版图Dense-3Bar-Dense结构的修正方法与流程

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种用于版图dense-3bar-dense结构的光学临近效应修正方法。

背景技术：

随着技术节点的降低，设计版图的关键尺寸(cd)和空间周期(pitch)越来越小，而且设计版图的结构也越来越复杂，因此在对版图进行光学临近效应修正的时候需要考虑周围的环境因素也越来越复杂。对于设计版图中单一的3bar结构而言，两侧独立的线(edgebar)在传统的光学临近效应修正规则中因为有足够的空间会通过重新定义目标(retarget)来确保足够的景深(dof)；中间的线(middlebar)往往需要通过适当的增大关键尺寸(cd)以满足该工艺条件下的dof。当技术节点在28nm以下时，关键尺寸和空间周期都比较小，3bar中间关键尺寸能够增大的空间范围非常有限，为了让3bar的中间线在增大关键尺寸的同时不引起桥连缺陷(bridgedefect)，需要将两侧独立的线各自向外移，以确保3bar结构的最大景深。

如图1和图2所示，对于dense-3bar-dense结构，由于dense图形及设计规则的限制，不能完全按照上述单一的3bar结构的简单处理方式来处理dense-3bar-dense中的3bar部分，因为可能会导致3bar中间线断线(pinch)、产生近距离角对角(cornertocorner)以及引起桥连缺陷(bridgedefect)的风险。

技术实现要素：

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能避免3bar中间线断线、产生近距离角对角以及引起桥连缺陷的版图dense-3bar-dense结构的修正方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种版图dense-3bar-dense结构的修正方法，包括以下步骤：

s1,将版图中的dense-3bar-dense结构选出，将dense-3bar-dense结构中3bar结构的边线分解区分；

s2，选定出3bar每根bar各边，根据各边所处位置和版图的关键尺寸错位选择出不同长度的边段；

s3，对错位选定出来的3bar各个边分别进行目标图形优化处理；

s4，对进行目标图形优化处理后的版图添加曝光辅助图形，在3bar的两侧添加安全参数的曝光辅助图形(sraf)。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，步骤s2包括：以dense结构为参照,3bar的两侧独立线外侧边a的所选片段端点到dense距离为a,两侧独立线内侧边b所选片段端点到边a端点的距离为b，中间线两条边所选片段端点到边b端点的距离为c。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，根据版图的关键尺寸cd选取不同边到dense的距离，所述距离范围满足以下规则：1/2cd≤a≤cd；1/2cd≤b≤cd；1/2cd≤c≤cd。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，步骤s3中目标图形优化处理包括：若选定的边为c，根据光学临近效应和刻蚀效应，将其目标图形向图形外部做延伸，延伸量由实际工艺决定。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，延伸量取值范围为2nm-4nm。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，步骤s3中目标图形优化处理包括：若选定的边为b，将其目标图形向图形内部做延伸，边b的延伸量等于边c的延伸量。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，延伸量取值范围为2nm-4nm。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，步骤s3中目标图形优化处理包括：若选定的边为a，将其目标图形向图形外部做延伸，边a的延伸量等于边b的延伸量。

可选择的，进一步改进所述的版图dense-3bar-dense结构的修正方法，延伸量取值范围为2nm-4nm。

本发明对dense-3bar-dense结构中的3bar目标图形按照错位选取不同长度的片段优化处理，有效的降低了3bar中间线的pinch风险；而且错位选取不同长度片段的方法在优化目标图形的过程中避免了近距离的角对角(cornertocorner)的产生，保证了dense-3bar-dense结构的特征尺寸满足设计要求，不会引起新的3bar中间线断线和桥连缺陷风险。又通过对dense-3bar-dense结构添加曝光辅助图形，进一步提高该结构的景深。

附图说明

本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为设计版图中dense-3bar-dense结构示意图

图2为一般处理dense-3bar-dense结果示意图

图3为本发明流程示意图。

图4为本发明具体实施例中dense-3bar-dense各边错位选段的示意图。

图5为本发明具体实施例中dense-3bar-dense目标图形优化示意图。

图6为本发明具体实施例中经过修正后dense-3bar-dense的仿真结果示意图与修正前的结果对比。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。

此外，还应当理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、参数、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、参数、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、参数、组件、区域、层或部分与另一个元件、参数、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离根据本发明的示例性实施例的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、参数、组件、区域、层或部分也可以被称作第二元件、参数、组件、区域、层或部分。

第一实施；

如图3所示，本发明提供一种版图dense-3bar-dense结构的修正方法，包括以下步骤：

s1,将版图中的dense-3bar-dense结构选出，将dense-3bar-dense结构中3bar结构的边线分解区分；

s2，选定出3bar每根bar各边，根据各边所处位置和版图的关键尺寸错位选择出不同长度的边段；

s3，对错位选定出来的3bar各个边分别进行目标图形优化处理；

s4，对进行目标图形优化处理后的版图添加曝光辅助图形。

第二实施；

继续参考图3所示，本发明提供一种版图dense-3bar-dense结构的修正方法，包括以下步骤：

s1,将版图中的dense-3bar-dense结构选出，将dense-3bar-dense结构中3bar结构的边线分解区分；

以dense结构为参照,3bar的两侧独立线外侧边a的所选片段端点到dense距离为a,两侧独立线内侧边b所选片段端点到边a端点的距离为b，中间线两条边所选片段端点到边b端点的距离为c；

s2，选定出3bar各边，根据各边所处位置和版图的关键尺寸错位(dense的距离)选择出不同长度的边段；根据版图的关键尺寸cd选取不同边到dense的距离，所述距离范围满足以下规则：1/2cd≤a≤cd；1/2cd≤b≤cd；1/2cd≤c≤cd；

s3，对错位选定出来的3bar各个边分别进行目标图形优化处理；

若选定的边为c，根据光学临近效应和刻蚀效应，将其目标图形向图形外部做延伸，延伸量由实际工艺决定；

若选定的边为b，将其目标图形向图形内部做延伸，边b的延伸量等于边c的延伸量；

若选定的边为a，将其目标图形向图形外部做延伸，边a的延伸量等于边b的延伸量；

其中，无论选定边为a、b或c，其延伸量取值范围为2nm-4nm，优先为2nm、3nm或4nm；

s4，对进行目标图形优化处理后的版图添加曝光辅助图形，即在3bar两侧添加参数安全的曝光辅助图形(sraf)。

除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。