的显示画面的亮度等特性与非弯折区15存在差异，进而引起整体显示效果下降，其中液晶盒厚度指的是彩膜基板与阵列基板之间的间隔。
100.本公开实施例提供了一种显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个色阻块，阵列基板包括第二衬底基板和间隔设置于第二衬底基板上的多个像素电极，像素电极与色阻块一一对应，显示面板包括弯折区和位于弯折区至少一侧的非弯折区，弯折区的像素电极的密度小于非弯折区的像素电极的密度，弯折区的色阻块的密度小于非弯折区的色阻块的密度。
101.本公开实施例通过将显示面板的弯折区的像素电极的密度设置为小于非弯折区的像素电极的密度，以及将显示面板的弯折区的色阻块的密度设置为小于非弯折区的色阻块的密度，防止了弯折区的像素电极和色阻块错位引起的漏光，提升了显示面板的显示品质。其中，像素电极的密度可以指定单位面积内像素电极的数量，色阻块的密度可以指定单位面积内色阻块的数量。
102.下面结合附图示例性说明本公开实施例技术方案。
103.图7a为本公开实施例显示面板的剖面结构图，图7b为本公开实施例阵列基板的平面结构示意图，图7c为本公开实施例彩膜基板的平面结构示意图。如图7a、7b和7c所示，显示面板包括对盒设置的彩膜基板1和阵列基板2。阵列基板2和彩膜基板1之间设置有多个隔垫柱3。阵列基板2和彩膜基板1之间形成液晶层。液晶层包括液晶分子4，液晶分子可以采用自取向液晶。彩膜基板1包括第一衬底基板1a和间隔设置于第一衬底基板1a上的多个色阻
块101。阵列基板2包括第二衬底基板2a和间隔设置于第二衬底基板2a上的多个像素电极209。像素电极209与色阻块101一一对应。显示面板包括弯折区14和位于弯折区14至少一侧的非弯折区15。弯折区14的像素电极209的密度小于非弯折区15的像素电极209的密度，弯折区14的色阻块101的密度小于非弯折区15的色阻块101的密度。其中，非弯折区15可以包括两个，一个位于弯折曲14的第一侧，另一个位于弯折区14与第一侧相对的第二侧。在另一示例中，如图8所示，显示面板围成矩形结构，显示面板包括位于矩形结构四角位置的弯折区14和连接相邻弯折区14的非弯折区15。图8为本公开示例性实施例一种显示面板的结构图。
104.如图7a所示，第一衬底基板1a可以包括第一基板100和设置于第一基板100上并位于相邻色阻块101之间的黑矩阵102。
105.如图7a所示，第二衬底基板2a可以包括第二基板200和设置于第二基板200上的阵列结构层213，阵列结构层213包括有机薄膜晶体管，像素电极209与有机薄膜晶体管的漏电极的连接。
106.本公开实施例通过将显示面板弯折区14的像素电极209设置为小于非弯折区15的像素电极209的密度，将显示面板弯折区14色阻块101密度设置为小于非弯折区15色阻块101的密度，防止了弯折区14的像素电极209和色阻块101错位引起的漏光，提升了显示面板的显示品质。
107.在一示例性实施例中，如图7b所示，在垂直于弯折区14的弯折轴16的方向上，弯折区14的像素电极209长度大于弯折区14的色阻块101长度，其中，弯折轴16位于弯折区14，可以为显示面板弯折过程中的中心线，中心线两侧显示面板以中心线为轴可以弯折。垂直于弯折区14的弯折轴16的方向是指，垂直于弯折轴16，并且平行于第一基板弯折前所在平面的方向，第一基板弯折前所在平面指的是第一基板朝向色阻块的一面在第一基板弯折前所在的平面。弯折后，弯折区14的色阻块101在第二衬底基板的上的正投影位于弯折区14与色阻块101对应的像素电极209在第二衬底基板上的正投影的范围内。通过将弯折区14的像素电极209长度设置为大于弯折区14的色阻块101长度，即使第一衬底基板的弯折区14弯折后会被拉伸，导致色阻块101的间距变大，但是由于像素电极209在垂直于弯折轴16方向的长度大于色阻块101的长度，弯折后弯折区14的像素电极209在第二衬底基板的上正投影可以对弯折区14的色阻块101在第二衬底基板的上的正投影有效覆盖，使得弯折区14的色阻块101与弯折区14的像素电极209对应，防止了色阻块101与像素电极209错位。在一示例中，在垂直于弯折区14的弯折轴16的方向上，非弯折区15的像素电极209的长度小于弯折区14的像素电极209长度，在平行于弯折区的弯折轴16的方向上，非弯折区15的像素电极209的宽度等于弯折区14的像素电极209的宽度，平行于弯折区14的弯折轴16的方向是指，平行于弯折轴16，并且平行于第一基板弯折前所在平面的方向，也就是图7b所示的y方向。在另一示例中，在垂直于弯折区14的弯折轴16的方向，非弯折区15的色阻块101的长度等于弯折区14的像素电极209的长度。在平行于弯折区的弯折轴16的方向上，非弯折区15的色阻块101的宽度等于弯折区14的色阻块101的宽度。在本示例中，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素电极209的长度为30微米到400微米，弯折区14的色阻块101的长度为20微米到200微米，弯折区14的像素电极209长度是弯折区14的色阻块101长度的1.5到2倍。
108.在一示例性实施例中，如图7b和7c所示，在平行于弯折区14的弯折轴16的方向上，
弯折区14的相邻像素电极209之间的间距等于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距，弯折区14的相邻色阻块101之间的间距等于非弯折区15的相邻色阻块101的之间的间距。在垂直于弯折区14的弯折轴16的方向上，弯折区14的相邻像素电极209之间的间距大于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距，弯折区14的相邻色阻块101之间的间距大于非弯折区15的相邻色阻块101的之间的间距。
109.在一示例性实施例中，如图7a所示，彩膜基板1还包括覆盖色阻块101的平坦层104和设置于平坦层104上的隔垫层105，隔垫层105位于非弯折区15，多个隔垫柱3包括支撑于隔垫层105和第二衬底基板2a之间的第一隔垫柱31和支撑于平坦层104和第二衬底基板2a之间的第二隔垫柱32。第一隔垫柱31和第二隔垫柱32的尺寸和结构相同。在非弯折区15设置隔垫层105，在弯折区14不设置隔垫层105，在显示面板弯折前，弯折区14的液晶盒厚度大于非弯折区15的液晶盒厚度，液晶盒的厚度指的是垂直于第一衬底基板或第二衬底基板方向上的液晶盒宽度。显示面板弯折后，弯折区14的液晶盒厚度减小，但由于在非弯折区15设置隔垫层105，隔垫层105可以平衡弯折区14的液晶盒厚度和非弯折区15的液晶盒厚度，进而保证了弯折区14与非弯折区15的显示均一性，提升了显示面板整体的显示效果。在本示例中，隔垫层105的厚度根据显示面板的弯折半径以及弯折区14的第一衬底基板1a和第二衬底基板2a的应变情况确定，例如隔垫层的厚度可以为0.1微米到2微米。隔垫层105采用透明材料制成，可以为光刻胶。
110.图9a为本公开示例性实施例另一种显示面板的结构图，图9b为图9b中彩膜基板结构图。在另一示例性实施例中，如图9a和图9b所示，在显示面板的弯折区14，彩膜基板1还包括设置于第一基板100上的应变层106，应变层106包括第一应变区1061和第二应变区1062，第一应变区1061的拉伸模量小于第二应变区1062的拉伸模量，黑矩阵102覆盖第一应变区1061，色阻块101设置于第二应变区1062。第一应变区1061的拉伸模量小，即作为拉伸弱区，第二应变区1062的拉伸模量大，即作为拉伸强区。在显示面板弯曲过程中，应变主要发生在拉伸弱区，换句话说，在弯折过程中，黑矩阵102发生较大形变，色阻块101基本不发生形变，进而防止了色阻块101与像素电极209发生大范围错位。此外，黑矩阵102拉伸变形后，其遮光区域覆盖更大面积，有效防止了因色阻块101与像素电极209错位导致的漏光。对于非弯折区15也可以进行相似的设计，也可以不用，不做限定。
111.在一示例性实施例中，如图9a和图9b所示，第一应变区1061包括沿平行于弯折轴16方向延伸并沿垂直于弯折轴16方向间隔设置的多个第一应变槽107，第二应变区1062包括相邻第一应变槽107之间形成的像素棱条108，黑矩阵102覆盖第一应变槽107和像素棱条108除与色阻块101对应的位置。在垂直于第一基板100的方向上，第一应变槽107的深度h1小于或等于应变层106的厚度h2。应变层106的厚度可以为5微米到30微米，第一应变槽107的深度可以为5微米到30微米。第一应变槽107的横截面为梯形，第一应变槽107朝向第一基板100的一侧比远离第一基板100的的一侧窄。由于第一应变槽107内的应变层106被部分去掉或完全去掉，所以第一应变槽107位置的第一衬底基板1a的拉伸模量小于像素棱条108位置的第一衬底基板1a的拉伸模量，进而在显示面板弯折过程中，应变主要发生在第一应变槽107位置，也就是说，应变主要发生在黑矩阵102上，而色阻块101的应变很小。隔垫柱3可以设置于像素棱条108上并且位于相邻的色阻块101之间，即位于第二应变区1062，由于第二应变区1062应变较小，所以隔垫柱的偏移较小，进而可以降低显示面板弯折过程中隔垫
柱2偏移划伤阵列基板显示区域的风险。在本实施例中，显示面板适用于以弯折轴16为轴线单方向弯折。
112.图10a为本公开示例性实施例另一种显示面板的结构图，图10b为图10b中彩膜基板结构图。在另一示例性实施例中，如图10a和10b所示，在显示面板的弯折区14，第一应变区1061还包括沿垂直于弯折轴16方向延伸并沿平行于弯折轴16方向间隔设置的多个第二应变槽109，第一应变槽107和第二应变槽109可以是连通的，第二应变区1062包括第一应变槽107和第二应变槽109之间形成像素岛110，色阻块101位于像素岛110靠近阵列基板2一侧的表面。黑矩阵102覆盖第一应变槽107和第二应变槽109。在垂直于第一基板100的方向上，第二应变槽109的深度小于或等于应变层106的厚度，应变层的厚度可以为5微米到30微米，第二应变槽109的深度可以为5微米到30微米。第二应变槽109的横截面为梯形，第二应变槽109朝向第一基板100的一侧比远离第一基板100的的一侧窄。由于第二应变槽109内的应变层106被部分去掉或完全去掉，所以第二应变槽109位置的第一衬底基板1a的拉伸模量小于像素岛110位置的第一衬底基板1a的拉伸模量，进而在显示面板弯折过程中，应变主要发生在第一应变槽107和第二应变槽109位置，也就是说，应变主要发生在黑矩阵102上，而色阻块101的变形很小。隔垫柱3可以设置于第一应变槽107内或第二应变槽109内或第一应变槽107和第二应变槽109的连通位置，其中，连通位置如图10b中a所指定的位置。隔垫柱3设置于第一应变槽107或第二应变槽109，能够有效降低弯折过程中隔垫柱3滑伤阵列基板的显示区域而导致漏光的风险。在本实施例中，由于本示例中各像素岛完全独立，所以显示面板可从任意轴线弯折(至少包括弯折轴16和与弯折轴16垂直的方向)，弯折时黑矩阵102变形可以防止漏光和错位。
113.下面通过显示面板的制备过程的示例说明本公开显示面板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次构图工艺同时形成。“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影落入a的正投影范围内，或者a的正投影覆盖b的正投影。
114.本公开显示面板制备过程可以包括阵列基板制备、彩膜基板制备、对盒过程和弯折过程，其中，阵列基板和彩膜基板的制备过程不分先后，可以同时进行，或可以先制备彩膜基板，再制备阵列基板，或可以先制备阵列基板，再制备彩膜基板，在本示例中，不做具体限定。
115.一、彩膜基板的制备
116.(1)在玻璃载板5涂覆第一基板薄膜，固化成膜后，形成第一基板100。在本示例中，第一基板100的材料包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(tac)或聚甲基丙烯酸甲酯(pet)。
117.(2)在第一基板100上涂布黑矩阵薄膜，通过构图工艺对黑矩阵薄膜进行构图，如图11a和11b所示，形成黑矩阵102图案。黑矩阵102包括阵列设置的多个像素开口1021。弯折
区14的像素开口1021密度小于非弯折区15的像素开口1021密度，像素开口1021密度指单位面积内像素开口1021的数量。其中，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素开口1021的长度等于非弯折区15的像素开口1021的长度，弯折区14的像素开口1021的间距大于非弯折区15的像素开口1021的间距。在平行于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素开口1021的宽度等于非弯折区15的像素开口1021的宽度，弯折区14的像素开口1021的间距等于非弯折区15的像素开口1021的间距。图11a为本公开示例性实施例形成黑矩阵后的平面图；图11b为图11a中a-a位置的剖面图。
118.(3)在形成前述图案的基底上，涂布色阻薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图12a和图12b所示，形成色阻块101图案，色阻块101覆盖像素开口。色阻块101可以包括红色色阻块101a、蓝色色阻块101b和绿色色阻块101c以及透明色阻块(白色色阻块)中的一种，色阻块101呈多行多列设置，示例地，同列的色阻块101颜色相同，任意相邻的三列中，包括红色色阻块101a、蓝色色阻块101b和绿色色阻块101c。由于弯折区14的像素开口密度小于非弯折区15的像素开口密度，所以弯折区14的色阻块101密度小于非弯折区15的色阻块101密度。其中，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的色阻块101的长度等于非弯折区15的色阻块101的长度，弯折区14的色阻块101的间距大于非弯折区15的色阻块101的间距。在平行于弯折轴16的方向上，弯折区14的像色阻块101的宽度等于非弯折区15的色阻块101的宽度，弯折区14的色阻块101的间距等于非弯折区15的色阻块101的间距。图12a为本公开示例性实施例形成色阻块后的平面图；图12b为图12a中a-a位置的剖面图。
119.(4)在形成前述图案的基底上，涂布平坦薄膜，如图13所示，形成平坦层104。平坦层104覆盖色阻块101和黑矩阵102。在本示例中，平坦层104的材料可以为聚酰亚胺和聚甲基丙烯酸甲酯等，平坦层为透光层。图13为本公开示例性实施例形成平坦层后的结构图。
120.(5)在平坦层上涂布隔垫层薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图14所示，形成隔垫层105图案。隔垫层105形成在非弯折区15，弯折区14的膜层结构不包括隔垫层105，也就是说，非弯折区15和弯折区14存在段差。隔垫层105的厚度为0.1微米到2微米。隔垫层105的材料可以与平坦层的材料相同。图14为本公开示例性实施例形成隔垫层后的结构图。
121.通过上述步骤后，完成本公开示例性实施例彩膜基板的制备。第一基板100和黑矩阵102构成第一衬底基板。
122.(7)在形成前述图案的基底上，涂覆隔垫柱薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图15所示，形成隔垫柱3图案。隔垫柱3包括多个，多个隔垫柱3包括设置于隔垫层上的第一隔垫柱31和设置于平坦层104上的第二隔垫柱32，也就是说，弯折区14的隔垫柱和非弯折区15的隔垫柱存在隔垫层105的高度差。图15为本公开示例性实施例形成隔垫柱后的结构图。
123.二、阵列基板2的制备
124.(1)在玻璃载板5涂覆第二基板薄膜，固化成膜后，形成第二基板200。在本示例中，第二基板200的材料包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(tac)或聚甲基丙烯酸甲酯(pet)。
125.(2)在第二基板200上形成阵列结构层。阵列结构层可以为常规的otft结构。在一示例性实施例中，在第二基板上形成阵列结构层，包括：在第二基板上形成遮光层；在遮光层上沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成第一绝缘层和设置于第一绝缘层上的源漏金属层图案，源漏金属层包括源电极和漏电极；在源漏金属层上沉积或涂布有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成有源层
图案，有源层在第二基板上的正投影位于遮光层在第二基板上的正投影的范围内；在有源层上沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成第二绝缘层和设置于第二绝缘层上的栅金属层图案，栅金属层包括栅极和栅连接电极；在栅金属层上沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成第三绝缘层，第三绝缘层上设置有暴露漏电极的过孔，过孔内的第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉。第二基板与阵列结构层构成第二衬底基板。
126.在本示例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的材料可以为采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一金属薄膜和第二金属薄膜可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构。有源层薄膜可以采用六噻吩和聚噻吩等各种材料，即有机物技术制造的晶体管。
127.(3)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，如图16a和16b所示，形成像素电极209图案，像素电极209通过过孔与漏电极连接。像素电极209呈多行多列分布。弯折区14的像素电极209的密度小于非弯折区15的像素电极209的密度。其中，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素电极209的长度大于非弯折区15的像素电极209的长度，弯折区14的相邻像素电极209之间的间距大于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距。弯折区14的像素电极209的长度大于弯折区14的色阻块101的长度。在平行于弯折轴16的方向上，弯折区14的像像素电极209的宽度等于非弯折区15的像素电极209的宽度，弯折区14的相邻像素电极209之间的间距等于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距，弯折区14的像素电极209的宽度等于弯折区14的色阻块101的宽度。图16a为本公开示例性实施例形成像素电极后的平面图，图16b为图16a中a-a位置剖面图。
128.在本示例中，透明导电薄膜可以采用掺铟氧化锡(ito)和掺铝氧化锌(azo)等。
129.三、彩膜基板与阵列基板对盒
130.在阵列基板2的显示区域滴涂液晶分子4，在彩膜基板1的非显示区域涂覆封框胶6；彩膜基板1与阵列基板2进行对位；在真空条件下进行压合和封框胶6固化，形成如图17所示的待弯折的显示面板。在本示例中，液晶分子4采用自取向液晶，因此不需要设置取向层。在另一示例中，彩膜基板1朝向阵列基板2一侧还包括第一取向层，阵列基板2朝向彩膜基板1一侧还包括第二取向层，液晶填充于第一取向层和第二取向层之间。图17为本公开示例性实施例色阻块和像素电极一种对位方式布设图。
131.彩膜基板1与阵列基板2对位的过程中，在非弯折区15，如图17所示，色阻块101与像素电极209一一对应，色阻块101在第二基板200上的正投影与对应的像素电极209的在第二基板200上的正投影中心重合。在弯折区14，色阻块101与像素电极209一一对应，色阻块101在第二基板200上的正投影与对应的像素电极209的在第二基板200上的正投影中心重合。第一隔垫柱31支撑于第二衬底基板之间和隔垫层105之间，第二隔垫柱32与第二衬底基板之间存在间隙，间隙小于隔垫层105的厚度。
132.或者，如图18所示，在弯折区14，色阻块101与像素电极209一一对应，色阻块101靠近弯折中心面17一侧与对应的像素电极209靠近弯折中心面17一侧平齐，弯折中心面17可
以为垂直于第一基板或第二基板所在平面，并且弯折轴16位于该平面上。图18为本公开示例性实施例彩膜基板和阵列基板另一种对位方式布设图。
133.在本示例中，弯折区14的像素电极209和色阻块101对位后的相对的位置根据显示面板的弯折半径以及第一衬底基板的拉伸情况和第二衬底基板的收缩情况确定。
134.四、弯折待弯折的显示面板
135.将待弯折的显示面板从玻璃载板上剥离，然后弯折弯折区14，并将显示面板固定于预设形状的弯折基板上，形成如图7a和7b所示的显示面板。因而，显示面板包括：
136.对盒设置的彩膜基板1和阵列基板2，彩膜基板1和阵列基板2之间设置有液晶层，液晶层中的液晶分子4。
137.彩膜基板1包括第一衬底基板1a、间隔设置于第一衬底基板1a上的多个色阻块101、覆盖多个色阻块101的平坦层104和设置于平坦层104上的隔垫层105，弯折区14的色阻块101密度小于非弯折区15的色阻块101密度，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的色阻块101长度等于非弯折区15的色阻块101长度，弯折区14的色阻块101间距大于非弯折区15的色阻块101间距，在平行于弯折轴16的方向上，弯折区14的色阻块101的宽度等于非弯折区15的色阻块101的宽度，弯折区14的色阻块101间距等于非弯折区15的色阻块101间距；其中，第一衬底基板1a可以包括第一基板100和设置于第一基板100上的黑矩阵102，黑矩阵102具有像素开口，色阻块101覆盖像素开口。
138.阵列基板2包括第二衬底基板2a、间隔设置于第二衬底基板2a上的多个像素电极209，像素电极209与色阻块101一一对应，弯折区14的像素电极209密度小于非弯折区15的像素电极209密度，在垂直于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素电极209长度大于非弯折区15的像素电极209长度和弯折区14的色阻块101的长度，弯折区14的相邻像素电极209之间的间距大于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距，在平行于弯折轴16的方向上，弯折区14的像素电极209的宽度等于非弯折区15的像素电极209的宽度和弯折区14的色阻块101的宽度，弯折区14的相邻像素电极209之间的间距等于非弯折区15的相邻像素电极209之间的间距；其中，第二衬底基板2a可以包括第二基板200和设置于第二基板200上的阵列结构层213，阵列结构层213包括有机薄膜晶体管，像素电极209与有机薄膜晶体管的漏电极连接。
139.支撑于彩膜基板1和阵列基板2之间的多个隔垫柱3，多个隔垫柱3包括支撑于隔垫层105和第四绝缘层210之间的第一隔垫柱31和支撑于平坦层104和第四绝缘层210之间的第二隔垫柱32。
140.通过本公开显示面板的制备过程可以看出，在弯折过程中，在弯折区14，第一衬底基板1a被拉伸，色阻块101被拉伸，色阻块101向远离弯折中心面17的方向偏移，第二衬底基板2a被挤压，像素电极209向靠近弯折中心面17的方向偏移。由于色阻块101在第二基板200上的正投影与对应的像素电极209在第二基板200上的正投影中心重合，并且在垂直于弯折轴16方向上的像素电极209的长度大于色阻块101的长度，即使色阻块101向远离弯折中心面17的方向偏移，像素电极209向靠近弯折中心面17的方向偏移，像素电极209在第二基板200上的正投影也可以覆盖色阻块101在第二基板200上的正投影，避免了像素电极209与色阻块101错位，造成漏光。在一示例中，色阻块101与像素电极209一一对应，色阻块101靠近弯折中心面17一侧与对应的像素电极209靠近弯折中心面17一侧平齐，可以更有效的避免
弯折后弯折区14的像素电极209与色阻块101错位。此外，彩膜基板1的非弯折区15设置隔垫层105，进而待弯折的显示面板的弯折区14和非弯折区15存在段差，弯折区14的液晶盒厚度大于非弯折区15的液晶盒厚度，在待弯折的显示面板弯折后，由于弯折区14的液晶盒盒厚的厚度变小，可以使得弯折区14的液晶盒厚度与非弯折区15的液晶盒厚度相同，进而保证了弯折区14的显示画面的对比度与非弯折区15的相同，提升了显示面板整体的显示效果。
141.弯折区14的像素电极209和色阻块101的尺寸、密度、像素电极209之间的间距和色阻块101之间的间距可以根据如下公式获得：
142.σ＝e*ε＝e*y*r-1
ꢀꢀ
(1)
143.δl＝l*ε
ꢀꢀ
(2)
144.其中，σ代表弯折区的膜层承受的应力；ε代表弯折区的膜层发生的应变；e为膜层杨氏模量；y为膜层到中性层的距离，中性层为膜层结构中不受应力作用的膜层，可以为图18所示的mn层，可以通过模拟获得；l为弯折区膜层弯折前长度；r为膜层的弯折半径，在本示例中，由于弯折半径较大，膜层较薄(微米级)，膜层的弯折半径可以为常数，约等于显示面板的弯折半径。图19为本公开示例性实施例弯折区受力分析图。
145.通过公式(1)可以得出膜层的应变值ε，通过公式(2)可以获得弯折后膜层的长度变化值δl。对于第一衬底基板，可以通过上述公式获得弯折区的色阻块相对于弯折轴远离的距离，对于第二衬底基板，可以通过上述公式获得弯折区的像素电极相对于弯折轴靠近的距离，进而对相邻像素电极之间的间距、色阻块之间的间距和在垂直于弯折轴方向上的像素电极长度进行设计。
146.在另一示例性实施例中，显示基板的制备过程还可以为：
147.一、彩膜基板的制备
148.制备过程一
149.(1)在玻璃载板5涂覆第一基板100薄膜，固化成膜后，形成第一基板100。在本示例中，第一基板100的材料包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(tac)或聚甲基丙烯酸甲酯(pet)。
150.(2)在第一基板100上涂覆应变薄膜，通过构图工艺对应变薄膜进行构图，如图20a和20b所示，形成应变层图案。应变层106位于弯折区14，应变层106包括第一应变区1061和第二应变区1062，第一应变区1061包括沿着平行于弯折轴16方向延伸并沿垂直于弯折轴16的方向间隔设置的多个第一应变槽107，第二应变区1062包括相邻的第一应变槽107之间形成像素棱条108。应变层106的厚度为5微米到30微米，在垂直于第一基板的方向上，第一应变槽107的深度h1小于或等于应变层106的厚度h2。由于第一应变区1061的应变层被刻蚀掉或部分刻蚀掉，第一应变区1061的厚度小于第二应变区1062的厚度，所以第一应变区1061的拉伸模量小于第二应变区1062的拉伸模量。在另一示例中，应变层的制备过程可以包括：在第一基板100上涂覆应变薄膜，通过压印工艺压印应变薄膜，形成应变层图案。应变材料可以采用透明的光学胶，例如丙烯酸酯型、聚氨酯型或者有机硅胶型。对于非弯折区也可以进行相似的设计，也可以不用，不做限定。图20a为本公开示例性实施例形成一种应变层后的平面图，图20b为图20a中a-a位置的剖面图。
151.(3)在第一基板100上涂布黑矩阵102薄膜，通过构图工艺对黑矩阵102薄膜进行构图，如图21a和21b所示，形成黑矩阵102图案。黑矩阵102覆盖应变层106，黑矩阵102包括阵列设置的像素开口1021，像素开口1021暴露第二应变区1062，也就是说，像素开口1021位于
像素棱条108上。图21a为本公开示例性实施例形成黑矩阵后的平面图，图21b为图21a中a-a位置的剖面图。
152.(4)在前述图案的基底上涂覆色阻薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，如图22a和图22b所示，形成色阻块101图案。色阻块101覆盖像素开口。图22a为本公开示例性实施例形成色阻块后的平面图，图22b为图22a中a-a位置的剖面图。
153.通过上述制备过程形成第一彩膜基板。
154.制备过程二
155.(1)在玻璃载板涂覆第一基板100薄膜，固化成膜后，形成第一基板100。在本示例中，第一基板100的材料包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(tac)或聚甲基丙烯酸甲酯(pet)。
156.(2)在第一基板100上涂覆应变薄膜，通过构图工艺对应变薄膜进行构图，如图23a和23b所示，形成应变层106图案。应变层106位于弯折区14，应变层106包括第一应变区1061和第二应变区1062，第一应变区1061包括沿着平行于弯折轴16方向延伸并沿垂直于弯折轴16的方向间隔设置的多个第一应变槽107和沿着垂直于弯折轴16方向延伸并沿平行于弯折轴16的方向间隔设置的多个第二应变槽109，第一应变层107和第二应变槽可以连通，连通位置为图23a所示的b位置。第二应变区1062包括第一应变槽107和第二应变槽109之间形成的像素岛110。像素岛110在第一基板100上的正投影可以为圆形或矩形。在一示例中，在垂直于第一基板的方向上，应变层106的厚度为5微米到30微米，第一应变槽107的深度h1和第二应变槽109的深度小于或等于应变层106的厚度h2。由于第一应变区1061的应变层被刻蚀掉或部分刻蚀掉，第一应变区1061的厚度小于第二应变区1062的厚度，所以第一应变区1061的拉伸模量小于第二应变区1062的拉伸模量。在另一示例中，应变层的制备过程可以包括：在第一基板100上涂覆应变薄膜，通过压印工艺压印应变薄膜，形成应变层图案。对于非弯折区也可以进行相似的设计，也可以不用，不做限定。图23a为本公开示例性实施例形成另一种应变层后的平面图，图23b为图23a中a-a位置的剖面图。
157.(3)在第一基板100上涂布黑矩阵102薄膜，通过构图工艺对黑矩阵102薄膜进行构图，如图24所示，形成黑矩阵102层图案。黑矩阵102覆盖第一应变区1061，即覆盖第一应变槽107和第二应变槽109，黑矩阵102包括阵列设置的像素开口1021，像素开口1021暴露第二应变区1062，也就是说，像素开口1021位于像素岛110上。图24为本公开示例性实施例形成另一种黑矩阵后的结构图。
158.(4)在前述图案的基底上涂覆色阻薄膜，通过掩膜、曝光和显影后，形成色阻块101图案。色阻块101位于第二应变区1061，色阻块101覆盖像素开口。
159.通过上述步骤后，完成彩膜基板的制备。第一基板100，应变层106和黑矩阵102构成第一衬底基板。
160.通过上述过程形成第二彩膜基板。
161.二、阵列基板的制备
162.(1)在玻璃载板上形成第二基板。制备过程可以参考前述实施例第二基板200的制备过程，在此不再赘述。
163.(2)在第二基板上形成阵列结构层。制备过程可以参考前述实施例阵列结构层的制备过程，在此不再赘述。
164.(3)在形成前述图案的基底上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对明导电薄膜构
图，形成像素电极图案。像素电极通过过孔与阵列结构层的漏电极连接。
165.以上完成阵列基板的制备
166.(5)在形成前述图案的基底形成隔垫柱。在一示例中，彩膜基板为第一彩膜基板，如图9b所示，隔垫柱3与像素棱条108位置对应并位于相邻的色阻块之间。在另一示例中，彩膜基板为第二彩膜基板，如图10b所示，隔垫柱3与第一应变槽107或第二应变槽109或第一应变槽107和第二应变槽109连通位置对应。在另一示例中，彩膜基板为第一彩膜基板，隔垫柱可以形成在彩膜基板上。
167.三、彩膜基板与阵列基板对盒
168.在阵列基板2的显示区域滴涂液晶，在彩膜基板1的非显示区域涂覆封框胶；彩膜基板1与阵列基板2进行对位；在真空条件下进行压合和封框胶固化，形成待弯折的显示面板。在本示例中，液晶采用自取向液晶。在另一示例中，彩膜基板1朝向阵列基板2一侧还包括第一取向层，阵列基板2朝向彩膜基板1一侧还包括第二取向层，液晶填充于第一取向层和第二取向层之间。
169.四、弯折待弯折的显示面板
170.将待弯折的显示面板从玻璃载板上剥离，然后弯折弯折区14，并将显示面板固定于预设形状的弯折基板上，形成如图9a或图10a所示的显示面板。因而，显示面板包括：
171.对盒设置的彩膜基板1和阵列基板2，彩膜基板1和阵列基板2之间形成的液晶层，液晶层包括液晶分子4；彩膜基板1包括第一基板100和设置于第一基板100上应变层106。应变层106包括第一应变区1061和第二应变区1062。在一示例中，第一应变区1061包括沿着平行于弯折轴16方向延伸并沿垂直于弯折轴16的方向间隔设置的多个第一应变槽107，第二应变区1062包括相邻的第一应变槽107之间形成像素棱条108。黑矩阵102覆盖应变层106，黑矩阵102包括阵列设置的像素开口1021，色阻块101覆盖像素开口1021。在另一示例中，第一应变区1061包括沿着平行于弯折轴16方向延伸并沿垂直于弯折轴16的方向间隔设置的多个第一应变槽107和沿着垂直于弯折轴16方向延伸并沿平行于弯折轴16的方向间隔设置的多个第二应变槽109，第一应变区包括第一应变槽107和第二应变槽109之间形成像素岛110。黑矩阵102覆盖第一应变区1061，黑矩阵102包括阵列设置的像素开口1021，像素开口1021位于第二应变区1062上。色阻块101覆盖像素开口1021，第一基板100、应变层106和黑矩阵102构成第一衬底基板。阵列基板2包括第二基板200、设置于第二基板200上的阵列结构层213和设置于阵列结构层213上的像素电极209，覆盖像素电极209的第四绝缘层210和设置于第四绝缘层210上的公共电极211，第二基板200和阵列结构层213构成第二衬底基板。
172.设置于彩膜基板1和阵列基板2之间的隔垫柱3，在一示例中，隔垫柱3与像素棱条108位置对应；在另一示例中，隔垫柱3与第一应变槽107或第二应变槽109或第一应变槽107和第二应变槽109连通位置对应。
173.通过本公开示例性实施例的制备过程可以看出，由于黑矩阵102部分或完全位于第一应变区1061，色阻块101为第二应变区1062，黑矩阵102位置的膜层结构的拉伸模量低，属于拉伸弱区，色阻块101位置的膜层结构拉伸模量高，属于拉伸强区。在弯折的显示面板弯折过程中，彩膜基板1的应变主要发生在黑矩阵102位置，进而减小色阻块101变形，防止了色阻块101与阵列基板2的像素电极209发生大范围错位。黑矩阵102拉伸变形后，其遮光
区域覆盖更大面积，能够有效降低像素电极209与色阻块101错位导致的漏光的风险。在一示例中，对盒完成后隔垫柱3顶压在第一应变槽107或第二应变槽109或第一应变槽107和第二应变槽109连通位置，在后续弯折变形过程中，第一应变槽107或第二应变槽109或第一应变槽107和第二应变槽109连通位置可以有效防止隔垫柱3划出，能够有效降低弯折过程中隔垫柱3滑伤阵列基板2的显示区域而导致漏光的风险。
174.本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
175.形成彩膜基板，彩膜基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个色阻块，彩膜基板包括弯折区和非弯折区，弯折区的色阻块密度小于非弯折区的色阻块密度；
176.形成阵列基板，阵列基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个像素电极，阵列基板包括弯折区和非弯折区，弯折区的像素电极密度小于非弯折区的像素电极密度；
177.对盒彩膜基板和阵列基板，色阻块与像素电极一一对应。
178.在一示例性实施例中，形成彩膜基板包括：
179.形成第一基板；
180.在第一基板上形成应变层，应变层包括第一应变区和第二应变区，第一应变区的拉伸模量小于第二应变区的拉伸模量；
181.在应变层上形成黑矩阵，黑矩阵覆盖应变层，黑矩阵上设置有暴露第二应变区的像素开口；
182.在黑矩阵上形成色阻块，色阻块覆盖像素开口；
183.其中，第一基板、应变层和黑矩阵构成第一衬底基板。
184.本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例的显示面板。显示装置主要涉及固定曲度的曲面显示装置，包括手机、曲面电视机和幕墙显示等等。
185.虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。