电子装置及其制作方法与流程

本发明涉及一种电子装置及其制作方法，特别是涉及一种以可挠性基板作为基板的电子装置及其制作方法。

背景技术：

随着科技的进步，显示设备逐渐朝向轻薄的趋势发展。在液晶显示设备中，玻璃基板可用塑料制成的可挠性基板所取代，以降低整体重量并缩减整体厚度(可称为塑料液晶显示设备(plasticliquidcrystaldisplay,plcd))。现有制作plcd的方法是一次制作多个plcd，然后再将plcd切割开。然而，在切割多个plcd时仍存在一些问题，例如激光切割会产生高温，因此当切割线距离密封胶过近时，密封胶容易产生裂解，而造成液晶外漏。

技术实现要素：

依据本发明的一实施例，公开了一种电子装置。电子装置包括一第一可挠性基板、一第二可挠性基板以及一密封材料。第一可挠性基板具有一第一激光切割缓冲区，且第一可挠性基板包括一第一边缘。第二可挠性基板具有一第二激光切割缓冲区，且第二可挠性基板包括一第二边缘。密封材料设置于第一可挠性基板与第二可挠性基板之间。密封材料与第一边缘相距第一激光切割缓冲区，且密封材料与第二边缘相距第二激光切割缓冲区。

依据本发明的另一实施例，公开了一种电子装置的制作方法。首先，提供一母面板，其中母面板包括一第一可挠性母板、一第二可挠性母板以及至少一密封材料，且密封材料设置于第一可挠性母板与第二可挠性母板之间。接着，进行一分离制程，以将第一可挠性母板切割成一第一可挠性基板，以及将第二可挠性母板切割成一第二可挠性基板，其中分离制程包括进行一激光切割制程。第一可挠性基板具有一第一激光切割缓冲区，第一可挠性基板包括一第一边缘，第二可挠性基板具有一第二激光切割缓冲区，且第二可挠性基板包括一第二边缘。密封材料与第一边缘相距第一激光切割缓冲区，且密封材料与第二边缘相距第二激光切割缓冲区。

附图说明

图1所示为本发明一实施例的电子装置的制作方法流程图；

图2所示为本发明一实施例的电子装置的制作方法中一步骤的结构示意图；

图3所示为图2沿着剖线a-a’的剖视示意图；

图4所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图；

图5所示为本发明第一实施例的电子装置的部分放大俯视与剖视示意图；

图6所示为本发明一些实施例的电子装置的制作方法示意图；

图7所示为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图；

图8所示为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图；以及

图9所示为本发明第四实施例的电子装置的俯视示意图。

附图标记说明：10-母面板；100、200、300、400-电子装置；102、402-第一可挠性基板；102r-第一激光切割缓冲区；104-第二可挠性基板；104r-第二激光切割缓冲区；12-第一可挠性母板；126、226-黑色矩阵层；14-第二可挠性母板；14p-部分；16-密封材料；16s-外侧边；18-液晶层；18l-液晶分子；20-载板；22、24-对位标记；34-保护膜；328-覆盖层；330-遮光层；332-框体；cl11、cl12、cl13、cl14-第一激光切割线；cl21、cl22、cl23、cl24-第二激光切割线；cl25-激光预切割线；dr-显示区；e11、e12、e13、e14、e21、e22、e23、e24、e3、e5-边缘；g1、g2、g3、g4、g5、g6-最小距离；l1、l2-切线；r-区域；s12、s14、s142、s144、s146、s148-步骤；ss-半成品基板；vd1、vd2-俯视方向；d1、d2-方向。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置或拼接装置的一部分，且至少部份图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「具有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「包括但不限定为…」之意。

应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层「上」或「连接」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

术语「约」、「等于」或「相同」通常代表落在给定数值或范围的20％范围内，或代表落在给定数值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。

虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神或相冲突下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。

本发明的电子装置可包括显示设备、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquidcrystal)层、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、发光二极管、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)、次毫米发光二极管(miniled)、微发光二极管(microled)、量子点发光二极管(quantumdotled，可包括qled、qdled)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。下文将以显示设备做为电子装置以说明本发明内容，但本发明不以此为限。

图1所示为本发明一实施例的电子装置的制作方法流程图，图2所示为本发明一实施例的电子装置的制作方法中一步骤的结构示意图，图3所示为图2沿着剖线a-a’的剖视示意图，图4所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图，图5所示为本发明第一实施例的电子装置的部分放大俯视与剖视示意图，其中图5的上半部分为图4的区域r的放大示意图，图5的下半部分为上半部分沿着剖线b-b’的剖视示意图。如图1所示，电子装置的制作方法可包括依序进行步骤s12与步骤s14。下文将进一步搭配图2到图4做详细描述。如图1到图3所示，首先进行步骤s12，提供一母面板10。母面板10可包括一第一可挠性母板12、一第二可挠性母板14以及至少一密封材料16，且密封材料16设置于第一可挠性母板12与第二可挠性母板14之间，用以接合第一可挠性母板12以及第二可挠性母板14。密封材料16可具有环形，用以将具有功能的一或多个元件密封在第一可挠性母板12以及第二可挠性母板14之间。举例来说，密封材料16可包括光固化树脂或其他适合的材料。在一些实施例中，为了节省制作成本，母面板10可包括多个密封材料16，分别围绕对应的元件。本实施例的电子装置以液晶显示设备为例，具有功能的一或多个元件可例如包括液晶层18，但不限于此，因此各密封材料16可将对应的液晶层18密封在第一可挠性母板12与第二可挠性母板14之间。

在一些实施例中，第一可挠性母板12与第二可挠性母板14的其中一个面对另一个的表面上还可形成用以控制液晶层18的液晶分子18l旋转的电路元件，其例如包括薄膜晶体管、扫描线、数据线与像素电极等，但不以此为限，而第一可挠性母板12与第二可挠性母板14的其中所述另一个面对所述一个上还可选择性形成滤光元件，例如彩色滤光层与黑色矩阵层等，但不以此为限。为了清楚绘示，图2与图3省略形成于第一可挠性母板12与第二可挠性母板14上的电路元件与滤光元件，但不以此为限。依据电子装置的类型或功能，电路元件与滤光元件的种类与配置位置可作对应的调整，或者电子装置也可不包括滤光元件，且不限于图3所示的实施例。在一些实施例中，电子装置也可为自发光显示设备，例如有机发光二极管显示设备。

在一些实施例中，以液晶显示设备为例，母面板10的形成方式可例如下文的描述。首先将形成有电路元件的第一可挠性母板12可设置于一载板20上，然后在第一可挠性母板12上形成多个密封材料16。接着，于密封材料16围绕的区域中填入液晶层18，再将形成有滤光元件的第二可挠性母板14设置于密封材料16上，以通过密封材料16将第一可挠性母板12与第二可挠性母板14贴合，以形成母面板10。在一些实施例中，将第一可挠性母板12与第二可挠性母板14贴合的步骤可通过第一可挠性母板12上的对位标记22以及第二可挠性母板14上的对应的对位标记24进行水平方向上的对位。水平方向可例如包括方向d1及/或方向d2。在一些实施例中，对位标记22与对位标记24的形状或大小可彼此相同或不相同。本发明形成密封材料16与液晶层18的方式也可不限于上述方式。

在一些实施例中，当第一可挠性母板12较第二可挠性母板14先设置于载板20上时，母面板10还可包括一保护膜34，设置于第二可挠性母板14相对于第一可挠性母板12的表面上，使得保护膜34可用以在后续的切割制程中保护电子装置的显示区(例如在俯视方向vd上观察密封材料16围绕的区域)，以降低附着在显示区的粒子或减少电子装置的显示区的损坏。在一些实施例中，保护膜34的材料例如包括聚乙烯(polyethylene,pe)。保护膜34的厚度可例如大于或等于20微米且小于或等于40微米，或为30微米。

在一些实施例中，第一可挠性母板12与第二可挠性母板14的材料例如可分别包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚醚砜(pes)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或聚芳酯(par)、其他适当的材料、或上述的组合，但不以此为限。

如图1至图5所示，在步骤s12之后，进行步骤s14，也就是进行分离制程，以将第一可挠性母板12分割成至少一第一可挠性基板102，以及将第二可挠性母板14分割成至少一第二可挠性基板104。在本实施例中，步骤s14的分离制程可包括步骤s142到步骤s148。具体来说，如图2与图3所示，在步骤s142中，进行激光切割制程，于第一可挠性母板12中形成至少一条第一激光切割线cl11、至少一条第一激光切割线cl12、至少一条第一激光切割线cl13与至少一条第一激光切割线cl14，以及于第二可挠性母板14中形成至少一条第二激光切割线cl21、至少一条第二激光切割线cl22、至少一条第二激光切割线cl23与至少一条第二激光切割线cl24。在一些实施例中，第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14可贯穿第一可挠性母板12，用以将第一可挠性母板12作为第一可挠性基板102的部分与其他部分分离，以形成第一可挠性基板102。第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24可贯穿第二可挠性母板14，用以将第二可挠性母板14作为半成品基板ss的部分与其他部分分离，以形成半成品基板ss。在本实施例中，当第一可挠性母板12较第二可挠性母板14先设置于载板20上时，步骤s14还可于第二可挠性母板14中形成至少一条激光预切割线cl25。激光预切割线cl25可将半成品基板ss区分为第二可挠性基板104以及半成品基板ss位于第二激光切割线cl21与激光预切割线cl25之间的部分14p(例如第二可挠性母板14在母面板10的俯视方向vd上与第一激光切割缓冲区(如图4与图5所示的第一激光切割缓冲区102r)重叠并位于第二激光切割缓冲区(如图4与图5所示的第二激光切割缓冲区104r)外的部分14p)。在一些实施例中，激光预切割线cl25可不贯穿第二可挠性母板14，以降低或避免电路元件在俯视方向vd上对应激光预切割线cl25的部分受到损伤，因此第二激光切割线cl21与激光预切割线cl25之间的部分14p仍未与第二可挠性基板104的部分分离。在一些实施例中，激光预切割线cl25可在形成第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14与第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24之前或之后形成，或在形成第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14与第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24的其中任两条之间形成。

在本实施例中，由第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14所围绕出的第一可挠性母板12的部分可形成一个第一可挠性基板102，且由第二激光切割线cl22、cl23、cl24与激光预切割线cl25所围绕出的第二可挠性母板14的部分可形成一个第二可挠性基板104，且密封材料可设置于第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14所围绕出的区域中以及第二激光切割线cl22、cl23、cl24与激光预切割线cl25所围绕出的区域中，因此通过第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14与第二激光切割线cl22、cl23、cl24和激光预切割线cl25可定义出一个电子装置。本发明的第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14与第二激光切割线cl22、cl23、cl24和激光预切割线cl25所围绕出的区域不以上述为限。在本实施例中，第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14的数量可分别为多条，第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24和激光预切割线cl25的数量也可分别为多条，用以切割出多个电子装置，但不限于此。本发明的第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14、第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24和激光预切割线cl25的数量可依据所需形成的电子装置的数量来决定。

在图2的实施例中，第一激光切割线cl11与第二激光切割线cl21可在母面板10的俯视方向vd1上约略对齐，第一激光切割线cl12与第二激光切割线cl22可在母面板10的俯视方向vd1上约略对齐，第一激光切割线cl13与第二激光切割线cl23可在母面板10的俯视方向vd1上约略对齐，且第一激光切割线cl14与第二激光切割线cl24可在母面板10的俯视方向vd1上约略对齐，因此图2的第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14分别与第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24指在同一条线，使得对齐的第一激光切割线cl11与第二激光切割线cl21可在同一道激光切割中由上而下(例如由第二可挠性母板14的上表面到第一可挠性母板12的下表面)一次形成，对齐的第一激光切割线cl12与第二激光切割线cl22可在同一道激光照射中由上而下一次形成，对齐的第一激光切割线cl13与第二激光切割线cl23可在同一道激光照射中由上而下一次形成，且对齐的第一激光切割线cl14与第二激光切割线cl24可在同一道激光照射中由上而下一次形成，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一激光切割线cl11与对应的第二激光切割线cl21、第一激光切割线cl12与对应的第二激光切割线cl22、第一激光切割线cl13与对应的第二激光切割线cl23以及第一激光切割线cl14与对应的第二激光切割线cl24的其中至少一组也可在俯视方向vd1上不对齐，因此至少一组的第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14与对应的第二激光切割线cl21、cl22、cl23、cl24可分别在不同道的激光切割中分次形成。

需注意的是，为了降低密封材料16因受到激光切割制程的激光所产生的高温影响而产生裂解，每条激光切割线或激光预切割线cl25与密封材料16之间可具有一定距离(即沿俯视方向vd1观察激光切割线或激光预切割线cl25与密封材料16的最小距离)，进而与密封材料16分隔开。所述最小距离可例如大于或等于200微米。或者，所述最小距离的范围可从300微米到450微米。又或者，所述最小距离的范围可从300微米到400微米或从400微米到450微米。

在一些实施例中，形成在第二可挠性母板14上的黑色矩阵层(图未示)可具有开口(图未示)，在俯视方向vd1上与激光切割线重叠，使得在进行激光切割制程时有助于机台对位。

在一些实施例中，步骤s14还可在激光切割制程(步骤s142)之后选择性进行轮刀切割制程(步骤s144)，使得轮刀切割制程可沿着彼此对齐的第一激光切割线cl11与第二激光切割线cl21、彼此对齐的第一激光切割线cl12与第二激光切割线cl22、彼此对齐的第一激光切割线cl13与第二激光切割线cl23以及彼此对齐的第一激光切割线cl14与第二激光切割线cl24对载板20切割。

如图1、图4与图5所示，在轮刀切割制程之后，进行步骤s146，移除保护膜34，且同时沿着激光预切割线cl25将半成品基板ss的部分14p移除，以将第二可挠性基板104与部分14p分离，移除的方式可例如为撕除。由于保护膜34可黏着于部分14p上，因此在撕除保护膜34的步骤中可一并将部分14p从第二可挠性基板104上撕除。随后，进行步骤s148，以移除载板20，进而形成本实施例的电子装置100。载板20可例如包括玻璃或其他适合的材料。在一些实施例中，载板20的移除可例如从载板20相对第一可挠性母板12的一侧通过激光全面性照射载板20与第一可挠性基板102之间的接口，以降低载板20与第一可挠性基板102之间的黏着度，从而可将第一可挠性基板102从载板20上分离。需说明的是，激光切割制程的激光光能量可例如为用于分离载板20与第一可挠性基板102的激光光能量的一或数千倍。在一些实施例中，移除保护膜34与半成品基板ss的部分14p(如图2与图3所示)的步骤s146与移除载板20的步骤s148之间可以将偏光片贴合于第二可挠性基板104相对于第一可挠性母板的一侧(例如原有保护膜34的一侧)。在一些实施例中，在移除载板20的步骤s148之后可再贴和另一偏光片于第一可挠性基板102相对于第二可挠性基板104的一侧(例如原有载板20的一侧)。

请参考图6，图6所示为本发明一些实施例的电子装置的制作方法示意图。在一些实施例中，设置第一可挠性母板12与第二可挠性母板14的顺序也可互换，也就是第二可挠性母板14可先设置于载板20上，然后于第二可挠性母板14上形成密封材料16并填入液晶层18，接着再贴合第一可挠性母板12。在此情况下，步骤s142可不在第二可挠性母板14中形成激光预切割线cl25，且移除半成品基板ss的部分14p的步骤s146可在移除载板20的步骤s148之后进行，因此可在移除部分14p之后形成电子装置100。部分14p可例如通过人工撕除。在一些实施例中，在步骤s146与步骤s148之间可以贴合一偏光片于第一可挠性基板102相对于第二可挠性基板104的一侧，在移除载板20的步骤s148之后可再贴合另一偏光片于第二可挠性基板104相对于第一可挠性基板102的一侧，但不限于此。

如图2与图4所示，通过上述方法所形成的第一可挠性基板102可具有四个边缘e11、e12、e13、e14，分别通过第一激光切割线cl11、cl12、cl13、cl14形成，且第二可挠性基板104可具有四个边缘e21、e22、e23、e24，分别通过激光预切割线cl25、第二激光切割线cl22、cl23、cl24形成，因此边缘e21、e22、e23、e24可分别对应边缘e11、e12、e13、e14。由于在电子装置100的俯视方向vd2上，边缘e12与边缘e22约略对齐，边缘e13与边缘e23约略对齐以及边缘e14与边缘e24约略对齐，因此图4所示的边缘e22、e23、e24分别与边缘e12、e13、e14指在同一条线，但本发明不限于此。本实施例的电子装置100的形状可例如为矩形，但本发明的电子装置100的形状不以此为限。在一些实施例中，电子装置的形状也可为圆形或其他几何形状。

在一些实施例中，由于第一可挠性基板102的边缘e11、e12、e13、e14以及第二可挠性基板104的边缘e22、e23、e24是由激光切割所形成，因此可具有较平整的表面。由于第二可挠性基板104对应激光预切割线cl25的边缘e21是可通过撕除的方式形成，因此边缘e21可为不平整表面。边缘e21的粗糙度可大于第二可挠性基板104由激光切割所形成的边缘e22、e23、e24的粗糙度。并且，第二可挠性基板104的边缘e21的粗糙度也可大于第一可挠性基板102由激光切割所形成的边缘e11、e12、e13、e14的粗糙度。

如图4与图5所示，在本实施例的电子装置100中，第一可挠性基板102可具有第一激光切割缓冲区102r，且密封材料16与边缘e11、e12、e13、e14相距第一激光切割缓冲区102r，第二可挠性基板104可具有第二激光切割缓冲区104r，且密封材料16与边缘e21、e22、e23、e24相距第二激光切割缓冲区104r。第一激光切割缓冲区102r可定义为沿着远离第一可挠性基板102的边缘e11、e12、e13、e14朝向密封材料16的内侧延伸到密封材料16的外侧边16s为止的区域。同理，第二激光切割缓冲区104r可定义为沿着远离第二可挠性基板104的边缘e21、e22、e23、e24朝向密封材料16的内侧延伸到密封材料16的外侧边16s为止的区域。举例来说，电子装置100的显示区dr可位于密封材料16的内侧。

需说明的是，通过第一激光切割缓冲区102r以及第二激光切割缓冲区104r的设计，可降低激光所产生的高温对密封材料16的影响，进而减少密封材料16的裂解。在以液晶显示设备为例的实施例中，液晶层18设置并密封于第一可挠性基板102以及第二可挠性基板104之间。通过第一激光切割缓冲区102r以及第二激光切割缓冲区104r的设计，可降低液晶层18的液晶分子18l外漏，以提升电子装置100的生产良率。举例来说，第一激光切割缓冲区102r的宽度与第二激光缓冲区104r的宽度可均大于或等于200微米，其中前述所指的宽度为基板边缘与密封材料之间最小宽度。

在一些实施例中，在图5的下半部分的剖视图中，第一可挠性基板102的边缘e11与密封材料16投影到垂直电子装置100的俯视方向vd2的平面上的投影之间可具有一最小距离g1，例如第一激光切割缓冲区102r从边缘e11到密封材料16的最小宽度。在图5下方的剖视部分中，第二可挠性基板104的边缘e21与密封材料16投影到垂直电子装置100的俯视方向vd2的平面上的投影之间也可具有一最小距离g2，例如第二激光切割缓冲区104r从边缘e21到密封材料16的最小宽度。最小距离g1可大于最小距离g2。在一些实施例中，最小距离g2也可通过测量不平整的边缘e21的五个点与密封材料16之间的最小距离并取其平均值而得。

如图4所示，第一可挠性基板102的边缘e12、e13、e14与密封材料16之间也可分别具有一最小距离g3，也就是第一激光切割缓冲区102r从边缘e12、e13、e14到密封材料16的宽度。第一可挠性基板102的最小距离g3可彼此相同，或者其中至少两个不相同。第二可挠性基板104的边缘e22、e23、e24与密封材料16之间也可分别具有一最小距离g4，也就是第二激光切割缓冲区104r从边缘e22、e23、e24到密封材料16的宽度。第二可挠性基板104的最小距离g4可彼此相同，或者其中至少两个不相同。在一些实施例中，最小距离g3、g4可不同于最小距离g1与最小距离g2，或者最小距离g3、g4可相同于最小距离g1与最小距离g2的其中一个。在图4所示的实施例中，最小距离g3可约略相同于最小距离g4，但不限于此。举例来说，最小距离g1、g2、g3、g4的范围可分别从300微米到450微米。又或者，依据需求的不同，最小距离g1、g2、g3、g4的范围可分别从300微米到400微米或从400微米到450微米。

在一些实施例中，电子装置100还可包括一黑色矩阵层126，设置于第二可挠性基板104上。黑色矩阵层126可用以定义显示设备的子像素或像素的区域。举例来说，黑色矩阵层126设置于第二可挠性基板104面对第一可挠性基板102的表面上，但不以此为限。在一些实施例中，第一激光切割缓冲区102r的一部分在电子装置100的俯视方向vd2上不被黑色矩阵层126覆盖。举例来说，黑色矩阵层126在俯视方向vd2上可重叠于密封材料16，且从密封材料16的内侧延伸到外侧，但与部分第一激光切割缓冲区102r不重叠，且本发明不以此为限。在一些实施例中，黑色矩阵层126邻近第二可挠性基板104的边缘e21的边缘e3与边缘e21之间可具有最小距离g5，且最小距离g5小于或等于对应第二可挠性基板104的边缘e21的最小距离g2。在一些实施例中，黑色矩阵层126的其他边缘(例如边缘e4)与对应的第二可挠性基板104的边缘(例如边缘e24)之间也可具有最小距离(例如最小距离g6)，小于或等于最小距离g4。

本发明的电子装置并不以上述实施例为限，且可具有不同的变化实施例。为简化说明，下文中不同的变化实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同元件。为容易比较第一实施例与不同的变化实施例之间的差异，下文将突显不同的变化实施例的差异，且不再对重复部分作赘述。

图7所示为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图。本实施例的电子装置200与上述实施例的差异在于本实施例的黑色矩阵层226邻近第二可挠性基板104的边缘e21的边缘e3可与密封材料16的外侧边16s约略对齐，因此黑色矩阵层226的边缘e3与第二可挠性基板104的边缘e21之间的最小距离g5可约略相同于密封材料16与第二可挠性基板104的边缘e21之间的最小距离g2。在一些实施例中，密封材料16在电子装置200的俯视方向vd2上也可不与黑色矩阵层226重叠。

图8所示为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图。本实施例的电子装置300与上述实施例的差异在于本实施例的电子装置300还可包括一覆盖层328以及设置于覆盖层328上的遮光层330，其中遮光层330在电子装置300的俯视方向vd2上与第一激光切割缓冲区102r以及黑色矩阵层126重叠。举例来说，通过遮光层330在俯视方向vd2上覆盖第一可挠性基板102从边缘e11到边缘e3的部分，可降低电子装置300产生的光线从第二可挠性基板104在俯视方向vd2上没有与黑色矩阵层126重叠的部分射出，因此可减少漏光的情况。在一些实施例中，在俯视方向vd2上，遮光层330也可覆盖第一可挠性基板102从其他边缘(如图4所示的边缘e12、e13、e14)到对应的黑色矩阵层126的边缘的部分。在一些实施例中，遮光层330可包括油墨、光阻材料或其他适合的遮光材料，但不以此为限。

在一些实施例中，电子装置300还可包括一框体332，且在电子装置300的俯视方向vd2上，框体332可与第一激光切割缓冲区102r以及黑色矩阵层126重叠，以此可降低漏光的情况。举例来说，通过框体332在俯视方向vd2上可覆盖第一可挠性基板102从边缘e11到边缘e3的部分。在一些实施例中，在俯视方向vd2上，框体332也可覆盖第一可挠性基板102从其他边缘(如图4所示的边缘e12、e13、e14)到对应的黑色矩阵层126的边缘的部分。在一些实施例中，框体332可包括金属或其他适合的材料，但不以此为限。在一些实施例中，遮光层330与框体332的其中一个可与第一激光切割缓冲区102r以及黑色矩阵层126重叠。在一些实施例中，电子装置300也可包括覆盖层328以及遮光层330的组合与框体332的其中一个。

图9所示为本发明第四实施例的电子装置的俯视示意图。本实施例的电子装置400与上述实施例的差异在于本实施例的电子装置400的俯视形状可为非矩形。举例来说，电子装置400的第一可挠性基板402与第二可挠性基板可为圆形或其他几何形状。为清楚绘示，图9省略第二可挠性基板。在非矩形的电子装置400中，密封材料16与第一可挠性基板402之间的最小距离g1可定义为在垂直于第一可挠性基板402的边缘e11的切线l1的延伸方向的方向上第一可挠性基板402的边缘e11距离密封材料16的边缘e5的最小距离。例如，最小距离g1可为第一可挠性基板402的边缘e11的切线l1与平行于切线l1且通过密封材料16的边缘e5的切线l2之间的距离。

综上所述，在本发明的电子装置与其制作方法中，通过第一激光切割缓冲区以及第二激光切割缓冲区，可降低激光所产生的高温对密封材料的影响，进而避免密封材料的裂解。

以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化，且各实施例间的不同特征只要不相冲突或违反揭露精神，均可任意排列组合，端视设计需求。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。