1.本发明涉及一种蓝玻璃红外截止滤光片的制备工艺及其使用方法，属于滤光片生产技术领域。
背景技术：
2.红外截止滤光片(又叫红外滤光片或吸热过滤片)是一种应用于过滤红外波段的滤镜。比如装在白炽光灯的设备上(如：幻灯片、投影机)可以阻挡不必要的热度灼伤镜头，装在固态电子器件的摄影机上，可以阻止红外线穿过摄像机的镜头造成图片失真。典型的红外滤镜通常以蓝色镜片为主，但仍会阻隔可见光波段较长的红光，通过在成像系统中加入红外截止滤光片，阻挡该部分干扰成像质量的红外光，可以使所成影像更加符合人眼的最佳感觉，与光学低通滤波器有所不同的是，光学低通滤波器主要应用于数码相机、数码摄像机和视频监控摄像头中，目的是为消除红外光的伪色现象，通过空间滤波去掉莫尔条纹；而红外截止滤光片则主要应用于可拍照手机、电脑内置摄像头、汽车摄像头的镜头系统，这些下游产品目前对于图像的成像质量要求不高，不需要考虑空间滤波，而关注的是光波滤波，即红外光抑制。
3.目前现有红外截止滤光片制备工艺比较繁琐，生产效率不高，而且生产出来的质量参差不齐，针对上述情况，在现有的精炼剂的基础上进行技术创新。
技术实现要素：
4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种蓝玻璃红外截止滤光片的制备工艺，解决了上述背景技术中提出的问题。
5.本发明的目的在于提供一种蓝玻璃红外截止滤光片的制备工艺，包括以下步骤：
6.s1.划大片，将大片光学玻璃划切成预定规格尺寸；
7.s2.研磨，将切割好的玻璃片在研磨机上进行研磨；
8.s3.抛光，将s2中研磨好的玻璃片在范成法高速抛光机进行抛光；
9.s4.清洗，将抛光后的玻璃片放在超声波清洗机中进行清洗，清洗完成后进行烘干得到待加工晶体；
10.s5.镀膜，在晶体正表面利用电子束蒸镀镀上氟化镁薄膜层，然后再在氟化镁薄膜层的上表面镀一层滤光膜，之后在晶体的反面以及滤光膜的上表面分别镀上红外截止膜；
11.s6.自动划片，按照规格要求将镀膜完毕后的晶片进行划片；
12.s7.再清洗，将步骤s6中得到的晶体利用超声波清洗机中进行再次清洗，清洗完毕后烘干。
13.优选的，所述步骤s1中大片光学玻璃采用蓝玻璃材质，且划大片之前进行清洗干燥。
14.优选的，所述步骤s2中采用具有切削能力的金刚石在研磨轮旋转电机的带动下雨玻璃片的边部做相对运动，且玻璃片的流动方向与研磨轮转动方向相反，同时研磨时不断
的用水进行喷洒。
15.优选的，所述步骤s3中抛光时间为15
‑
30min，且抛光原液与水的比列为1:1。
16.优选的，所述步骤s4超声波清洗液采用纯水，且超声波清洗时间为10
‑
40min。
17.优选的，所述步骤s5中滤光膜包含有两层，分别为五氧化三钛膜和二氧化硅膜，且五氧化三钛膜的厚度为300nm,二氧化硅膜的厚度为500nm。
18.优选的，所述步骤s7中晶体利用超声波清洗机中进行再次清洗的时间为10
‑
15min。
19.与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
20.本发明提供的蓝玻璃红外截止滤光片的制备工艺，采用新的工艺，不仅对现有的工艺进行优化，而且还可以大大提高生产的效率，减少残次品的出现，同时采用本申请记载的制备工艺对蓝玻璃红外截止滤光片进行生产所需要的技工要求较低，很容易上手进行大规模批量生产，进一步了降低了生产的成本。
具体实施方式
21.为使本领域技术人员更加清楚和明确本发明的技术方案，下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
22.本实施例提供的一种蓝玻璃红外截止滤光片的制备工艺，包括以下步骤：
23.s1.划大片，将大片光学玻璃划切成预定规格尺寸；
24.s2.研磨，将切割好的玻璃片在研磨机上进行研磨；
25.s3.抛光，将s2中研磨好的玻璃片在范成法高速抛光机进行抛光；
26.s4.清洗，将抛光后的玻璃片放在超声波清洗机中进行清洗，清洗完成后进行烘干得到待加工晶体；
27.s5.镀膜，在晶体正表面利用电子束蒸镀镀上氟化镁薄膜层，然后再在氟化镁薄膜层的上表面镀一层滤光膜，之后在晶体的反面以及滤光膜的上表面分别镀上红外截止膜；
28.s6.自动划片，按照规格要求将镀膜完毕后的晶片进行划片；
29.s7.再清洗，将步骤s6中得到的晶体利用超声波清洗机中进行再次清洗，清洗完毕后烘干。
30.步骤s1中大片光学玻璃采用蓝玻璃材质，且划大片之前进行清洗干燥。
31.步骤s2中采用具有切削能力的金刚石在研磨轮旋转电机的带动下雨玻璃片的边部做相对运动，且玻璃片的流动方向与研磨轮转动方向相反，同时研磨时不断的用水进行喷洒。
32.步骤s3中抛光时间为15
‑
30min，且抛光原液与水的比列为1:1。
33.步骤s4超声波清洗液采用纯水，且超声波清洗时间为10
‑
40min。
34.步骤s5中滤光膜包含有两层，分别为五氧化三钛膜和二氧化硅膜，且五氧化三钛膜的厚度为300nm,二氧化硅膜的厚度为500nm。
35.步骤s7中晶体利用超声波清洗机中进行再次清洗的时间为10
‑
15min。
36.以上所述，仅为本发明进一步的实施例，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明所公开的范围内，根据本发明的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本发明的保护范围。